DIODOS DE POTENCIA

¿QUÉ ES LA ELECTRONICA DE POTENCIA?

Electrónica de potencia es la parte de electrónica encargada del estudio de dispositivos, circuitos,

sistemas y procedimientos para el procesamiento y control y conversión de la energía eléctrica.

 Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo)y otro de baja
impedancia (conducción).
 Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequeña potencia de control.
 Ser capaz de soportar altas tensiones cuando esta bloqueado y grandes intensidades con
pequeñas caídas de tensión entre sus extremos, cuando esta en conducción.
 Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
CONVERTIDORES

o Conversión alterna-continua (rectificadores)

o Conversión alterna-alterna (ciclo convertidores o reguladores de alterna)

o Conversión continua-alterna (inversores)

o Conversión continua-continua (reguladores de continua o troceadores)

DIODOS DE POTENCIA

Componente electrónico ampliamente utilizado en la electrónica de potencia.

Se caracterizan por ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída
de tensión en estado de conducción y en sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte
tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
TIPOS DE DIODO

Diodos rectificadores para baja frecuencia

D iodos para baja frecuencia

Características

IFAV: 1A – 6000 A
VRRM: 400 – 3600 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 10 µs
Aplicaciones
• Rectificadores de Red.
• Baja frecuencia (50Hz).

Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

Características

IFAV: 30A – 200 A

VRRM: 400 – 1500 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 0,1 - 10 µs
Aplicaciones
• Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).
• Inversores.
• UPS.
• Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky

Características
IFAV: 1A – 120 A
VRRM: 15 – 150 V
VFmax: 0,7V (a IFAVmax)
trr: 5 ns
Aplicaciones
• Fuentes conmutadas.
• Convertidores.
• Diodos de libre circulación.
• Diodos Schottky
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

 Diodos de alta tensión

Características
• IFAV: 0,45A – 2 A
• VR: 7,5kV – 18kV
• VRRM: 20V – 100V
• trr: 150 ns
• Aplicaciones
• Aplicaciones de alta tensión.

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

• Diodos de alta corriente

• Características

• IFAV: 50A – 7000 A

• VRRM: 400V – 2500V

• VF: 2V

• trr:10 µs

CARACTERISTICAS

Parámetros en bloqueo
Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de
forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez
durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las características del mismo.
Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
Parámetros en conducción
• Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con
una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente
25º).
• Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable,
una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
• Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el
estado de conducción.

CARACTERISTICAS DINAMICAS
Tiempo de recuperación inverso
Tiempo necesario para que la corriente de tensión alcance un valor especificado, después de una
conmutación instantánea a partir de una corriente directa especificada hasta un estado de
dolarización inversa especificado.

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica
se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

CARACTERISTICAS TERMICAS

Temperatura de la unión (Tjmáx)

Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción.En ocasiones, en lugar de la temperatura
de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de
funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de
temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El

fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no

dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:
Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable.

Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora).

Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica
aislante, etc).

DIODO SCHOTTKY

El diodo Schottky o diodo barrera , se llama asi en honor del físico alemán Walter H. Schottky
 SIMBOLO

A diferencia del diodo semi conductor normal P-N , el diodo schottky tiene una unión Metal-N

Se caracteriza por su alta velocidade de conmutación

• Una baja caída de voltaje cuando están polarizados en directo.

(0.25 a 0.4v)
• A comparación de un diodo normal , su tensión directa es de 0.7 V
Este diodo esta mas cerca de un diodo ideal que un semiconductor común, pero hay
características que hace imposible su utilización en aplicaciones de potencia

CARACTERISTICAS

 Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo

 No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente

APLICACIONES

El diodo schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad como
en computadoras, grandes velocidades de conmutación, poca caída de voltaje y poco gasto de
energía.