Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES
N° DE MATRICULA

 TAPIA AGUILAR RUTH MARIA

 16190027

TEMA
CURSO

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
TRANSISTOR NPN PN2222A

INFORME
FECHAS NOTA

REALIZACION
PREVIO ENTREGA

NUMERO 12 de Junio DEL 19 de Junio

2017 DEL 2017
7

GRUPO
PROFESOR

NUMERO
HORARIO
Ing. Luis Paretto
LUNES
2
10am – 12pm
TRANSISTOR C458

 Material: Si
 La estructura de transistor: NPN
 Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc), W: 0.2
 Limite el colector DC-base (Ucb), V: 30
 Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce), V: 30
 Límite de tensión emisor-base (Ueb), V: 5
 Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max), A: 0.1
 Temperatura límite de unión pn (Tj), C: 150
 Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft), MHz:
230
 Capacidad de la unión de colector (Cc), pF: 3.5
 Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común
(Hfe= β), min: 100
 Caso: TO-92
3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento. (Valores
teóricos Tablas 2, 3 y 5)

DATOS:

 𝑅𝑒 = 220 Ω
 𝑅𝑐 = 1 𝐾Ω
 𝑅1 = 56 𝐾Ω (TABLA 2)

 𝑅1 = 68 𝐾Ω (TABLA 3)
 𝑅2 = 22 𝐾Ω
 𝑉𝑐𝑐 = 12 𝑣.

Tenemos para el transistor c458 (NPN-Si):

Por ser de Silicio: 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑣 𝛽 = 100

Hallando el punto Q:

TABLA 2.

Valores Ic (mA) Ib (mA) 𝜷 Vce (v.) Vbe Ve (v.)

(R1=56KΩ) (v.)
Teóricos 7.3260𝑚𝐴 0.07326𝑚𝐴 100 3.0622𝑣 0.6 v 1.4798𝑣

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= = = 3.385𝑣
𝑅1 + 𝑅2 56𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 56𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 15.795𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 56𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 3.385 − 0.6

𝐼𝑏 = = = 0.07326𝑚𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 15.795𝑘 + (100 + 1)220

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 0.07326𝑚𝐴 𝑥 100 = 7.3260𝑚𝐴

𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (0.07326𝑚𝐴 + 7.3260𝑚𝐴)220 = 1.4798𝑣

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {7.3260𝑚𝐴(1000 + 220)} = 3.0622𝑣

 TABLA 3.

Valores Ic (mA) Ib (mA) β Vce (v.) Vbe Ve (v.)

(R1=68KΩ) (v.)
Teóricos 6.0063𝑚𝐴 0.0601 𝑚𝐴 100 4.6724𝑣 0.6v 1.4535𝑣

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= = = 2.933𝑣
𝑅1 + 𝑅2 68𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 68𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 16.622𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 68𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 2.933 − 0.6

𝐼𝑏 = = = 0.0601 𝑚𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 16.622𝑘 + (100 + 1)220

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 0.0601 𝑚𝐴 × 100 = 6.0063𝑚𝐴

𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (0.0601 𝑚𝐴 + 6.0063𝑚𝐴)220 = 1.4535𝑣

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {6.0063𝑚𝐴(1000 + 220)} = 4.6724𝑣

TABLA 5

 Para P=100 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 100𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴

Valores Ic (mA) Ib (mA) β Vce (v.) Vbe (v.)

(𝑹′𝟏 = 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴)
Teóricos 2.1276𝑚𝐴 0.0213𝑚𝐴 100 9.4043𝑣 0.6v
Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 1.483𝑣
𝑅1 + 𝑅2 156𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 156𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 19.281𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 156𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 1.483 − 0.6

𝐼𝑏 = = = 0.0213𝑚𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 19.281𝑘 + {(100 + 1)220}

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 0.0213𝑚𝐴 × 100 = 2.1276𝑚𝐴

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − (2.1276𝑚𝐴(1000 + 220)) = 9.4043𝑣

 Para P=250 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 250𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟑𝟎𝟔𝑲𝜴

Valores
Ic (μA) Ib (μA) β Vce (v.) Vbe (v.)
(𝑹′𝟏 = 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴)
Teóricos 479.59µ𝐴 4.7959µ𝐴 100 11.4149𝑣 0.6v

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.805𝑣
𝑅1 + 𝑅2 306𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 306𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 20.524𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 306𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.805 − 0.6

𝐼𝑏 = = = 4.7959µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 20.524𝑘 + {(100 + 1)220}

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 4.7959µ𝐴 × 100 = 479.59µ𝐴

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {479.59µ𝐴(1000 + 220)} = 11.4149𝑣

  Para P=500 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 500𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟓𝟓𝟔𝑲𝜴

Valores Ic (μA) Ib (μA) β Vce (v.) Vbe

(𝑹′𝟏 = 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴) (v.)
Teóricos −329.622µ𝐴 −3.296µ𝐴 100 12.4021𝑣 0.6v

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.457𝑣
𝑅1 + 𝑅2 556𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 556𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 21.163𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 556𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.457 − 0.6

𝐼𝑏 = = = −3.296µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 21.163𝑘 + (100 + 1)220

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = −3.296µ𝐴 × 100 = −329.622µ𝐴

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {−329.622µ𝐴(1000 + 220)} = 12.4021𝑣

 Para P= 1MΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 1000𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟎𝟓𝟔𝑲𝜴

Valores Ic (mA) Ib (mA) β Vce (v.) Vbe

(𝑹′𝟏= 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴) (v.)
Teóricos −0.8110𝑚𝐴 −0.0081𝑚𝐴 100 12.9894𝑣 0.6v
Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.245𝑣
𝑅1 + 𝑅2 1056𝑘 + 22𝑘

𝑅1 × 𝑅2 1056𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 21.551𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 1056𝑘 + 22𝑘

𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.245 − 0.6

𝐼𝑏 = = = −0.0081𝑚𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 21.551𝑘 + (100 + 1)220

𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = −0.0081𝑚𝐴 × 100 = −0.8110𝑚𝐴

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − (−0.8110𝑚𝐴(1000 + 220)) = 12.9894𝑣

P1 100kΩ 250kΩ 500kΩ 1MΩ

Ic 2.1276𝑚𝐴 479.59µA −329.622µ𝐴 −0.8110𝑚𝐴
Ib 0.0213𝑚𝐴 4.7959µA −3.296µ𝐴 −0.0081𝑚𝐴
Vce 9.4043𝑣 11.4149𝑣 12.4021𝑣 12.9894𝑣