INSTITUTO TECNOLOGICO

DE TAPACHULA

PROGRAMA EDUCATIVO
ING. ELECTROMECANICA

ASIGNATURA
ELECTRONICA DE POTENCIA

DOCENTE
ING. CAROLINA ANTONIO VELAZQUEZ

TRABAJO
UNIDAD 2
“TRANSISTORES”

ESTUDIANTES
KEVIN ANDRES PAEZ SALINAS
N° CONTROL
14510568

ISRAEL FRANCKY ALEGRIA CASTILLEJOS

N° CONTROL
14510490

7MO SEMESTRE GRUPO “N”

 INDICE

INTRODUCCION .................................................................................................... 4
OBJETIVOS ............................................................................................................ 5
OBJETIVOS GENERALES .................................................................................. 5
OBJETIVOS ESPECIFICOS................................................................................ 5
TRANSISTORES .................................................................................................... 6
Rectificador controlado de silicio (SCR) ................................................................ 14
Parámetros del SCR. ......................................................................................... 16
Funcionamiento básico del SCR........................................................................ 16
Operación controlada del rectificador controlado de silicio ................................ 17
Aplicaciones del SCR ........................................................................................ 18
UJT (El transistor de Unijuntura) ........................................................................... 20
Aplicaciones del UJT ......................................................................................... 23
Triac ...................................................................................................................... 25
Funcionamiento del Triac................................................................................... 25
Aplicaciones Comunes ...................................................................................... 27
Parámetros Característicos ............................................................................... 28
Diac ....................................................................................................................... 30
Aplicaciones....................................................................................................... 31
CONCLUSION ...................................................................................................... 33
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS ...................................................................... 34

2
 INDICE DE FIGURAS
Figura 1 Transistor - El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia
que es capaz de manejar. ....................................................................................... 6
Figura 2 Tabla de Para metros ................................................................................ 8
Figura 3 Diagrama PV ........................................................................................... 10
Figura 4 Diagrama de Tiempos ............................................................................. 11
Figura 5 Ecuación de Relaciones de Tiempo ........................................................ 11
Figura 6 parámetros a medir ................................................................................. 12
Figura 7 Regiones de Paralización ........................................................................ 13
Figura 8 Símbolo del tiristor................................................................................... 14
Figura 9 Tiristor. .................................................................................................... 15
Figura 10 SCR....................................................................................................... 15
Figura 11 Circuito Equivalente SCR ...................................................................... 16
Figura 12 Arreglos de SCR ................................................................................... 18
Figura 13 El transistor de Unijuntura ..................................................................... 20
Figura 14 Circuito Equivalente de UJT .................................................................. 21
Figura 15 Curva Característica de un UJT ............................................................ 22
Figura 16 Generados de pulsos en diente de sierra mediante UJT ...................... 23
Figura 17 Control de velocidad de un motor mediante SCR y UJT ....................... 24
Figura 18 A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta ............................................ 25
Figura 19 Circulación de la corriente ..................................................................... 26
Figura 20 Variaciones del Triac ............................................................................. 27
Figura 21 Símbolo de las terminales ..................................................................... 30
Figura 22 Cuadrantes de la corriente .................................................................... 30
Figura 23 Circuito empleando Diac ....................................................................... 32

3
 INTRODUCCION
Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y
transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como
los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor
uniunión programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores

de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica

que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los
electrodos principales.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes

requisitos:

 Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo)

y otro de baja impedancia (conducción).
 Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña
potencia.
 Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando
está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus
electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo
capacitan para controlar grandes potencias.
 Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá

una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la
frecuencia.

4
 OBJETIVOS

OBJETIVOS GENERALES

 Conocer el funcionamiento de los SCR, UJT, TRIAC, DIAC.

OBJETIVOS ESPECIFICOS
 Conocer sus aplicaciones en componentes para electrónica así como
conocer su documentación.

5
 TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Figura 1 Transistor - El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de
manejar.

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con

materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.

6
En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32
a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos
pasivos.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo
de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde
se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas
(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son emisor
común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,

MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y
Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente
entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a
gran escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.

7
Transistor de Potencia

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los

transistores normales, teniendo como características especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a
disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
 IGBT.

Figura 2 Tabla de Para metros

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de
carga en corriente de los transistores bipolares:

 Trabaja con tensión.

 Tiempos de conmutación bajos.
 Disipación mucho mayor (como los bipolares).

8
Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:

 Pequeñas fugas.
 Alta potencia.
 Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia
de funcionamiento.
 Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
 Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima
elevada).
 Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente

de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa
no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las
causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las
uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación
de los portadores.

Principios básicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo

de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar
una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET
el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente.
Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos, que son substancialmente distintas.

Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que

consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la
potencia manejada en los otros dos terminales.

9
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

 En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

 En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
 En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra
bastante mayor.

Tiempos de conmutación

Figura 3 Diagrama PV

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables.

Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de
un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos
instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la
potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas
aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar ésta, también lo
hace el número de veces que se produce el paso de un estado a otro.

Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de

apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante
en que se aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la
señal de salida alcanza el 10% de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.

10
 Figura 4 Diagrama de Tiempos

Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90%
de su valor final.

Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones:

Figura 5 Ecuación de Relaciones de Tiempo

11
Otros parámetros importantes

Figura 6 parámetros a medir

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un

terminal (ej. ICAV, corriente media por el colector).

Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de

drenador (IDM). Con este valor se determina la máxima disipación de potencia del
dispositivo.

VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en
circuito abierto.

VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.

Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del

dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y
fuente en los FET).

12
Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión prácticamente
constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de
conducción RDSon en el FET. Este valor, junto con el de corriente máxima,
determina la potencia máxima de disipación en saturación.

Modos de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o

signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor
pueden ser:

Figura 7 Regiones de Paralización

 Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión

emisor - base y a una polarización inversa de la unión colector - base. Esta
es la región de operación normal del transistor para amplificación.
 Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión
emisor - base y a una polarización directa de la unión colector - base. Esta
región es usada raramente.
 Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas
uniones. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como un
interruptor abierto (IC 0).
 Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas
uniones. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE 0).

13
Rectificador controlado de silicio (SCR)

El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es

un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón
(tyratron) y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la

encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona
básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta
del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha
tensión, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se
desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se
necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

Figura 8 Símbolo del tiristor.

El pulso de conmutación ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo

si se está trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente
pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el
tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por
debajo de la corriente de mantenimiento (en la práctica, cuando la onda senoidal
cruza por cero)

14
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un
tiristor, éste puede dispararse y entrar en conducción aun sin corriente de puerta.
Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que
permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del

control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrónico.

Figura 9 Tiristor.

Tiristor tetrodo

Son tiristores con dos electrodos de disparo: puerta de ánodo (anode gate) y
puerta de cátodo (cathode gate). El BRY39 es un tiristor tetrodo

Figura 10 SCR

SCR. El cable blanco es la puerta. El rojo fino sirve de referencia de la tensión de

cátodo.

15
Parámetros del SCR.
 VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
 VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
 IF: Máxima corriente directa permitida.
 PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
 VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
 IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
 dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
 di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR

Funcionamiento básico del SCR

El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su

funcionamiento.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se

producen dos corrientes: IC2 = IB1.

IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a
su vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido

del SCR.

Figura 11 Circuito Equivalente SCR

16
Operación controlada del rectificador controlado de silicio

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de

silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogió el silicio debido
a sus capacidades de alta temperatura y potencia.

La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos

capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina
cuándo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
No es suficiente sólo la polarización directa del ánodo al cátodo del dispositivo. En
la región de conducción la resistencia dinámica el SCR es típicamente de 0.01 a
0.1Monografias.com

La resistencia inversa es típicamente de 100 kOhms más. Un SCR actúa a

semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de
flujo de corriente de baja resistencia del ánodo al cátodo. Actúa entonces como un
interruptor cerrado. Cuando está apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente
del ánodo al cátodo. Por tanto, actúa como un interruptor abierto. Dado que es un
dispositivo de estado só1ido, la acción de conmutación de un SCR es muy rápida.

El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un
SCR en serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 12. La
alimentaci6n de voltaje es comúnmente una fuente de 60-Hz de CA, pero puede
ser de CD en circuitos especiales.

Si la alimentación de voltaje es de CA, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del
ciclo de CA en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una
fuente de 60-Hz de CA, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los
que se dividen entre el tiempo que está en ON y el tiempo que está en OFF. La
cantidad de tiempo que está en cada estado es controlado por el disparador.

Si una porción pequeña del tiempo está en el estado ON, la corriente promedio
que pasa a la carga es pequeña. Esto es porque la corriente puede fluir de la

17
fuente, a través del SCR, y a la carga, sólo por una porción relativamente pequeña
del tiempo. Si la señal de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR este
en ON por un periodo más largo del tiempo, entonces la corriente de carga
promedio será mayor. Esto es porque la corriente ahora puede fluir de la fuente, a
través del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente mayor. De esta manera,
la corriente para la carga puede variarse ajustando la porción del tiempo del ciclo
que el SCR permanece encendido.

Figura 12 Arreglos de SCR

Aplicaciones del SCR

Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificación de corrientes

alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de
determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos, pasando
por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como
rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de
puerta. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace
variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de
conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada. Además el tiristor
se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya
que en este momento empezará a recibir tensión inversa.

18
Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones,
entre ellas están las siguientes:

· Controles de relevador.

· Circuitos de retardo de tiempo.

· Fuentes de alimentación reguladas.

· Interruptores estáticos.

· Controles de motores.

· Recortadores.

· Inversores.

· Ciclo conversores.

· Cargadores de baterías.

· Circuitos de protección.

· Controles de calefacción.

· Controles de fase.

19
 UJT (El transistor de Unijuntura)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de

disparo para SCR y TRIACs.

El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal
como se muestra en la siguiente figura:

Figura 13 El transistor de Unijuntura

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está

compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un número elevado de
huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que
existen muy pocos electrones libres en su estructura.

Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el
diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cómo funciona este dispositivo,
vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:

20
 Figura 14 Circuito Equivalente de UJT

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre

los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los
cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.

Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es

igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las dos
bases, la tensión que aparece entre el emisor y la base será la que corresponda
en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensión se cumplirá que:

Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.

El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V 1 y

VBB.

Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a
0,85 y queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y
la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma:

21
Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que
aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos
una tensión de 8V al emisor, éste no conducirá, ya que en el cátodo del diodo D
existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensión intrínseca, por lo
que dicho diodo permanecerá polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos
una tensión superior a 10,9V (los 10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera
del diodo D), el diodo comenzará a conducir, produciéndose el disparo o
encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de
conducción es necesario aplicar al emisor una tensión superior a la intrínseca.

Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensión de
polarización directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios
del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el
emisor y dicha base (recordar que el cristal P está fuertemente contaminado con
impurezas y el N débilmente). Este efecto produce una disminución repentina de la
resistencia R1 y, con ella, una reducción de la caída de tensión en la base 1
respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente
considerablemente.

Figura 15 Curva Característica de un UJT

22
Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo
permanecerá en conducción como si de un biestable se tratase. Esta corriente se
especifica normalmente en las hojas de características y suele ser del orden de
5mA.

En la figura, muestra el aspecto de una de las curvas características de un UJT.

Vp (punto Q1) nos indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor para
provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez
superada esta tensión, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip),
provocándose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es
inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).

Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en
diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la
puerta de TRIACS y SCR.

En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Figura 16 Generados de pulsos en diente de sierra mediante UJT

23
Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C,
formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador
comienza a cargarse. Como este condensador está conectado al emisor, cuando
se supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el
valor óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descargará
rápidamente, y en el terminal de B1 aparecerá un impulso de tensión. Al disminuir
la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de
la de mantenimiento, éste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y
descarga del condensador. Así, se consigue que en el terminal de la base 1
aparezca una señal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse
para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el
tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor óhmico de la resistencia
variable RS, ya que de ésta depende la constante de tiempo de carga del
condensador.

En la siguiente figura, se muestra una típica aplicación del generador de pulsos de

diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este
circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de
carga: estufas, lámparas, etc) gracias a la regulación de la corriente que realiza
sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con
modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue
variando el valor del potenciómetro RS.

Figura 17 Control de velocidad de un motor mediante SCR y UJT

24
Triac

El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los

dispositivos de control: los tiristores. El triac es en esencia la conexión de dos
tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma
compuerta. (ver imagen).

Este componente sólo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se

dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habrá una
parte de la onda que será positiva y otra negativa.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían

dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso
pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC
se realiza aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.

Figura 18 A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta

Funcionamiento del Triac

La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y

cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circulará de arriba hacia abajo (pasará por el tiristor que apunta hacia
abajo), de igual manera:

25
 Figura 19 Circulación de la corriente

La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasará por el triac siempre y

cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circulará de abajo hacia arriba (pasará por el tiristor que apunta hacia
arriba). Para ambos semiciclos la señal de disparo se obtiene de la misma patilla
(la puerta o compuerta).

Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y

así, controlar el tiempo que cada tiristor estará en conducción. Recordar que un
tiristor sólo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus
terminales hay un voltaje positivo de un valor mínimo para cada tiristor). Entonces,
si se controla el tiempo que cada tiristor está en conducción, se puede controlar la
corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.

Ejemplo: Una aplicación muy común es el atenuador luminoso de lámparas

incandescentes (circuito de control de fase). Ver el diagrama anterior.

Dónde:

 Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)

 L: lámpara
 P: potenciómetro
 C: condensador (capacitor)
 R: Resistor

26
  T: Triac
 A2: Anodo 2
 A3: Anodo 3
 G: Gate, puerta o compuerta

El triac controla el paso de la corriente alterna a la lámpara (carga), pasando

continuamente entre los estados de conducción (cuando la corriente circula por el
triac) y el de corte (cuando la corriente no circula). Si se varía el potenciómetro, se
varía el tiempo de carga de un capacitor causando que se incremente o reduzca la
diferencia de fase de la tensión de alimentación y la que se aplica a la compuerta.

Figura 20 Variaciones del Triac

Aplicaciones Comunes

• Su versatilidad lo hace ideal para el control de corriente alterna (C.A.).

• Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas

ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.

• Funciona como interruptor electrónico y también a pila.

27
• Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores
de luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apague correctamente al final de
cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.

VENTAJAS

• Puede conmutar las dos mitades de una onda AC

• Puedes usar un solo componente para commutar ambos semiciclos

DESVENTAJAS

• No dispara de manera simétrica en ambas mitades de la onda

• La conmutación aumenta el nivel de los harmónicos debido a la falta de simetría

del disparo

• Mas susceptible a problemas de interferencia electromagnética debido a la falta

de simetría de disparo

• Se ha de tener cuidado de asegurar que el TRIAC se apaga completamente

cuando se usa con cargas inductivas

Parámetros Característicos
En este capítulo explicaremos cuales son los parámetros característicos que
definen al TRIAC y que podremos encontrar en un DataSheet. No en todos los
datasheet encontraremos todos los parámetros, pero en general estos son los mas
comunes.

Pondremos de ejemplo los valores del FKPF8N80 de Fairchild Semiconductor.

VDRM: Es el voltaje repetitivo de pico máximo que soporta el dispositivo. 800V

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VDSM: Es el voltaje repetitivo de pico máximo permitido en condiciones de pulso
que soporta el dispositivo. No proporcionada

IT(RMS): Intensidad soportada en estado de conducción para una determinada

temperatura. 8A.

IT(AV): Intensidad media maxima soportada en estado de conducción para una

determinada temperatura. No proporcionada

ITSM: Intensidad maxima de pico permitida por el dispositivo en condiciones de

pulso. Para TRIACs esta definida por un ciclo completo de una senoidal de
periodo 20ms.

di/dt: Es el ratio máximo de incremento de corriente durante la conmutación. 80A

para 50Hz, 88A para 60Hz.

I2t: Para proteger el dispositivo, el fusible ha de tener una característica menor

que la indicada por este parametro. VA ligada al ITSM

Tstg: Es la temperatura de almacenamiento, mientras el dispositivo no esta

funcionando. 32A2s.

IGM: Corriente pico para la puerta. 2A.

PG(AV): Disipación de potencia de la puerta media. 0.5W

VRGM: Tension Inversa de pico soportada por la puerta. No proporcionada

VGM:Tension de pico de la puerta con respecto a COM. 10V

P: Potencia disipada media. No proporcionada

IGT: Corriente de puerta. 30mA

VGT: Tension de puerta. 1.5V

VGD: Es la tension maxima que se puede aplicar entre puerta y uno de los
terminales sin causar un encendido del dispositivo accidental. 0.2V

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 Diac

El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseñado para

disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensión).

El TRIAC tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama. El DIAC se comporta
como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuestas.
La conducción se da cuando se ha superado el valor de tensión del zener que está
conectado en sentido opuesto.

Figura 21 Símbolo de las terminales

El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de fuga.
La conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza.

Figura 22 Cuadrantes de la corriente

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Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y entra
en conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase. La curva característica del DIAC se muestra a continuación.

En la curva característica se observa que cuando:

 +V o – V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un

circuito abierto
 +V o – V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito

Sus principales características son:

Tensión de disparo.

 Corriente de disparo.
 Tensión de simetría.
 Tensión de recuperación.
 Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)

Aplicaciones
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente
del triac, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de
ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con
intensidad variable, calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos
controles de velocidad de motores.

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 Figura 23 Circuito empleando Diac

La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito

representado en la Figura, en que la resistencia variable R carga el condensador
C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC, produciéndose a través de
él la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en
conducción. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en
el negativo. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando
como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la
tensión media aplicada a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de
potencia.

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 CONCLUSION
Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta. La puerta es la
encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona
básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta
del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha
tensión, el tiristor comienza a conducir. El pulso de disparo ha de ser de una
duración considerable, o bien, repetitivo. Según se atrase o adelante éste, se
controla la corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la
tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de
carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en
corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando
en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado.

Los tiristores, en general, son dispositivos semiconductores formados por cuatro o

más capas alternadas de materiales tipo N y P que producen, por
retroalimentación interna, un efecto de enganche o enclavamiento, el cual los hace
extremadamente útiles en aplicaciones de conmutación y de control de potencia.

Un tiristor es un componente cuya principal aplicación es la de servir como

interruptor accionado eléctricamente. Por lo general cuentan con tres terminales,
llamados la compuerta, el ánodo y el cátodo; entre los dos últimos se conecta el
circuito en el que ellos actuarán como interruptor, mientras que el terminal de
compuerta sirve generalmente para hacer posible la iniciación del paso de
corriente.

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 REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm

http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio

http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/scr.htm

http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresUJT.html

https://unicrom.com/triac-scr-control-de-potencia-en-ac/

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/TRIAC/Aplicaciones
_Comunes

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/TRIAC/Par%C3%A1
metros_Caracteristicos

https://www.ecured.cu/DIAC

https://unicrom.com/diac-diodo-disparo-bidireccional/

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