Experimento N◦ 7: Diodos, circuitos básicos.

Mauricio Sampi Alexis Joel

Rivera Alpaca Christopher Joel

1 Resumen:
En este experimento montaremos los circuitos rectificadores de onda, discriminador y
recortador. En primer lugar los circuitos rectificadores de media onda, analizaremos
las gráficas de voltaje en la salida y entrada. Luego montaremos el puente de diodos,
midiendo los voltajes pico y de salida ası́ como también ver la señal en la salida.
Finalmente al puente de diodos le agregaremos un filtro RC para filtrar la frecuencia
y eliminar el rizado en la señal de salida.

2 Objetivos:
2.1 Objetivos especı́ficos:
• Observar las señales de salida para los distintos circuitos empleando los diodos
en polarización directa e inversa.

• Verificar las curvas caracterı́sticas voltaje-corriente para los diodos.

2.2 Objetivos generales:

• Estudiar el diodo de unión p-n y circuitos básicos, discriminador, recortador,
rectificador de onda completa, filtro RC.

3 Tarea:

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4 Fundamento teórico:
4.1 Semiconductores:
Los materiales semiconductores en su estado intrı́nseco no conducen bien la corri-
ente y su valor es limitado. Esto se debe al número limitado de electrones libres
presentes en la banda de conducción y huecos presentes en la banda de valencia. El
silicio intrı́nseco (o germanio) se debe modificar incrementando el número de elec-
trones libres o huecos para aumentar su conductividad y hacerlo útil en dispositivos
electrónicos. Esto se hace añadiendo impurezas al material intrı́nseco. Dos tipos
de materiales semiconductores extrı́nsecos (impuros), el tipo n y el tipo p, son los
bloques de construcción fundamentales en la mayorı́a de los tipos de dispositivos
electrónicos. La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drásticamente
mediante la adición controlada de impurezas al material semiconductor intrı́nseco
(puro). Este proceso, llamado dopado, incrementa el número de portadores de cor-
riente (electrones o huecos). Los dos portadores de impurezas son el tipo n y el tipo
p.

4.2 Semiconductores tipo N:

Los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan
electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la circulación de la corriente
eléctrica, esto es, se comportan como materiales aislantes. Pero si la estructura
cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos añadiendo una
pequeña cantidad de impurezas provenientes de átomos de un metaloide como, por
ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del
Grupo VA de la tabla periódica, con cinco electrones en su banda de valencia), estos
átomos se integrarán a la estructura del silicio y compartiran cuatro de sus cinco
electrones con otros cuatro pertenecientes a los átomos de silicio o de germanio,
mientras que el quinto electrón restante del antimonio, al quedar liberado, se podrá
mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un
semiconductor extrı́nseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres
existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.

Figure 1: Red cristalina tipo N

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4.3 Semiconductores tipo P:
Si en lugar de introducir átomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio
lo dopamos añadiéndoles átomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (ele-
mento perteneciente al grupo IIIA de la tabla periódica), al unirse esa impureza en
enlace covalente con los átomos de silicio quedará un hueco o agujero, debido a que
faltará un electrón en cada uno de sus átomos para completar los ocho en su ultima
?orbita. En este caso, el átomo de galio tendrá que captar los electrones faltantes,
que normalmente los aportarán los átomos de silicio, como una forma de compensar
las cargas eléctricas. De esa forma el material adquiere propiedades conductoras y
se convierte en un semiconductor extrı́nseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante,
debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los huecos
o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

Figure 2: Red cristalina tipo P

4.4 Unión P-N:

Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de él con una impureza trivalente
y la otra con una impureza pentavalente, se forma un lı́mite llamado unión pn entre
las partes tipo p y tipo n resultantes y se crea un diodo básico. Un diodo es un
dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección. La unión P-N es la carac-
terı́stica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros dispositivos.

4.5 Polarización directa en un diodo:

Para polarizar un diodo se aplica un voltaje dc a través de él. Polarización en directa
es la condición que permite la circulación de corriente a través de la unión pn. La
figura muestra una fuente de voltaje de cc conectada por un material conductor
(contactos y alambres) a través de un diodo en la dirección que produce polarización
en directa. Este voltaje de polarización externo se expresa como VP OLARIZACION .
El resistor limita la corriente en condición de polarización en directa a un valor que
no dañe al diodo. Observe que el lado negativo de VP OLARIZACION está conectado
a la región n del diodo y el lado positivo está conectado a la región p: éste es un

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requisito para que se dé la polarización en directa. Un segundo requerimiento es que
el voltaje de polarización, VP OLARIZACION , debe ser más grande que el potencial de
barrera.

Figure 3: Diodo en polarización directa

Como las cargas iguales se repelen, el lado negativo de la fuente de voltaje de po-
larización ’empuja’ a los electrones libres, los cuales son los portadores mayoritarios
en la región n, hacia la unión P-N. Este flujo de electrones libre se llama corriente
de electrones. El lado negativo de la fuente también genera un flujo continuo de
electrones a través de la conexión externa (conductor) y hacia la región n como
muestra la figura.

Figure 4: Flujo de electrones en la polarización directa

4.6 Polarización inversa:

La polarización en inversa es la condición que en esencia evita la circulación de
corriente a través del diodo. La figura muestra una fuente de voltaje de cc conectada
a través de un diodo en la dirección que produce polarización en inversa. Este
voltaje de polarización externo se designa como VP OLARIZACION , como en el caso
de polarización en directa. Observe que el lado positivo de VP OLARIZACION está
conectado a la región n del diodo y el lado negativo está conectado a la región p.
Observe también que la región de empobrecimiento se muestra mucho más ancha
que la condición de polarización en directa o equilibrio.

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 Figure 5: Polarización inversa

Como las cargas diferentes se atraen, el lado positivo de la fuente de voltaje de

polarización ’jala’ los electrones libres, los cuales son los portadores mayoritarios en
la región n, lejos de la unión P-N. A medida que los electrones fluyen hacia el lado
positivo de la fuente de voltaje, se crean iones positivos adicionales. Esto produce el
ensanchamiento de la región de empobrecimiento y el consecuente empobrecimiento
de los portadores mayoritarios.

Figure 6: Flujo de electrones en la polarización inversa

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4.7 Curva caracterı́stica para el diodo:
En este gráfico correspondiente a la curva caracterı́stica de un diodo de silicio, se
puede observar un eje horizontal ’x’ y otro vertical ’y’que se intersectan en el centro.
En ese punto el valor del voltaje y de la intensidad de la corriente es igual a 0. El
eje vertical ’y’ muestra hacia arriba su parte positiva (+y) correspondiente al valor
que puede alcanzar la intensidad de la corriente(Id) que atraviesa al diodo cuando
se polariza directamente, mientras que hacia abajo su parte negativa (-y) muestra
cuál será su comportamiento cuando se polariza de forma inversa (Ii). El eje hor-
izontal ’x’ muestra hacia la derecha, en su parte positiva (+x), el incremento del
valor de la tensión o voltaje que se aplicada al diodo en polarización directa (Vd).
Hacia la izquierda del propio eje se encuentra la parte negativa (-x), correspondi-
ente al incremento también del valor de la tensión o voltaje, pero en polarización
inversa(Vi).

Figure 7: I vs V

5 Equipo:
• Fuente de voltaje DC
• Protoboard
• Multı́metro
• Generador de funciones
• Diodos
• Resistencias
• Capacitores
• Cables
• Osciloscopio.

6 Procedimiento experimental:

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7 Hoja de datos:

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8 Cálculos y resultados:
(Las preguntas planteadas en la guı́a y la explicación de las señales de salida se hará
en la sección de discusión de resultados).
Paso 1:

Se obtuvo mediante el multı́metro : Vdiodo = 0.657V R = 0.992kΩ

A una frecuencia de 298Hz, se obtuvo en el osciloscopio: Ve = 4.96V. Vs = 4.32V.
Entonces: Vdiodo = Ve −Vs = 0.640V ,comparando este resultado con el que se obtuvo
con el multı́metro respecto de este último: error(%)= 2.59.

Figure 8: Media onda rectificada.

Paso 2:
Las curvas caracterı́sticas que se obtuvieron por medio de la composición XY en el
osciloscopio son:

Figure 9: Composición XY

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 Figure 10: Composición XY (CHY invertido)

De las gráficas podemos notar que el valor en el que el diodo empieza a conducir la
corriente es aproximadamente 0.6V.

Paso 3:
Las señales de salida obtenidas:

Figure 11: Señales de salida, diodo en directa(negro) y diodo invertido(rojo)

Paso 4:

Se obtuvieron lso siguientes datos: Vep= 5.02V, Verms=3.53 V, Vsp= 3.76 V,

Vsrms= 2.65V.

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 Figure 12: Onda rectificada

Paso 5:
Para una resistencia de 0.984kΩ, se obtuvo para:
- C= 47µF :

Vpk-pk= 91mV.
Vrms=16.95mV.
Vdc= 360mV.
Vrizado= 36mV.

- C= 220µF :

Vrizado= 16mV.

- C= 470µF :

Vrizado= 10mV.

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 Paso 6:
Sin la resistencia se obtiene:

Vpk-pk= 68.8mV.
Vrms= 3.85mV.
Vac= 12mV.
Vdc= 20mV.

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