Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
𝑒2
𝜎= 𝜈
2𝜋ℏ
Originalmente se encontró que 𝜈 era un número entero y la explicación requería ideas de topología en sistemas
cuánticos de muchos cuerpos. Subsecuentemente se descubrió que también podía tomar valores racionales. Las
más predominantes son 𝜈 = 1/3 y son 𝜈 = 2/5, pero hay muchas más fracciones que han sido vistas. Su
entendimiento requiere un concepto adicional: son las interacciones entre electrones las que resultan en un
estado cuántico tan altamente correlado que se considera un nuevo estado de la materia.
Si ahora agregamos un campo eléctrico E (que acelera a las cargas) y un término de fricción lineal (debido a los
efectos del electrón moviéndose entre impurezas y otros electrones), la ecuación de movimiento resultante es:
𝑑𝒗 𝑚𝒗
𝑚 = −𝑒𝑬 − 𝑒𝒗 × 𝑩 −
𝑑𝑡 𝜏
Donde 𝜏 es el tiempo promedio entre colisiones. Al obtener las soluciones de equilibrio y sabiendo que la
densidad de corriente es 𝐽 = −𝑛𝑒𝒗 , se llega a la Ley de Ohm
𝑱= 𝜎𝑬
En presencia de un campo magnético, la conductividad 𝜎 no es un solo número sino una matriz, cuyos términos
𝜎𝐷𝐶 1 −𝜔𝐵 𝜏
fuera de la diagonal son los responsables del efecto Hall. 𝜎 = 2 𝜏2 ( )
1+𝜔𝐵 𝜔𝐵 𝜏 1
El campo eléctrico en la dirección y cancela la curvatura debida al campo magnético y los electrones viajan sólo
en la dirección x, lo cual produce el Voltaje de Hall.
Parece plausible que en el límite de una muestra perfectamente limpia se podría obtener un número infinito de
mesetas, lo cual nos regresa al caso clásico donde 𝜌𝑥𝑦 es una línea recta.
El efecto Hall cuántico entero puede ser entendido utilizando electrones libres, pero el fraccional requiere de
interacciones entre electrones. Esto convierte al problema en algo más difícil. Las bases de la teoría fueron
sentadas por Laughlin, pero la investigación continúa. Se otorgó el premio Nobel de Física de 1998 a Tsui,
Störmer y Laughlin.
El efecto Hall cuántico entero fue descubierto originalmente en un MOSFET de Silicio. MOSFET es, por sus siglas
en inglés, un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor. Los semiconductores fueron estudiados
en clase, éste en particular tiene electrones atrapados en la banda de inversión de ancho ∼ 30 Å entre el
insulador y el semiconductor. Por su parte, el efecto Hall fraccional se descubrió en una heteroestructura GaAs-
GaAlAs. Más recientemente se han observado ambos efectos en el grafeno, un material de dos dimensiones.
Figura 1. Resistividades en el efecto Hall cuántico entero. Tomada de [2]
Referencias
[1] Tong, David. “The Quantum Hall Effect”, TIFR Infosys Lectures, Enero de 2016.
[2] K. v Klitzing, G. Dorda, M. Pepper, “New Method for High-Accuracy Determination of the Fine Structure
Constant Based on Quantized Hall Resistance”, Phys. Rev. Lett. 45 494.
[3] D. C. Tsui, H. L. Stormer, and A. C. Gossard, “Two-Dimensional Magnetotransport in the Extreme Quantum
Limit”, Phys. Rev. Lett. 48 (1982)1559.