Electronica Analogica III Unidad2

Electrónica Analógica III
Unidad 2.-Dispositivos Optoelectrónicos

• Sensores
• Funcionamiento básico
• Fotorresistencias
• Fotodiodo
• Fototransistores
• Comparación entre los sensores
• Circuitos integrados Optoelectrónicos
• Emisores
• Pantallas electrónicas
• Optoacopladores
Dispositivos Optoelectrónicos
• Se considera parte de la optoelectrónica todo dispositivo que combine
señales ópticas con electrónicas.
Dispositivos Optoelectrónicos
• La luz en el vacío viaja a una velocidad de 299 792 458 m/s
• La longitud de onda es la velocidad de la luz en el vacío multiplicado por el

periodo de la señal
• La energía de la luz es la multiplicación de la constante de Planck

6.582119514(40)×10−16 por la frecuencia de vibración.
Espectro electromagnético
• Sensores.- Funcionamiento básico.
• Convierten una señal óptica en una electrónica
• Fotorresistencias
• Fotodiodos
• Fototransistores
• Celdas solares
• Sensores.- Efecto fotoeléctrico
La luz es radiación electromagnética donde cada fotón es una partícula con una energía
Dicha energía puede cederse a otra partícula por medio de interacción.

Los fotones inciden sobre un fotocátodo, su energía libera electrones que son acelerados
por el campo eléctrico hasta el ánodo, generando una fotocorriente.
Este efecto sucede sólo cuando la energía de los fotones supera la energía de ionización del
material que compone el fotocátodo.
El experimento consistió en iluminar el fotocátodo con una luz de una
longitud de onda (o frecuencia, o energía) para comprobar que sucede cuando se produce
un incremento de intensidad de esta luz (incremento del número de fotones). Se observó
que el incremento de intensidad de la luz producía un incremento de la corriente entre el
fotocátodo y el electrodo sólo si la energía de cada fotón individual era suficiente para
extraer un electrón.
¿Qué sucede cuando un fotón interacciona con una partícula?
Al chocar con la partícula le cede su energía elevándola, si esta energía es suficiente para
modificar su estado este cambiará.
Pongamos el ejemplo más simple, el electrón de un átomo de hidrógeno donde para pasar
a un orbital superior necesita un aporte de energía igual o mayor a la diferencia entre los
niveles.
Si recibiera una energía mayor a En entonces escaparía de la atracción del núcleo ionizando
el átomo y el electrón quedaría libre.
Los electrones pueden estar ligados a un átomo o pueden estar en la banda de
conducción.
Cuanto más alejados se encuentren del núcleo la energía que les liga a él será menor, si
consiguen esta energía pueden abandonar el material.
• Sensores.- Conductividad eléctrica en semiconductores
El Silicio tiene cuatro electrones en la última capa que están ligados a un orbital que no
pertenece a un único átomo sino que está compartido para interaccionar con los átomos
del cristal.
Si todos los electrones estuviesen anclados a un átomo no habría cargas libres y por lo
tanto sería un aislante.
Los orbitales libres no pertenecen a un único átomo sino que al formarse un cristal se
desarrolla un orbital que pertenece a todos los átomos del cristal, este orbital se llama
banda de conducción por contraposición a los ligados a los átomos que son la capa de
valencia.
• Sensores.- Conductividad eléctrica en semiconductores
A diferencia con los metales: en los metales los electrones pueden moverse libremente con
un mínimo aporte energético, sin embargo en los semiconductores hay una banda
prohibida similar a los saltos energéticos que se apreciaban en el átomo de hidrógeno, con
lo que es necesaria una energía apreciable para que un electrón pase a la banda de
conducción y pueda contribuir a la corriente eléctrica.
La energía térmica genera en un semiconductor pares electrón-hueco, es decir, suministra

a un electrón ligado energía suficiente como para saltar la banda prohibida y dejar tras de
si una posición electrónica libre llamada hueco.
• Sensores.- Fotoconductividad en semiconductores
En la figura podemos observar un fotón creando un par electrón-hueco, su energía ha de
ser igual o superior a la energía de la banda prohibida, el electrón sobre
el que ha incidido el fotón saltará a la banda de conducción creando un hueco en la banda
de valencia, ambos portadores de carga participarán ahora en la conducción aumentando
la conductividad del material y por tanto con una misma diferencia de potencial en los
extremos del semiconductor la corriente será mayor debido a la disminución de la
resistencia.
¿Qué longitudes de onda serán las que incrementen la
fotoconductividad?
¿Qué longitudes de onda serán las que incrementen la
fotoconductividad? La respuesta parece evidente, aquellas cuya energía sea mayor pero no
es tan simple.
• Sensores.- Transmisión y absorción
Cuando un fotón de una energía determinada incide sobre una partícula esta absorbe al fotón y la
partícula puede realizar un cambio de estado si la energía es suficiente. Si la energía es
menor que la que necesita para cambiar de estado esta partícula liberará al fotón para volver a quedar
en un estado de energía mínima
Si tras la interacción con la partícula tenemos al mismo fotón con la misma energía tenemos transmisión.
Cuando el fotón tiene una energía superior a la necesaria para que la partícula con la que interacciona
llegue a un nuevo estado estable el fotón ha sido absorbido.
La absorción sólo ocurre cuando hay una interacción, no todos los fotones interaccionaran con la misma
partícula ni a la misma profundidad del material absorbente, hay una probabilidad de que el fotón choque y
esta se suele representar como un camino libre medio.
Si el espesor del material es del orden del camino libre medio un 63% de los fotones se absorberán pero el
resto atravesarán el material.
• Sensores.- Diferencias entre fotorreceptores
Los fotorreceptores pueden ser usados en situaciones muy distintas, por ejemplo, la celda
de detección de las puertas automáticas de un supermercado o el sistema de recepción de
un sistema de fibra óptica.
Mientras que en la primera el tiempo de respuesta puede ser del orden de décimas de
segundo sin que se degraden las características del sistema en la fibra óptica se pueden
recibir señales a una frecuencia que puede llegar al gigahertz.
Entre más rápido es un sensor, más excitación fotónica requiere para generar la misma
corriente.
Si un fotoreceptor es lento, con la misma luz genera mas corriente que uno que es rápido
• Sensores.- Fotorresistencias
Las fotorresistencias son fotorreceptores con un tiempo de respuesta lento, su respuesta a
la luz es:
Tiempo de respuesta depende fuertemente de la cantidad de luz que esté llegando,
podemos observar en la tabla ejemplos de los tiempos de subida (inicio de iluminación) y
de bajada (fin de iluminación) en función de la iluminación.
Respuesta espectral.- No toda la luz nos afecta por igual, sólo un intervalo de longitudes de
onda generará señal en nuestra fotorresistencia.
.
• Sensores.- Fotodiodo
Los fotodiodos son fotorreceptores con un tiempo de respuesta rápido
Los fotodiodos son fotorreceptores con un tiempo de respuesta rápido
Nivel de Fermi para los 3 tipos de semiconductores
Unión PN
Cuando unimos un lado P con un Lado N el nivel de Fermi será uno solo.
El exceso de portadores de signo contrario en cada uno de los materiales se iguala
Quedan cargas positivas en el lado n (donadores sin electrón) y negativas en el lado p

(receptores sin hueco)
Se genera un campo eléctrico que impide que esta difusión siga.

Unión PN
La corriente del diodo en una unión PN ideal es:
Por lo que si Vd es positiva, la corriente crece de forma exponencial

y si es negativa la corriente es Isat con signo negativo
Unión PN
Unión PN
Unión PN
Unión PIN
Zona I
Zona de carga espacial crece

• Sensores.- Fotodiodos PN y PIN
Zona I

PIN tiene mas área sensible.
• Sensores.- Fotodiodos PIN
Zona I
Entre mas grande la ZCE es mas sensible pero es más lento

• Sensores.- Fotodiodos circuito ejemplo de uso
• Sensores.- Fototransistores
• Sensores.- Fototransistores (corriente en la oscuridad según la temperatura)
• Sensores.- Fototransistores (corriente de colector según la irradiación)
• Sensores.- Fototransistores (variación de la corriente con la temperatura)
• Sensores.- Fototransistores (curva de la corriente de C contra voltaje CE)
• Sensores.- Fototransistores (sensibilidad espectral)
• Sensores.- Comparación
Dispositivo Ventajas
Fotorresistencias Gran sensibilidad y respuesta al espectro visible
Fotodiodos Respuesta rápida, dependencia casi lineal con la irradiación.
Paneles solares No requieren alimentación, generan energía eléctrica.
Fototransistor Valor elevado de fotocorriente
Fotodarlington Gran ganancia de corriente
• Sensores.- Circuitos integrados TSL260
• Sensores
• Emisores
• Diodos emisores de luz (LED)
• Fundamentos del láser
• Optoacopladores
• Emisores.- Diodos emisores de luz (LED)
La emisión de un fotón en un semiconductor se produce cuando un electrón se recombina con un hueco,

el fotón emitido tendrá la energía resultante de la diferencia entre los niveles inicial y final del electrón.
Para que un electrón se encuentre con un hueco deberemos tener electrones en la banda de conducción y
huecos en la banda de valencia.
La situación en reposo es que los electrones estén en la banda de valencia y los huecos en la de conducción
Para tener electrones en abundancia en la banda de conducción deberemos tener un material n, pero en este
caso la banda de valencia estará también repleta de electrones y por tanto no hay huecos para recombinarse.
Si encontramos un número apreciable de huecos en la banda de valencia es que tenemos un material p y por
lo tanto la banda de conducción estará llena de huecos y tampoco habrá un gran número de recombinaciones.
La forma de conseguir recombinaciones de manera fácil es inyectar electrones en un material p o huecos en

un material n. La única forma de conseguir ambas cosas es mediante una unión pn.
Unión PN en reposo
Unión PN en polarizada positivamente

Unión PN en reposo
No todas las recombinaciones producen luz
Recombinaciones que generan luz
Eficiencia
Recombinaciones totales
Eficiencia
Distribución angular
Ancho de banda espectral
Definiremos como ancho de banda espectral la diferencia en longitud de onda entre los dos puntos en
los que la amplitud de la señal ha caído hasta un 50%.
El GaAs que tiene el pico de emisión en 870nm y tiene un ancho de banda entre 20 y 40nm.
¿A qué es debido este ancho de banda?
¿Por qué no todos los fotones son emitidos con la misma energía (equivalente a la longitud de onda) del acho
de banda prohibida del material.
Emisión en función de la excitación
¿Cómo se usa?
¿Cómo se usa?
• Emisores.- Fundamentos del Láser
Historia
El término láser se refiere al acrónimo en inglés
“Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”
o lo que es lo mismo, amplificación de luz por emisión estimulada de radiación.

Historia
El proceso de emisión estimulada fue propuesto de manera teórica por Albert Einstein en 1917.
Sin embargo fue hasta 1953 cuando Townes demostró experimentalmente la viabilidad de la emisión estimulada
construyendo un dispositivo que se llamaría máser (microwave amplification by stimulated emission of radiation).
Y en 1960 fue cuando Maiman demostró por primera vez la emisión estimulada a frecuencias ópticas
mediante un cristal de rubí.
Desde entonces los avances en este campo han sido continuos, apareciendo distintos tipos de láseres tales
como el de diodo en 1962, así como innumerables aplicaciones que abarcan desde la cirugía hasta las
Telecomunicaciones o el procesado de materiales.
Emisión estimulada
Los electrones de un átomo tienden a mantenerse en un nivel energético estable; sin embargo dichos electrones
pueden sufrir transiciones entre dos estados energéticos o niveles ya sea absorbiendo energía o bien emitiéndola.
La frecuencia del fotón absorbido o emitido viene dada por:
E E  E 2  E1
v 34
h h  6.626 x10 Js
Emisión estimulada
Absorción Emisión espontánea Emisión estimulada

(Sensores) (Emisores) (Láser)
Inversión de la población
Para poder obtener amplificación de luz mediante emisión estimulada es necesario alcanzar la condición de
inversión de población.
Este punto se alcanza cuando la cantidad de electrones en estado excitado E2 es mayor que la cantidad de
electrones en el estado fundamental E1.
La inversión de población no es posible en un láser de 2 niveles ya que por propiedad física solo se pueden tener como
máximo, la misma cantidad en el nivel E2 que en el E1
Por lo tanto, para evitar este problema es necesario utilizar sistemas láser de al menos 3 niveles.
Oscilación
La luz con la que se logra la emisión estimulada es de la misma luz generada que se recircula entre 2 espejos
Umbral de bombeo
Se requiere que la potencia de bombeo sea mayor a un cierto nivel para lograr la amplificación por el oscilador y tener
potencia de salida.
Potencia de salida dependiendo de la corriente
Color del láser según la potencia
Control de potencia
Circuito de control de potencia
CRT-Tubo de rayos catódicos Deflectores Fosfato
Cañón
CRT-Tubo de rayos catódicos
Máscara de sombra
Máscara de sombra
Video
Plasma.
Plasma.
Plasma.
Plasma.
LCD
Liquid Crystal Display
Pantalla de cristal líquido.
LCD
Liquid Crystal Display
Pantalla de cristal líquido.
Electrodos Filtro de color
Cristal líquido
Filtro
polarizado
Fuente
de luz
Superficie
de pantalla
Filtro
polarizador
Electrodos
Comparación entre LCD y Plasma.
Cristal
Fuente de luz Electrodos
Filtro polarizador Cristal aislante
Electrodos Pixeles de plasma
Cristal líquido Cristal aislante
Electrodos Electrodos
Filtro color Cristal aislante
Filtro polarizador
Cristal
LCD Plasma
Pantallas de LED.
Las pantallas de LED son pantallas LCD en las que la fuente de luz son diodos emisores de luz
Antes de las pantallas LED las pantallas LCD tenían como fuente de luz lámparas frías
Las CRT, plasma y LCD tienen en común
la forma en la que despliegan la imagen
• Optoacopladores
También conocidos como optoaislador es un dispositivo que contiene una parte de emisión de luz y una parte de
recepción de luz.
Funciona como un interruptor activado por luz.

• Optoacopladores
Circuitos integrados
ILCT6
• Optoacopladores
Circuitos integrados
MOC3011

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Unidad 2.-Dispositivos Optoelectrónicos

• La longitud de onda es la velocidad de la luz en el vacío multiplicado por el

• La energía de la luz es la multiplicación de la constante de Planck

Dicha energía puede cederse a otra partícula por medio de interacción.

La energía térmica genera en un semiconductor pares electrón-hueco, es decir, suministra

El exceso de portadores de signo contrario en cada uno de los materiales se iguala

Quedan cargas positivas en el lado n (donadores sin electrón) y negativas en el lado p

Se genera un campo eléctrico que impide que esta difusión siga.

Por lo que si Vd es positiva, la corriente crece de forma exponencial

Zona de carga espacial crece

Zona de carga espacial crece

Zona de carga espacial crece

Entre mas grande la ZCE es mas sensible pero es más lento

La emisión de un fotón en un semiconductor se produce cuando un electrón se recombina con un hueco,

La forma de conseguir recombinaciones de manera fácil es inyectar electrones en un material p o huecos en

Unión PN en polarizada positivamente

Recombinaciones que generan luz

¿A qué es debido este ancho de banda?

El término láser se refiere al acrónimo en inglés

“Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”

o lo que es lo mismo, amplificación de luz por emisión estimulada de radiación.

La frecuencia del fotón absorbido o emitido viene dada por:

Absorción Emisión espontánea Emisión estimulada

Funciona como un interruptor activado por luz.

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