Semiconductores de Potencia

 Por el grado de controlabilidad se dividen en tres

grupos:

 Diodos o interruptores no controlados  encendido o

apagado lo realiza el circuito de potencia no existe
circuito de control
 Interruptores controlables la señal de control gobierna
el encendido y apagado
 Tiristores o interruptores semicontrolados  son
encendidos por la señal de control y apagados por el
circuito de potencia
Diodos de Potencia
Son interruptores no controlables cuyo encendido y apagado lo realiza el
circuito de potencia, ya que no existe circuito de control.
 Introducción
 Similares a los diodos de señal
 Estructura una N intermedia  bajo
dopaje  tensiones inversas
elevadas
 Proporciona características
resistivas en PD  a > tensión del
componente
 Capas que forman los contactos
externos  alta>> dopadas
 Introducción
 EP  los diodos  Si cuya tensión de ruptura esta en el
rango de 1V a 2V.
 Soporta grandes caídas de tensión en bloqueo
 Temperaturas de trabajo muy elevadas (200°C)
Características
 P.D Conduce Corriente y tiene una caída de voltaje a
través de él relativamente pequeña

 P.I Pasa una pequeña I en inversa llamada corriente

de fuga o pérdida en el orden u o mA ,
 La corriente de fuga aumenta de magnitud en forma
paulatina hasta llegar al voltaje de avalancha o de
zener
Curva Característica
Ecuación de Schockley
 Describe el comportamiento del diodo sus
características del V-I
 ID  I a través del diodo
 VD  V diodo PD
 Is I fuga su rango en amperios 10-6 y 10-15
 n coeficiente de emisión o factor de idealidad  Ge
1 ; en los de Si  2
𝑘𝑇
 VT voltaje térmico VT = 𝑞 k=1,3806x10-23 J/k
q=1,6022-19 C
T= temperatura en °K (273+°C)
Ejemplo

 La caída de voltaje directa de un diodo de potencia es

VD= 1,2V a ID= 300 A, suponiendo que n= 2 y VT= 26mV ,
encontrar la IS
Características de Recuperación
Inversa
 Es el tiempo de recuperación inversa (trr) que necesitan
los portadores minoritarios para recombinarse
 Se mide a partir del cruce de cero inicial de la corriente
del diodo con el 25% de la corriente inversa máxima o
de pico (IRR)
 Trr está formado por ta+tb
 ta es debido al almacenamiento de carga en la
región de agotamiento
 tb es debido al almacenamiento de carga en el
material del semiconductor
Características de Recuperación
Inversa
Características de Recuperación
Inversa
 Factor de suavidad (SF)  es la relación entre tb/ta
𝑑𝑖
 La corriente en inversa pico IRR ta 𝑑𝑡
 Carga de recuperación Inversa QRR  es la cantidad
de portadores que fluye a través del diodo en dirección
inversa cuando cambia de  conducción a bloqueo
 Y es el área encerrada por la trayectoria IRR
𝑑𝑖 2𝑄𝑅𝑅 1 𝑑𝑖
 IRR= 2𝑄𝑅𝑅 trr= QRR= 𝑡𝑟𝑟 2
𝑑𝑡 𝑑𝑖/𝑑𝑡 2 𝑑𝑡
Ejemplo

 El tiempo de recuperación inversa es de 3 us, la

velocidad de la reducción de la corriente di/dt= 30A/us,
determinar:
 a) la carga de almacenamiento
 b) la corriente inversa pico
Tipos de Diodos
Dependiendo de las características de recuperación y las técnicas de
manufactura
Diodos Normales Uso General

 Tienen un Trr ≈ 25u seg

 Corrientes 1A hasta miles de A
 Voltaje es de 50V hasta 5kV
 Existen dos tipos: tipo perno o de disco
Diodos de Recuperación Rápida

 Trr corto menor a 5 u seg

 Voltaje de 50V hasta 3 kV
 Corrientes de 1 A hasta cientos de amperios
 Rangos de voltaje y corriente mas reducidos
Diodos Schottky

 Formados por la asociación de un metal y un

semiconductor
 Caídas de tensión muy bajas
 No bloquean tensiones superiores a los 100V
Tipos de Diodos

 A continuación un resumen de diodos que se

encuentran actualmente en el mercado:
Diodos en Serie

 Los diodos se conecta en serie para aumentar la

capacidad de bloqueo inverso

 En P.D. Los diodos conducen la misma cantidad de

corriente y la caída de voltaje en directo sería casi
igual

 P.I. cada diodo conduce la misma l de fuga por lo tanto

los voltajes de bloqueo son distintos
Diodos en Serie
La solución es obligar a que se comparta el mismo voltaje
conectando una resistencia a través de cada diodo,
debido a esto la I fuga de cada diodo serían diferentes
 Diodos en Paralelo

 Se conectan en paralelo para aumentar la capacidad

de conducción de corriente
 La repartición de corriente debe estar de acuerdo con
sus respectivas caídas de voltaje directo
Diodos en Paralelo

 Si se añaden resistencias conectadas en serie con cada

uno de los diodos, se equilibra el reparto I en cada una
de las ramas del circuito.
Tarea en Clase

1) El tiempo de recuperación inversa es de 5us, y

la velocidad de reducción de la corriente del
diodo es de 80 A/us, si el factor de suavidad es
SF= 0,5. Determinar:
 a) la carga de almacenamiento
 b) La corriente inversa IRR
Tarea en Clase

2)Se conectan dos diodos en serie y se

mantiene igual el voltaje a través de cada uno
de ellos, conectando una resistencia de voltaje
compartido, de tal modo que VD1 = VD2 =
2000V y R1= 100kΩ, las características de los
diodos aparecen en la figura. Calcule las
corrientes de fuga de cada diodo y la
resistencia R2 a través del diodo D2
Tarea en Clase

3) Dos diodos están conectados en paralelo

siendo la caída de voltaje en directa a través de
cada uno de ellos de 1,5V , las características de
los diodos aparecen en la figura anterior,
determinar las corrientes directas a través de
cada diodo.
Tarea en Clase

4) Dos diodos están conectados en serie, la

resistencia a través de los diodos R1=R2= 10KΩ,
el voltaje de entrada es de 5KV, las corrientes
de fugas son Is1= 25mA, Is2=40mA, Determinar el
voltaje a través de los diodos