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Capítulo 1
Componentes Empleados En Electrónica de Potencia

Capítulo 1
1.1 - El Diodo
IDEAL REAL
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DE UN DIODO IDEAL
iF vF Para voltajes VF > 0, presenta resistencia nula

+ -
vto
Para voltajes VF < 0, presenta resistencia infinita
+ - iF RF
A vF K
No presentando ninguna pérdida cuando es polarizado
directamente y cuando es polarizado en forma inversa
es capaz de bloquear un voltaje infinito.
iF iF
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DE UN DIODO REAL
1/R F
Presenta una fuerza-electromotriz Vto asociado a una
vBR
resistencia cuando esta polarizado directamente.
vTo vF
vF
iR
Y cuando es polarizado inversamente, tiene un voltaje
máximo inverso (VBR), voltajes superiores destruyen el
componente.
Fig. 1.1
Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.
Capítulo 1
1.1 - El Diodo
PÉRDIDAS EN CONDUCCIÓN
El diodo en conducción tiene pérdidas asociadas a la fuerza-electromotriz (VTo) y a su resistencia interna, por lo
tanto la potencia perdida es representada por la siguiente expresión:
2
P VTO . I med RF I eftotal
Siendo una expresión genérica, empleada para cualquier forma de onda.
Lp iLp
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS DE LOS DIODOS (Conmutación)
-
+ QRR D I De conducción a bloqueo:
E +
- iF Primera Etapa.
S En t=t o S es cerrado, la corriente iF comienza a decrecer. Su
Lp iLp Primera Etapaz velocidad de decrecimiento depende de ‘E’ y ‘Lp’ según la
relación
- i RM
+ VD I di F E
D
E +C dt Lp
- iS Ya que : IF = I-ILp
S
Segunda Etapa Segunda Etapa.
z
Justo después que la corriente en el diodo se anula, ocurre la
Fig. 1.2 - descarga del condensador ‘C’. En este intervalo la corriente iD
Donde: C - representa la capacitancia de juntura circula negativamente (corriente inversa). Una vez que QRR es
QRR – es la carga almacenada en C evacuada, el diodo se bloquea.
cuando D esta en conducción.
Lp - Inductancia parásita

Capítulo 1
1.1 - El Diodo
La inductancia parásita, Lp , conjuntamente con la recuperación provoca una sobretensión que puede ser destructiva
para el diodo, la figura siguiente muestra las formas de onda aproximadas del proceso.
di F
dt
t rr
Donde: I
tR t Ri
tRR es el tiempo total de
recuperación del diodo. VF t2
y, 0 t0 t1 Q
RR
t3 t
E
IRM es la corriente inversa I RM
máxima del diodo.
V = V pico
RM Primera Segunda Fig. 1.3
Etapa Etapa
Los valores de tRR y de IRM pueden ser obtenidos con el empleo de las siguientes formulas empíricas:
3 Q RR 4 diF
t RR I RM Q RR
diF y
3 dt
dt
diF
Donde el valor de QRR es dado por el fabricante del diodo. El valor de depende del circuito y es establecido
dt
por el proyectista del circuito. Observando la expresiones, tanto el tiempo de recuperación del diodo (tRR) como el pico
de corriente inversa (IRM) dependen de QRR, cuanto menor sea QRR más rápido será el diodo.

Capítulo 1
1.1 - El Diodo
Los diodos en cuanto a su velocidad de recuperación, son clasificados en diodos rápidos y lentos. Los diodos
rápidos presentan tRR menores que 200nSeg. Los diodos comunes, empleados en rectificadores de baja frecuencia
presentan tRR superiores a 1uSeg.
Desde Bloqueo a Conducción: Sea el circuito representado iF
por la figura 1.4:

diF
dt
300V
Lp
t
VF(t)
V
iF Fp
_
VF D VF t
S + RD
R1
t RF t Fig. 1.5
Fig.1.4
En el momento que el interruptor S se cierra, se observa la existencia de un retardo para que el diodo entre en
conducción, conocido como tiempo de entrada en conducción (tRF) y puede variar de 0.1 a 1.5useg.
La existencia de una variación de la resistencia del diodo explica el atraso y la sobre tensión (en algunos casos
puede alcanzar valores próximos a 40V), este fenómeno se observa en circuitos atacados por corriente es decir
fuente de corriente o de altas tensiones donde la variación de corriente es muy rápida.
Como se vio en el bloqueo, el empleo de diodos rápidos reduce el valor de VFp y del tiempo de entrada en
conducción tRF.
Capítulo 1
1.1 - El Diodo
PÉRDIDAS EN LA CONMUTACIÓN
Las pérdidas en los diodos en la entrada en conducción son representadas por la siguiente expresión:
1 Donde
VFp = Voltaje directo peak
P1 VFp VF I D trf F
2
VF= Voltaje directo en régimen
tRF=Tiempo de entrada en conducción
Para frecuencias de trabajo inferiores a 40Khz estas pérdidas pueden ser ignoradas .
Las pérdidas que ocurren en el bloqueo son calculadas del siguiente modo:
P2 QRR E F
Siendo F la frecuencia de conmutación y E el voltaje aplicado al diodo inmediatamente después del Bloqueo.
Por lo tanto las pérdidas totales son:
1
PTot VFp V F I D t Rf Q RR E F
2

Capítulo 1
1.2 - El Tiristor
IDEAL REAL
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DE UN TIRISTOR IDEAL
iF +
EO - El tiristor bloquea los voltajes positivos como los
A K A K negativos. (Rectas 1 y 2 en la figura)
_ RO
A
+ vAK G K iT Con corriente de gate, asume las características de un
diodo. (Rectas 1 y 3 en la figura)
Por esto también es denominado diodo controlado o
SCR - Silicon Controlled Rectifier.
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DE UN TIRISTOR REAL

iT iT
3
3 Al igual que el diodo real, el tiristor tiene modificaciones
Disparo 2 sustanciales en relación a la característica ideal
vRM observándose que los voltajes máximos que el tiristor
1 2 consigue bloquear, tanto directa como inversamente,
v To vAKmax
vAK 1 son limitados. (VAKmax y VRM respectivamente)
Las demás no idealidades mencionadas para el diodo

son también válidas para el tiristor. Como son la fuerza-
electromotriz en serie con una resistencia.
Fig. 1.6

Capítulo 1
1.2 - El Tiristor
PÉRDIDAS EN CONDUCCIÓN
La potencia media disipada por el tiristor en conducción es representada por la expresión siguiente:
2
P VTo I Tmed Ro I eftotal
Donde ITmed e ITeftotal son los valores medio y eficaz de la corriente que el tiristor conduce.
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS DE LOS TIRISTORES (Conmutación)

Bloqueo a Conducción:
Inicialmente es estudiado el comportamiento en el disparo. En el instante ‘t0’ el interruptor S es cerrado, lo que da
partida a todo un proceso de inicio de conducción, donde las formas de onda son mostradas por la figura 1.8.
Donde tc - tiempo de cierre
vg
td - tiempo de retardo
tr - tiempo de caída de la tensión
Ánodo-Cátodo 0
t
ig
10% de I g
RL
0
t
E
+ VT 90% de E
ig Rg
V
T 10% de E
S
_ 0
Vg t
td tR
Fig. 1.7 Fig. 1.8
tC

Capítulo 1
1.2 - El Tiristor
El tiempo de retardo (td) depende:

A) De la amplitud de la corriente de gate.
B) De la velocidad de crecimiento de la corriente de Gate
El tiempo tR es independiente de la corriente de Gate.

En general el valor de tC es superior a 1uSeg e inferior a 5 uSeg. La figura muestra dos corrientes de Gate con
formas diferentes.
Ig
2 Se tiene que :
La curva 2 - nos da un disparo rápido y

la curva 1 - un disparo lento.
0
t
Fig. 1.9

Capítulo 1
1.1 - El Tiristor
R S
Circuito BLOQUEO DE UN TIRISTOR

Auxiliar de Apagado
+ _
L
E1 E2
iT +
Sea la estructura mostrada en la Fig. 1.10. Inicialmente
_
el interruptor S se encuentra abierto, y el tiristor T se
G T encuentra en conducción.
Fig.1.10 Para iniciar el bloqueo de T el interruptor S es cerrado.
Donde los fenómenos asociados al bloqueo son
semejantes al descrito para el diodo, las formas de
S es abierto onda son mostradas por la Fig. 1.11.
El tiempo tq es especificado por el fabricante del tiristor
I T di L y es denominado tiempo mínimo de aplicación de
dt voltaje inverso. Si este tiempo no se cumple el tiristor
t inv
continua conduciendo.
tq Cuando se trata de conmutación forzada, el tiempo tq
V L+VT
1V es un dato fundamental cuanto menor es, mejor es el
VT t2 tiristor, ya que podrá operar a frecuencias más
0
t0 t1 Q t3 t elevadas.
RR
Para tiristores rápidos se tiene 10uSeg<tq<200uSeg.
Obs: El tiristor no puede ser bloqueado por gatillo
(gate).
E2
Fig. 1.11
V
2

Capítulo 1
1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia
El transistor bipolar de potencia es un semiconductor con estructura NPN.

Por razones tecnológicas los PNP no son producidos.
Los transistores son unidireccionales en tensión y corriente.
CARACTERISTICA ESTÁTICA DEL TRANSISTOR DE POTENCIA
COLECTOR Es normalmente empleado en corte y saturación. Por este motivo es

ic importante el comportamiento de la transición del estado de saturación al
+ estado de corte y viceversa, siendo caracterizado en estos casos por los
BASE tiempos de conmutación, cuanto menor son estos tiempos mejor es el
VCE transistor.
ib
TRANSISTOR EN CORTE (Región 4)
-
En este estado el transistor es caracterizado solamente por soportar
EMISOR polaridad de voltaje positiva.
VCE>0
Este valor también no puede ser muy grande como para dañar el
Fig. 1.12 componente, este valor máximo es dado por el fabricante, VCEmax.
(Catálogo)

Capítulo 1
TRANSISTOR EN CONDUCCIÓN (Región 1)

También conocida como región activa o lineal (IC= IB) en esta
región el transistor es empleado en amplificadores y reguladores
2 lineales de tensión.
No presenta interés en electrónica de potencia debido a la alta
IC disipación de calor (pérdidas) que se da en esta región.
TRANSISTOR EN CUASI-SATURACIÓN (Región 2)
Es la región preferida en electrónica de potencia. El voltaje VCE es
3 Ib bajo, definiéndose en esta región la ganancia forzada F, por la
relación F=Ic/Ib.
TRANSISTOR EN SATURACIÓN (Región 3)
1 Es la región donde para un ‘Ic’ dado, un aumento de ‘Ib’ no produce
una reducción de VCE. Si se desea frecuencias de trabajo altas esta
región debe ser evitada, debido a que provoca un aumento en el
tiempo de almacenaje (ts), es decir, aumenta los tiempos de
conmutación del transistor. En conducción es caracterizado por los
siguientes parámetros:
VCEsat VCE A) VCEsat - Para Ic<ICsat e Ib>Ibsat, el fabricante asegura que
VCE<VCEsat , dado por el catalogo del fabricante.
4 B) - Ganancia forzada definida por
F F=Icsat/I bsat (5< <10)
F
C) Corriente máxima de colector: el transistor bipolar soporta esta

corriente si todas las otras restricciones son respetadas.
Fig. 1.13

Capítulo 1
VCC CONMUTACIÓN DEL TRANSISTOR CON CARGA INDUCTIVA

Fig. 1.14
IL ID
A) Conmutación de bloqueado a conducción
i b2
+ Esta conmutación se da en 4 etapas:
+ VCE = VCC
Vb2 1era Etapa: Transistor Bloqueado
VBE - - a) PRIMERA ETAPA En esta etapa la corriente de carga es igual a ‘ID’, la corriente ‘IC’ en
VCC el transistor es nula. Sea VD= 0 entonces VCE=VCC.
IL ID 2da Etapa: Crecimiento de la corriente iC
i b1 IC Durante la conmutación la corriente iL se mantiene constante. Así:
+
VCE = VCC IC = iL - ID
+
Vb1 VBE - y
- b) SEGUNDA ETAPA
VCE = VCC
VCC
Mientras la corriente de carga es conmutada del diodo para el
IL ID transistor, el voltaje VCE se mantiene constante. La presencia
i b1 ic simultanea de voltaje y corriente en el transistor provoca pérdidas de
+
conmutación.
+ VCE = VCC
Vb1 VBE - 3era Etapa: Recuperación del diodo
- c) TERCERA ETAPA
Cuando ‘IC’ se iguala a ‘IL’ el diodo D comienza a recuperarse con
VCC una corriente inversa ‘IR’.
IL DCL ID = - IR
i b1 ic Así:
+
IC = IL + IR
+ VCE > VCEsat
Vb1 VBE - Durante la recuperación del diodo VCE se mantiene igual a VCC.
- d) CUARTA ETAPA
Capítulo 1
VB 4ta Etapa: Decrecimiento de VCE

Vb1 En esta etapa la tensión colector-emisor cae hasta su valor
de saturación. Este cambio se realiza con corriente de
0 colector con valor igual a la corriente de carga, por lo tanto
t
es disipativa.
Vb2 tR
Ib Ib1 5ta Etapa: Transistor en conducción
Después de la conmutación el transistor habrá asumido toda
0 la corriente de carga así:
IC IR t
Ic = IL
IRM
IL VCE = VCEsat
ID = 0
0
De la Fig. 1.15 se tiene que el tiempo de conmutación de
VCE tRi t bloqueado a conducción es:
Vcc tF = tFV + tRi
t fv
VCEsat Donde tRi = Tiempo de crecimiento de la corriente
tfV = Tiempo de decrecimiento del voltaje
0
P t Se recomienda el empleo de diodos rápidos, con esto la

corriente de pico en el transistor es reducida, como
consecuencia hay una reducción de la potencia perdida en la
conmutación.
0
1 2 3 4 5 t
Fig. 1.15
Capítulo 1
VCC Fig. 1.16 B) Conmutación de conducción a bloqueado

IL DCL 1era Etapa: Transistor saturado y en conducción
i b1 ic
+ Ídem al de la conmutación anterior.
+ VCE = VCEsat
Vb1 2da Etapa: Tiempo de descarga
VBE - - a) PRIMERA ETAPA Durante esta etapa se da la descarga (parte del tiempo de
VCC
almacenaje) de la capacitancia intrínseca entre base y emisor CB
La corriente ‘IC’ y el voltaje VCE durante este intervalo no son
IL DCL modificados.
i b2 ic
+ 3era Etapa: Crecimiento del voltaje VCE
VCE = VCEsat Mientras VCE<VCC el diodo D se mantiene polarizado inversamente
Vb2
C BE - b) SEGUNDA ETAPA y no entra en conducción. Así:
VCC VCE < VCC
IL IC = IL
DCL
Durante esta etapa ocurre la fase más crítica de la conmutación,
i b2 ic ya que el transistor conduce toda la corriente de carga mientras el
+
VCE < VCC voltaje VCE crece.
Vb2
- c) TERCERA ETAPA 4ta Etapa: Decrecimiento de la corriente de colector
VCC Durante esta etapa, la corriente es conmutada del transistor para
IL ID el diodo. VCE = VCC
i b2 Ic + Ic = I L - ID con IL = constante
+ VCE = VCC La corriente ‘IC’ decrece mientras VCE se mantiene en su valor
Vb2 VBE - máximo igual a VCC normalmente tRV << tFi y puede ser ignorado.
- d) CUARTA ETAPA

Capítulo 1
VBE PÉRDIDAS EN LA CONMUTACIÓN

a) Entrada en conducción:
0
t Ignorando la corriente de recuperación del diodo la
Ib energía perdida durante la entrada en conducción es
obtenida con la relación siguiente:
0
Eec = 0.5 * IC * VCE* tR
t
Por lo tanto Pec = 0.5*IC*VCE*tR*F
VCE
V
CC
Donde tR = tRi + tfv
tRv b) Bloqueo:
VCEsat
Las pérdidas en el bloqueo son dadas por:
IC tf t
t fi Ebl = 0.5* IC* VCE* tf

Luego Pbl = 0.5* IC *VCE * tf * F
P t Donde tf = tRV + tfi

c) Pérdidas totales:
Las pérdidas totales son dadas por la suma, por lo tanto:
Ptot = 0.5* VCE* IC *F *( tR+tf )
0
1 2 3 4 t
Fig. 1.17
Capítulo 1
PÉRDIDAS DE CONDUCCIÓN
Las pérdidas de conducción son calculadas en el modo descrito a seguir:
ton
PCond I C VCEsat I b VBEsat
T
Así
PCond I C VCEsat I b VBEsat ton F
Donde IC = Corriente de colector media

VCEsat = Voltaje colector-emisor de saturación
IB = Corriente de base media
VBEsat = Voltaje base emisor con el transistor saturado
ton = tiempo de conducción del transistor
F = Frecuencia

Capítulo 1
1.4 - El Transistor MOSFET
Es un interruptor con las siguientes características básicas,

entendidas como ventajas en relación al bipolar:
A) Tiempos de conmutación extremadamente cortos.
B) Alta impedancia de entrada, entre Gate y Source. De este modo
Dreno la potencia consumida y la complejidad del circuito de comando
es baja.
C) Comparado con el bipolar, tiene una mayor área de operación
+ Segura (SOA - Safe Operating Area).
D) Fácil de ser asociado en paralelo debido a que la resistencia de
Gate Di Vds conducción tiene coeficiente positivo de temperatura.
El símbolo del MOSFET canal N esta representado por la figura
al lado.
-
Source Donde
Di = Diodo intrínseco
Fig. 1.18

Capítulo 1
CARACTERISTICA ESTÁTICA DEL MOSFET

La figura muestra la característica, donde pueden ser
observadas tres regiones distintas :
ID A) Región de resistencia constante
VGS ~ 20V
B) Región de corriente constante.
C) Región de corte
El MOSFET conduciendo es caracterizado por los siguientes
A parámetros.
B a) RDSon - Saturado el MOSFET se comporta como una
resistencia, que es un hecho importante ya que con esto se
determinan las pérdidas en conducción o la máxima ID.
RDSon aumenta con la temperatura con un coeficiente igual
~ 4V 0.7% para cada grado Celsius aproximadamente, para Tj
mayor que 25 oC.
VDS b) ID - Máxima corriente continua que el componente puede
conducir.
C c) IDM - Máxima corriente pulsada de dreno que el MOSFET
puede conducir.
Fig. 1.19
d) Vgs - Máximo voltaje entre gate source que puede ser
aplicado (positivo o negativo).
e) Vgsth - Voltaje gate source necesario para iniciar la
conducción, aproximadamente (~4V)
f) VDSon = RDSon * ID - Voltaje dreno-source con el MOSFET
conduciendo.
Capítulo 1
CARACTERISTICA DINÁMICA DEL MOSFET
La figura 1.20 presenta las capacitancias entre los

terminales del MOSFET donde :
CISS = CGD +CGS = capacitancia de entrada

Dreno
COSS = CGD +CDS = capacitancia de salida
CGD CRSS = CGD = capacitancia de transferencia.
Los valores de las capacitancias son dadas por los

fabricantes y varían con VDS pero no con la temperatura.
Gate CDS CISS es un parámetro importante en el comando y en los
tiempos de conmutación, este condensador debe ser
cargado y descargado por el circuito de comando de gate y
CGS los tiempos de conmutación dependen de estos tiempos.
Sin embargo es COSS la que más influye en las pérdidas de
conmutación.
El MOSFET no tiene tiempo de almacenaje, (en realidad es
Source despreciable si se compara con las frecuencias de trabajo
del bipolar, siendo el tiempo de carga y descarga de CBE),
Fig. 1.20 que es el mayor tiempo que el bipolar tiene en la
conmutación.

Capítulo 1
Db CONMUTACIÓN INDUCTIVA
Se admite que los principales mecanismos de pérdidas en las
R D conmutaciones del MOSFET se resumen en:
I G G +
LM +
Vout a) Recuperación inversa del diodo Db, cuando el MOSFET es
S CDS accionado.
vG (t)
_
b) La descarga del condensador parásito CDS cuando entra en
a) Primera etapa
VDS = Vout conducción el MOSFET.
c) Pérdida en bloqueo debido a CDS.
Db a) Entrada en conducción:
1era Etapa: Transferencia de energía
R D
I G G +
Vout
Inicialmente el MOSFET se encuentra bloqueado y la corriente circula a
LM +
CDS través del diodo Db y la fuente Vout.
vG (t) S
_
b) Segunda etapa
VDS = Vout 2da Etapa: Crecimiento de la corriente ID
El transistor es comandado a conducir en t= to. Luego cuando el voltaje
de gatillo alcanza VTH, la corriente de dreno comienza a crecer mientras
Db la corriente por ‘Db’ comienza a disminuir. Esta etapa termina cuando la
corriente de dreno llega al valor ILM.
R D
I G G +
LM +
Vout 3era Etapa: Comienzo de recuperación inversa del diodo
CDS
vG (t) En esta etapa la corriente en Db tiene crecimiento negativo. Note que
S
_
c) Tercera etapa esta corriente se suma a la del transistor ocasionando más pérdidas,
VDS = Vout esta etapa termina cuando la corriente inversa del diodo comienza a
decrecer negativamente.
Fig. 1.21
Capítulo 1
Db
4ta Etapa: Termino de recuperación inversa del diodo
En la cuarta etapa la corriente inversa del diodo comienza a decrecer
R D
I G G + negativamente hasta anularse, ID aún es la suma de ILM y la

LM Vout
+
CDS corriente inversa, VDS cae aproximadamente 10 % del valor máximo.
vG (t) Se tiene que cuanto menor es la resistencia de gate (RG) menor es
S
_
c) Cuarta etapa este intervalo.
90% Vout < VDS < Vout
Db
R D 5ta Etapa: Decrecimiento de la tensión VDS

I G G +
LM +
Vout En esta etapa la corriente en Db es cero. La corriente de colector es
CDS igual a la de la fuente, VDS continua decreciendo (descarga de CDS)
vG (t)
_
S
e) Quinta etapa hasta llegar al valor de saturación.
VDS < 90% Vout

Capítulo 1
Db
R D
I G G
Vout
b) Bloqueo:
LM +
S
vG (t)
_
a) Primera etapa 1era Etapa: Transistor conduciendo
Db Inicialmente el MOSFET se encuentra conduciendo la corriente de fuente
ILM.
R D
I G G +
LM +
Vout 2da Etapa: Crecimiento de la Tensión VDS
S
vG (t) El transistor es comandado a bloquearse, la corriente de dreno se
_
b) Segunda etapa mantiene constante mientras el voltaje VDS comienza a crecer.
Db VDS >0
I D <I LM 3era Etapa: Decrecimiento de la corriente de dreno
R D En esta etapa el voltaje VDS se hace igual a la tensión de fuente lo que
I G G +
LM +
Vout hace que la corriente en Db comience a crecer en desmedro de la
S corriente de dreno.
vG (t)
_
c) Tercera etapa
Db VDS =Vout 4ta Etapa: Transferencia de energía
En la cuarta etapa el diodo DB asume la corriente de la fuente por lo
R D tanto, la corriente de dreno es cero.
I G G +
LM +
Vout
vG (t) S
_
d) Cuarta etapa
VDS =Vout Fig. 1.22
Capítulo 1
PÉRDIDAS DE CONMUTACIÓN EN EL MOSFET.

- Pérdidas de Entrada en Conducción
a) Debidas a la recuperación del diodo
La figura 1.23 muestra las curvas de corriente de dreno y de la tensión
vDS (t) VDS durante la entrada en conducción. Se observa que el transistor es
Vout sometido simultáneamente a un aumento lineal de corriente de dreno
Recuperación inversa del diodo
mientras la tensión continúa alta.
ILM+ IRM Las curvas mostradas por la figura son una buena aproximación de las
reales, por lo tanto empíricamente se obtiene la siguiente expresión de
iD(t) pérdidas de entrada en conducción.
ta tb 3 ta 2 tb
0 ta tb Pdiodo f S Vout I LM I RM
2 6
Aproximando ta = tRI, tiempo de crecimiento de la corriente
e Tb =10% de tFV, tiempo de caída de tensión, datos de catalogo.
b) Debidas a la capacitancia dreno-source( CDS )
La capacitancia CDS es responsable por una parte de potencia disipada
durante la entrada en conducción. Mientras el MOSFET esta abierto,
CDS esta cargado a un voltaje Vout. En el inicio de la conducción del
MOSFET, durante el intervalo tFV, el voltaje en sus terminales decrece
Fig. 1.23 de Vout a cero, descargando el capacitor CDS. Esta descarga ocurre en
el interior del MOSFET no siendo posible observar este fenómeno.
Finalmente la expresión que representa las pérdidas debidas a CDS es:
1
PCds f S C DS Vout 2
2
Capítulo 1
V out vDS(t)
90% - Pérdidas de bloqueo en el MOSFET
I LM
90%
El comportamiento de la tensión y la corriente en el

10%
10% iD
(t) MOSFET, durante el bloqueo, puede ser observado en
las figuras al lado. Durante el intervalo de tiempo ,
t RV (Fig 1.24b) la corriente iD(t), la cual es constante e igual
Comando de t FI a ILM, es dividida internamente en el MOSFET en dos
Gate
partes complementarias.
0 t
La primera parte iQ(t) fluye a través del MOSFET y la
(a)
segunda, iC(t), recorre el condensador parasito CDS del
componente. Se observa que solo en existen
D pérdidas ya que después la corriente es desviada
I LM totalmente para CDS y la corriente iQ es cero.
MOSFET
Variación Cuadrática
de la tensión VDS vDS (t) Finalmente la pérdida es representada por:
i C (t)
I RDon
LM
G C DS I LM 2 2 f S
i Q (t)
PBloq
i C (t) 24 C DS
iQ(t)
0
Se considera = a 10% de t RV
(b) S
Fig. 1.24
Capítulo 1
1.5 - Cálculo Térmico
CÁLCULO TÉRMICO EN RÉGIMEN PERMANENTE

El objetivo del cálculo térmico es llegar a un valor de disipador
de modo de evitar que la temperatura de juntura alcance
valores próximos de la máxima temperatura permitida por el
dispositivo.
a) Un solo semiconductor en el disipador
Para el cálculo térmico será empleado el circuito equivalente
representado en la figura al lado.
P(av) Rthjc R thcd Rthda Ta Las variables representadas en la figura son definidas del
siguiente modo:
Tj TC Td TJ - temperatura de juntura (OC)
TC - temperatura de la capsula (OC)
Ta - temperatura ambiente (OC)
Td - temperatura del disipador (OC)
Fig. 1.25
P(AV) - potencia térmica producida por la corriente que circula en el
dispositivo y siendo transferida al medio ambiente (W).
RthJC - resistencia térmica entre juntura y capsula (OC /W)
RthCD - resistencia térmica entre el componente y el disipador (OC
/W)
RthDA - resistencia térmica entre el disipador y el medio ambiente
(OC /W)
RthJA = RthJC+RthCD+RthDA - resistencia térmica entre la juntura y el
ambiente.

Capítulo 1
La ecuación empleada para el cálculo térmico de un componente

es la siguiente:
TJ - Ta = RthJA * P(AV)
R
V1 V2 Existe una analogía con un circuito eléctrico resistivo, representado
por la Fig. 1.26.
I Se adopta el siguiente procedimiento:
a) P(AV) es calculado a partir de las características del componente
Fig. 1.26 y de la corriente que por él circula.
b) TJ - dato dado por el fabricante del componente.
c) Ta - valor adoptado por el proyectista .
d) desde la expresión anterior se determina la resistencia térmica
total.
Tj Ta
Rthja
P(av )

Capítulo 1
e) con la expresión dada anteriormente se determina la

resistencia térmica del disipador.
R thda R (R R )
thja thjc thcd
Las resistencias térmicas RthJC y RthCD son datos dados por

Ptot(av)1 el fabricante del dispositivo. Con un catálogo de
R thjc1 Rthcd1 disipadores se puede escoger el más conveniente o el
Tj1 Tc1 Td1 valor más próximo.
b) Varios semiconductores en el mismo disipador
Ptot(av)2
R thjc2 Rthcd2 Td Rthda Ta El diagrama de resistencias térmicas es mostrado por la
Tj2 Tc2 Td2 figura al lado.
Para determinar la resistencia térmica para este caso
pueden ser considerados los siguientes criterios:
A) - Calcular la temperatura del disipador, Td, para cada
Ptot(av)n dispositivo de la siguiente manera:
R thjcn Rthcdn
Tjn Tcn Tdn Td 1 T j1 Ptot ( av )1 ( Rthjc1 Rthcd 1 )
Td 2 T j2 Ptot ( av )2 ( Rthjc2 Rthcd 2 )
Tdn T jn Ptot ( av ) n ( Rthjcn Rthcdn )

Fig. 1.27 Luego tomar como temperatura del disipador,Td, el menor
valor calculado de las ecuaciones anteriores.

Capítulo 1
Finalmente, la resistencia térmica del disipador es dada por la siguiente ecuación:
Td Ta
Rthda
Ptot( av )1 Ptot( av )2 ..... Ptot( av ) n
B) Considerar inicialmente las temperaturas de juntura para todos los semiconductores, iguales y menores a la
máxima temperatura de juntura (por ejemplo se recomienda admitir TJM =100OC).
Una vez determinados los diferentes valores de temperatura del disipador con las tres ecuaciones dadas
anteriormente, tomar la temperatura del disipador Td, como la media de los valores obtenidos:
Td 1 Td 2 .... Tdn
Td
n
Una vez calculado, Td, se debe verificar si las temperaturas de juntura de cada semiconductor están dentro
del margen indicada por el fabricante en el catálogo. Si alguno esta arriba del máximo se debe reducir la
temperatura Td, hasta que todos estén abajo del valor máximo permitido.
Luego sustituir en la ecuación que representa RthDA .

FIN
CAPITULO 1

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Capítulo 1

Componentes Empleados En Electrónica de Potencia

iF vF Para voltajes VF > 0, presenta resistencia nula

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

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Desde Bloqueo a Conducción: Sea el circuito representado iF

por la figura 1.4:

Por lo tanto las pérdidas totales son:

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DE UN TIRISTOR REAL

Las demás no idealidades mencionadas para el diodo

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS DE LOS TIRISTORES (Conmutación)

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

El tiempo de retardo (td) depende:

El tiempo tR es independiente de la corriente de Gate.

La curva 2 - nos da un disparo rápido y

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

Circuito BLOQUEO DE UN TIRISTOR

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

El transistor bipolar de potencia es un semiconductor con estructura NPN.

CARACTERISTICA ESTÁTICA DEL TRANSISTOR DE POTENCIA

COLECTOR Es normalmente empleado en corte y saturación. Por este motivo es

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

TRANSISTOR EN CONDUCCIÓN (Región 1)

C) Corriente máxima de colector: el transistor bipolar soporta esta

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

VCC CONMUTACIÓN DEL TRANSISTOR CON CARGA INDUCTIVA

1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

VB 4ta Etapa: Decrecimiento de VCE

P t Se recomienda el empleo de diodos rápidos, con esto la

1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

VCC Fig. 1.16 B) Conmutación de conducción a bloqueado

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

VBE PÉRDIDAS EN LA CONMUTACIÓN

t fi Ebl = 0.5* IC* VCE* tf

P t Donde tf = tRV + tfi

1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

Las pérdidas de conducción son calculadas en el modo descrito a seguir:

Donde IC = Corriente de colector media

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1.4 - El Transistor MOSFET

Es un interruptor con las siguientes características básicas,

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

1.4 - El Transistor MOSFET

CARACTERISTICA ESTÁTICA DEL MOSFET

1.4 - El Transistor MOSFET

CARACTERISTICA DINÁMICA DEL MOSFET

La figura 1.20 presenta las capacitancias entre los

CISS = CGD +CGS = capacitancia de entrada

Los valores de las capacitancias son dadas por los

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

1.4 - El Transistor MOSFET

1.4 - El Transistor MOSFET

I G G + negativamente hasta anularse, ID aún es la suma de ILM y la

R D 5ta Etapa: Decrecimiento de la tensión VDS

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

1.4 - El Transistor MOSFET

1.4 - El Transistor MOSFET