Universidad Politécnica Salesiana Laboratorio de Electrónica Digital

Fecha: 15/10/2018
INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DIGITAL
Práctica 1
Morales Flores, Bryan
Email: bmoralesf@est.ups.edu.ec
Rea Flores, Enrique
Email: nreaf@est.ups.edu.ec

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Fecha: 15/10/2018

2.1.1 Funcionamiento  En el HEMT (High regiones del transistor. La

Resumen- La práctica se Electron Mobility mayoría de los
realiza con el objetivo
del transistor
Transistor), transistores bipolares
analizar y revisar el
Un transistor puede también usados hoy en día son
funcionamiento de los
transistores NPN, PNP, tener 3 estados denominado NPN, debido a que la
mediante el diseño de posibles en su trabajo HFET movilidad del electrón es
circuitos. dentro de un circuito: (heterostructure mayor que la movilidad
En activa: deja pasar FET), la banda de de los "huecos" en los
Abstract- The practice is material dopada semiconductores,
más o menos corriente.
performed with the objective con "huecos" permitiendo mayores
of analyzing and reviewing En corte: no deja pasar
la corriente. forma el aislante corrientes y velocidades
the operation of NPN, PNP
En saturación: deja entre la puerta el de operación.
transistors, by designing
circuits. pasar toda la corriente. cuerpo del Los transistores NPN
transistor. consisten en una capa de
Palabras clave:  Los MODFET material
transistores, NPN, PNP. (Modulation- semiconductor dopado P
Doped Field (la "base") entre dos
1. OBJETIVOS Effect Transistor). capas de
[1] material dopado N. Una
1.1. OBJETIVO Figura 1 los 3 estados pequeña corriente
2.3 Transistor bipolar ingresando a la base en
GENERAL del transistor
configuración emisor-
2.2 transistor unipolar El transistor de unión común es amplificada en
Canalizar e implementar bipolar es un dispositivo la salida del colector.
circuitos digitales con El transistor de efecto electrónico de estado
transistores y resistencias. campo (ield-Effect sólido consistente en La flecha en el símbolo
Transistor o FET, en dos uniones PN muy del transistor NPN está en
1.2. OBJETIVOS inglés) es en realidad una cercanas entre sí, que la terminal del emisor y
ESPECIFICOS familia de transistores que permite aumentar la apunta en la dirección en
se basan en el campo corriente y disminuir el la que la corriente
 Analizar e eléctrico para controlar la voltaje, además de convencional circula
implementar conductividad de un controlar el paso de cuando el dispositivo está
circuitos "canal" en un material la corriente a través de en funcionamiento activo.
digitales con semiconductor. Los FET, sus terminales. La [1]
transistores y como todos los denominación de bipolar
resistencias transistores, pueden se debe a que la
plantearse como conducción tiene lugar
resistencias controladas gracias al desplazamiento
2. MARCO por voltaje. de portadores de dos
TEÓRICO polaridades
2.2.1 tipos te (huecos positivos
2.1 Transistores transistores y electrones negativos), y
unipolares son de gran utilidad en
Un transistor es un gran número de
dispositivo que regula el aplicaciones; pero tienen
 El MOSFET ciertos inconvenientes,
flujo de corriente o de
(Metal-Oxide- entre ellos Figura 2 Transistor
tensión actuando como
Semiconductor su impedancia de entrada NPN
un interruptor o
Field-Effect bastante baja. [1]
amplificador para señales
Transistor) usa un
electrónicas. 2.3.1.2 Transistores
aislante
El Transistor es un 2.3.1 Tipos de PNP
componente electrónico  El JFET (Junction
Field-Effect transistores bipolares
formado por El otro tipo de transistor
materiales semiconductor Transistor) usa de unión bipolar es el
una unión p-n 2.3.1.1 Transistores
es, de uso muy habitual, PNP con las letras "P" y
 El MESFET NPN "N" refiriéndose a las
pues lo encontramos
presente en cualquiera de (Metal- cargas mayoritarias
Semiconductor NPN es uno de los dos
los aparatos de uso dentro de las diferentes
Field Effect tipos de transistores
cotidiano como las regiones del transistor.
Transistor) bipolares, en los cuales
radios, alarmas, Pocos transistores usados
substituye la las letras "N" y "P" se
automóviles, hoy en día son PNP,
unión PN del refieren a los portadores
ordenadores, etc. [1] debido a que el NPN
JFET con una de carga mayoritarios brinda mucho mejor
barrera Schottky. dentro de las diferentes

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desempeño en la mayoría emite luz. Cuando se usted debe realizar los

de las circunstancias. conecta un diodo en el cálculos para las
sentido que permite el resistencias de tal manera
Los transistores PNP paso de la corriente se que los transistores
consisten en una capa de dice que está polarizado funcionen en corte y
material directamente. Ahora si la saturación.
semiconductor dopado N definición correcta Realizar el diseño de tal
entre dos capas de será: Un diodo Led es un manera que el TBJ NPN
material dopado P. Los diodo que cuando está entre en corte y
transistores PNP son polarizado directamente saturación.
comúnmente operados emite luz. [2]
con el colector a masa y
el emisor conectado al Este es el símbolo que
Figura 7 Configuración
terminal positivo de la se usa para los diodos led
del transistor NPN.
fuente de alimentación a en los esquemas
través de una carga eléctricos, donde el
eléctrica externa. Una ánodo será la patilla
pequeña corriente larga.
circulando desde la base
permite que una corriente
mucho mayor circule
desde el emisor hacia el
colector. [1] Figura 4 LED
El funcionamiento es muy
La flecha en el transistor sencillo. Cuando
PNP está en el terminal conectamos con Figura 5 TBJ NPN entre
del emisor y apunta en la polarización directa el en corte y saturación
dirección en la que la diodo led el
corriente convencional semiconductor de la parte Realizar el diseño de tal Figura 8 Configuración
circula cuando el de arriba permite el paso manera que el TBJ PNP del transistor PNP.
dispositivo está en de la corriente que entre en corte y
funcionamiento activo. circulará por las patillas saturación.
(cátodo y ánodo) y al
pasar por el
5. ANÁLISIS Y
semiconductor, este RESULTADOS
semiconductor emite luz.
5.1 Cálculos
3. MATERIALES Y realizados
EQUIPO

Figura 3 Transistor PNP
3.4 LED
Los diodos son
componentes
electrónicos que permiten
el paso de la corriente en
un solo sentido, en
sentido contrario no deja
pasar la corriente (como
si fuera un interruptor
abierto). Un diodo Led es
un diodo que además de
permitir el paso de la
corriente solo un un
sentido, en el sentido en
el que la corriente pasa
por el diodo, este
 Protoboard Saturación
 Resistencias
10kΩ
 Transistor 2N3904
 Transistor 2N3906
 Cables VCE= 0,2 V
 LEDS
Figura 6 TBJ PNP en
corte y saturación
Corte
4. DESARROLLO Y
PROCEDIMIENTO
Para esta práctica se VCE VCC
realizará 4 circuitos.
Comprobar la conexión de
DIP Switch, para prender
y apagar un led.
Comprobar las
conexiones indicadas en
los gráficos, para lo cual

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Registro de los datos

obtenidos de la figura 5
GANANCIA VRB= 5 - 07 =4, 3 V
La siguiente imagen
muestra la simulación
realizada en Proteus el
circuito con el transistor
Ic= IB 2N3904 se encuentra en
saturación por lo que se
enciende el led D1.

Ic=200mA

Figura 10 Simulación
PNP en corte

VBB[Vdc] D1[On/Off]
0 Apagado
VLED=1,6V
5 Encendido
Tabla 2 Resultados
TBJPNP en corte y
saturación
ILED=20Ma
Registro de los datos
obtenidos considerando
que VCC=12 Vdc, de la
Figura 9 Simulación figura 7
NPN Saturación
La siguiente imagen
VBB[Vdc] muestra
D1[On/Off] la simulación
0 con el transistor N3904,
Apagado
VRC=VCC - (VCE + VCE) el circuito se encuentra
5 Encendido
en corte por lo que se
VBB=VBB-VBE
Tabla 1 Resultados encienden los dos leds.
TBJNPN entre corte y
saturación
VRC=5V - (1,6 + 0,2) =3,2
Registro de los datos
VBB=5 – 0, 7 V obtenidos considerando
que VCC=12 Vdc, de la
figura 6
V
La siguiente imagen
VBB= 4, 3 V muestra la simulación
con el transistor N3906,
el circuito se encuentra
en corte por lo que no se
enciende el led.

VRB=VBB-VBE
Figura 11 Simulación
NPN Corte

La siguiente imagen
5.2 Registro de datos muestra el circuito en

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saturación por lo que solo

se enciende el led D3 A pesar de que en la
teórica calculamos
valores exactos para Vrc
y Vrb tanto en corte y en
saturación, en la práctica
las variaciones de la
resistividad afectaron
estos valores
permitiendo, en el caso
de corte, el paso de
voltaje muy pequeño y Figura 14 Simulación
cambiando el voltaje
máximo para
saturación.

Figura 13 Configuración 7.
Transistor PNP
Saturacion
Figura 12 Configuración
Simulación NPN
Saturación
VBB[Vdc] D1[On/Off] D2[On/Off]
RECOMENDACIONE NPN Saturación
VBB[Vdc] D1[On/Off] D2[On/Off] Encendido Encendido
S
Apagado Encendido
0 Encendido Encendido
5 Encendido Tabla 4 Resultados
Apagado Se debe conocer la
Configuración transistor estructura de los
Tabla 3 Resultados PNP transistores y saber
Configuracion transistor
NPN
reconocer cual es la
6. CONCLUSIONES base, colector y emisor;
Registro de los datos ya que si se conecta de
obtenidos considerando manera incorrecta el
que VCC=12 Vdc, de la En el desarrollo de la transistor el circuito no
figura 8 práctica los errores funciona de manera
porcentuales al encontrar correcta. Figura 3 Configuración
La siguiente imagen los valores solicitados se Simulación NPN
muestra la simulación deben a las resistencias Saturación
Se debe comprobar que
con el transistor N3906, utilizadas ya su valor de los transistores se
el circuito se encuentra tolerancia en la mayoría encuentran en buen
en saturación por lo que de los casos es menos estado ya que si están
no se enciende el led D6. del 10% además y no
menos significativo se
debe tener plena claridad
en el comportamiento de
los transistores en
nuestro circuito

Se comprobó la
importancia de los
transistores bipolares
operando en zona activa,
de corte y saturación.
Pues al realizar la
configuración del
Figura 16
transistor NPN N3904 en quemados el circuito no Configuración Simulación
corte se pudo observar funcionara y no se NPN Saturación
que los dos leds se encenderán los leds.
encienden y al poner el
en saturación solo un led 8. ANEXOS
se enciende porque solo
pasa voltaje a un para un
solo led.

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9. BIBLIOGRAFIA
Libro
[1] C. C. Hernández, «Sistemas Digitales,» Universidad de
las Palmas, Madrid.
Página Web
[2] J. T. Moreo, «Sistemas electronicos digitales,» 9 abril
2006. [En línea]. Available:
http://www.detcp.upct.es/Personal/JToledo/curso06-
07/Sistemas_electronicos_digitales/Practica1.pdf.