24/1/2019 Práctica Calificada 2

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Página Principal Mis cursos Física Electrónica - 30S/SI/04/182-M Unidad de Aprendizaje 2
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Práctica Calificada 2


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Comenzado el jueves, 24 de enero de 2019, 16:33
 Estado Finalizado
Finalizado en jueves, 24 de enero de 2019, 18:21
 Tiempo 1 hora 48 minutos
empleado
 Calificación 19,00 de 20,00 (95
95%)

 Pregunta 1 Para semiconductores tipo P, la energía Fermi se ubica

Correcta
 Puntúa 1,00 Seleccione una:
sobre 1,00
a. En la banda de conducción.

b. Muy cerca de la banda de valencia. 

c. Muy cerca de la banda de conducción.

d. En la mitad de la banda prohibida.

e. En la banda prohibida.

La respuesta correcta es: Muy cerca de la banda de valencia.

Pregunta 2 La energía de Fermi en los semiconductores intrínsecos se

Correcta ubica en:
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:
a. En la banda de valencia.

b. En la banda de conducción.

c. En la banda prohibida.

d. En la mitad de la banda de valencia.

e. En la mitad de la banda prohibida. 

La respuesta correcta es: En la mitad de la banda prohibida.

Pregunta 3 Como se consigue que un material semiconductor se convierta

Correcta en conductor
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:
a. Agregándole electrones.

b. Poniéndolo a grandes temperaturas .

c. Introduciendo impurezas. 

d. Excitando sus electrones.

e. N.A.

La respuesta correcta es: Introduciendo impurezas.

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Pregunta 4 El desarrollo de la electrónica ha llevado a la obtención de

Correcta materiales compuestos con propiedades semiconductoras
Puntúa 1,00 como:
sobre 1,00

Seleccione una:
a. El carbón.

b. El silicio.
 c. Fosfuro de indio. 

d. Arsénico.

e. El cristal.


 Las respuestas correctas son: El silicio., Fosfuro de indio.


Pregunta 5 La concentración de portadores de carga intrínsecos depende
 Correcta de:
Puntúa 1,00
 sobre 1,00 Seleccione una:
a. La masa.

b. La cantidad de electrones.

c. La temperatura. 

d. Del material.

e. La energía.

La respuesta correcta es: La temperatura.

Pregunta 6 En la ley de Masas la concentración de portadores carga

Incorrecta negativa en la banda de conducción es:
Puntúa 0,00
sobre 1,00 Seleccione una:
a. Directamente proporcional a la concentración de
portadores positivos.

b. Directamente proporcional a la concentración de

portadores negativos.

c. Inverazmente proporcional a la concentración de

portadores positivos.

d. Inversamente proporcional a la concentración de

portadores negativos. 

e. N.A.

La respuesta correcta es: Inverazmente proporcional a la

concentración de portadores positivos.

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Pregunta 7 El campo eléctrico que logra equilibrar al proceso de difusión

Correcta en la unión P-N tiene asociado una diferencia de potencial
Puntúa 1,00 llamado :
sobre 1,00

Seleccione una:
a. Voltaje diferencial.

b. Voltaje de unión.
 c. Voltaje de equilibrio.

d. Voltaje de contacto. 



La respuesta correcta es: Voltaje de contacto.

Pregunta 8 Los semiconductores intrínsecos son:


Correcta

 Puntúa 1,00 Seleccione una:

sobre 1,00
a. Tetravalentes. 
 b. Pentavalentes.

c. Divalentes.

d. Trivalentes.

e. Octava lentes.

La respuesta correcta es: Tetravalentes.

Pregunta 9 En la unión P-N cuando los electrones y huecos no pasan de

Correcta una zona otra, se puede dividir en:
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:
a. Dos regiones neutrales y una región covalente.

b. Dos regiones covalentes y una región neutral.

c. Dos regiones de agotamiento y una covalente.

d. Dos regiones covalentes y una neutral.

e. Dos regiones neutrales y una región de agotamiento.



La respuesta correcta es: Dos regiones neutrales y una región

de agotamiento.

Pregunta 10 En la fabricación de dispositivos electrónicos se utiliza

Correcta principalmente:
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:
a. Portadores intrínsecos.

b. Semiconductores intrínsecos.

c. Semiconductores extrínsecos. 

d. Semiconductores.

e. Portadores extrínsecos .

La respuesta correcta es: Semiconductores extrínsecos.

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Pregunta 11 Para los semiconductores tipo P, de acuerdo a la distribución

Correcta de Fermi Dirac existe una gran probabilidad de encontrar
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:

a. Electrones en la banda de conducción.

 b. Electrones en la banda de valencia.

c. Huecos en la banda de conducción.


d. Huecos en la banda de valencia. 

 e. Átomos en la banda de conducción .


La respuesta correcta es: Huecos en la banda de valencia.


 Pregunta 12 Donde se ubica la energía de Fermi en los semiconductores

Correcta intrínsecos, aproximadamente:
 Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:
 a. Entre la energía de mayor nivel de banda prohibida y la
energía de mayor nivel de la banda de conducción .

b. Entre la energía de menor nivel de banda prohibida y la
energía de mayor nivel de la banda de conducción .

c. Entre la energía de mayor nivel de banda de valencia y

la energía de mayor nivel de la banda de conducción .

d. Entre la energía de mayor nivel de banda de

conducción y la energía de mayor nivel de la banda
prohibida.

e. Entre la energía de mayor nivel de banda de valencia y

la energía de menor nivel de la banda de conducción . 

La respuesta correcta es: Entre la energía de mayor nivel de

banda de valencia y la energía de menor nivel de la banda de
conducción .

Pregunta 13 El silicio (Si) se dopa con impurezas de boro (B) que tiene tres
Correcta electrones de valencia y, por tanto, un electrón de menos, es
Puntúa 1,00 decir un hueco. La presencia de huecos en la red origina que el
sobre 1,00 material sea:

Seleccione una:
a. Un mal conductor.

b. Un buen conductor. 

c. Semiconductor.

d. Extrínseco.

e. Intrínseco.

La respuesta correcta es: Un buen conductor.

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Pregunta 14 Que se produce cuando un semiconductor intrínseco se

Correcta calienta
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:

a. Excitación anormal.

 b. Perdida de electrones.

c. Salto de electrones.

d. Excitación térmica. 

 e. Concentración de electrones.


La respuesta correcta es: Excitación térmica.


 Pregunta 15 Como está definido la ecuación para hallar El voltaje térmico

Correcta
 Puntúa 1,00 Seleccione una:
sobre 1,00
a. V_T=c T. 

b. V_T=c T^2.

 c. V_T=c I^2.

d. V_T=c I.

e. N.A.

La respuesta correcta es: V_T=c T.

Pregunta 16 El modelo matemático que mejor representa la curva

Correcta característica de un diodo, sin tener en cuenta la zona de
Puntúa 1,00 ruptura, está dado por:
sobre 1,00

Seleccione una:
a. Las ecuaciones de Kirchhoff.

b. La ecuación de Shockley.

c. La ecuación de Ohm.

d. La ecuación de Newton.

e. La ecuación de Pauli . 

La respuesta correcta es: La ecuación de Pauli .

Pregunta 17 Si le aplicamos calor a un átomo que está unido a otros cuatro

Correcta átomos compartiendo sus electrones de valencia, es posible:
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:
a. Liberar átomos.

b. La unión de electrones.

c. Liberar electrones. 

d. La unión de átomos.

e. Que no pueda conducir corriente.

La respuesta correcta es: Liberar electrones.

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Pregunta 18 Que significa el signo negativo en la intensidad de corriente

Correcta inversa
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:

a. Que la corriente circula del polo negativo al polo
positivo. 

b. Que la corriente es muy pequeña.
 c. Que la corriente es muy grande.

d. Que la corriente circula del polo positivo a polo


negativo.

 e. N.A.


La respuesta correcta es: Que la corriente circula del polo
negativo al polo positivo.



Pregunta 19 A la temperatura ambiente, solamente un electrón de cada 1012
 Correcta de la banda de valencia, en el caso del silicio rompe su:
Puntúa 1,00
 sobre 1,00 Seleccione una:
a. Enlace covalente.

b. Enlace térmico.

c. Enlace de conducción.

d. Enlace de valencia.

e. Enlace de excitación térmica. 

La respuesta correcta es: Enlace de excitación térmica.

Pregunta 20 Que produce la diferencia de potencial en un material

Correcta semiconductor
Puntúa 1,00
sobre 1,00 Seleccione una:
a. El aumento de energía de las bandas de valencia y de
conducción.

b. El choque de electrones.

c. Una caída de energía de las bandas de valencia y de

conducción. 

d. Esquemas de energía.

e. Niveles de energía.

La respuesta correcta es: Una caída de energía de las bandas

de valencia y de conducción.

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