UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, Decana de América)

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

INFORME ESPECIAL

TEORIA ATOMICA

Curso: Electrotecnia

Integrantes:
Anthony Zamalloa Prudencio
Fidel De la Cruz Arana
Iván CCencho Condori
Ademir Sánchez Rodríguez

Profesor: Lita Soto Nieto

Horario: Lunes 2 – 5 PM

Ciudad Universitaria, 21 de Mayo de 2018

 CONTENIDO
ESTRUCTURA ATOMICA.............................................................................................. 1
EL ATOMO ................................................................................................................... 1
PARTICULAS SUBATOMICAS ................................................................................. 2
El núcleo atómico ...................................................................................................... 3
Nube de electrones ..................................................................................................... 4
EL PRINCIPIO DE EXCLUSION .................................................................................... 5
PRINCIPIO DE EXCLUSION Y LA ESTRUCTURA ATOMICA ............................. 6
LA UNION QUIMICA Y OTRAS INTERACCIONES ENTRE ATOMOS ............. 12
La impenetrabilidad de la materia ........................................................................... 13
AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES ........................................ 14
AISLANTE .................................................................................................................. 14
CONDUCTOR............................................................................................................. 15
SEMICONDUCTOR ................................................................................................... 16
Semiconductor intrínseco ........................................................................................ 16
Semiconductor extrínseco ........................................................................................ 18
TEORIA DE MATERIALES .......................................................................................... 20
PORTADOR LIBRE ................................................................................................... 20
MATERIAL INTRINSECO ........................................................................................ 20
MATERIAL EXTRINSICO ........................................................................................ 21
Material tipo N ......................................................................................................... 21
Material tipo P ......................................................................................................... 21
TEORIA DE BANDAS ................................................................................................... 22
BANDA DE VALENCIA ........................................................................................... 22
BANDA DE CONDUCCION ..................................................................................... 23
BANDA PROHIBIDA ................................................................................................ 24
CONCLUSIONES ........................................................................................................... 25
BIBLIOGRAFIA ............................................................................................................. 25
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ESTRUCTURA ATOMICA

EL ATOMO

Es un constituyente de la materia ordinaria, con propiedades químicas bien definidas,

formado a su vez por constituyentes más elemental sin propiedades químicas bien
definidas. Cada elemento químico está formado por átomos del mismo tipo (con la misma
estructura electrónica básica), y que no es posible dividir mediante procesos químicos.
Actualmente se conoce que el átomo está compuesto por un núcleo atómico, en el que se
concentra casi toda su masa, rodeado de una nube de electrones. Esto fue descubierto a
principios del siglo XX, ya que durante el siglo XIX se había pensado que los átomos eran
indivisibles, de ahí su nombre a-tómo- 'sin división'. Poco después se descubrió que
también el núcleo está formado por partes, como los protones, con carga positiva,
y neutrones, eléctricamente neutros. Los electrones, cargados negativamente, permanecen
ligados a este mediante la fuerza electromagnética.
Los átomos se clasifican de acuerdo al número de protones y neutrones que contenga su
núcleo. El número de protones o número atómico determina su elemento químico, y el
número de neutrones determina su isótopo. Un átomo con el mismo número de protones
que de electrones es eléctricamente neutro. Si por el contrario posee un exceso de protones
o de electrones, su carga neta es positiva o negativa, y se denomina ion.
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PARTICULAS SUBATOMICAS

A pesar de que átomo significa ‘indivisible’, en realidad está formado por varias
partículas subatómicas. El átomo contiene protones, neutrones y electrones, con la
excepción del hidrógeno-1, que no contiene neutrones, y del catión hidrógeno o hidrón, que
no contiene electrones. Los protones y neutrones del átomo se denominan nucleones, por
formar parte del núcleo atómico.
El electrón es la partícula más ligera de cuantas componen el átomo, con una masa de
9,11 · 10−31 kg. Tiene una carga eléctrica negativa, cuya magnitud se define como la carga
eléctrica elemental, y se ignora si posee subestructura, por lo que se lo considera
una partícula elemental. Los protones tienen una masa de 1,67 · 10−27 kg, 1836 veces la
del electrón, y una carga positiva opuesta a la de este. Los neutrones tienen un masa de 1,69
· 10−27 kg, 1839 veces la del electrón, y no poseen carga eléctrica. Las masas de ambos
nucleones son ligeramente inferiores dentro del núcleo, debido a la energía potencial del
mismo; y sus tamaños son similares, con un radio del orden de 8 · 10-16 m o
0,8 femtómetros (fm).
El protón y el neutrón no son partículas elementales, sino que constituyen un estado
ligado de quarks u y d, partículas fundamentales recogidas en el modelo estándar de la
física de partículas, con cargas eléctricas iguales a +2/3 y −1/3 respectivamente, respecto de
la carga elemental. Un protón contiene dos quarks u y un quark d, mientras que el neutrón
contiene dos d y un u, en consonancia con la carga de ambos. Los quarks se mantienen
unidos mediante la fuerza nuclear fuerte, mediada por gluones —del mismo modo que la
fuerza electromagnética está mediada por fotones—. Además de estas, existen otras
partículas subatómicas en el modelo estándar: más tipos de quarks, leptones cargados
(similares al electrón), etc.
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El núcleo atómico
Los protones y neutrones de un átomo se encuentran ligados en el núcleo atómico, la
parte central del mismo. El volumen del núcleo es aproximadamente proporcional al
número total de nucleones, el número másico A, lo cual es mucho menor que el tamaño del
átomo, cuyo radio es del orden de 105 fm o 1 angstrom (Å). Los nucleones se mantienen
unidos mediante la fuerza nuclear, que es mucho más intensa que la fuerza
electromagnética a distancias cortas, lo cual permite vencer la repulsión eléctrica entre los
protones.
Los átomos de un mismo elemento tienen el mismo número de protones, que se
denomina número atómico y se representa por Z. Los átomos de un elemento dado pueden
tener distinto número de neutrones: se dice entonces que son isótopos. Ambos números
conjuntamente determinan el núclido.
El núcleo atómico puede verse alterado por procesos muy energéticos en comparación
con las reacciones químicas. Los núcleos inestables sufren desintegraciones que pueden
cambiar su número de protones y neutrones emitiendo radiación. Un núcleo pesado
puede fisionarse en otros más ligeros en una reacción nuclear o espontáneamente. Mediante
una cantidad suficiente de energía, dos o más núcleos pueden fusionarse en otro más
pesado.
En átomos con número atómico bajo, los núcleos con una cantidad distinta de protones y
neutrones tienden a desintegrarse en núcleos con proporciones más parejas, más estables.
Sin embargo, para valores mayores del número atómico, la repulsión mutua de los protones
requiere una proporción mayor de neutrones para estabilizar el núcleo.
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Nube de electrones

Los electrones en el átomo son atraídos por los protones a través de la fuerza
electromagnética. Esta fuerza los atrapa en un pozo de potencial electrostático alrededor del
núcleo, lo que hace necesaria una fuente de energía externa para liberarlos. Cuanto más
cerca está un electrón del núcleo, mayor es la fuerza atractiva, y mayor por tanto la energía
necesaria para que escape.
Los electrones, como otras partículas, presentan simultáneamente propiedades
de partícula puntual y de onda, y tienden a formar un cierto tipo de onda
estacionaria alrededor del núcleo, en reposo respecto de este. Cada una de estas ondas está
caracterizada por un orbital atómico, una función matemática que describe la probabilidad
de encontrar al electrón en cada punto del espacio. El conjunto de estos orbitales es
discreto, es decir, puede enumerarse, como es propio en todo sistema cuántico. La nube de
electrones es la región ocupada por estas ondas, visualizada como una densidad de carga
negativa alrededor del núcleo.
Cada orbital corresponde a un posible valor de energía para los electrones, que se
reparten entre ellos. El principio de exclusión de Pauli prohíbe que más de dos electrones se
encuentren en el mismo orbital. Pueden ocurrir transiciones entre los distintos niveles de
energía: si un electrón absorbe un fotón con energía suficiente, puede saltar a un nivel
superior; también desde un nivel más alto puede acabar en un nivel inferior, radiando el
resto de la energía en un fotón. Las energías dadas por las diferencias entre los valores de
estos niveles son las que se observan en las líneas espectrales del átomo.

Los cinco primeros orbitales atómicos

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EL PRINCIPIO DE EXCLUSION

Durante varios años, la interpretación de la estructura de los átomos con más de un

electrón fue causa de perplejidad para los físicos. Ya Bohr, en sus trabajos iníciales, había
reconocido que la pregunta de porque los electrones no se encontraban todos ligados en la
capa más profunda constituía un problema fundamental, cuya respuesta no se podía
encontrar en la Mecánica Clásica.
La respuesta a este interrogante la dio Wolfgang Pauli en 1925, con base en un análisis
de los datos de los niveles de energía de los átomos, del tipo que hemos comentado. Está
contenida en un nuevo postulado, o principio, que en su enunciación primitiva establecía:

Es interesante mencionar que cuando Pauli formulo este principio aun no se conocía el
spin del electrón. Si no se cuenta el spin, los estados de un electrón atómico se caracterizan
por tres números cuánticos: n, l y 𝑚𝑙 . Sin embargo Pauli en su artículo asigno cuatro
números cuánticos al electrón. Lo hizo de manera puramente formal, sin basarse en un
esquema concreto, simplemente porque le hacía falta para obtener el resultado que buscaba.
Fue precisamente al leer ese artículo que Uhlenbeck y Goudsmit, ponderando sobre cual
podría ser el significado físico del misterioso cuarto numero cuántico, concibieron la idea
del spin. También resulta curioso que Bohr, quien en su momento tuvo la audacia de
apartarse de la Mecánica y la Electrodinámica Clásicas para establecer sus celebres
postulados, no haya dado el paso que dio Pauli, pese a tener plena conciencia de la
importancia del problema a resolver.
Veremos que el Principio de Exclusión se relaciona con la indistinguibilidad de las
partículas en la Mecánica Cuántica. Asimismo, como lo demostró 15 anos después el
mismo Pauli, se puede deducir a partir de la Teoría Cuántica de Campos. Pero todo eso no
se sabía en 1925. Cuando fue formulado, el Principio de Exclusión no era más que un
“decreto”, promulgado con el propósito introducir la regla que estaba faltando en la teoría
de la estructura atómica y así legitimar el comportamiento que muestra la experiencia. Pero
el de Pauli fue un decreto ciertamente muy inspirado, pues no solo logro su objetivo
original, sino que además puso orden en las propiedades de la materia en todas las escalas.
En efecto, gracias al Principio de Exclusión hoy podemos entender desde las propiedades
de la materia en el interior de las estrellas hasta la estructura de las partículas del núcleo,
pasando por la impenetrabilidad de los sólidos, la razón de porque ciertos medios conducen
la electricidad mientras otros son aislantes, etc...
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Antes de analizar la indistinguibilidad de las partículas y sus implicancias, vamos a

mostrar que gracias al Principio de Exclusión podemos explicar la estructura de los átomos
con varios electrones, y entender la lógica que esta detrás de la Tabla Periódica de los
elementos.

PRINCIPIO DE EXCLUSION Y LA ESTRUCTURA ATOMICA

Debido al Principio de Exclusión, en el estado fundamental de un átomo los electrones

no tienen la misma energía y función de onda, sino que sus números cuánticos n, l, 𝑚𝑙 , 𝑚𝑠
(y las correspondientes funciones de onda) son todos distintos. Los valores de 𝑚𝑙 y 𝑚𝑠
dependen de la elección arbitraria de la dirección del eje z; por lo tanto los electrones que
tienen iguales n y l, pero diferentes 𝑚𝑙 y 𝑚𝑠 , tienen la misma energía 𝐸𝑛,𝑙 , que depende
tanto de n como de l pues el campo auto consistente no es Coulombiano.
Ahora bien, los electrones con diferente n tienen funciones de onda con extensiones
espaciales distintas, como se ve en la Fig. 12.3 donde se muestra la distribución radial de
probabilidad P(r) = | 𝑢(𝑟) |2 de los tres primeros estados s del hidrogeno. La diferencia es
aún mayor en átomos con muchos electrones, ya que los electrones con n pequeño pasa más
tiempo cerca del núcleo, donde la carga nuclear no está apantallada, luego su distribución
radial de probabilidad se distorsiona respecto de la del átomo de hidrogeno, desplazándose
hacia r menores.
Para los electrones con mayor n, la carga nuclear está fuertemente apantallada por los
electrones con n menor, pero la reciproca, por supuesto, no es cierta. Luego los electrones
que están en la capa 1s tienen una energía potencial que es prácticamente igual a 𝑉0 (r), la
que produce la carga Ze del núcleo. Por lo tanto se pueden representar bastante bien por
medio de la función de onda

cuya extensión radial es 1/ Z veces la que corresponde al hidrogeno. En cambio, los

electrones exteriores con el mayor n se mueven en un campo que varía entre 𝑉0 (r) para r
pequeño y 𝑉∞ (r) para r grande. Luego la parte interior de la función de onda (y por ende la
distribución radial de probabilidad) se contrae, pero la parte externa queda casi igual a la
del átomo de hidrogeno, y se acentúa la diferencia de energía entre electrones con diferente
n. El resultado neto es que los electrones externos de todos los átomos tienen casi
exactamente la misma extensión (dos o tres veces el radio de Bohr) como lo indica el valor
casi constante de los radios atómicos.
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Las Figs. 12.4 y 12.5 muestran las distribuciones de probabilidad radial de los estados de
diferente l de las capas con n = 2 y n = 3 del hidrogeno, respectivamente. Es importante
observar el comportamiento de P(r) para r pequeño. Se ve que a medida que l aumenta, la
barrera centrifuga empuja al electrón cada vez mas lejos del núcleo. Recordemos, en efecto,
que para r → 0 se tiene que u(r) ~ 𝑟 𝑙+1 y entonces P(r) ~ 𝑟 2𝑙+2. Esto implica que a igual n,
el apantallamiento de la carga nuclear (debido a los electrones que están mas cerca del
núcleo) es tanto mayor cuanto más grande es l. Este efecto rompe la degeneración de los
niveles con igual n y diferente l que existe para el potencial Coulombiano: la energía de los
niveles aumenta con l, de modo que:

También resulta que:

Esto es, por efecto de la barrera centrifuga los niveles de las capas con diferente n se
separan lo suficiente como para intercalarse entre sí.
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Los efectos de la extensión espacial de las funciones de onda de diferente n, y de la

barrera centrifuga para las funciones de onda del mismo n y diferente l que acabamos de
comentar se combinan para producir el ordenamiento de niveles que se indica
esquemáticamente en la Fig. 12.6. De acuerdo con el Principio de Exclusión cada subcapa
n, l puede contener 2(2l +1) electrones. Por lo tanto a medida que se recorre la Tabla
Periódica a partir del hidrogeno, las subcapas se van llenando comenzando por la 1s y en
orden de energía creciente. En la figura se consignan los elementos cuyos electrones de
mayor energía se encuentra en cada subcapa.
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Fig. 12.6. Orden de las subcapas. Los efectos de la extensión espacial de las funciones
de onda de diferente n y de la barrera centrifuga de las funciones de onda del mismo n y
diferente l hacen que los niveles se ordenen como se indica en la figura (la energía crece de
abajo hacia arriba, la escala no es lineal). Cada nivel con n, l dados se denomina subcapa.
A medida que se recorre la Tabla Periódica a partir del hidrogeno, las subcapas se van
llenando en orden de energía creciente empezando por la 1s. En la figura se mencionan los
elementos para los cuales el electrón de mayor energía se encuentra en la subcapa indicada.
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Fig. 12.7. Densidad de probabilidad radial para el nivel 4f y para los niveles 5s, 6s, 5p y 4d
del átomo de hidrogeno. En (a) se puede apreciar que los electrones 4f se mueven en el
interior del átomo, pues su extensión es menor que la de los electrones de los demás niveles
representados. En (b) se puede apreciar que la barrera centrifuga no permite que los
electrones 4f se acerquen al núcleo y entonces en los átomos con muchos electrones son
fuertemente apantallados por los que ocupan las otras subcapas. Por lo tanto están
débilmente ligados y la energía de la subcapa 4f es más alta que las de las subcapas 5s, 6s,
5p y 4d, como se muestra en la Fig. 12.6. Los lantánidos (el grupo constituido por el La y
los siguientes 14 elementos en los cuales se va llenando la subcapa 4f) tienen propiedades
químicas muy semejantes entre sí, porque los electrones 4f, que se mueven en el interior del
átomo, tienen una influencia casi nula sobre ellas.
Por ejemplo, la configuración del estado fundamental del K es 1𝑠 2 2𝑠 2 2𝑝6 3𝑠 2 3𝑝6 4𝑠1 .
Las líneas horizontales de trazos de la Fig. 12.6, entre las subcapas 1s y 2s, 2p y 3s, 3p y
4s,… etc., indican que la separación en energía entre cada uno de esos pares de subcapas es
siempre grande.
Nuestro diagrama es cualitativo, pues en realidad si se quieren hacer predicciones
cuantitativas exactas es necesario calcular un esquema como el de la Fig. 12.6 para cada
átomo (con el método de Hartree). Cuando se hace eso, al pasar de un átomo a otro
aparecen pequeñas diferencias respecto del orden de algunas de las subcapas, respecto del
que se ve en la Fig. 12.6. Por ejemplo, las subcapas 4f y 5d, que están muy próximas en
energía, no siempre se encuentran en el orden indicado en la Fig. 12.6. Lo que sí es siempre
correcto es el orden (por l creciente) de las diferentes subcapas de una dada capa y el orden
(por n creciente) de subcapas del mismo l pero distinto n, que se presentan encolumnadas
en la Fig. 12.6.
Los elementos cuya subcapa llena de mayor energía es np (como Ne, A, Kr, Xe y Rn)
son los gases nobles. Puesto que dos de sus electrones exteriores están en la subcapa ns, no
proporcionan un apantallamiento eficaz de la carga del núcleo. Por lo tanto los electrones
np están ligados muy fuertemente. La energía de ionización es entonces muy alta y esos
átomos son químicamente inertes pues no comparten fácilmente sus electrones externos con
otros átomos como es necesario para que se formen compuestos. El He también es un gas
noble, dado que sus dos electrones 1s están muy fuertemente ligados.
Se dice que los gases nobles tienen una configuración de capas cerradas, dado que el
siguiente electrón se tiene que acomodar en la subcapa cuyo numero cuántico principal es
n′ = n +1, como se advierte observando la Fig. 12.6. Se debe notar, sin embargo, que debido
al ordenamiento de energía (12.18), para todo n > 2 la capa n se cierra antes de que se
llenen los niveles con l más alto (es decir, las subcapas nd y nf), como se ve en la Fig. 12.6.
Esta circunstancia explica la aparición de los lantánidos y los actínidos, que son dos grupos
de 15 elementos que comienzan, respectivamente, a partir del La y el Ac. En los lantánidos
se va llenando la subcapa 4f, que como se puede apreciar en la Fig. 12.7 se encuentra en el
interior del átomo pese a tener más energía que las subcapas externas 6s, 5p y 4d que están
llenas. Por este motivo los elementos del grupo de los lantánidos tienen propiedades
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químicas casi idénticas, lo cual hace difícil separarlos. El caso de los actínidos es análogo, y
en ellos se va llenando la subcapa 5f, que se encuentra en el interior del átomo igual que la
4f.
El ordenamiento de niveles de la Fig. 12.6, junto con el Principio de Exclusión, permiten
entender las principales características de la Tabla Periódica y las interacciones entre los
átomos de diferentes elementos.

LA UNION QUIMICA Y OTRAS INTERACCIONES ENTRE ATOMOS

Las fuerzas interatómicas son sumamente complejas. En estas notas nos limitaremos a
una discusión cualitativa pues un tratamiento detallado sería demasiado extenso. La idea
básica es que en presencia de otro átomo, debido a las fuerzas electrostáticas y al Principio
de Exclusión, las funciones de onda de los electrones de cada átomo se distorsionan, lo cual
modifica la energía de los electrones. Si la nueva distribución tiene menor energía, será el
estado preferido del sistema y la interacción interatómica será atractiva. Viceversa, si la
nueva distribución lleva a un incremento de energía, la fuerza resultante será repulsiva. Los
efectos de este mecanismo se manifiestan de diversas maneras en diferentes rangos de
distancias, pero a grandes rasgos podemos reconocer tres clases fundamentales de fuerzas
interatómicas. Cuando la distancia es muy pequeña todos los átomos se repelen
mutuamente. A distancias intermedias prevalecen fuerzas que dan lugar a enlaces químicos,
de resultas de los cuales los átomos se mantienen unidos formando moléculas o estructuras
más complejas como cristales. Finalmente, a distancias muy grandes, todos los átomos y
moléculas se atraen débilmente. Todas estas interacciones se explican mediante la
Mecánica Cuántica de los electrones atómicos. Examinaremos a continuación estas tres
clases de interacciones.
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La impenetrabilidad de la materia
La repulsión universal que se presenta para distancias muy pequeñas es responsable de
que los átomos ocupen un volumen definido, lo que se manifiesta en la escala macroscópica
como la incompresibilidad de la materia condensada. Esto se debe a que la fuerza repulsiva
crece muy rápidamente a medida que disminuye la distancia entre los centros de los
átomos, de modo tal que a muchos efectos prácticos los podemos considerar como esferas
rígidas con un valor definido del radio. La repulsión a pequeñas distancias tiene dos causas.
En primer lugar, cuando dos átomos se procuran interpenetrar, el apantallamiento de las
cargas nucleares por parte de los electrones se torna menos efectivo, y la fuerza
electrostática entre los núcleos los repele. La segunda causa radica en el Principio de
Exclusión. No solamente no está permitido que dos electrones tengan la misma función de
onda, sino que también sus funciones de onda deben ser suficientemente diferentes como
para construir una función de onda total completamente anti simétrica. Cuando dos átomos
están tan próximos que sus nubes electrónicas se comienzan a superponer, los electrones de
la región de superposición, para satisfacer el Principio de Pauli se ven obligados a pasar
parte del tiempo fuera de sus orbitas originales, en orbitales de mayor energia2. Esto
implica un aumento de la energía del sistema al disminuir la distancia interatómica, que
equivale a una fuerza repulsiva.
Por ende debe quedar claro que el modelo atómico de capas, junto con el Principio de
Exclusión, permiten explicar satisfactoriamente la estructura atómica de los elementos y sus
propiedades.
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AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES

AISLANTE

El aislamiento eléctrico se produce cuando se cubre un elemento de una instalación

eléctrica con un material que no es conductor de la electricidad, es decir, un material que
resiste el paso de la corriente a través del elemento que alberga y lo mantiene en su
desplazamiento a lo largo del semiconductor. Dicho material se denomina aislante
eléctrico.
La diferencia de los distintos materiales es que los aislantes son materiales que presentan
gran resistencia a que las cargas que lo forman se desplacen y los conductores tienen cargas
libres y que pueden moverse con facilidad.
De acuerdo con la teoría moderna de la materia (comprobada por resultados
experimentales), los átomos de la materia están constituidos por un núcleo cargado
positivamente, alrededor del cual giran a gran velocidad cargas eléctricas negativas. Estas
cargas negativas, los electrones, son indivisibles e idénticas para toda la materia.
En los elementos llamados conductores, algunos de estos electrones pueden pasar
libremente de un átomo a otro cuando se aplica una diferencia de potencial (o tensión
eléctrica) entre los extremos del conductor.
A este movimiento de electrones es a lo que se llama corriente eléctrica. Algunos
materiales, principalmente los metales, tienen un gran número de electrones libres que
pueden moverse a través del material. Estos materiales tienen la facilidad de transmitir
carga de un objeto a otro, estos son los antes mencionados conductores.
Los mejores conductores son los elementos metálicos, especialmente el oro, plata (es el
más conductor), el cobre, el aluminio, etc.
Los materiales aislantes tienen la función de evitar el contacto entre las diferentes partes
conductoras (aislamiento de la instalación) y proteger a las personas frente a las tensiones
eléctricas (aislamiento protector).
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CONDUCTOR

Un conductor eléctrico es un material que ofrece poca resistencia al movimiento de

la carga eléctrica. Sus átomos se caracterizan por tener pocos electrones en su capa de
valencia, por lo que no se necesita mucha energía para que estos salten de un átomo a otro.
Son materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja. Los mejores
conductores eléctricos son metales, como el cobre, el oro, el hierro, la plata y el aluminio, y
sus aleaciones, aunque existen otros materiales no metálicos que también poseen la
propiedad de conducir la electricidad, como el grafito o las disoluciones y soluciones
salinas (por ejemplo, el agua del mar) o cualquier material en estado de plasma.
Para el transporte de energía eléctrica, así como para cualquier instalación de uso
doméstico o industrial, el conductor más utilizado es el cobre (en forma de cables de uno o
varios hilos). Aunque la plata es el mejor conductor, pero debido a su precio elevado no se
usa con tanta frecuencia. También se puede usar el aluminio, metal que si bien tiene
una conductividad eléctrica del orden del 60 % de la del cobre, es sin embargo un material
tres veces más ligero, por lo que su empleo está más indicado en líneas aéreas que en la
transmisión de energía eléctrica en las redes de alta tensión. A diferencia de lo que mucha
gente cree, el oro es levemente peor conductor que el cobre; sin embargo, se utiliza en
bornes de baterías y conectores eléctricos debido a su durabilidad y “resistencia” a
la corrosión.
La conductividad eléctrica del cobre puro fue adoptada por la Comisión Electrotécnica
Internacional en 1913 como la referencia estándar para esta magnitud, estableciendo el
International Aneadle Cooper Standard (Estándar Internacional del Cobre Recocido) o
IACS. Según esta definición, la conductividad del cobre recocido medida a 20 °C es igual a
58.0 MS/m. A este valor es a lo que se llama 100 % IACS y la conductividad del resto de
los materiales se expresa como un cierto porcentaje de IACS. La mayoría de los metales
tienen valores de conductividad inferiores a 100 % IACS pero existen excepciones como la
plata o los cobres especiales de muy alta conductividad designados C-103 y C-110.
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SEMICONDUCTOR

Semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento que se comporta como

un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el
campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre.
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque
idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13
con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S
Cd). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común
a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².

Semiconductor intrínseco
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia. Las energías requeridas, a temperatura
ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el
estado energético correspondiente en la banda de conducción a un hueco en la banda de
valencia, liberando así energía. Este fenómeno se conoce como "recombinación". A una
determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se
igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece constante.
Sea "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos
(cargas positivas), se cumple entonces que:
ni = n = p
Donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la
temperatura y del elemento en cuestión. La densidad o concentración intrínseca de
portadores es muy baja.

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 ºC):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
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Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores,

ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete el
cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la
debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a
los huecos próximos, originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la
dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conducción.
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Semiconductor extrínseco
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Las impurezas deberán formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.

Semiconductor tipo N
Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un
cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a
los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido
como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en
el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso
del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica —p.
ej., fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón
no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el
número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso
los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios.
A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que
"dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor
nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N
generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.
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Semiconductor tipo P
Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un
cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de
los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material
aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos
como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo
con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga,
B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese
átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición
de aceptar un electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve
se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores
son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así,
los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen
impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de
manera natural.
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TEORIA DE MATERIALES

PORTADOR LIBRE

Portador libre denota en física una partícula libre (móvil y no enlazada) portadora de una
carga eléctrica. Como ejemplo los electrones y los iones. En la física de semiconductores,
los huecos producidos por falta de electrones son tratados como portadores de carga.
En soluciones iónicas, los portadores de carga son los cationes y aniones disueltos.
Similarmente, los cationes y aniones de los líquidos disociados sirven como portadores de
carga en líquidos y en sólidos iónicos derretidos.
En el plasma, así como en el arco eléctrico, los electrones y cationes del gas ionizado y
del material vaporizado de los electrodos actúan como portadores de carga. En vacío, en un
arco eléctrico o en un tubo de vacío, los electrones libres actúan como portadores de carga.

MATERIAL INTRINSECO

Un material intrínseco es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta

como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la
energía térmica.
En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la
corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se
producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones
libres como huecos con lo que la corriente total es cero.
Se le llama así al cristal del semiconductor que es químicamente puro, y que además no
presenta defectos en su red cristalina. A 0°k no existen portadores de carga libres, y el
semiconductor se comporta como un aislante, pero al incrementarse la temperatura
empiezan a generar pares electrón –hueco. Estos pares electrón –hueco se generan al
romperse los enlaces entre los átomos. Igualmente pueden ocurrir aniquilaciones de pares
electrón hueco cuando un electrón de la banda de conducción hace una transición a la
banda de valencia y ocupa un estado vacío (hueco), este proceso es denominado
recombinación.
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MATERIAL EXTRINSICO

Se denomina material extrínseco. A un material semiconductor que ha sufrido el proceso

de dopado,
En la actualidad existen dos materiales extrínsecos que son de gran importancia para la
fabricación de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p
Tanto el material tipo n como el tipo p, se forman mediante la adición, de un número
predeterminado, de átomos de impureza al germanio o al silicio.

Material tipo N
El material tipo n, se crea a través de la introducción de los elementos de impureza que
poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, el arsénico y/o el
fósforo. Si observamos detenidamente, vemos que las cuatro uniones covalentes aun se
encuentran presentes. Existiendo, sin embargo, un quinto electrón adicional debido al
átomo de impureza, el mismo que se consigue desasociado en cualquier unión covalente
particular. Este electrón restante, unido débilmente a su átomo (antimonio), se encuentra
relativamente libre para moverse dentro del recién formado material tipo n; esto se debe a
que el átomo de impureza insertado ha donado un electrón “libre” a la estructura:“Las
impurezas difundidas con cinco electrones de valencia, se les designa átomos donadores” .
Es importante comprender que, aunque un número significativo de portadores “libres” se
han creado dentro de un material tipo n, este llega a tener un comportamiento
eléctricamente neutral; esto se debe a que de manera ideal el número de protones cargados
positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones “libres” cargados
negativamente en la órbita de la estructura. El efecto de este proceso de dopado, sobre la
conductividad relativa, se describe mejor, a través del diagrama de banda de energía en la
figura.

Material tipo P
El material tipo p, se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de
silicio con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia; los elementos
comúnmente utilizados para este propósito es el boro, el galio y el indio. El efecto de
alguno de estos elementos, como el boro sobre el silicio, se muestra en la figura.
Observemos que ahora existe un número de electrones insuficientes para completar las
uniones covalentes de la red cristalina que se ha formado, a esta vacante resultante se le
denomina hueco, y está representado por un pequeño círculo o signo positivo debido a la
ausencia de una carga negativa. Por tanto, dicha vacante aceptará fácilmente un electrón
“libre”. A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia, se les conoce como
átomos aceptores. El material resultante tipo p es eléctricamente neutro, por las mismas
razones descritas anteriormente para el material tipo n.
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TEORIA DE BANDAS

BANDA DE VALENCIA

La baja conductividad eléctrica de semiconductores y aislantes se debe a las propiedades

de la banda de valencia. Se da la circunstancia de que el número de electrones es
exactamente el mismo que el número de estados disponibles en la banda de valencia.
En la banda prohibida, evidentemente, no hay estados electrónicos disponibles. Esto
significa que cuando se aplica un campo eléctrico los electrones no pueden incrementar su
energía (es decir, no pueden ser acelerados) al no haber estados disponibles donde puedan
moverse más rápidamente de lo que ya lo hacen. Pese a esto, los aislantes presentan cierta
conductividad. Esto se debe a la excitación térmica, que provoca que algunos electrones
adquieran suficiente energía como para saltar la banda prohibida y acceder a un estado de la
banda de conducción. Una vez que se encuentran en la banda de conducción pueden
conducir la electricidad.
Además, los estados disponibles o huecos que dejan los electrones en la banda de
valencia contribuyen también a la conductividad del material, al permitir cierta movilidad
al resto de electrones de la banda de valencia.
Un error "frecuente" consiste en decir que los electrones de los aislantes se encuentran
"ligados" a los núcleos atómicos, dando a entender que no pueden moverse. De hecho,
estos electrones sí pueden moverse libremente por el aislante, alcanzando velocidades del
orden de 100 km por segundo. Tanto en metales como en aislantes, los electrones se
encuentran "des localizados", sin que sea posible asignarles una posición definida dentro
del material.
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BANDA DE CONDUCCION

La banda de conducción es el intervalo de energías electrónicas que, estando por encima

de la banda de valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un
campo eléctrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes eléctricas.
Los electrones de un semiconductor pueden alcanzar esta banda cuando reciben
suficiente energía, generalmente debido a la excitación térmica.
Los electrones giran alrededor del núcleo en diferentes órbitas (cuyo nombre correcto es
niveles energéticos). En cada nivel, los electrones se alejan más del núcleo y la fuerza de
atracción disminuye. Como es lógico, en el último nivel energético la atracción del núcleo
sobre los electrones es más débil.
A este último nivel se le conoce como banda de conducción y los electrones que se
encuentran en ella reciben el nombre de electrones libres, porque pueden saltar de dicha
banda y desplazarse de un átomo a otro dentro del cuerpo que los contiene.
Este fenómeno ocurre cuando el átomo es excitado por medio de calor, luz o
electricidad, de manera que algunos de sus electrones absorben energía en exceso y eso
provoca el salto.
El movimiento de electrones libres es lo que crea la corriente eléctrica, pues al saltar de
la banda de conducción liberan un poco de su energía negativa, que vuelven a recuperar
cuando llegan al siguiente átomo. El proceso se repite millones y millones de veces. Entre
más electrones vaguen libremente por el cuerpo que los contiene, mayor será la energía que
se genere.
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BANDA PROHIBIDA

Banda prohibida: La banda prohibida, brecha de bandas o brecha energética (en inglés
bandgap), en la física del estado sólido y otros campos relacionados, es la diferencia de
energía entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de
conducción. Esta cantidad se encuentra presente en aislantes y semiconductores, su
predicción puede llegar a ser un reto para muchos de los métodos teóricos relacionados con
la Teoría de bandas.
La conductividad eléctrica de un semiconductor intrínseco (puro) depende en gran
medida de la anchura del gap. Los únicos portadores útiles para conducir son los electrones
que tienen suficiente energía térmica para poder saltar la banda prohibida, la cual se define
como la diferencia de energía entre la banda de conducción y la banda de valencia.
La probabilidad de que un estado de energía E esté ocupado por un electrón se calcula
mediante las estadísticas de Fermi-Dirac. Una aproximación, la de Maxwell-Boltzmann, es
válida también si se cumple, donde Efes el nivel de Fermi. La aproximación de Maxwell-
Boltzmann viene dada por:
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CONCLUSIONES

La teoría atómica nos proporciona de cómo está compuesto el mundo, y nos da una
visión de cómo nosotros (la humanidad) podemos manipular la materia en beneficio del
progreso de la tecnología. Nos da entender el gran impacto que tiene esta teoría en la rama
de la ingeniería eléctrica, en la cual nos fundamenta de cómo la electricidad esta compuesta
y como se comporta, dando lugar a nuevas teoría, tales como la teoría de materiales y la
teoría de bandas.
Estas últimas nos permiten el mejoramiento de nuestra forma de conducir la energía
eléctrica y de cómo podemos transformar la energía de cualquier tipo en la eléctrica, la cual
tanto nos interesa en esta época de digitalización.

BIBLIOGRAFIA

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