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Capc3adtulo 12 Diodos
Capc3adtulo 12 Diodos
Capítulo 12
Diodos
Capítulo 12 Diodos 2
12.1.1 Introducción
Todos los materiales están formados por átomos, que a su vez están
compuestos de electrones, protones y neutrones. Para comprender mejor un
semiconductor, en esta sección veremos la constitución de los átomos y dos de
los principales materiales semiconductores: el silicio y el germanio.
Un átomo es la partícula más pequeña que tiene las características originales
del elemento al cual pertenece. Para los diferentes elementos debe haber
diferentes átomos, lo que significa que cada elemento posee una constitución
única y específica de sus átomos.
Electrón en órbita
Núcleo
Un electrón en órbita
Dos electrones en
órbita
Electrón de
valencia
compartido
En la Fig. 12.5, cada átomo de silicio tiene cuatro átomos similares que lo
rodean. Los átomos adyacentes de silicio comparten los electrones de valencia
de los demás. Por lo tanto, se tienen ocho electrones de valencia para cada
átomo, lo que hace que el átomo de silicio adquiera un estado de estable.
Electrón libre
Energía térmica
Agujero
Capítulo 12 Diodos 6
Fig. 12.8 – Flujo de corriente inducida por el movimiento de los electrones libres
(excitados por calor), moviéndose en el material intrínseco.
Capítulo 12 Diodos 7
Agujero
Los principales portadores de corriente son los electrones, por lo que llamamos
a este tipo de semiconductor como tipo n. La letra n implica que se trata de
electrones con carga negativa. En los semiconductores de tipo n, los electrones
entonces son los principales portadores. A pesar de ello, todavía se genera una
cantidad de agujeros por ionización térmica, y no son producidos por elementos
con cinco electrones de valencia. Estos agujeros en los materiales de tipo n se
llaman portadores minoritarios.
Agujero
Fig. 12.10 – Átomo impuro con tres electrones de valencia en cristal de silicio. En
el centro hay un átomo de boro.
Al dopar el silicio puro con materiales impuros con tres electrones de valencia,
se aumentan los agujeros en el silicio. Estas impurezas son tales como el
aluminio, boro, y galio, con tres electrones de valencia.
En la Fig. 12.11, cada átomo con tres electrones de valencia tratará de formar
enlaces covalentes con cuatro átomos vecinos de silicio. Sin embargo,
solamente hay tres electrones de valencia en el átomo de boro que se pueden
usar en los enlaces covalentes, y se requiere un electrón libre adicional. Por lo
Capítulo 12 Diodos 9
Los principales portadores de corriente son los agujeros, por lo que llamamos a
este tipo de semiconductor como tipo p. La letra p implica que se trata de
agujeros con carga positiva.. A pesar de ello, todavía se genera una cantidad
de electrones por ionización térmica, y no son producidos por elementos con
tres electrones de valencia. Estos electrones en los materiales de tipo p se
llaman portadores minoritarios.
En la Fig. 12.12 se muestra un cristal de silicio. Una mitad está dopada como
tipo n y la otra como tipo p. Por lo tanto se forma una unión p-n. Esta es la
construcción básica de un diodo. Existen muchos electrones (portadores
mayoritarios) y pocos agujeros (portadores minoritarios) inducidos por la
ionización térmica en la región de tipo n. Hay muchos agujeros (portadores
mayoritarios) y muy pocos electrones (portadores minoritarios) inducidos por
ionización térmica en la región tipo p, como se muestra en la Fig. 12.12. La
unión p-n no es solamente la estructura básica de un diodo, sino que también
es la estructura principal de los transistores y otros tipos de dispositivos de
estado sólido.
Portador principal: Portador principal:
electrón; minoritario: agujero; minoritario:
Unión p-n agujero electrón
Tipo Tipo
p n
Agujero Electrón
Fig. 12.12 – Estructura p-n en el momento de contacto.
Regiones
Iones negativos agotadas Iones positivos
Fig. 12.13 – En estado de equilibrio, hay muy pocos electrones (puntos negros)
en la región p, y pocos agujeros (círculos) en la región n. Estos son portadores
minoritarios. Estas parejas de electrón-agujero se generan por ionización
térmica.
Los iones positivos y negativos formarán una barrera de tensión a través de las
regiones agotadas. A 25ºC, la barrera de tensión para el silicio es de 0.7 V, y de
0.3 V para el germanio. Cuando aumenta la temperatura en la unión, se
disminuye la tensión de barrera, y viceversa. La tensión de barrera determinará
la tensión aplicada en los dos terminales para iniciar la conducción de corriente
en el diodo. Para más detalles, leer la siguiente sección.
Ánodo Cátodo
Fig. 12.14 – Conexión con polarización directa. En este caso se usa una
resistencia para limitar la corriente y proteger el diodo.
Región agotada
Capítulo 12 Diodos 12
Resistencia
para limitar la
corriente
Flujo de agujeros Flujo de electrones
Fig. 12.16
Regio-nes
de iones.
Placas
polares
Se sabe que la mayor parte del flujo de portadores tendrá valor cero poco
después de aplicar la polarización inversa en el diodo. Sin embargo todavía
quedará una pequeña corriente fluyendo. La corriente inversa del germanio es
más alta que la del silicio. Esta última es del orden de los A o nA. En la región
agotada todavía quedan “pares electrón – hueco” generados por ionización
térmica. Aunque en pequeña cantidad, todavía hay algunos electrones bajo la
polarización inversa en la unión p-n antes de combinarse con los agujeros. Este
proceso producirá los portadores minoritarios en los materiales.
Básicamente, la corriente inversa de fuga depende únicamente de la
temperatura en la unión, y es independiente de la magnitud de la polarización
inversa. A mayor temperatura la fuga será mayor.
Cuando la polarización inversa externa es lo suficientemente alta, sucede un
efecto de avalancha. Supóngase que tenemos un electrón en la banda de
conducción. Se acelerará hacia el terminal positivo del diodo una vez que
reciba suficiente energía del exterior. En la senda de movimiento, si este
electrón colisiona con el átomo y empuja el electrón de valencia fuera de la
banda de conducción, se tendrán dos electrones libres. Cada uno de ellos
chocará con un átomo y se tendrá un electrón libre, y por lo tanto, dos
electrones libres producirán cuatro. Utilizando el mismo mecanismo,
encontramos que habrá más electrones generados mediante colisiones. A este
efecto se le llama “efecto acumulado de avalancha”, y aumentará súbitamente
la corriente inversa.
La mayoría de los diodos no pueden funcionar en la región de avalancha
inversa, ya que se dañarían debido a la alta disipación de potencia. Sin
embargo, existe un diodo en particular – el diodo Zener, que trabaja en la
región de avalancha inversa. Este diodo en particular lo veremos en la Sección
12.8.
Para medir un diodo bajo condición directa, la punta positiva (negra) del
medidor se debe conectar al ánodo del diodo, y la punta negativa (roja) al
cátodo. El método se muestra en la Fig. 12.22(a). Cuando el diodo está bajo
polarización directa, su resistencia interna es muy baja, de unos 100 (o aún
más bajo). Si los cables del probador se invierten, como en la Fig. 12.22(b),
entonces la batería interna del medidor pondrá al diodo bajo polarización
inversa. Por lo tanto, el medidor mostrará una resistencia muy alta (idealmente
es infinita). Si el medidor muestra una resistencia baja en ambas direcciones,
esto implica que el diodo ya ha sido cortocircuitado. Por otro lado, si el medidor
muestra una resistencia muy alta en ambas direcciones, el diodo ya está bajo
circuito abierto. En caso de un medidor digital para la prueba de diodos, si éste
funciona, mostrará siempre la tensión directa del diodo, como se muestra en la
Fig. 12.22(c).
(a) Al usar un multímetro (b) Bajo polarización inversa, (c) Usando un multímetro
de tipo analógico para probar mostrará resistencia muy alta digital para probar el diodo
el diodo, mostrará resistencia bajo polarización inversa mostrará el voltaje directo
baja con polarización directa del diodo bajo condición de
polarización directa (el volta-
je directo es igual a la suma
del voltaje de barrera y de la
caída de tensión en la
resistencia.
Capítulo 12 Diodos 17
Diodo ideal
Polarización inversa
Polarización directa
(a) Curva de un diodo ideal (b) Un diodo ideal actúa como interruptor
Ejemplo 12.1
I = 10V / 1 k = 100 mA
En la Fig. 12.25 se muestra una segunda aproximación del diodo V-I. Esta
figura muestra que la corriente de diodo existe únicamente cuando la tensión
es mayor de 0.7V, lo que significa que el diodo conduce bajo esta condición.
Por lo tanto, el potencial en el diodo es de 0.7V y es independiente de la
magnitud de la corriente.
La Fig. 12.25(b) muestra el circuito equivalente de la segunda aproximación.
Aquí, el diodo es considerado como un interruptor con un potencial de barrera
de 0.7 V. Si la fuente de tensión es de más de 0.7V, el interruptor se cierra y el
potencial en el diodo es de 0.7V. Esto sucede porque la tensión de barrera del
diodo es de 0.7V. No importa cuál sea la magnitud de la corriente, la caída de
tensión del diodo se mantiene constante en 0.7V.
Por otro lado, si la fuente de tensión es menor de los 0.7 V o tiene un valor
negativo, el interruptor de polaridad inversa actúa como un interruptor abierto, y
el diodo estará bajo un estado de circuito abierto.
(a) Curva del diodo para 2ª aproximación (b) La 2ª aproximación hace que el
diodo funcione como un interruptor más
una batería
Fig. 12.25
Otra forma de calcular el potencial de carga: fuente de tensión – tens. del diodo
Tercera aproximación
Capítulo 12 Diodos 21
Polarización
inversa
Polarización
directa
(a) Curva del diodo basada en la tercera (b) Circuito equivalente basado en la
aproximación tercera aproximación
Fig. 12.27
El símbolo del diodo Zener se muestra en la Fig.12.29. Está hecho con material
de silicio con una unión p-n. La diferencia entre un diodo rectificador y un diodo
Zener es que este último trabaja en la región de disrupción inversa. La tensión
de disrupción de un diodo Zener depende de la concentración de impurezas,
las cuales deben ser muy bien controladas durante su fabricación. La
característica de este diodo es que la tensión permanece casi constante aún
cuando la corriente cambie súbitamente con la disrupción. Las características
de tensión y corriente se muestran en la Fig.12.30.
Capítulo 12 Diodos 23
Polarización
directa
Polarización
inversa
resistencia Zener (ZR) disminuye y la corriente aumenta muy rápido. A partir del
codo, la tensión de disrupción permanece casi constante, aumentando
solamente cuando hay un incremento de IZ. Esta es la principal característica
del diodo Zener, de ajustar la tensión. Puede mantener una tensión constante
entre los dos terminales dentro de una región particular de corriente inversa.
Para mantener funcionando un diodo Zener, debe suministrarse un mínimo de
corriente inversa IZX. De la curva de características, vemos que la corriente
inversa es más baja que el punto de inflexión (codo), la tensión ha cambiado en
forma obvia y el diodo perderá su función de ajuste. Existe también una
limitación en cuanto a la corriente máxima IZM; si la corriente es mayor que este
límite, el diodo se daña.
codo
Como la corriente es más alta que IZT, la tensión Zener se aumentará, por lo
tanto la tensión en IZ = 30 mA será:
Capítulo 12 Diodos 26
Como la corriente es más baja que IZT, la tensión Zener se disminuirá, por lo
tanto la tensión en IZ = 10 mA será:
Fig. 12.23
Como
Este ejemplo demuestra que la tensión de salida del diodo puede sostener 10V
(hay un pequeño cambio debido a la resistencia Zener) cuando la tensión de
entrada está entre 14V y 50V.
Fig. 12.34
Fig. 12.35(a)
Por lo tanto:
Por lo tanto:
En aplicaciones con AC, el diodo Zener se puede usar para limitar la amplitud
de la tensión. En la Fig.12.36 se muestran tres circuitos de limitación Zener. El
circuito de la Fig.12.36 (a) es para limitar el pico positivo de tensión como
tensión específica Zener. Para el medio ciclo, el diodo Zener actúa como un
diodo normal bajo polarización directa, limita la tensión negativa a –0.7V. Sí el
diodo Zener se invierte como se muestra en la Fig.12.36 (b), entonces el pico
de tensión negativa está limitado en forma de tensión de disrupción del diodo.
La tensión negativa está limitada a 0.7V. Sí se conectan dos diodos Zener en
serie y espalda contra espalda, entonces las tensiones pico negativa y positiva
están limitadas como tensiones Zener más 0.7V., como se muestra en la
Fig.12.36 (c). Durante el ciclo positivo D2 funciona como diodo Zener, y D1
actúa como un diodo normal bajo polarización directa. Los papeles se cambian
durante el ciclo negativo.
Capítulo 12 Diodos 29
Fig.12.37
Respuesta: Las salidas son tal como se muestra en la Fig.12.38. Nótese que
cuando uno de los diodos Zener está en disrupción, el otro debe estar bajo
condición de polarización directa, y la tensión del terminal es de 0.7V.
Capítulo 12 Diodos 30
Fig.12.38
Región de disrupción
placa /diel/plac
Fig.12.43
Energía Lumínica
12.8.4 Fotodiodos
Fig.12.46 – Fotodiodo
Corriente
oscura
Corriente inversa
(a) No hay luz, no hay corriente (b) cuando hay luz la resistencia disminuye y
hay corriente inversa
Fig. 12.49
Región de resistencia
negativa
Región de tensión
normal
(a) Símbolos para el diodo túnel (b) características del diodo túnel
Circuito Punto de
resonante bias
porque tiene una única onda, o un rango de longitud de onda muy reducido. Es
diferente de la luz no coherente, con un amplio espectro de longitud de onda.
La luz del diodo láser es luz monocromática, pero la luz de un LCD (pantalla de
cristal líquido) es no monocromática. La Fig. 12.52(a) muestra la estructura
básica del diodo láser. La unión p-n la forman dos capas de arseniuro de galio
dopado (contaminado), y el tamaño de la unión p-n afectará la longitud de onda
de la luz emitida. Uno de los lados de la unión es una superficie altamente
reflectiva, y el otro lado es parcialmente reflectiva. En el exterior se encuentran
pines del ánodo y el cátodo.
Lado Superficie
Superficie parcialmente altamente Lado
altamente reflectivo reflectiva parcialmente
reflectiva reflectivo
Región
Unión p-n agotada
Cuando la corriente es más baja que este valor, el diodo láser actúa como un
LED normal, siendo la luz que emite no coherente.
el CD en forma digital. La luz del diodo láser puede enfocarse mediante una
lente y luego dirigirla hacia la superficie del disco compacto. Cuando el disco
rota, la lente y el haz de láser se activan y la señal almacenada cambia debido
a los “baches y partes “planas” en la superficie. La señal reflejada por la pista
del disco se proyecta a través de la lente en el diodo infrarrojo, y luego la señal
se recupera en forma de señales digitales de audio por el fotodiodo.
En la Tabla 12.1, se tiene una lista de las capacidades máximas de una serie
de diodos rectificadores (IN4001 – IN4007). Estos son valores máximos
seguros. Una vez que la corriente sobrepase estos valores, el diodo se daña.
Con el fin de mejorar la confiabilidad y la vida del diodo, éste siempre opera por
debajo del valor máximo especificado. Este valor máximo por lo general se
base en la operación a 25 º C. Una temperatura más alta podría disminuir su
valor especificado.
Tabla 12.1
Capítulo 12 Diodos 42
Valor Símbolo IN4001 IN4002 IN4003 IN4004 IN4005 IN4006 IN4007 Unidad
Valor de pico inverso VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
continuo máximo
Valor de pico inverso VRMS 60 120 240 480 720 1000 1200 V
discontinuo máximo
Valor del efecto de tensión VR(rms 35 70 140 280 420 560 700 V
inversa )
Corriente directa promedio I0 A
(60 Hz, TA = 75 ºC)
Corriente directa máxima IFSM 30 A
de pico no repetible
Rango de temperatura de Tj - 65 +175 ºC
operación en la unión
12.10 Resumen
12.11 Problemas
(2) Iones
(3) Ningún portador mayoritario
(4) (1) y (2)
19. ¿Qué sucede cuando se tiene una unión p-n bajo polarización directa?
(1) Un flujo de huecos únicamente.
(2) Un flujo de electrones únicamente
(3) Una corriente de portadores mayoritarios únicamente
(4) Se genera una corriente por los huecos y los electrones
(3) 10
(4) 0.1
Capítulo 12 Diodos 48
24. De acuerdo con las Hojas de Datos, un diodo Zener tiene IZT = 500 mA
cuando Vz = 10V. ¿Cuál es el valor de RZ?
(1) 50
(2) 20
(3) 10
(4) Desconocido
26. Un LED:
(1) Emite luz bajo polarización inversa.
(2) Es sensible a la luz bajo polarización inversa
(3) Emite luz bajo polarización directa
(4) Funciona como una resistencia variable.