EXPERIMENTO Nº1

El Diodo Rectificador

I. OBJETIVOS

Utilizar características de operación de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Una fuente de corriente continua variable.

 Un Multímetro.

 Un Miliamperímetro y un Microamperímetro.

 Un diodo semiconductor de SI y GE.

 Un Voltímetro de C.C.

 Resistencia de 100Ω

 Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente

no es lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una
mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unión “p - n”. La terminal que corresponde
con la parte "p" se llama ánodo y el que coincide con la "n" es el cátodo. Este diodo está
compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido
impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de
semiconductor.

El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de
la batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexión opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversión
de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificación.

En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.

 El diodo semiconductor está constituido
fundamentalmente por una unión P-N, añadiéndole un
terminal de conexión a cada uno de los contactos
metálicos de sus extremos y una cápsula que aloja todo
el conjunto, dejando al exterior los terminales que
corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)

PRUEBA ESTÁTICA PARA

UN DIODO SEMICONDUCTOR

La resistencia del diodo en polarización

directa debe ser muy baja comprada con el nivel de
polarización inversa. Mientras más alta sea la
corriente, menor será el nivel de resistencia. Para la
situación de polarización inversa la lectura debe ser
bastante alta.

NOTA:

Una alta lectura en la resistencia en ambas

direcciones indica con claridad una condición
abierta (dispositivo defectuoso), mientras que
una lectura muy baja de la resistencia en ambas
direcciones quizá indique un dispositivo en corto.
REGIÓN ZENER

Existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por

resultado un agudo cambio en las características, como lo muestra la figura 1.22. La
corriente se incrementa a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de
la región de voltaje positivo.

El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy

drástico de las características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz.

La región de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al incrementar los

niveles de: dopado
en los materiales
tipo p y tipo n. Sin
embargo, mientras
Vz disminuye a
niveles muy bajos,
como -5 V, otro
mecanismo llamado
ruptura Zener
contribuirá con un
cambio agudo en la
característica. Este
cambio rápido en la
característica a
cualquier nivel se
denomina región
Zener, y los diodos que utilizan esta porción única de la característica de una unión p-n son
los diodos Zener. La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la
respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las
características de esta región de voltaje inverso.

El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar
a la región Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor
PIV, por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las iniciales en inglés de:
Peak Reverse Voltage).
IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo de silicio.
Registrar los datos en la tabla 1.

2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el

voltaje directo de diodo, registrar sus datos en la tabla 2.

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos

como en (a), registrando los datos en la tabla 3.

R. Directa R. Inversa

2.44 MΩ 

TABLA 1. (SI)

Vcc(v) 0.50 0.54 0.59 0.66 0.79 0.90 1.22 1.79 2.30 2.83

Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0

Vd(v) 0.49 0.52 0.55 0.58 0.61 0.64 0.67 0.69 0.72 0.73

TABLA2
 Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v) 0 1.99 3.99 6 8 10 11.99 14.99 19.99

Id(µA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TABLA3

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de

germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

R. Directa R. Indirecta

7.55 KΩ 

TABLA 4

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al

paso 2; proceder a llenar la tabla 5 y 6.

Vcc(v) 0 0.18 0.25 0.31 0.44 0.56 0.88 1.25 1.48 1.66 2.03 2.61

Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v) 0 0.17 0.20 0.23 0.26 0.29 0.33 0.37 0.38 0.40 0.42 0.45

TABLA 5

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0

Vd(v) 0 0.99 1.99 3.99 5.99 7.98 9.97 11.97 14.85 17.94 19.92

Id(µA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TABLA 6
V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI) calcular la
resistencia dinámica del diodo.

25
Id vs Vd (polarización directa)
20

15
Corriente
(mA)
10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Voltaje (V)

Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento vertical es 20

mA, entonces podemos remplazarla en la siguiente fórmula (forma diferencial de la
resistencia dinámica):

26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑑 = = = 1.3 Ω
𝐼𝑑 20 𝑚𝐴
 1
Id vs Vd (polarización inversa)
0.9
0.8
0.7
0.6
Corriente (µA)0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

2. Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge) resistencia dinámica del
diodo.

Id vs Vd (polarización directa)
25

20

15
Corriente
(mA) 10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltaje (V)

En este caso la resistencia dinámica se hallará con la siguiente fórmula:

𝑉𝑑 0.4 − 0.3
𝑟𝑑 = = = 0.012 𝐾Ω
𝐼𝑑 12.3 − 4.5
 Id vs Vd (polarización inversa)
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
Corriente 0.4
(µA) 0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

 En el gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 2 podemos

notar que a medida que se incrementa la intensidad de corriente se llega a un
donde el voltaje del diodo es casi estable. Este resultado es de esperarse ya
que el diodo de silicio tiene un voltaje en polarización directa
aproximadamente de 0.7 voltios (comercialmente).

 El gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 3 observamos

que pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la corriente a través de este
no aumenta. Esto se debe a que la resistencia del diodo en polarización inversa
es muy grande.

 Análogamente en el gráfico de la curva característica correspondiente a la

TABLA 4 se dan las mismas observaciones solo que para el caso del Germanio
(Ge) el voltaje en polarización directa es aproximadamente de 0.3 voltios
(comercialmente).
  Finalmente en la gráfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da el paso de
corriente a través del diodo, debido a que este se encuentra polarizado
inversamente.

4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

 Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que este
dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la corriente circulara a
través de él si es que esta en polarización directa, mientras que estando en
polarización inversa la corriente no lo hará (idealmente).

 Sobre la corriente de polarización inversa o de fuga se puede decir que

idealmente es nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta corriente
es del orden de los microamperios (µA) o nanoamperios (nA).

 Se puede notar del contrastes entre las curvas características del diodo hecho
del silicio contra el diodo hecho de germanio, que el primero alcanza más
rápidamente la región de condición en comparación con el segundo.