Practica No.

1 Características Del SCR

Figura No.1 El SCR

Procedimiento:

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

2. Ajuste V1 de modo tal que el VAK sea aproximadamente 15 Voltios.

3. Lentamente varié el valor de V2 hasta que el SCR conduzca. ¿Qué sucede con el valor
del VAK y porque?
R. Funciona, quiere decir que el voltaje es correcto. +3,75v -1,975v, PO 1,059MV

4. Asegúrese que el SCR está en estado de conducción.

R. Si está en estado de conducción.

5. Desconecte temporáneamente el pin puerta (GATE) y poco a poco reducir la tensión V1

hasta que la corriente del SCR repentinamente cae a cero. Tenga en cuenta el valor de
la corriente anterior a cero “este es el valor de la corriente de mantenimiento I H.
R. el experimento no funciona.
Pregunta: ¿Qué crees que va a pasar en el circuito de la figura 1 si se dispara el SCR, y
luego se reduce la corriente de puerta a cero de nuevo?
R. no funciona correctamente.
Pregunta: ¿Qué observas ahora que repentinamente usted aumenta y reduce la corriente
de puerta? R.se cambio el voltaje de (1,5v y 3,0 v )y (30v y 60v) la señal no funciona.
Solo cuando el voltaje es correcto de 15v y 30v el experimento funciona.
 Practica No.2: Características Del MOSFET

Figura No.2 El MOSFET

Procedimiento:
Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la anterior figura.

2. Ajuste VDS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente mayor a ¼ del valor total.
3. V2 debe estar en cero voltios ahora cambie el valor de VGS variando el valor de V2.
(mantenga R2 en el valor mínimo) y observe como cae el valor de VDS cada 0.5V de
variación del voltaje VGS, llevando VGS a 5V.
4. Repita los pasos anteriores para diferentes valores con

VDS2 = 12V.
VDS3 = 15V
 V1=VDS2 = 15V o 12V
Llenar las tablas.
VGS V IDS (mA)
V1=VDS1 = 10V -12.5v 0.00
7.272V -1.406
VGS V IDS (mA)
8V (max) 0.00

Características de drenaje:

5. Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH - threshold voltaje

6. Variar VGS cambiando el valor de V2 en variaciones de 0.5V y anote el valor de IDS. (hasta
que IDS sea constante)

7. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de VGS2 = VTH ± 0.1V.

8. Llenar la tabla.

VGS =VGS1=VTH VGS=VGS2=VTH± 0.1V

VDS V IDS (mA) VDS V IDS (mA)
12.5V 0.00 0V

8V (max) 8V (max)

Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de elevadas

potencias?

El transistor MOSFET, en cambio, es un dispositivo en el que su estado de corte o de

conducción se controla por tensión en su terminal de control, no por corriente. El MOSFET
tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que les permite detener fugas o
dispersiones térmicas. En estado de conducción, su resistencia no tiene límite teórico, por
lo tanto, su incidencia es notablemente inferior dentro de un circuito eléctrico cuando se
encuentra en estado de “saturación” gracias a que presenta una resistencia final (RDS-on)
de unos pocos miliOhms. El MOSFET suele tener también incorporado en su encapsulado
un diodo, que es particularmente útil en el tratamiento de sistemas conmutados de
corriente, impidiendo la retroalimentación destructiva que se origina en este tipo de
aplicaciones. A este diodo se lo conoce como Damper. Todas estas ventajas comparativas
y algunas otras más, hicieron que el MOSFET se convirtiera en el dispositivo preferido al
momento de la elección en los diseños de manejo de conmutación de potencia.
 Practica No.3: Características V-I Del IGBT

G30N60A4

Figura
No.3

Procedimiento:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mínimo.
3. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.
4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio tenga en cuenta que
el VGE máximo debe ser 8 voltios.
5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el IGBT conduzca es
llamado VTH.

6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y dibuje la gráfica de VGE vs IC.

Características de Colector

1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE1 sea 5V mayor o igual al VTH.

2. Lentamente varié V1 y anote los valores de VCE e IC para un particular voltaje de

compuerta (VG) existe un valor de voltaje de apagado VP (voltaje Pinch-off) entre
colector y emisor.

3. Si VGE es menor que VP el dispositivo trabaja en la región de ganancia constante e IC es

directamente proporcional a VGE.

4. Si VGE es mayor que VP, una corriente constante fluye por el dispositivo y esta región es
llamada región de corriente constante.
5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y anote los valores de IC vs
VGE.