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Informe de Circuito amplificador mediante transistor BJT en configuración emisor común y colector común
(Universal). – UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA
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I. MATERIALES
I. INTRODUCCION
A) Diseño
Su uso se encuentra en la mayor parte de los dispositivos
electrónicos usados en la actualidad que van desde radios, Se propuso un voltaje de 10V y una resistencia de 2K para
televisores, computadores, teléfonos, etc…. Su uso dio inicio Resistencia Emisor , apartir de aca determinamos la resistencia
a los circuitos integrados que ayudaron a dar una revolución en colector
electrónica permitiendo cada vez aparatos más eficientes y
Veloces respecto a los anteriores Para un modelo en uso RC ≥ 4R𝐸
inverso se tiene 𝑅𝐶 = 8𝐾
Comercialmente 8.2K
Se aplica la condicion
(β + 1)RE ≥ 10 ∗ RB2
1
< 2𝜋𝑓𝑙𝑜𝑤
𝑅𝐶 ⋮⋮ 𝐶2
En este caso se estima que es de 40B para obtener la siguiente 𝑅𝐶 = 8.1𝐾
resistencia R2 Se aplico finalmente entonces la condicion
𝐶1 > 2.65𝑛𝐹
(β + 1)RE ≥ 10 ∗ RB2
Para el condensador en emisor
Dando como resultado 10K debido a que se encuentra
comercialmente esta resistencia 1
≪ 2𝜋𝑓𝑙𝑜𝑤
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 ∗ 𝑅𝑒
Teniendo ya en cuenta esta resistencia de RB2=10K
𝑅𝐸 = 2𝐾
Se aplica divisor de voltaje
10(10𝑘) 𝐶𝐸 ≫ 1.32𝜇𝐹
= 𝑉𝐵
10𝐾 + 𝑅𝐵1 Siguiendo los parametros anteriores se escogieron tres
condesadores que no saturaran la salida asi que se implemento
Para determinar el voltaje en la base se toma en cuenta la
maya del circuito de abajo
C1=C2=C3=10 uF
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸
RB1=51K
RB2=10K
𝑉𝐵 = 0.7 + 1𝑉 = 1.7
RC=8K
RE2K
Se determino el voltaje Emisor base apartir del datasheet
Analisis AC
Emisor Comun
𝐴𝑖 = 𝐵 ≈ 200
700
𝐴𝑣 = 200( ) ≈ 17.28
8200
Colector Comun
III SIMULACION
II. CONCLUSION
Se puede concluir que se logro definir el origen del
funcionamiento de los semiconductores en donde se muestran
conceptos de electron de conduccion, hueco, y el por que de el
comportamiento de la corriente en un semiconductor.
Tambien su construcion su regiones de dopado en dos regiones
A) Midiendo VCE
A) Midiendo VE
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Se obtuvo 1.03 V casi el mismo que el valor teorico estimado y Muy relacionado a lo que se esperaba para la resistencia
simulado. comercial
En este caso el valor que se obtuvo Teorico 4V y para el valor En este caso se estimo para el dato teorico según lo propuesto
en la simulacion 4.02 teniendo en cuenta que se utilizo una en el preinforme anexo el valor de VBE propuesto por el
resistencia de 8.2k fabricante en el datasheet según el punto de carga IC de salida
en este caso se involucro en el TEORICO 0.7 para la simulacion
haciendo medicion se obtuvo SIMULACION 0.65 y para la
practica el voltaje arrojado fue el siguiente
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0.5𝑚𝐴
𝛽= ≈ 25
0.0197𝑚𝐴
F) Para la corriente IC
G) Para la corriente IE
Para el circuito en AC
GRAFICA COMPARATIVA
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Ganancias VOLTAJE
TEORICA SIMULADA PRACTICA
B 24.3902 21.0084 24.7925
IV CONCLUSIONES
REFERENCES
[1] Dispositivos Electronicos , 2nd ed. , Thomas L. Floyd, Ed. New York:
McGraw-Hill, 1964, pp. 15–120.
[2] Electronica : Teoria de Circuitos y Dispositivos Electronicos , Decima
[3] edicion , Robert L.Boylestad ,2009, pp. 15–135.
[4] Proteus 8 Simulador de circuitos.