Densidad actual, características de voltaje de

corriente, figuras de merito, efecto de la vida de la

minoría electrónica en la eficiencia, efecto de la vida
útil de las minorías en la eficiencia, efecto de la
velocidad de recombinación de la superficie posterior
sobre la eficiencia, efecto del ancho de la base en la
eficiencia, efecto del Ancho de emisor WN en la
eficiencia
Antonio Javier Caiza Rea

26 de noviembre de 2018

Resumen Abstract
En la presente investigación se conocera
In this research we will learn more about so-
más a fondo sobre las celdas solares, así como
lar cells, as well as their different types and ap-
sus diferentes tipos y aplicaciones en la indus-
plications in the industry, focusing on impro-
tria enfocandose a mejorar el medio ambiente
ving the environment and making more effi-
y aprovechar de forma mas eficiente la energia
cient use of solar energy as the main clean and
solar como principal energía límpia y renovable.
renewable energy. As the main method of study,
Como principal metodo de estudio se aplicará el
the scientist will be applied to analyze the effi-
científico para analizar las eficiencias de cada ti-
ciencies of each type of solar cell, evaluating the
po de celda solar, evaluando la mejor segun sus
best according to their characteristics.
características.

Palabras Clave
Keywords
Celda, solar, energía solar, panel, fotovoltái-
co. Cell, solar, solar energy, panel, photovoltaic.

Estudiante de Ingeniería Mecánica en la Universidad Politécnica Salesiana Sede Quito

Autor para correspondencia acaizar@est.ups.edu.ec
1. Introducción
Actualmente el consumo energético del pla-
neta es muy elevado y sigue aumentando, se
prevé que se incrementará en un 57 % entre
2004 y 2030. El gran problema es que el 85 % del
consumo energético actual proviene de com-
bustibles fósiles y se espera que esto continúe
ocurriendo. Para el 2030 se proyecta que el con-
sumo diario de barriles de petróleo será de 118
millones [1]. Se entiende que la energía genera-
da por combustibles fósiles la eficiencia genera-
da no se compara co ncualquier tipo de energía
limpia. La energía solar se transforma en la na-
turaleza en otras formas de energía, como bio-
masa y energía eólica, pero también se puede
transformar a otras formas de energía como ca-
lor y electricidad [2].
2. Marco Teórico
2.1. Densidad e intensidad en pane-
les solares
Las celdas solares disponibles comercial-
mente se basan en materiales inorgánicos, los
cuales presentan altos costos y pueden resultar
tóxicos. El uso de materiales orgánicos podría
resolver dicho problema, pero las eficiencias de
las celdas construidas de esta manera se en-
cuentran por debajo de las asociadas a las cel-
das inorgánicas. Desde hace aproximadamen-
te dos décadas se registran investigaciones en
torno a celdas solares sensibilizadas con colo-
rantes (CSSC); estas consisten en un semicon-
ductor al cual se le adsorbe un colorante, y éste
al ser excitado por la radiación visible del es-
pectro solar, le transfiere electrones a la banda
de conducción de dicho semiconductor. Estas
celdas solares han llegado a ofrecer eficiencias
de conversión de energía de hasta 13 % y amplia
disponibilidad de materiales [3].
Luego de la incidencia de radiación solar so-
bre las CSSC y la respectiva generación de elec-
trones excitados, una fracción de los mismos
son colectados como fotocorriente y el resto
se pierde en fenómenos de recombinación. Sin
embargo al ser un proceso continuo en el tiem-
po, la generación de portadores de carga resulta
2
sostenida por la iluminación y la recombinación
se establece en un valor estacionario a escalas
de tiempo donde ocurre la conversión de ener-
gía. Para cuantificar éste último proceso, resul-
ta útil representar la respuesta corriente volta-
je mediante la ecuación del fotodiodo (ecuación
1), en ella se tiene que la generación de corrien-
te se establece en un valor constante cuando el
voltaje tiende a cero, y a medida que se aumen-
ta el voltaje entre los electrodos hasta su valor
a circuito abierto, la corriente tiende a cero de
forma exponencial [4].
J = J p (x) + J N (x) (1)
Figura 1: Esquema de las densidades de
corriente en una célula solar [5].
Al alcanzar el equilibrio térmico, el flujo ne-
to de corriente a través de la juntura es nulo, y
para cada tipo de portador la corriente de dé-
bil debida al campo debe cancelar exactamen-
te la corriente de difusión debida al gradiente
de concentración [6]. Para el caso de electrones
(para huecos se obtiene una ecuación similar), y
expresando la ecuación en términos de la ener-
gía de Fermi:
dn
J n = q µn n ξ + q D n (2)
dx
La condición de corriente nula de ambas
clases de portadores determina entonces que el
potencial de contacto que se genera en la juntu-
ra, provoque un desplazamiento en los niveles
de energía de ambas regiones de tal modo que
los niveles de Fermi de ambas zonas se manten-
gan horizontales y continuos en la juntura. En
consecuencia, a partir de (LS), todo sistema en
equilibrio termico puede tener sólo un nivel de
Fermi [7].
 de agotamiento J SC D . J 01 es la densidad de co-
Z J n (X P ) rriente de saturación oscura debido a la recom-
= d J n = J n (X P ) − J n (−X P ) (3) binación en las regiones cuasi neutrales. J 02 es
J n (−X P ) la densidad de corriente de saturación oscura
debido a la recombinación En la región de ago-
Dado que J n (X P ) en el punto 2 (seguún la
tamiento. Por lo tanto, la densidad de corriente
Figura 1) se obtiene fácilmente a partir de la di-
de cortocircuito se expresa por:
fusión de portadores minoritarios.
La ecuación, J n (−X P ) en el punto 1 (seguún la
J SC = J SC N + J SC P + J SC D (10)
Figura 1) se puede calcular si las cantidades en
el lado derecho de la ecuación (3) se obtienen. La curva representa las posibles combina-
Rn es la tasa de recombinación dentro del ago- ciones de corriente y voltaje para un dispositivo
tamiento. fotovoltaico bajo unas condiciones ambientales
Región que puede aproximarse asumiendo que determinadas. El punto en concreto de corrien-
la tasa de recombinación es constante y má- te y voltaje en el que el dispositivo fotovoltaico
ximo en la región, donde pD = nD y Ei = ET trabajará vendrá determinado por la carga a la
(gris)[8]. La recombinación de la trampa gene- que esté conectado[9].
ral de las ecuaciones generan lo siguiente: Conociendo que I = A J
Obtenemos:
n p − n i2
Rn = (4) qV qV
µ µ ¶¶ µ µ ¶¶
τp (n + n i ) + τp (p + p i ) I = I SC − I 01 exp − I 02 exp
kT T V 2kT
De donde: (11)
Obteniendo el equivalente de:
n 1 = n i e (E T −E i )/kT (5)
qV
µ µ ¶ ¶
p 1 = n i e (E T −E i )/kT (6) I = I SC − I 0 exp −1 (12)
kT
Sustituyendo las ecuaciones 5 y 6 se obtiene:

n D p D − n i2
Rn = (7)
τp (n D + n i ) + τn p D + p i
¡ ¢

Reduciendo terminos semejantes se obtiene

finalmente la siguiente ecuación:
nD − ni
Rn = (8) Figura 2: Diagrama de circuito equivalente
τn + τ p
para una célula solar, (a) carga externa, (b)
cortocircuito y (c) circuito abierto [8].
2.2. Características de voltaje y co-
rriente Cuando una carga está presente, se desa-
rrolla un potencial entre los terminales de la
La representación estándar de un disposi-
celda. Esta diferencia de potencial genera una
tivo fotovoltaico es la característica corriente-
corriente que actúa en dirección opuesta a la
tensión(figura 2).
fotocorriente, y la corriente neta se reduce de su
valor de cortocircuito. Este reverso La corriente
qV qV se suele llamar la corriente oscura.
µ µ ¶¶ µ µ ¶¶
J = J SC − J 01 exp − J 02 exp
kT T V 2kT
(9) La curva de corriente-voltaje para una célula
J SC se denomina densidad de corriente de solar se obtiene trazando la corriente de salida
cortocircuito y es la suma de las contribuciones. En función de la tensión de salida. Esto se ha-
de cada una de las tres regiones: la región de ti- ce experimentalmente variando el externo car-
po n J SC N , la región de tipo p J SC P y la región ga de cero ohms a varios kilo-ohms mientras la

3
celda está iluminada. Analíticamente, la curva
puede ser estimada con la ecuación (12) para los
parámetros de entrada mostrados en Figura 3,
estos parámetros se utilizan en las siguientes fi-
guras, a menos que se indique lo contrario. La
curva analítica de corriente-voltaje se muestra
en la Figura 3.
Figura 3: Características de voltaje actual de
una célula solar para parámetros de entrada [8].
La temperatura también se muestra en la fi-
gura 3. Por un lado, la tensión de circuito abier-
to. Se reduce considerablemente a medida que
la temperatura aumenta de 300K a 350 K. Por
otro lado Mano, la corriente del circuito de cla-
sificación aumenta ligeramente.
Figura 4: Diagrama de circuito equivalente
para una célula solar [10].
Los principales parámetros de la caracterís- cia . La energía dada al electrón por el fotón lo
tica V-I del dispositivo fotovoltaico, según se se- .excita.en la banda de conducción donde es libre
ñalan en la figura 4, son:
Corriente de cortocircuito (Icc notación
española, Isc notación internacional):
Es la máxima corriente que producirá el
dispositivo bajo unas condiciones defini-
das de iluminación y temperatura, corres-
pondientes a un voltaje igual a cero.
Voltaje de circuito abierto (Vca notación
española, Voc notación internacional):
Es el máximo voltaje del dispositivo bajo
unas condiciones determinadas de ilumi-
nación y temperatura, correspondientes a
una corriente igual a cero.
Potencia máxima (Pmax):
Es la máxima potencia que producirá el
dispositivo en unas condiciones determi-
nadas de iluminación y temperatura, co-
rrespondiente al par máximo VxI.
Corriente en el punto de máxima poten-
cia (Ipmp):
Es el valor de la corriente para Pmax en
unas condiciones determinadas de ilumi-
nación y temperatura.
Voltaje en el punto de máxima potencia
(Vpmp):
Es el valor de voltaje para Pmax en unas
condiciones determinadas de ilumina-
ción y temperatura.
Factor de llenado o fill factor (FF):
Es el valor correspondiente al cociente en-
tre Pmax y el producto Isc x Voc. Puede ve-
nir expresado en tanto por ciento o tanto
por 1, siendo el valor 100 % el que corres-
pondería a un hipotético perfil de curva
cuadrado, no real. Nos da una idea de la
calidad del dispositivo fotovoltaico, sien-
do éste tanto mejor cuánto más alto sea
su factor de llenado [10].
2.2.1. Fotogeneración de portadores de carga
Cuando un fotón es absorbido, su energía es
dada a un electrón en la red cristalina. Normal-
mente este electrón está en la banda de valen-
de moverse dentro del semiconductor. La red
4
de enlaces covalentes de los que antes forma-
ba parte el electrón ahora tiene un electrón me-
nos. Esto se conoce como un agujero. La presen-
cia de un enlace covalente faltante permite que
los electrones unidos de los átomos vecinos se
muevan hacia el .orificio", dejando otro orificio
atrás, propagando así los orificios a lo largo de la
red. Se puede decir que los fotones absorbidos
en el semiconductor crean pares de agujeros de
electrones [11].
Un fotón solo necesita tener una energía ma-
yor que la del intervalo de banda para excitar
un electrón de la banda de valencia en la ban-
da de conducción. Sin embargo, el espectro de
frecuencia solar se aproxima a un espectro de
cuerpo negro a aproximadamente 5,800 K, y, co-
mo tal, gran parte de la radiación solar que llega
a la Tierra está compuesta de fotones con ener-
gías mayores que el intervalo de banda del si-
licio. Estos fotones de mayor energía serán ab-
sorbidos por la célula solar, pero la diferencia de
energía entre estos fotones y la brecha de la ban-
da de silicio se convierte en calor (a través de
las vibraciones de la red, llamadas fonones).) en
lugar de en energía eléctrica utilizable. El efec-
to fotovoltaico también puede ocurrir cuando
dos fotones se absorben simultáneamente en
un proceso llamado efecto fotovoltaico de dos
fotones . Sin embargo, se requieren altas inten-
sidades ópticas para este proceso no lineal.
Figura 5: Diagrama de banda de una célula
solar de silicio [12].
5
2.3. Figuras características de los pa-
neles solares
Las células fotovoltaicas ( PV ) están hechas
casi completamente de silicio que se ha proce-
sado en una forma cristalina extremadamente
pura que absorbe los fotones de la luz solar y
luego los libera como electrones, lo que provoca
que fluya una corriente eléctrica cuando la célu-
la fotoconductora está conectada a un externo
carga. Hay una variedad de medidas diferentes
que podemos hacer para determinar el rendi-
miento de la célula solar, como su potencia de
salida y su eficiencia de conversión. Caracterís-
ticas de la célula solar IV Las curvas son bási-
camente una representación gráfica del funcio-
namiento de una célula solar o módulo que re-
sume la relación entre la corriente y el volta-
je en las condiciones existentes de irradiancia
y temperatura. Las curvas IV proporcionan la
información necesaria para configurar un sis-
tema solar de modo que pueda operar lo más
cerca posible de su punto de máxima potencia
(MPP)[13].
Figura 6: Características de voltaje actual de
una celda fotovoltaica de silicio [13].
2.4. Efecto de la vida de la minoría
electrónica en la eficiencia
El gradiente de concentración de electrones
minoritarios en la región tipo p es de gran im-
portancia. Por la eficiencia de una célula solar.
El gradiente de concentración de electrones mi-
noritarios depende principalmente sobre la re-
combinación que tiene lugar en la región cua-
si neutrónica o, en otras Palabras, en la minoría
electrónica de por vida. El efecto de la vida mi-
noritaria de electrones τn en el rendimiento de
un silicio solar la celda se ilustra en la Figura 4.
en términos de las cifras de mérito tales como
FF, ISC y VOC a partir de los resultados de los
cálculos en la sección anterior. La eficiencia de
la célula solar se muestra en la Figura 4. Estos
indican que la corriente de cortocircuito ISC y el
voltaje de circuito abierto VOC aumenta con el
aumento de la vida útil de los electrones mino-
ritarios τn . Dado que FF es una función de VOC,
FF aumenta también al aumentar τn [14].

2.5. Efecto de la vida útil de las mino- Figura 7: Efecto del agujero τp , en la eficiencia
rías en la eficiencia [15].

La vida útil del agujero minoritario τp sue-

le ser pequeña debido al corto ancho del emi-
sor WN. La Figura 6 muestra que el efecto de τp
en la eficiencia es mínimo y el efecto de τp no
cambia al variar el ancho del emisor de 0.1µm a
1.0µm. Nos damos cuenta que la eficiencia se ve
afectada en gran medida por el ancho del emi-
sor [8].

2.6. Efecto de la velocidad de recom-

binación de la superficie poste- Figura 8: Efecto de SBSF sobre la eficiencia de
rior sobre la eficiencia una célula solar [16].

Sin embargo, los electrones que alcanzan la

La tendencia en la industria de células sola-
res es pasar a células solares delgadas (por de-
bajo de 50 µm), reduciendo El volumen de ma-
terial, y por lo tanto la reducción de precios.
En general, una célula solar delgada se enfren-
ta a tres problemas: disminución de la capaci-
dad de absorción de fotones, aumento de la re-
combinación de la superficie posterior, y fragi-
lidad del material (mecánico) debido a la del-
gadez. Cuando una celula solar es delgado, al-
gunos electrones minoritarios pueden alcanzar
la superficie posterior, que generalmente se ani-
quilan[8].
superficie posterior. Se puede alejar de la super-
ficie posterior mediante un campo de superfi-
cie posterior (BSF), que se logra mediante do-
paje pesado no uniforme cerca de la superficie
posterior [8].
2.7. Efecto del ancho de la base en la
eficiencia
Como se dijo antes, la velocidad de recom-
binación de la superficie posterior SBSF es un
parámetro importante en un grosor de celda so-
lar que es principalmente el ancho de la ba-
se, ya que el ancho del emisor es muy Delgado.
El efecto del ancho de la base en la eficiencia
en función de SBSF se ilustra en Figura 8. Ve-
mos que el ancho de la base afecta significativa-

6
mente el rendimiento de un solar Célula, debido
principalmente a los límites de material de sili-
cona del coeficiente de absorción. Darse cuen-
ta de casi no hay efecto de SBSF en la eficiencia
a Wp = 1, 000 m en la Figura 9. En conclusión,
el efecto de la velocidad de recombinación de la
superficie posterior se vuelve significativo a me-
dida que la anchura de la base disminuye [8].
a la misma velocidad de ISC para VOC ser cons-
tante la corriente de saturación oscura se pro-
duce debido a la recombinación en el región
cuasi neutral. Por lo tanto, se llega a la conclu-
sión de que, disminuyendo el ancho del emisor
no solo aumenta la corriente fotogenerada pero
también disminuye la recombinación en la re-
gión cuasi neutra de tipo n [8]. Esta debe ser una
característica importante e implementada en El
concepto de diseño de una célula solar [18].

Figura 9: Efecto de SBSF en el rendimiento de

una célula solar a WP = 50 µm [17].

la eficiencia tiene un valor máximo para un Figura 10: Efecto del ancho de la base sobre la
cierto ancho de base que depende de la vida mi- eficiencia en función de SBSF [19].
noritaria de electrones. La Figura 9 muestra el
efecto de Wp en FF, ISC y VOC a n = 15 s. A me-
dida que aumenta Wp, aumenta ISC pero dis-
minuye VOC. Esto produce un Punto máximo
que puede ser un importante concepto de dise-
ño de una célula solar. En conclusión, a medi-
da que aumenta el ancho de la base, aumenta la
corriente fotogenerada pero el circuito abierto
el voltaje disminuye [8].

2.8. Efecto del Ancho de Emisor WN

en la Eficiencia
Como se definió anteriormente, el ancho del
emisor, WN, es muy pequeño en comparación
con el ancho de la base, WP. Sin embargo, su
efecto sobre el rendimiento no debe ser minimi-
zado. los efectos del ancho del emisor en la co-
rriente de cortocircuito ISC y la tensión de cir-
cuito abierto. El COV se muestra en la Figura
10. ISC disminuye a medida que WN aumenta,
mientras que VOC permanece constante a me-
dida que WN aumenta, deducimos que la la co-
rriente de saturación oscura I0 debe disminuir
Figura 11: Effect of base width on FF, ISC, and
VOC for a solar cell at τp = 15 µs [20].
3. Conclusiones
La energía solar tiene muchas aplicacio-
nes, derivados y más ventajas que desven-
tajas va a proveer al mundo la electricidad
necesaria para que dejemos de depender
de los combustibles fósiles, y dejemos de
contaminar tanto el planeta.

7
 El silicio es uno de los materiales que se [7] TAMASI, M. J. Celdas Solares para uso es-
utilizan para mejorar la eficiencia de las pacial: Optimización de procesos y carac-
celds solares, y se los aplica más en los pa- terización. Universidad Nacional de Gene-
neles fotovoltaícos. ral San Martín. República Argentina, 2003.

A mayor número de módulos equivale a [8] H. S. Lee. Thermal Design: Heat Sinks,
una mayor potencia instalada. Por lo tan- Thermoelectrics, Heat Pipes, Compact
to, el número de módulos requeridos de Heat Exchangers, and Solar Cells. ilustra-
acuerdo con sus necesidades. da,2010, p. 457-463.

Las celdas de Si con AR optimizado de ZnS [9] Alonso García, Ma. del Carmen. EL GENE-
muestra un incremento de alrededor del RADOR FOTOVOLTAICO,2007, p. 9-12.
35 % en la corriente de cortocircuito res-
pecto de los mismos dispositivos sin en- [10] CANO, Juan Bernardo, et al. Desarrollo e
capsular. Es decir mezclar estos dos com- implementación de prototipo electrónico
puestos mejoran la eficiencia de las celdas para la caracterización de paneles solares
solares. en condiciones de exteriores. Revista Poli-
técnica, 2015, vol. 11, no 21, p. 41-50.

[11] CANDAL, R.; BILMES, Sara A.; BLESA, Mi-

Referencias guel A. Semiconductores con actividad fo-
tocatalítica. Eliminación de Contaminan-
[1] DE, POR EL GRADO, et al. Facultad de
tes por Fotocatálisis Heterogénea. Editor:
Ciencias. 2016.
Miguel Blesa, Red CYTED VIII-G, 2001, p.
79-101.
[2] RODRÍGUEZ MURCIA, Humberto. Desa-
rrollo de la energía solar en Colombia y sus [12] GARCÍA, ALEJANDRO ÁVILA. La densidad
perspectivas. Revista de ingeniería, 2008, de estados y el coeficiente de absorción en
no 28. películas de silicio amorfo hidrogenado in-
trínseco. Revista Mexicana de Física, 1996,
[3] MADRIZ, Lorean, et al. Celdas solares
vol. 42, no 5, p. 757-775.
fotoelectroquímicas basadas en Bi2WO6.
Quim. Nova, 2014, vol. 37, no 2, p. 226-231. [13] KOUYOMGIAN, Iván Seligo. Cálculo de
instalación eléctrica, utilizando energía so-
[4] HE, Zhicai, et al. Simultaneous enhance- lar para tres casos de estudio. 2010.
ment of open-circuit voltage, short-circuit
current density, and fill factor in polymer [14] LÓPEZ, Daniel. Análisis de los aspectos
solar cells. Advanced Materials, 2011, vol. tecnológicos de la fabricación de celdas fo-
23, no 40, p. 4636-4643. tovoltaicas de silicio cristalino en la pers-
pectiva de su producción en Uruguay.
[5] KYAW, Aung Ko Ko, et al. Intensity de- 2015.
pendence of current–voltage characteris-
tics and recombination in high-efficiency [15] BANDIĆ, Z. Z., et al. Minority carrier dif-
solution-processed small-molecule solar fusion length and lifetime in GaN. Applied
cells. ACS nano, 2013, vol. 7, no 5, p. 4569- physics letters, 1998, vol. 72, no 24, p. 3166-
4577. 3168.

[6] VENIER, Guillermo Luis. Celdas fotovoltai- [16] COTTER, J. E., et al. P-type versus n-
cas de silicio cristalino: Simulación, dise- type silicon wafers: prospects for high-
ño, elaboración y caracterización. 1997. Te- efficiency commercial silicon solar cells.
sis Doctoral. Facultad de Ciencias Exactas y IEEE Transactions on Electron Devices,
Naturales. Universidad de Buenos Aires. 2006, vol. 53, no 8, p. 1893-1901.

8
[17] ROSE, B. H.; WEAVER, H. T. Determina- solar cells. IEEE Transactions on Electron
tion of effective surface recombination ve- Devices, 1984, vol. 31, no 5, p. 596-601.
locity and minority-carrier lifetime in high-
efficiency Si solar cells. Journal of applied [19] AXELEVITCH, Alexander, et al. Investiga-
physics, 1983, vol. 54, no 1, p. 238-247. tion of novel silicon PV cells of a lateral ty-
pe. Silicon, 2015, vol. 7, no 3, p. 283-291.

[18] ROHATGI, Ajeet; RAI-CHOUDHURY, P. De- [20] GRAY, Jeffery L., et al. The physics of the so-
sign, fabrication, and analysis of 17-18- lar cell. Handbook of photovoltaic science
percent efficient surface-passivated silicon and engineering, 2011, vol. 2, p. 82-128.