Electrónica Analógica I 

 
 Este breve repaso de la historia de los materiales semiconductores no pretende implicar que ENLACE COVALENTE 3
el GaAs pronto será el único material apropiado en la construcción de estado sólido. Se siguen Y MATERIALES
fabricando dispositivos de germanio, aunque para un número limitado de aplicaciones. Aun cuan- INTRÍNSECOS
do es un semiconductor sensible a la temperatura, tiene características que encuentran aplicación
en un número limitado de áreas. Dada su disponibilidad y bajos costos de fabricación, continua-
rá apareciendo en catálogos de productos. Como se señaló previamente, el Si tiene el beneficio
de años de desarrollo y es el material semiconductor líder para componentes electrónicos y cir-
cuitos integrados (CI). El GaAs es más caro, pero a medida que los procesos de fabricación me- USA

joran y las demandas de mayores velocidades se incrementan, comenzará a desafiar al Si como

el material semiconductor dominante.

1.3 ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

●
Para apreciar plenamente por qué Si, Ge y GaAs son los semiconductores mas utilizados por la (a)
industria electrónica, hay que entender la estructura atómica de cada uno y cómo están enlaza-
dos los átomos entre sí para formar una estructura cristalina. Todo átomo se compone de tres
partículas básicas: electrón, protón y neutrón. En la estructura entrelazada, los neutrones y los
protones forman el núcleo; los electrones aparecen en órbitas fijas alrededor de éste. El modelo
de Bohr de los tres materiales aparece en la figura 1.3.

Capa de valencia Electrón

(Cuatro electrones de valencia) de valencia

Capas (b)

+ + FIG. 1.2
Electrones Procesador de núcleo cuádruple
en órbita
Intel Core Extreme 2: (a) aparien-
Núcleo cia exterior; (b) chips internos.

Silicio Germanio

(a) (b)

Tres electrones Cinco electrones

de valencia de valencia

+ +

Galio Arsénico
(c)

FIG. 1.3
Estructura atómica del (a) silicio; (b) germanio,
y (c) galio y arsénico.

Como se indica en la figura 1.3, el silicio tiene 14 electrones en órbita, el germanio 32, el
galio 31 y el arsénico 33 (el mismo arsénico que es un agente químico muy venenoso). En el ger-
manio y el silicio hay cuatro electrones en la capa más externa, los cuales se conocen como elec-
trones de valencia. El galio tiene tres electrones de valencia y el arsénico cinco. Los átomos que
tienen cuatro electrones de valencia se llaman tetravalentes; los de tres se llaman trivalentes, y
los de cinco se llaman pentavalentes. El término valencia se utiliza para indicar que el potencial
(potencial de ionización) requerido para remover cualquiera de estos electrones de la estruc-
tura atómica es significativamente más bajo que el requerido para cualquier otro electrón en la
estructura.
4 DIODOS
SEMICONDUCTORES – – –
– Si – – Si – – Si –
– – –
Electrones compartidos
– – –
– Si – – Si – – Si –
– – –
Electrones de valencia
– – –
– Si – – Si – – Si –
– – –

FIG. 1.4
Enlace covalente del átomo de silicio.

En un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de valencia de un átomo for-
man un arreglo de enlace con cuatro átomos adyacentes, como se muestra en la figura 1.4.
Este enlace de átomos, reforzado por compartir electrones, se llama enlace covalente.
Como el GaAs es un semiconductor compuesto, hay compartición entre los dos átomos dife-
rentes, como se muestra en la figura 1.5. Cada átomo está rodeado por átomos del tipo comple-
mentario. Sigue habiendo compartición de electrones similares en estructura a la de Ge y Si, pero
ahora el átomo de As aporta cinco electrones y el átomo de Ga tres.

– – – –
– As – – As –
– – Ga – –
–
– –
Ga
– – – Ga
– – As – –
– – – – – –
– As – – – – As –
– – Ga Ga
– –
– –
– –
– As –
–

FIG. 1.5
Enlace covalente del cristal del GaAs.

Aunque el enlace covalente produce un enlace más fuerte entre los electrones de valencia y
su átomo padre, aún es posible que los electrones de valencia absorban suficiente energía ciné-
tica proveniente de causas externas para romper el enlace covalente y asumir el estado “libre”.
El término libre se aplica a cualquier electrón que se haya separado de la estructura entrelazada
fija y es muy sensible a cualquier campo eléctrico aplicado como el establecido por fuentes de
voltaje o por cualquier diferencia de potencial. Las causas externas incluyen efectos como energía
luminosa en forma de fotones y energía térmica (calor) del medio circundante. A temperatura am-
biente hay alrededor de 1.5  1010 portadores libres en un 1 cm3 de material de silicio intrínse-
co, es decir, 15,000,000,000 (quince mil millones) de electrones en un espacio más reducido que
un pequeño cubo de azúcar; una enorme cantidad.
El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido cuidado- NIVELES DE ENERGÍA 5
samente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo
más puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnología actual.
Los electrones libres presentes en un material debido a sólo causas externas se conocen co-
mo portadores intrínsecos. La tabla 1.1 compara el número de portadores intrínsecos por centí-
metro cúbico de Ge, Si y GaAs. Es interesante señalar que el Ge tiene el mayor número y el
GaAs el menor; en realidad, el Ge tiene el doble que el GaAs. El número de portadores en la for-
ma intrínseca es importante, aunque otras características del material son más significativas al
determinar su uso en campo. Uno de esos factores es la movilidad relativa (mn) de los portado-
res libres en el material, es decir, la capacidad de los electrones libres de moverse por todo el
material. La tabla 1.2 revela con claridad que la movilidad de los portadores libres en el GaAs
es más de cinco veces la de los portadores libres en el Si; un factor que produce tiempos de res-
puesta con dispositivos electrónicos de GaAs que puede ser hasta cinco veces las de los mismos
dispositivos hechos de Si. Observe también que los portadores libres en el Ge tienen más de dos
veces la movilidad de los electrones en el Si, lo cual es un factor que da como resultado el uso
continuo de Ge en aplicaciones de frecuencia de radio de alta velocidad.

TABLA 1.1
Portadores intrínsecos TABLA 1.2
Factor de movilidad relativa mn
Portadores intrínsecos
Semiconductor (por centímetro cúbico) Semiconductor M n (cm2/Vs)

GaAs 1.7 * 106 Si 1500

Si 1.5 * 1010 Ge 3900
Ge 2.5 * 1013 GaAs 8500

Uno de los avances tecnológicos de las últimas décadas ha sido la capacidad de producir ma-
teriales semiconductores de muy alta pureza. Recuerde que éste era uno de los problemas que
se enfrentaron en los inicios de la utilización del silicio, pues era más fácil producir germanio
de los niveles de pureza requeridos. Actualmente, los niveles de impureza de 1 parte en 10 mil
millones son comunes, con mayores niveles alcanzables para circuitos integrados a gran escala.
Se podría cuestionar si se necesitan niveles de pureza extremadamente altos. De hecho lo son si
se considera que la adición de una parte de impureza (del tipo apropiado) por millón en una oblea
de material de silicio puede cambiarlo de un conductor relativamente deficiente a un buen conduc-
tor de electricidad. Desde luego, tenemos que abordar un nivel de comparación por completo nue-
vo cuando abordamos el medio semiconductor. La capacidad de cambiar las características de un
material mediante este proceso se llama impurificación o dopado, algo que el germanio, el silicio
y el arseniuro de galio aceptan con facilidad y rapidez. El proceso de dopado se analiza en de-
talle en las secciones 1.5 y 1.6.
Una importante e interesante diferencia entre semiconductores y conductores es su reacción
ante la aplicación de calor. En el caso de los conductores, la resistencia se incrementa con un
aumento de calor. Esto se debe a que el número de portadores presentes en un conductor no se
incrementan de manera significativa con la temperatura, aunque su patrón de vibración con res-
pecto a un lugar relativamente fijo dificulta cada vez más el flujo continuo de portadores a tra-
vés del material. Se dice que los materiales que reaccionan de esta manera tienen un coeficien-
te de temperatura positivo. Los materiales semiconductores, sin embargo, presentan un nivel
incrementado de conductividad con la aplicación de calor. Conforme se eleva la temperatura, un
mayor número de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica para romper el en-
lace covalente y así contribuir al número de portadores libres. Por consiguiente:
Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo.

1.4 NIVELES DE ENERGÍA

●
Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay niveles específicos de energía asociados
con cada capa y electrón en órbita, como se muestra en la figura 1.6. Los niveles de energía asocia-
dos con cada capa son diferentes según el elemento de que se trate. Sin embargo, en general:
Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y cualquier
electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un estado de energía mayor que todo
electrón que permanezca en la estructura atómica.
Observe en la figura 1.6a que sólo puede haber niveles de energía específicos para los elec-
trones que permanecen en la estructura atómica de un átomo aislado. El resultado es una serie
 La brecha de energía también revela qué elementos son útiles en la construcción de disposi- MATERIALES 7
tivos emisores de luz como diodos emisores de luz (LED, por sus siglas en inglés), los cuales se EXTRÍNSECOS:
presentarán en breve. Cuanto más ancha es la brecha de energía, mayor es la posibilidad de MATERIALES
que la energía se libere en forma de ondas luminosas visibles o invisibles (infrarrojas). En el caso TIPO n Y TIPO p
de conductores, el traslape de las bandas de conducción y valencia provoca esencialmente que
toda la energía adicional absorbida por los electrones se disipe en forma de calor. Asimismo, en el
caso de Ge y Si, como la brecha de energía es tan pequeña, la mayoría de los electrones que absor-
ben suficiente energía para abandonar la banda de valencia terminan en la banda de conducción y
la energía se disipa en forma de calor. Sin embargo, en el caso de GaAs la brecha es suficiente-
mente grande para producir radiación luminosa significativa. En el caso de los LED (sección
1.9) el nivel de dopado y los materiales seleccionados determinan el color resultante.
Antes de dejar este tema, es importante subrayar la importancia de entender las unidades uti-
lizadas para una cantidad. En la figura 1.6 las unidades de medición son electrón volts (eV). La
unidad de medición es apropiada porque W (energía)  QV  (derivada de la ecuación de defi-
nición de voltaje: V  W/Q). Si se sustituye la carga de un electrón y una diferencia de poten-
cial de un 1 volt, se produce un nivel de energía conocido como electrón volt.

1.5 MATERIALES EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO n

Y TIPO p
●
Como el Si es el material más utilizado como material base (sustrato) en la construcción de dispo-
sitivos de estado sólido, el análisis en ésta y en las siguientes secciones se ocupa sólo de semicon-
ductores Si. Como el Ge, el Si y el GaAs comparten un enlace covalente similar, se puede ampliar
fácilmente el análisis para incluir el uso de otros materiales en el proceso de fabricación.
Como ya antes se indicó, las características de un material semiconductor se pueden modificar
de manera significativa con la adición de átomos de impureza específicos al material semiconduc-
tor relativamente puro. Estas impurezas, aunque sólo se agregan en 1 parte en 10 millones, pueden
alterar la estructura de las bandas lo suficiente para cambiar del todo las propiedades eléctricas
del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como ma-
terial extrínseco.
Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de dispositi-
vos semiconductores: materiales tipo n y tipo p. Cada uno se describe con algún detalle en las
siguientes subsecciones.

Material tipo n
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un número predeterminado de
átomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea introduciendo elementos de im-
pureza que contienen cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico
y el fósforo. El efecto de tales elementos de impureza se indica en la figura 1.7 (con antimonio

– – –
– Si – – Si – – Si –
– – –
Quinto electrón de
valencia de antimonio
– – – –
– Si – – Sb – – Si –
– – –
Impureza de antimonio
– – –
– Si – – Si – – Si –
– – –

FIG. 1.7
Impureza de antimonio en un material tipo n.
8 DIODOS como la impureza en una base de silicio). Observe que los cuatros enlaces covalentes permane-
SEMICONDUCTORES cen. Existe, sin embargo, un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, el cual no
está asociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrón restante, enlazado de ma-
nera poco firme a su átomo padre (antimonio), está en cierto modo libre para moverse dentro del
material tipo n recién formado, puesto que el átomo de impureza insertado ha donado un elec-
trón relativamente “libre” a la estructura.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como átomos donadores.
Es importante tener en cuenta que aun cuando un gran número de portadores libres se ha es-
tablecido en el material tipo n, sigue siendo eléctricamente neutro puesto que de manera ideal el
número de protones de carga positiva en los núcleos sigue siendo igual al de los electrones de
carga negativa libres y en órbita en la estructura.
El efecto de este proceso de dopado en la conductividad relativa se puede describir mejor uti-
lizando el diagrama de bandas de energía de la figura 1.8. Observe que un nivel de energía discre-
to (llamado nivel donador) aparece en la banda prohibida con una Eg significativamente menor que
la del material intrínseco. Los electrones libres creados por la impureza agregada se establecen
en este nivel de energía y absorben con menos dificultad una cantidad suficiente de energía tér-
mica para moverse en la banda de conducción a temperatura ambiente. El resultado es que a tem-
peratura ambiente, hay un gran número de portadores (electrones) en el nivel de conducción y
la conductividad del material se incrementa de manera significativa. A temperatura ambiente en
un material de Si intrínseco hay alrededor de un electrón libre por cada 1012 átomos. Si el nivel
de dopado es de 1 en 10 millones (107), la razón 1012/107  105 indica que la concentración de
portadores se ha incrementado en una razón de 100,000:1.

Energía

Banda de conducción
Eg = considerablemente menor que
– – – –
en la figura 1.6(b) para semiconductores
Eg de materiales Nivel de energía de un donador
intrínsecos – – – –
Banda de valencia

FIG. 1.8
Efecto de las impurezas de un donador en la estructura de la banda de energía.

Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de impu-
reza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos más utilizados para este propósito son
boro, galio e indio. El efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base de silicio se indi-
ca en la figura 1.9.

– – –
– Si – – Si – – Si –
– – Vacío –
(+ o 0)
– – –
– Si – – B – Si –
– – Impureza –
de boro
– – (B) –
– Si – – Si – – Si –
– – –

FIG. 1.9
Impureza de boro en un material tipo n.
 Observe que ahora el número de electrones es insuficiente para completar las bandas covalen- MATERIALES 9
tes de la estructura recién formada. El vacío resultante se llama hueco y se denota con un pequeño EXTRÍNSECOS:
círculo o un signo más, para indicar la ausencia de una carga positiva. Por lo tanto, el vacío resul- MATERIALES
tante aceptará con facilidad un electrón libre: TIPO n Y TIPO p

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman átomos aceptores.
El material tipo p es eléctricamente neutro por las mismas razones descritas para el material
tipo n.

Flujo de electrones contra flujo de huecos

El efecto del hueco en la conducción se muestra en la figura 1.10. Si un electrón de valencia ad-
quiere suficiente energía cinética para romper su enlace covalente y llenar el vacío creado por
un hueco, entonces se creará un vacío o hueco en la banda covalente que cedió el electrón. Exis-
te, por consiguiente, una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la de-
recha, como se muestra en la figura 1.10. La dirección que se utilizará en este texto es la del flu-
jo convencional, la cual está indicada por la dirección del flujo de huecos.

– – – –
– Si – – Si – – Si – – Si –
– – – –

– – + –
– Si – – Si – – B – – Si –
– – – –

Flujo de huecos
Flujo de electrones

FIG. 1.10
Flujo de electrones contra flujo de huecos.

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a los electrones
en la banda de valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o luminosas para
romper la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los vacíos que
quedan en la estructura de enlace covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En
un material tipo n, el número de huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel
intrínseco. El resultado neto, por consiguiente, es que el número de electrones sobrepasa por mu-
cho al de huecos. Por eso:
En un material tipo n (Fig. 1.11a) el electrón se llama portador mayoritario y el hueco por-
tador minoritario.

Iones donadores Iones aceptores

+ + – Portadores +
+ – –
+ –– –
+ –
mayoritarios – + +–
– –+ + – –+ +
– +
– + – +
+ –
+ + – + + –
+ – + + Portador Portadores + – – +
– + – – + minoritario mayoritarios – + + –
Portador
tipo n tipo p minoritario

(a) (b)

FIG. 1.11
(a) material tipo n; (b) material tipo p.
10 DIODOS En el material tipo p el número de huecos excede por mucho al de electrones, como se mues-
SEMICONDUCTORES tra en la figura 1.11b. Por consiguiente:
En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario.
Cuando el quinto electrón de un átomo donador abandona el átomo padre, el átomo que que-
da adquiere una carga positiva neta: de ahí el signo más en la representación de ión donador. Por
las mismas razones, el signo menos aparece en el ión aceptor.
Los materiales tipo n y p representan los bloques de construcción básicos de los dispositivos
semiconductores. En la siguiente sección veremos que la “unión” de un material tipo n con
uno tipo p producirá un elemento semiconductor de considerable importancia en sistemas
electrónicos.

1.6 DIODO SEMICONDUCTOR

●
Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p están disponibles, podemos construir nuestro
primer dispositivo electrónico de estado sólido. El diodo semiconductor, con aplicaciones de-
masiado numerosas de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada
más que eso; sólo la unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con
un portador mayoritario de huecos. La simplicidad básica de su construcción refuerza la impor-
tancia del desarrollo de esta área de estado sólido.

Sin polarización aplicada (V  0 V)

En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la región de
la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la región próxima a la
unión, como se muestra en la figura 1.12a. Observe en la figura 1.12a que las únicas partículas
mostradas en esta región son los iones positivos y negativos que quedan una vez que los porta-
dores libres han sido absorbidos.

Región de agotamiento

– – ++
–
+ – + – – + + + – – +–
+
+
– – – –– ++ – +
– + + + – – ++ + –
– – ++ + – + –
+ – – – ++
+ – + – – – ++ – + – +
– + + – – – ++ +
– – ++ – – + – Contacto
metálico
p n

ID = 0 mA ID = 0 mA
+ VD = 0 V –
(sin polarización)

(a)

Flujo de portadores
+ VD = 0 V – minoritarios
(sin polarización) Ie Ih

ID = 0 mA
Ih Ie
p n
Flujo de portadores
mayoritarios
(b) (c)

FIG. 1.12
Una unión tipo p–n con polarización interna: (a) una distribución de carga interna; (b) un símbolo
de diodo, con la polaridad definida y la dirección de la corriente; (c) demostración de que el flujo
de portadores neto es cero en la terminal externa del dispositivo cuando VD  0 V.
Esta región de iones positivos y negativos revelados se llama región de “empobrecimiento”, DIODO 11
debido a la disminución de portadores libres en la región. SEMICONDUCTOR
Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se produce un dispositivo de
dos terminales, como se muestra en las figuras 1.12a y 1.12b. Se dispone entonces de tres opcio-
nes: sin polarización, polarización en directa y polarización en inversa. El término polarización
se refiere a la aplicación de un voltaje externo a través de las dos terminales del dispositivo para
extraer una respuesta. La condición mostrada en las figuras 1.12a y la 1.12b es la situación sin
polarización porque no hay ningún voltaje externo aplicado. Es un diodo con dos cables conduc-
tores que yace aislado sobre un banco de laboratorio. En la figura 1.12b se proporciona el símbo-
lo de un diodo semiconductor para mostrar su correspondencia con la unión p-n. En cada figura
es evidente que el voltaje aplicado es de 0 V (sin polarización) y la corriente resultante es de 0 A,
casi como un resistor aislado. La ausencia de voltaje a través de un resistor produce una corrien-
te cero a través de él. Incluso en este punto inicial del análisis es importante señalar la polaridad
del voltaje a través del diodo en la figura 1.12b y la dirección dada a la corriente. Esas polarida-
des serán reconocidas como las polaridades definidas del diodo semiconductor. Si se aplica un
voltaje a través del diodo cuya polaridad a través de él sea la mostrada en la figura 1.12b, se con-
siderará que el voltaje es positivo. A la inversa, el voltaje es negativo. Los mismos estándares se
pueden aplicar a la dirección definida de la corriente en la figura 1.12b.
En condiciones sin polarización, cualesquier portadores minoritarios (huecos) del material
tipo n localizados en la región de empobrecimiento por cualquier razón pasarán de inmediato al
material p. Cuanto más cerca de la unión esté el portador minoritario, mayor será la atracción de
la capa de iones negativos y menor la oposición ofrecida por los iones positivos en la región de em-
pobrecimiento del material tipo n. Concluiremos, por consiguiente, para análisis futuros, que
cualesquier portadores minoritarios del material tipo n localizados en la región de empobrecimien-
to pasarán directamente al material tipo p. Este flujo de portadores se indica en la parte superior
de la figura 1.12c para los portadores minoritarios de cada material.
Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben vencer las fuerzas de atrac-
ción de la capa de iones positivos en el material tipo n y el escudo de iones negativos en el ma-
terial tipo p para que emigren al área más allá de la región de empobrecimiento del material
tipo p. Sin embargo, el número de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n
que invariablemente habrá un menor número de portadores mayoritarios con suficiente energía
cinética para que atraviesen la región de empobrecimiento hacia el material p. De nueva cuen-
ta, se puede aplicar el mismo tipo de planteamiento a los portadores mayoritarios (huecos) del
material tipo p. El flujo resultante producido por los portadores mayoritarios se muestra en la
parte inferior de la figura 1.12c.
Un examen minucioso de la figura 1.12c revela que las magnitudes relativas de los vectores
de flujo son tales que el flujo neto en una u otra dirección es cero. Las líneas transversales indican
esta cancelación de los vectores de cada tipo de flujo de portadores. La longitud del vector que re-
presenta el flujo de huecos se traza más larga que la del flujo de electrones para demostrar que
las dos magnitudes no tienen que ser iguales para la cancelación, y que los niveles de dopado de
cada material pueden producir un flujo desigual de huecos y electrones. En suma:
Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo semiconductor, el flujo neto de car-
ga en una dirección es cero.
En otras palabras, la corriente en condiciones sin polarización es cero, como se muestra en
las figuras 1.12a y 1.12b.

Condición de polarización en inversa (VD<0 V)

Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal positiva
conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se muestra en la fi-
gura 1.13, el número de iones positivos revelados en la región de empobrecimiento del material
tipo n se incrementará por la gran cantidad de electrones libres atraídos por el potencial positi-
vo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el número de iones negativos no revelados se
incrementará en el material tipo p. El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la
región de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores
mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce efecti-
vamente a cero, como se muestra en la figura 1.13a.
Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran a la región de empobrecimien-
to no cambia, y se producen vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud
indicada en la figura 1.12c sin voltaje aplicado.
La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de saturación en
inversa y está representada por Is.
12 DIODOS Is Flujo de portadores minoritarios
SEMICONDUCTORES Imayoritarios  0A

– +– –+ – – –+++ + –
– – – + + + –+ + + – VD
+ – +
– – + – – – + + +– – + +
– – – –+++
+ + –– – – – + + + + – Is
p n
Región de empobrecimiento
p n
Is Is
– +
(Opuesta)
–V +
D

(a) (b)

FIG. 1.13
Unión p-n polarizada en inversa: (a) distribución interna de la carga en
condiciones de polarización en inversa; (b) polaridad de polarización
en inversa y dirección de la corriente de saturación en inversa.

La corriente de saturación en inversa rara vez es de más de algunos microamperes, excepto en

el caso de dispositivos de alta potencia. De hecho, en los últimos años su nivel, por lo general, se
encuentra en el intervalo de los nanoamperes en dispositivos de silicio. El término saturación
se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con rapidez y que no cambia de manera sig-
nificativa con los incrementos en el potencial de polarización en inversa, como se muestra en las
características de diodo de la figura 1.15 con VD < 0 V. Las condiciones de polarización en inversa
se ilustran en la figura 1.13b para el símbolo de diodo y unión p-n. Observe, en particular, que la
dirección de Is se opone a la flecha del símbolo. Observe también que el lado negativo del voltaje
aplicado está conectado al material tipo p y el lado positivo al material tipo n, y la diferencia indi-
cada con las letras subrayadas por cada región revela una condición de polarización en inversa.

Condición de polarización en directa (VD>0 V)

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece aplicando el potencial po-
sitivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra en la figura 1.14.

Imayoritarios ID  Imayoritarios  Is

Región de empobrecimiento

+ –

(a) (b)

FIG. 1.14
Unión p-n polarizada en directa: (a) distribución interna de la carga en condiciones de polarización
en directa; (b) polarización directa y dirección de la corriente resultante.

La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará” a los electrones en el

material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones próximos
al límite y reducirá el ancho de la región de empobrecimiento como se muestra en la figura 1.14a.
El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al material tipo n
(y de huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto que el nivel de conduc-
ción es controlado principalmente por el número limitado de impurezas en el material), aunque
la reducción del ancho de la región de empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores
mayoritarios a través de la unión. Un electrón del material tipo p ahora “ve” una barrera reducida DIODO 13
en la unión debido a la región de empobrecimiento reducida y a una fuerte atracción del potencial SEMICONDUCTOR
positivo aplicado al material tipo p. En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización apli-
cada, el ancho de la región de empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar la unión, lo que produce un crecimiento exponencial de la corriente
como se muestra en la región de polarización en directa de las características de la figura 1.15.
Observe que la escala vertical de la figura 1.15 está en miliamperes (aunque algunos diodos se-
miconductores tienen una escala vertical medida en amperes) y la escala horizontal en la región
de polarización en directa tiene un máximo de 1 V. Por consiguiente, en general el voltaje a tra-
vés de un diodo polarizado en directa será menor de 1 V. Observe también cuan rápido se eleva
la corriente después de la rodilla de la curva.
Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las características generales
de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuación, conocida como
ecuación de Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa:

ID = Is1eVD>nVT - 12 1A2 (1.1)

donde Is es la corriente de saturación en inversa

VD es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo
n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y
construcción física; varía entre 1 y 2 según una amplia diversidad de factores.
(se supondrá n  1 en todo este texto a menos que se indique de otra manera).
El voltaje VT en la ecuación (1.1) se llama voltaje térmico y está determinado por

1V2
kT
VT = (1.2)
q

donde k es la constante de Boltzmann  1.38  1023 J/K

T es la temperatura absoluta en Kelvin  273  la temperatura en °C.
q es la magnitud de la carga del electrón  1.6  1019 C.

EJEMPLO 1.1 A una temperatura de 27°C (temperatura común para componentes en un siste-
ma de operación cerrado), determine el voltaje térmico VT.
Solución: Sustituyendo en la ecuación (1.2), obtenemos
T = 273 + °C = 273 + 27 = 300 K
kT 11.38 * 10-23 J/K213002
VT = =
q 1.6 * 10-19 C
= 25.875 mV  26 mV
El voltaje térmico se convertirá en un parámetro importante en los análisis de este capítulo y
varios de los siguientes.

Inicialmente, la ecuación (1.1) con todas sus cantidades definidas puede parecer un tanto
complicada. Sin embargo, no se utilizará mucho en el análisis siguiente. Lo importante en este
momento es entender el origen de las características del diodo y qué factores afectan su forma.
En la figura 1.15 aparece una curva de la ecuación (1.1), la línea punteada, con Is  10 pA.
Si la expandimos a la forma siguiente, el componente contribuyente en cada región de la figura
1.15 se describe con mayor claridad:
ID = IseVD>nVT - Is
Con valores positivos de VD el primer término de la ecuación anterior crecerá con rapidez y
anulará por completo el efecto del segundo término. El resultado es la siguiente ecuación, la cual
sólo tiene valores positivos y adopta la forma exponencial ex que aparece en la figura 1.16:
ID  IseVD/nVT (VD positivo)
     Electrónica Analógica I 

UNIDAD TEMÁTICA  
No. 1 
 
 
DIODO SEMICONDUCTOR: 
Es  un  dispositivo  formado  por  una  capa  de  semiconductor  tipo  P  junto  a  otra  de 
tipo N. 
 
Conduce corriente en un solo sentido, según la polaridad de sus terminales.  En las 
siguientes gráficas se muestran las concentraciones de cargas dentro de sus capas 
sin polarización, con polarización directa y con polarización inversa: 
 
Diodo sin polarización 
Aquí  vemos  que  las  concentraciones  de  cargas  se  mantienen  constantes  en  el 
cuerpo del material. 
 
- - + +
Ppo - - + + Nno
- - + +
P - - + + N
- - + +
Npo - - + + Pno
- - + +
 
 
Donde:  
PPO = Concentración de cargas positivas libres (mayoritarias) en la zona P. 
NPO = Concentración de cargas negativas libres (minoritarias) en la zona P. 
NNO = Concentración de cargas negativas libres (mayoritarias) en la zona N. 
PNO = Concentración de cargas positivas libres (minoritarias) en la zona N. 
 
Diodo con polarización directa 
Aquí vemos que las concentraciones de cargas de los portadores minoritarios han 
aumentado a los costados de la región de transición. Esto quiere decir que hay un 
exceso de cargas a ambos lados de la zona de transición. 
 
En  esta  situación,  el  dispositivo  conduce  corriente  desde  la  zona  P  a  la  zona  N. 
Obsérvese que la fuente V tiene su polo positivo en la región P (llamada ANODO) y 
el negativo en la región N (llamada CATODO). 
 

11
Electrónica Analógica I   

Ppo Nno

p N

N1

N1 P1
Npo Pno

- (Vo - V) +

V > 0
+ V -

 
 
 
Diodo con polarización inversa 
Aquí vemos que las concentraciones de cargas de los portadores minoritarios han 
disminuido a los costados de la región de transición. Esto quiere decir que hay una 
escasez de cargas minoritarias a ambos lados de la zona de transición. 
 
En esta situación, el dispositivo no conduce corriente. 
 
Obsérvese que la fuente V tiene su polo negativo en la región P y el positivo en la 
región N. 
 
PPO NNO

P N

NPO
PNO

- +
V
 
 
A continuación se muestra el símbolo que se usa para representarlo: 
 

 
 
CARACTERÍSTICA TENSIÓN – CORRIENTE: 
La ecuación del diodo semiconductor es: 
 
ID = Io (℮V/ηVT – 1) 
 

12
     Electrónica Analógica I 

Donde: 
  V = tensión en el diodo 
  ID = corriente del diodo 
  Io = corriente inversa de saturación 
  VT = kT / e =Tensión térmica (25.8 mV á T = 300°K) 
  η = Coeficiente de emisión (1 para el germanio y 1 ó 2 para el silicio) 
  k = Constante de Boltzman = 8.62x10‐5 eV/°K) 
  e = Magnitud de la carga del electrón = 1.602x10‐19C 
  T = Temperatura absoluta en °K 
 
El diodo empieza a conducir con polarización directa si la tensión supera la de codo 
o umbral, Vγ. Esta tensión vale: 0.1 ó 0.2 V para el germanio y 0.6V para el silicio. 
  
Es posible simplificar la ecuación del diodo si tenemos en cuenta que, por ejemplo, 
un diodo de silicio prácticamente no conduce si su tensión directa es del orden de 
0.5 V.  
 
En este caso, con η = 2: 
   
ID = Io (℮V/ηVT – 1) = Io (℮0.5 / 2x0.0258 – 1) = ℮ 9.69 – 1 = 16,154 – 1 
 
Lo  anterior  significa  que  cuando  el  diodo  conduce  corriente  directa,  podemos 
despreciar el número: – 1, debido a que no introduce error apreciable. 
 
DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA: 
Los dispositivos semiconductores dependen mucho de la temperatura. La corriente 
inversa de saturación del diodo es dada por la ecuación: 
 
Io = K Tm e‐VGO/VT 
 
Donde: 
T es la temperatura absoluta en °K. 
K es una constante 
VGO = EGO / e: Es el equivalente en tensión del ancho de la banda prohibida á  0 °K 
VT = kT / e: Es la tensión térmica. 
 
Se demuestra que: 
Io se duplica por cada aumento de la temperatura en 10 °C 
 
La  tensión  en  el  diodo  disminuye  en  2.5  mV  por  cada  grado  de  aumento  de  la 
temperatura:    ∆V /∆T = ‐ 2.5mV / °C 

13
Electrónica Analógica I   

 
Estos  datos  deben  tenerse  muy  en  cuenta  cuando  el  dispositivo  eleva  su 
temperatura 
 
RESISTENCIA DEL DIODO: 
Si un diodo tiene aplicada una tensión V y conduce una corriente ID, se presentan 
dos tipos de efectos resistivos: 
 
RESISTENCIA ESTÁTICA: 
En  el  gráfico  siguiente  vemos  la  curva  del  diodo  y  las  coordenadas  del  punto  de 
trabajo, Q, son:  (VQ,IDQ) 
 
La resistencia estática es definida como:  RE = VQ / IDQ 
 
ID

IDQ Q

VQ
V
 
 
Este concepto es aplicable cuando el diodo está sometido a tensiones y corrientes 
constantes. 
 
RESISTENCIA DINÁMICA: 
Esta  resistencia  se  emplea  cuando  el  diodo  es  sometido  a  corrientes  y  tensiones 
que varían con el tiempo. 

14
     Electrónica Analógica I 

ID

IDQ + id
Q
IDQ
IDQ - id

VQ + vd
VQ - vd VQ
V

 
 
En la gráfica puede verse que la señal montada en el nivel del punto de operación 
hace variar la tensión y corriente en ΔV (= vd) y ΔID (= id), alrededor del punto de 
trabajo,  Q.  En  este  caso  es  más  útil  el  concepto  de  resistencia  dinámica,  definida 
como: 
          rd = dV / dID 
 
La cual es evaluada en el punto de trabajo, Q. 
 
Podemos ver que la resistencia dinámica es la inversa de pendiente de la tangente 
en  el  punto  de  trabajo,  Q,  del  diodo.  Se  obtiene  la  ecuación  de  la  resistencia 
dinámica  partiendo  de  la  ecuación  del  diodo.  Si  derivamos  ID  respecto  de  V, 
obtenemos inicialmente la conductancia dinámica: 
 
gd = dID/dV = Io [e V/ηVT]/ ηVT = IDQ/ ηVT 
 
Luego la resistencia dinámica es:  rd = 1/gd = ηVT / IDQ 
 
MODELOS CIRCUITALES DEL DIODO: 
El  concepto  de  resistencia  dinámica  nos  permite  hacer  un  modelo  linealizado  del 
diodo para simplificar los cálculos y evitar el empleo de la ecuación exponencial: 
 

15
Electrónica Analógica I   

ID

1/rd

0 Vγ
V
 
 
La  tensión  de  codo  o  tensión  umbral,  indica  el  voltaje  directo  al  cual  el  diodo 
empieza a conducir corriente apreciable. 
 
El gráfico mostrado se puede representar por el siguiente circuito: 
 
Vγ
rd
A + - C
DIODO IDEAL  
 
El diodo ideal es un dispositivo que no existe físicamente, pero que nos sirve para 
hacer el modelo circuital. En este dispositivo: rd = 0, Vγ = 0, Io = 0 y puede manejar 
cualquier  corriente  a  cualquier  frecuencia  y  puede  soportar  cualquier  tensión 
inversa.  Su  gráfico  corresponde  a  una  línea  vertical  que,  con  polarización  directa, 
coincide con el eje de corrientes y con polarización inversa, su gráfica coincide con 
el eje de tensiones. 
 
Se debe indicar también que si se quiere lograr más precisión, se pueden emplear 
más segmentos, y el modelo circuital se complicará más. 
 
CAPACIDADES INTERNAS EN EL DIODO SEMICONDUCTOR 
Otra  de  las  características  notables  de  la  unión  P‐N  es  que  en  la  región  de 
transición se presentan dos tipos de efecto capacitivo. Uno, predomina cuando hay 
polarización inversa y el otro predomina cuando hay polarización directa.  
 
Empezaremos estudiando el caso con polarización inversa  
 
Capacidad de transición (CT): 
Al establecerse la unión, se produce un flujo inicial de cargas a través de ella debido 
a  los  gradientes  de  concentración.  Los  átomos  de  impurezas  a  los  costados  de  la 

16
     Electrónica Analógica I 

juntura  se  ionizan,  formándose  dos  regiones  con  cargas  opuestas  e  inmóviles 
debido  a  que  los  iones  están  fijos  en  la  red  cristalina.  Este  comportamiento  es 
similar  al  de  un  condensador  de  placas  planas  y  paralelas.  Sin  embargo,  la 
diferencia está en que estas regiones pueden aumentar o reducir su separación en 
función del voltaje externo aplicado, dando origen a un efecto capacitivo no lineal. 
Por  ello,  y  teniendo  en  cuenta  que  CT  debe  ser  un  valor  positivo,  se  define  la 
capacidad  de  transición  en  función  de  la  magnitud  de  la  derivada  de  la  carga 
respecto al voltaje aplicado:  CT = │dQ/dV│ 
 
Unión abrupta: Es aquella en la que el material tipo p cambia bruscamente a tipo n 
o viceversa. 
 
W = ancho total de la región de transición. 
Wp = ancho de la región de transición en la zona P. 
Wn = ancho de la región de transición en la zona N. 
A = Area (o sección) transversal del diodo. 
 
El primer paso es hallar la distribución de cargas partiendo de la densidad de carga: 
Si  la  concentración  de  impurezas  es  uniforme,  en  estado  de  equilibrio,  las  cargas 
negativas a un lado de la unión, deben ser iguales a las positivas al otro lado. O sea: 
 
AWp eNd = AWn eNa 
 
De donde:      Wp Nd = Wn Na 
 
- V +

W
Wp Wn

- - - + + +
- - - + + +
P - - - + + + N
A - - - + + + C
- - - + + +
- - - + + +
- Vo - V

0 Wp W x
 
 
Utilizando las propiedades de las proporciones:   
Wp = W ND/(NA + ND) 

17
Electrónica Analógica I   

Wn = W NA/(NA + ND) 
 
El  ancho  de  la  región  de  transición  se  relaciona  con  el  voltaje  externo  con  la 
siguiente ecuación: 
 
                eNDNAW2 
Vo – V = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 
              2ε(NA + ND) 
 
La capacidad de transición se obtiene con la siguiente ecuación: 
 
                  εA 
CT = ‐‐‐‐‐‐‐‐ 
                   W 
 
Despejando W y reemplazando:   
 
        εA[eNAND]1/2               CTo 
CT = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 
  [2ε(NA + ND)]1/2 [Vo – VD]1/2       [1 – V / Vo]1/2 
 
Este resultado es válido para unión abrupta. 
 
Se puede deducir en forma análoga para otros tipos de uniones. En este caso: 
 
               CTo 
CT = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 
        [1 – V / Vo] m 
 
CTo   es la capacidad de transición cuando no hay polarización externa. 
m   es  el  coeficiente  de  gradiente  de  unión  y  su  valor  está  comprendido  entre 
0.33 y 0.5 
 
Capacidad de difusión (CD): 
Este comportamiento se presenta principalmente cuando la polarización es directa. 
Como ya se ha visto, en este caso las concentraciones de portadores minoritarios 
aumentan a los costados de la zona de transición. El aumento de huecos en un lado 
se corresponde con la reducción en el otro lado, generándose un efecto capacitivo 
por huecos, algo análogo sucede con los electrones. Estas capacidades también son 
no lineales, por lo que se define: 
 

18
     Electrónica Analógica I 

CD = CDp + CDn = │dQp/dV│+ │dQn/dV│ 
 
Donde: 
Qp representa el exceso de cargas positivas (huecos) 
Qn representa el exceso de cargas negativas (electrones) 
 
Estas cargas  son  proporcionales  a la corriente en  el diodo  y  podremos expresarla 
como: 
 
Q = Qo ℮V / VT 
 
Luego obtenemos: 

CD = gpτp +gn τn 
 
Donde: 
gp es la conductancia dinámica de huecos en la zona P. 
gn es la conductancia dinámica de electrones en la zona N. 
τp es el tiempo de vida medio de los huecos en la zona P. 
τn es el tiempo de vida medio de los electrones en la zona N. 
 
En el caso particular que:  τp = τn = τ 
 
La ecuación se reduce a:    CD = gτ 
 
Donde : g es la conductancia dinámica del diodo. 
 
PROBLEMA  1.1:  Un  diodo  de  silicio  p+  n,  con  η  =  1,  está  polarizado  con  una 
corriente directa  de  1 mA. Su capacidad de transición es 100 pF. Si el tiempo de 
vida  medio  es  τn  =  τp  =  1  μs  ¿Cuál  es  la  admitancia  del  diodo  a  temperatura 
ambiente a una frecuencia de 1 MHz  
 
SOLUCION: 
La conductancia dinámica del diodo está dada por:   
 
  g = ID/VT = 1 mA/26 mV = 0.04 A/V 
 
La capacidad de difusión es: CD = g τ = 40 nF 
 
Como  esta  capacidad  es  mucho  mayor  que  la  de  transición,  la  capacidad 
equivalente será prácticamente CD 

19
Electrónica Analógica I   

La admitancia del diodo a 1 MHz es: 
 
Y = g + jw CD = 0.04 + j 0.025 
 
PROBLEMA  1.2:  ¿Para  qué  tensión  inversa  la  corriente  de  un  diodo  de  germanio 
será el 90% de su valor de saturación (Io) a temperatura ambiente? 
 
SOLUCION: 
La corriente del diodo está dada por la ecuación: 
 
ID = Io [℮V/ηVT – 1] 
 
A  una  tensión  de  polarización  inversa,  V,  el  diodo  dejará  pasar  una  corriente 
inversa igual a ‐0.9 Io. 
 
Entonces:   ‐0.9 Io = Io [℮ V/ηVT – 1]  
    ‐0.9     = ℮ V/ηVT – 1  
    exp(V/ηVT) = 0.1 
 
De donde: V = (26 mV) ln(0.1) = ‐ 59.87 mV 
 
Tiempos de conmutación del diodo semiconductor: 
Cuando  el  diodo  trabaja  en  conmutación  (  o  sea,  pasando  de  su  estado  de 
conducción  al  de  no  conducción  y  viceversa),  demora  para  pasar  de  un  estado  al 
otro. 
 
Al tiempo que demora en pasar del estado de conducción al de no conducción se le 
llama: tiempo de recuperación inversa (trr). 
 
Al tiempo que demora en pasar del estado de no conducción al de conducción se le 
llama tiempo de recuperación directa (trd). 
 
Es  importante  tener  cuidado  con  estos  tiempos  debido  a  que  durante  los 
transitorios los diodos pueden verse afectados e incluso destruirse, especialmente 
cuando trabajan con corrientes altas. 
   
Tiempo de recuperación inversa (trr): 
Cuando el diodo conduce, hay un exceso de cargas a ambos lados de la región de 
transición.  Al  invertirse  la  polaridad  este  exceso  debe  ser  eliminado  para  que  el 
diodo  pase  a  su  estado  de  no  conducción.  Por  ese  motivo,  el  diodo  conducirá  en 
sentido inverso durante unos instantes, como se muestra en la siguiente figura: 

20
     Electrónica Analógica I 

0.7

ID
ta
I

tb

- 0.2 IR t
t

- IR

 
 
ta   es el tiempo que pasa desde que la corriente es cero hasta que llega a su pico 
inverso (IR) 
tb   es el tiempo que pasa desde que la corriente esta en su pico inverso hasta que 
se reduce al 20% de su valor. 
 
Luego:           trr = ta + tb 
 
El  área  bajo  la  curva  de  corriente  inversa  representa  la  carga  de  recuperación 
inversa, QR, (ó carga en exceso). 
 
De las gráficas vemos que se cumple aproximadamente: 
 
QR = ½ IR ta + ½ IR tb = ½ IR trr 
 
Luego:        IR = 2QR / trr 
 
A la relación entre tb / ta se le da el nombre de factor de suavidad,  FS   
 
FS = tb / ta 
 
Tiempo de recuperación directa (trd): 
Cuando el diodo no conduce, hay una escasez de cargas a ambos lados de la región 
de transición. Al ponerse polarización directa, esta escasez debe pasar a exceso de 
cargas y deberá limitarse la velocidad de variación de la corriente (dI/dt) porque el 
dispositivo  puede  dañarse,  especialmente  cuando  está  trabajando  con  corrientes 
altas. 

21
Electrónica Analógica I   

La  variación  de  la  velocidad  de  la  corriente  se  limita  comúnmente  poniendo  una 
bobina de pequeño valor en serie con el diodo. 
 
PROBLEMA  1.3:  El  tiempo  de  recuperación  inversa  de  un  diodo  es  trr  =  5μs  y  la 
velocidad  de  reducción  de la corriente es dI/dt = 80A/μs. Si el factor de suavidad 
es FS = 0.5, halle: 
 
a)   La carga de almacenamiento, QR 
b)   La corriente pico inversa, IR 
 
Solución: 
a)   Sabemos que:  trr = ta + tb = ta ( 1 + FS) 
  Luego:    ta = trr /(1 + FS) = 5μs / (1+0.5) = 10/3 μs  
 
tb = trr ‐ ta = 5/3 μs 
 
  Sabemos también que:  IR / ta = dI/dt 
  Además:      QR = ½ IR trr 
  Reemplazando:  QR = ½ (ta dI/dt) trr = ½ (5/3 * 80) 5μs = (2000 / 3) μC 
 
DIODOS ESPECIALES: 
La  unión  P‐N  es  muy  importante  porque  presenta  una  serie  de  fenómenos  útiles 
que determinan la construcción de diodos especiales: 
  
Diodos  de  schottky:  Diodo  de  alta  velocidad  formado  por  unión  metal  – 
semiconductor. 
 
Símbolo: 
 
Diodo zener: Diodo diseñado para trabajar en su región de ruptura. Se le emplea 
como regulador de tensión o como limitador. 
 
Diodo  varicap:  Diodo  usado  como  capacidad  variable  con  la  tensión.  Se  polariza 
inversamente. 
 
Diodo de avalancha: Diodo usado como protección contra sobre tensiones. Se usa 
su región de ruptura. 
 
Fotodiodo: Diodo usado para convertir luz en electricidad. 
 
Diodo emisor de luz: Diodo usado para emitir luz. 

22
     Electrónica Analógica I 

Diodo túnel: Diodo con alta concentración de impurezas. Usado como oscilador de 
alta frecuencia. 
 
TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA: 
Se pueden clasificar en: 
 
Diodos de uso general: Trabajan hasta 1 KHz, con niveles de tensión inversa desde 
50V hasta 5KV y niveles de corriente desde 1 A hasta varios miles de amperios. 
 
Diodos de recuperación rápida: Su tiempo de recuperación inversa es del orden de 
5μs,  con  niveles  de  tensión  inversa  desde  50V  hasta  3KV  y  niveles  de  corriente 
desde 1 A hasta varios cientos de amperios. 
 
Diodos de  schottky: Su  tiempo de  recuperación  inversa es del orden  de  los nano 
segundos, con niveles de tensión inversa de 100V y niveles de corriente desde 10 A 
hasta 300 amperios. 
 
RECTIFICADORES DE POTENCIA: 
La  historia  de  la  Electrónica  de  Potencia  comenzó  en  1900  con  un  dispositivo 
denominado rectificador de arco de mercurio. Fue el precursor de los dispositivos 
semiconductores, que dio gran impulso a la ingeniería de convertidores. Consistía 
en  un  tubo  de  acero  en  el  que  se  hacía  el  vacío,  dotado  de  un  ánodo  de  grafito 
aislado  y  de  un  cátodo  de  mercurio  que  emitía  electrones  a  través  de  un  arco 
excitador. Entre el ánodo y el cátodo se ponía una rejilla. Al aplicar un impulso de 
tensión  positivo  en  la  rejilla  se  iniciaba  el  arco  y  la  conducción  entre  ánodo  y 
cátodo. Entre sus ventajas estaban: La elevada resistencia a las sobre‐tensiones y a 
las  variaciones  bruscas  de  corriente.    Posteriormente  aparecieron  los  dispositivos 
termoiónicos y a gas, tales como el fanotrón,  el tiratrón y el ignitrón. 
 
La  primera  revolución  electrónica  se  inició  con  la  invención  del  transistor  en  los 
Laboratorios Bell Telephone por los señores Bardeen, Brattain y Schockley.  
 
En  1956  los  mismos  laboratorios  inventaron  el  rectificador  controlado  de  silicio 
(SCR). 
 
La  segunda  revolución  electrónica  ocurrió  en  1958  cuando  la  General  Electric 
Company desarrolló el primer tiristor (SCR) comercial. 
 
En  los  últimos  tiempos  la  Electrónica  de  Potencia  ha  logrado  un  gran  desarrollo 
debido,  especialmente,  a  la  evolución  de  los  dispositivos  semiconductores  de 
potencia y de los progresos en microelectrónica. 

23
Electrónica Analógica I   

Desde que se construyó el primer SCR, los rectificadores controlados de silicio han 
logrado  un  gran  avance  y  actualmente  pueden  llegar  a  manejar  niveles  de 
corrientes  del  orden  de  los  10,000  amperios.  Otro  tanto  ha  sucedido  con  los 
transistores  bipolares  que  también  han  logrado  un  alto  nivel  de  desarrollo  y  los 
conocimientos adquiridos con él han servido para crear nuevos dispositivos que en 
la  actualidad  pueden  ser  usados  en  controles  de  velocidad,  UPS,  relés  de  estado 
sólido, etc. 
 
PROBLEMA 1.4: Los valores medidos en un diodo a temperatura de 25°C son:  
 
V = 1V con ID = 50 A  y V = 1.5V con ID = 600 A. Determine: 
 
a)   El coeficiente de emisión, η 
b)   La corriente inversa, Io. 
 
SOLUCIÓN: 
La ecuación del diodo es:  ID = Io (℮V/ηVT – 1) 
 
Luego:    50 = Io (℮1/ηVT – 1) = Io ℮1/ηVT 
 
Además:  600 = Io (℮1.5/ηVT – 1) = Io ℮1.5/ηVT 
 
Dividiendo:   
      600  ℮1.5/ηVT 
      ‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ℮0.5/ηVT  
      50  ℮1/ηVT 
 
 
Despejando:    0.5 
      η = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 7.8 
              VT ln(12) 
 
ESPECIFICACIONES DE LOS DIODOS: 
Para  poder  seleccionar  un  diodo  los  fabricantes  dan  un  conjunto  de 
especificaciones: 
 
Tensión  directa  (VD):  Es  la  caída  de  tensión  directa  para  la  corriente  promedio 
especificada. 
 
Tensión  inversa  de  pico  repetitiva  (VIP  ó  PRV):  Es  el  máximo  voltaje  inverso  que 
puede soportar el diodo. 

24
     Electrónica Analógica I 

 
Tensión  inversa  de  pico  no  repetitiva  (VNR  ó  PNRV):  Cuando  el  diodo  soporta 
tensiones  inversas  que  varían  con  el  tiempo,  puede  haber  algún  instante  que 
sobrepase el VIP. Si este tiempo es muy corto, el diodo puede soportar hasta este 
nivel máximo. 
 
Estas tensiones son producidas por cargas de tipo inductiva conectadas al diodo o 
conectadas a la red de AC.  
 
Corriente  directa  promedio  (IDC  ó  IF):  Es  el  nivel  máximo  de  corriente  continua 
directa que puede conducir. 
 
Corriente directa pico repetitiva (IPmax ó IFRM): Cuando el diodo conduce corrientes 
que varían con el tiempo, pueden haber instantes que alcance valores pico. El valor 
máximo que el diodo puede soportar es el especificado.  
 
Corriente  directa  pico  no  repetitiva  (IPNR  ó  IFNR):  Cuando  el  diodo  conduce 
corrientes  directas  que  varían  con  el  tiempo,  puede  haber  algún  instante  que 
sobrepase el valor IPmax especificado. Si este tiempo es muy corto, el diodo puede 
conducir hasta este nivel máximo. 
 
Estas  corrientes  son  producidas  comúnmente  por  cargas  de  tipo  capacitivo 
conectadas al diodo.  
 
Tiempo  de  recuperación  inversa  (trr):  Este  parámetro  es  útil  cuando  el  diodo 
trabaja con tensiones y corrientes que varían rápidamente. Este parámetro indica 
el  tiempo  máximo  que  demora  el  diodo  en  bloquearse  al  sufrir  una  súbita 
polarización inversa. Durante estos instantes el diodo actúa como un condensador 
que se descarga. 
 
 
CIRCUITOS  DE  RECTIFICACIÓN  MONOFÁSICA  DE  MEDIA  ONDA  Y  DE  ONDA 
COMPLETA: 
 
Hay dos tipos básicos de rectificador monofásico:  
- El rectificador de media onda, y  
- El rectificador de onda completa. 
 
El  rectificador  de  onda  completa  puede  ser,  a  su  vez,  con  toma  central  y  tipo 
puente. 
 

25
Electrónica Analógica I   

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA: En el siguiente gráfico se muestra un rectificador 
de media onda con carga resistiva: 
 

 
 
Los siguientes gráficos muestran las formas de onda de la tensión de entrada (Vin), 
la tensión en la carga (VL)y la corriente en la carga (IL): 
 
La siguiente ecuación da la serie de Fourier de la tensión de salida. 
 
                                       Vm       Vm             2Vm     ∞        cos (kwt) 
VL(t) = ‐‐‐‐‐ + ‐‐‐‐‐‐‐ sen (wt) ‐  ‐‐‐‐‐‐‐‐    ∑   ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ 
                                        π           2      π      k = 2, 4, ...   (k + 1)(k ‐ 1) 
 
Podemos observar que el nivel de continua que entrega el rectificador es: 
 
VLDC = Vm / π 
 
Y que el primer armónico tiene la misma frecuencia que la entrada. 

 
 
 

26
     Electrónica Analógica I 

A continuación se muestra un rectificador de media onda con carga inductiva: 
 

 
 
Los  siguientes  gráficos  muestran  las  formas  de  onda  de  la  tensión  de  entrada,  la 
tensión en la carga y la corriente en la carga: 
 

 
 
Se observa que la inductancia obligará al diodo a seguir conduciendo a pesar que la 
tensión de entrada cambia de polaridad. 
 
RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA: 
En  el  siguiente  esquema  se  muestran  los  dos  tipos  de  rectificadores  monofásicos 
de onda completa con carga resistiva: 

27
Electrónica Analógica I   

Los siguientes gráficos muestran las formas de onda de la tensión de entrada, (Vin), 
la corriente de entrada (Iin), la tensión en la carga (VL)y la corriente en la carga (IL): 
 

 
Podemos  observar  que  si  el  puente  tiene  una  carga  resistiva,  la  corriente  de 
entrada (Iin) es sinusoidal y está en fase con la tensión (Vin). Esto significa factor de 
potencia igual á 1. 
 
La siguiente ecuación da la serie de Fourier de la tensión de salida. 
 
   2Vm      4Vm    ∞      cos (kwt) 
VL(t) = ‐‐‐‐‐‐‐  ‐  ‐‐‐‐‐‐‐‐ ∑  ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐  
     π        π   k = 2, 4, ...   (k + 1)(k ‐ 1) 
 
Podemos observar que el nivel de continua que entrega el rectificador es el doble 
que el de media onda: 
 
VLDC = 2Vm / π 
 
Y  que  el  armónico  menor  es  el  segundo  y  tiene  el  doble  de  la  frecuencia  de  la 
entrada. 
 
En  el  siguiente  esquema  se  muestran  los  dos  tipos  de  rectificadores  monofásicos 
de onda completa, con carga puramente inductiva: 

28
     Electrónica Analógica I 

IL

D1 D1 D2 +

VL
LL IL LL
AC
AC -
- VL +

D3 D4
D2

RECTIFICADOR CON TOMA CENTRAL

RECTIFICADOR TIPO PUENTE
 
 
Los siguientes gráficos muestran las formas de onda de la tensión de entrada, (Vin), 
la corriente de entrada (Iin), la tensión en la carga (VL)y la corriente en la carga (IL): 
 

 
 
Se observa que la corriente en la carga inductiva aumentará continuamente; esto 
se debe al contenido de continua de la tensión de salida. También la corriente de 
entrada (Iin) aumentará, continuamente, tendrá armónicas y no estará en fase con 
la entrada. Esto significa que el circuito introduce armónicas a la fuente de AC y el 
factor de potencia  se deteriora. 
 
ESPECIFICACIONES DE LOS RECTIFICADORES 
Los rectificadores pueden ser descritos mediante un conjunto de parámetros que 
permiten compararlos y con los cuales podemos determinar al más adecuado para 
la aplicación que se desea.  
 
 

29
Electrónica Analógica I   

Estos parámetros son los siguientes: 
 
1)  VOLTAJE PROMEDIO EN LA CARGA (VLDC) 
  Es  el  voltaje  continuo  que  llega  a  la  carga.  Se  halla  mediante  la  siguiente 
expresión: 
 
T 2π
1 1
V LDC = ∫ V L (t )dt =
2π ∫0
V L (φ )dφ  
T 0
 
2)  CORRIENTE PROMEDIO EN LA CARGA (ILDC) 
  Es la corriente continua que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente 
expresión: 
 
T 2π
1 1
I LDC = ∫
T 0
I L (t )dt =
2π ∫I
0
L (φ )dφ  

 
3)  POTENCIA DC PROMEDIO EN LA CARGA (PLDC) 
  Es  la  potencia  en  DC  que  llega  a  la  carga.  Se  halla  mediante  la  siguiente 
expresión: 
 
PLDC = V LDC I LDC  
 
4)  VOLTAJE EFICAZ EN LA CARGA (VLef) 
  Es la tensión total que llega a la carga, incluyendo los armónicos. Se halla 
mediante la siguiente expresión: 
 
T 2π
1 1
= ∫ V L2 (t )dt = ∫V (φ )dφ  
2
V Lef
2π
L
T 0 0

 
5)  CORRIENTE EFICAZ EN LA CARGA (ILef) 
  Incluye  la  corriente  DC  y  los  armónicos  que  llega  a  la  carga.  Se  halla 
mediante la siguiente expresión: 
 
T 2π
1 2 1
T ∫0 ∫i
I Lef = i L (t )dt = 2
(φ )dφ  
2π
L
0

 
 
 

30
     Electrónica Analógica I 

6)  POTENCIA AC PROMEDIO EN LA CARGA (PLAC) 
  Es la potencia en la carga producida por todas las corrientes y tensiones (DC 
y armónicos. Se halla mediante la siguiente expresión: 
 
PLAC = VLef I Lef  

 
7)  EFICIENCIA (η) 
  Es  la  relación  entre  las  potencias  DC  y  AC  que  llegan  a  la  carga.  El  valor 
máximo es 100%. 
 
PLDC
η=  
PLAC
 
8)  TENSIÓN EFICAZ DEL RIZADO EN LA CARGA (VLR) 
  Es  la  tensión  eficaz  de  todos  los  armónicos  que  llegan  a  la  carga.  No 
incluyen a la tensión continua. Se halla mediante la siguiente expresión: 
 
VLR = VLef
2
− VLDC
2
 
 
9)  FACTOR DE FORMA (FF) 
  Es la relación de la tensión eficaz en la carga con la tensión DC en la carga. 
Se halla mediante la siguiente expresión: 
 
VLef
FF =  
VLDC
 
10)  FACTOR DE RIZADO (r) 
  Es  la  relación  de  la  tensión  eficaz  del  rizado,  sin  incluir  la  DC  y  la  tensión 
continua en la carga. Se halla mediante la siguiente expresión: 
 
V LR
2
V Lef − V LDC
2

r= = = ( FF ) 2 − 1  
V LDC V LDC
 
11)  FACTOR DE UTILIZACIÓN DEL TRANSFORMADOR (TUF) 
  Es la relación de la potencia continua en la carga y la potencia disponible en 
el transformador. Se halla mediante la siguiente expresión: 
 

31
Electrónica Analógica I   

PLDC
TUF =  
VS I S
 
  VS = Tensión eficaz en el secundario. 
  IS = Corriente eficaz en el secundario. 
 
12)  DISTORSION ARMONICA (THD):  
  La distorsión nos relaciona el valor eficaz o (la amplitud) de una armónica 
respecto  al  valor  eficaz  (o  amplitud)  de  la  fundamental,  expresada  en 
porcentaje. 
 
  Tomando como ejemplo la serie de Fourier del rectificador de media onda 
con carga resistiva: 
 
Vm Vm 2V 2V 2V
V L (t ) = + sen(ωt ) − m cos(2ωt ) − m cos(4ωt ) − m cos(6ωt )....  
π 2 3π 15π 35π
 
  Vemos  que  la  distorsión  de  segunda  armónica  referida  a  la  armónica 
fundamental es:    
 
D2a = (4Vm / 3π) / Vm = 4 / 3π = 42.44% 
 
La distorsión de cuarta armónica referida a la armónica fundamental es:    
 
D4a = (4Vm / 15π) / Vm = 4 / 15π = 8.49% 
 
Comúnmente se emplea la distorsión armónica total (THD) como: 
 
THD = [V2m2 + V3m2 + V4m2 + ....] 1/2 / Vm]x 100% 
 
Donde: 
Vm = Amplitud de la primera armónica 
V2m = Amplitud de la segunda armónica 
V3m = Amplitud de la tercera armónica 
V4m = Amplitud de la cuarta armónica 
.... 
 

32
     Electrónica Analógica I 

PROBLEMA  1.5:  Halle  los  parámetros  del  rectificador  de  media  onda  con  carga 
resistiva. 
 

RL VLdc
220 V , 60Hz
-

 
 
SOLUCIÓN: 
1)  Voltaje promedio en la carga (VLDC) 
                 T                         
VLDC  = (1 / T) ∫VL(t)dt  = Vm / π  Vm = tensión pico de entrada 
0
                             
 
2)  Corriente promedio en la carga (ILDC) 
              T            
ILDC  = (1 / T)∫iL(t)dt  = Vm / (πRL) 
              0      
3)  Potencia dc promedio en la carga (PLDC) 
         
  PLDC = VLDC ILDC PLDC = V2m /( π 2 RL) 
           
 
4)  Voltaje eficaz en la carga (VLef) 
 
                T                        
 VLef  = √(1 / T)∫V2L(t)dt  =  Vm / 2 
                0                             
 
 
5)  Corriente eficaz en la carga (ILef) 
  Incluye  la  corriente  DC  y  los  armónicos.  Se  halla  mediante  la  siguiente 
expresión: 
                  T                      
  ILef  =  [(1 / T)  ∫i L(t)dt]1/2  =  Vm / (2RL) 
2

                  0              
 

33
Electrónica Analógica I   

6)  Potencia AC promedio en la carga (PLAC) 
        
  PLAC = VLef ILef  = V2m / (4RL) 
         
7)  Eficiencia (η) 
  Es  la  relación  entre  las  potencias  DC  y  AC  que  llegan  a  la  carga.  El  valor 
máximo es 100%. 
 
  PLDC      V2m / π 2 RL        4 
    η = ‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐  = 40.53% 
  PLAC     V2m / 4RL            π 2 
       
8)  Tensión eficaz del rizado en la carga (VLR) 
  VLR  = √V2Lef  ‐ V2LDC = 0.3856 Vm 
 
9)  Factor de forma (FF) 
  Es la relación de la tensión eficaz en la carga con la tensión DC en la carga. 
Se halla mediante la siguiente expresión: 
 
        VLef    Vm / 2         π 
       FF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐ = 1.57 
        VLDC Vm / π         2 
 
10)  Factor de rizado (r) 
 
  VLR        [V2Lef  ‐ V2LDC]1/2   
   r = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = [(1.57)2  ‐ 1]1/2  = 1.21 
  VLDC       VLDC 
 
11)  Factor de utilización del transformador (TUF) 
 
    PLDC       V2m / π 2 RL 
TUF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 28.66 % 
    VS IS         (Vm / √2)(Vm /2 RL) 
 

34
     Electrónica Analógica I 

PROBLEMA 1.6: Halle los parámetros del rectificador de onda completa con carga 
resistiva. 
IL

D1 D2 +

VL
RL
AC
-

D3 D4

 
 
 
SOLUCIÓN: 
1)  Voltaje promedio en la carga (VLDC) 
                  T                         
VLDC  = (1 / T)  ∫VL(t)dt  = 2Vm / π     Vm = tensión pico de entrada 
0
                                     
2)  Corriente promedio en la carga (ILDC) 
              T                     
ILDC  = (1 / T)∫iL(t)dt  = (2Vm) / (π RL) 
               0    
3)  Potencia dc promedio en la carga (PLDC) 
  Es  la  corriente  DC  que  llega  a  la  carga.  Se  halla  mediante  la  siguiente 
expresión: 
         
PLDC = VLDC ILDC PLDC = (4V2m) / (π 2 RL) 
          
4)  Voltaje eficaz en la carga (VLef) 
  Es  la  tensión  DC  que  llega  a  la  carga.  Se  halla  mediante  la  siguiente 
expresión: 
 
                      T                        
 VLef  = √(1 / T)∫V2L(t)dt  =  (Vm) / (√2) 
                     0                            
 
5)  Corriente eficaz en la carga (ILef) 
  Incluye  la  corriente  DC  y  los  armónicos.  Se  halla  mediante  la  siguiente 
expresión: 

35
Electrónica Analógica I   

 
                     T                              
  ILef  =  √(1 / T)∫i2L(t)dt  =  Vm / (√2 RL) 
                    0              
 
6)  Potencia AC promedio en la carga (PLAC) 
        
  PLAC = VLef ILef  = (V2m) / (2RL) 
         
7)  Eficiencia (η) 
  Es  la  relación  entre  las  potencias  DC  y  AC  que  llegan  a  la  carga.  El  valor 
máximo es 100%. 
 
  PLDC      4V2m / π 2 RL      8 
    η = ‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐    = 81.06% 
2  2 
  PLAC     V m / 2RL            π
 
8)  Tensión eficaz del rizado en la carga (VLR) 
  VLR  = [V2Lef  ‐ V2LDC]1/2 = [V2m / 2  ‐ 4 V2m / π2]1/2 =  0.095 Vm 
 
9)  Factor de forma (FF) 
  Es la relación de la tensión eficaz en la carga con la tensión en la carga. Se 
halla mediante la siguiente expresión: 
 
        VLef    Vm / √2           π 
       FF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 1.11 
        VLDC 2Vm / π         2√2 
 
10)  Factor de rizado (r) 
            [V2Lef  ‐ V2LDC]1/2 
   r = VLR / VLDC = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = [(1.11)2  ‐ 1]1/2  = 0.234 
        VLDC 
 
11)  Factor de utilización del transformador (TUF) 
    PLDC      4V2m / π 2 RL         8 
TUF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐ = 81.06 % 
    VS IS         (Vm / √2)( Vm / √2 RL)       π 2 
 

36
     Electrónica Analógica I 

CURVA DE REGULACIÓN: 
Cuando  la  resistencia  de  carga  es  menor,  la  tensión  DC  disminuye  debido  a  la 
resistencia que tienen el devanado del transformador y los diodos rectificadores. Si 
se  hace  un  gráfico  de  la  tensión  DC  en  la  carga  vs.  la  corriente  DC  en  la  carga, 
tendrá la forma siguiente: 
 
VLDC

0 ILmax
IL
 
 
Por  ejemplo,  la  ecuación  de  la  curva  de  regulación  de  un  rectificador  de  media 
onda es: 
     Vm 
VLDC =  ‐‐‐‐‐‐  ‐  ILDC Rf 
       π 
 
Rf  es  la  suma  de  la  resistencia  del  devanado  del  transformador  y  la  resistencia 
dinámica del diodo. 
 
Para un rectificador de onda completa, la ecuación de la curva de regulación: 
 
     2Vm 
VLDC =  ‐‐‐‐‐‐‐‐  ‐  ILDC Rf 
       π 
 
PROBLEMA 1.7: Se requiere un rectificador de onda completa para alimentar una 
carga con 400 VDC y 40 A, a partir de la red de 220 VAC. Determine: 
 
a)   Las especificaciones de los diodos 
b)   Las especificaciones del transformador 
 
SOLUCIÓN: 
a)   La  tensión  pico  del  secundario  del  transformador    la  hallamos  con  la 
ecuación de la tensión promedio para el rectificador de onda completa: 

37
Electrónica Analógica I   

    2Vm 
VLDC  = ‐‐‐‐‐‐   = 400 
      π   
 
  Luego:   Vm  = 400 π  / 2 = 628.32 V 
   
  Como en el rectificador de onda completa cada pareja de diodos conduce 
en forma alternada con los otros dos, cada pareja entregará la mitad de la 
corriente DC a la carga.  
 
  Luego:   IDC = 20 A 
   
  Especificación de los diodos:    
   
  Tensión inversa de pico repetitivo> 628.32 V 
      Corriente promedio > 20 A 
      Corriente directa de pico repetitivo> 628.32 / 10 = 62.8 A 
 
b)   Podemos partir del factor de utilización del transformador en el rectificador 
de onda completa:     
 
                                         PLDC        400*40 
    TUF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 0.8106 
          VS IS         (Vm / √2)( Vm / √2 RL) 
 
Luego: Vs*Is = 400*40 /0.8106 = 19 378,47 W 
La tensión eficaz del secundario es:  Vs = Vm / √2 = 444.29 V 
La corriente eficaz del secundario es:  Is = 19 378,47 / 444.29 = 43.62 A 
La potencia del transformador es:  Ps = 19 378,47 W 
 
CIRCUITOS ENCLAVADORES O DE FIJACIÓN:  
Son  circuitos  cuyo  objetivo  es  desplazar  una  onda  alterna  en  un  nivel  positivo  o 
negativo de tensión continua. 
 
En la siguiente figura se muestra un ejemplo: 

38
     Electrónica Analógica I 

C1

Vg
+
D1 R Vo
-

 
 
Durante el semiciclo negativo de la entrada, Vg, C1 se carga, prácticamente, al valor 
pico de la alterna de entrada.  
 
Si  la  constante  de  tiempo  (RC1)  es  mucho  mayor  que  el  período  de  la  onda,  el 
condensador no se descargará apreciablemente durante el semiciclo positivo de Vg 
y,  en  la  salida,  la  alterna  se  presentará  desplazada  en  un  nivel  DC  prácticamente 
igual al valor pico de la tensión Vg. 
 
DOBLADOR DE TENSIÓN: 
Es un circuito que recibe una tensión alterna y entrega una tensión continua cuyo 
voltaje es el doble del valor pico de la alterna. 
 
Está formado por un circuito fijador y un detector de picos. 
 
Pueden ser: 
 
• De  media  onda:  Podemos  observar,  en  la  siguiente  figura,  que  está 
formado  por  un  fijador  de  tensión  y  un  detector  de  pico.  Durante  el 
semiciclo positivo conduce D1 y el condensador C1 se carga al voltaje pico 
de la  alterna.  Durante el  semiciclo  negativo  conduce  D2  y el  condensador 
C2 se carga al doble del voltaje pico de la alterna. 
 
• De  onda  completa:  Podemos  observar,  en  la  siguiente  figura,  que  el  de 
onda completa está formado por 2 detectores pico. En el doblador de onda 
completa, en el semiciclo positivo conduce D1 y el condensador C1 se carga 
al pico de la alterna. En el semiciclo negativo conduce D2 y el condensador 
C2 se carga  al voltaje pico de la alterna. Al sumar las tensiones en C1 y C2 
el voltaje se ha duplicado. 
 

39
Electrónica Analógica I   

C1 D2 D1

C2 + C1
Vp Vs RL Vo Vs
D1 - +
RL Vo
-
C2
D2
DOBLADOR DE MEDIA ONDA

DOBLADOR DE ONDA COMPLETA

 
 
El  voltaje  de  salida  no  llega  instantáneamente  al  doble  del  valor  pico,  sino  que 
subirá su valor gradualmente y alcanzará el doble después de unos cuantos ciclos. 
El voltaje de salida es una tensión continua. 
 
Es  posible  obtener  voltajes  mayores  empleando  varios  circuitos  de  este  tipo  en 
cascada. 
 
Invirtiendo ambos diodos se obtienen voltajes con polaridad opuesta. 
 
PROBLEMA 1.8: En el circuito de la figura, los diodos son ideales. Halle: 
 
a)   La gráfica de la forma de onda de VL. 
b)   El voltaje pico del rizado en VL. 
c)   El voltaje promedio de VL. 
 
40 uF

+
50K VL
220V 60Hz 40 uF -

 
 

40
     Electrónica Analógica I 

Solución: 
a)   La gráfica de la forma de onda de VL. 
 
700.0 V
A: c2_2

500.0 V

300.0 V

100.0 V

-100.0 V
0.000ms 50.00ms 100.0ms 150.0ms

 
 
b)   El voltaje pico del rizado en VL. 
El voltaje máximo en la salida es:  Vm = 2 (220)√2 = 622.25 
El período de la onda de entrada es:  T = 1 / 60 = 16.67 ms 
 
Despreciando  el  tiempo  de  carga  y  asumiendo  que  el  tiempo  de  carga  es 
prácticamente  igual  al  período,  hallamos  el  voltaje  al  que  se  descarga  el 
condensador: 
 
V1 = 622.25 Є ‐ 16.67 / 2000 =  617V 
El voltaje pico‐pico del rizado es:  Vr = 622.25 – 617 = 5.25V 
El voltaje pico de rizado es:   Vr / 2 = 2.625 V 
 
c)   El voltaje promedio de VL. 
El voltaje promedio en la carga es: 
  VLDC = 622.25 – Vr / 2  VLDC = 619.6 V 
 
LIMITADORES:  Son  circuitos  cuyo  objetivo  es  evitar  que  una  señal  sobrepase  el 
nivel de tensión deseado. 
 
Puede limitarse un pico de la señal o ambos. 
 
En la siguiente figura se muestran algunos tipos de limitadores: 

41
Electrónica Analógica I   

R R

D
D D
Vi RL Vi
RL

VCC
VCC VCC

LIMITADOR DE PICO POSITIVO LIMITADOR DE PICO POSITIVO Y NEGATIVO

 
 
Las  fuentes  de  tensión  DC  pueden  ser  reemplazadas  por  diodos  zener  o  por 
resistencias. 
 
 
 

42