ELECTRÓNICA ANÁLOGA

FASE 3

ELEMENTO DE CONTROL Y LA PROTECCIÓN CONTRA CORTO CIRCUITO

JOHN RICHARD VELÁSQUEZ

79989544

GRUPO 31

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

4 DE MAYO DE 2017
 DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD

3.1. De acuerdo con las propiedades registradas en la hoja técnica del dispositivo:

Ic Hfe Vceo Ptot Ib

12A 750 a 6A 100 V 150W 0,2A
100 a 12A

3.2. El voltaje especificado como Vs=12V. Si se requiere una corriente I L= 800mA,

entonces la resistencia es:

𝑉𝑆 12𝑉
𝑅𝐿 = = = 15 Ω
𝐼𝐿 0,8𝐴

RL
15 Ω

3.3. La potencia disipada se obtiene a partir de las siguientes ecuaciones:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑆 − 𝑉𝑠𝑎𝑙 = 18,6𝑉 − 12𝑉 = 6,6𝑉

𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐿 = 6,6𝑉 ∗ 0,8𝐴 = 5,28𝑊

PD
5,28W

3.4. El transistor funciona por debajo de su potencia máxima, por lo cual puede ser
usado como elemento de conmutación.

Si No
X

3.5. Teniendo en cuenta que el transistor conmuta con V BE=0,7V, se tiene, para la
resistencia Rlim
 𝑉𝐵𝐸 0,7𝑉
𝑅𝑙𝑖𝑚 = = = 0,736Ω
𝐼𝑆𝐿 0,95𝐴

Rlim
0,736Ω

3.6. Esta técnica funciona de la siguiente manera. Mientras el valor de la corriente

que pasa por la resistencia limitadora es menor a Isl, el dispositivo de protección
permanece en corto circuito. Cuando el dispositivo se activa, el voltaje entre la base
y el emisor del transistor Darlington disminuye, y el dispositivo deja de conducir
corriente entre el colector y el emisor. Una desventaja de esta técnica es lo que
sucede con el dispositivo de conmutación antes de que se active la protección
contra corto circuito. En este caso, como la corriente de carga es de 800 mA, tener
un valor de 150mA por encima de la corriente de carga puede afectar a los
componentes del circuito.