Técnica de Czochralski

-Científico polaco Jan Czochralski descubre en 1916 el método de crecimiento de un cristal

-silicio obtenido de la arena Si O2.

Se ubica en un horno el silicio con otras formas de carbon

Se obtiene silicio sobre el 98% de pureza

Luego se le añade ácido clorhídrico (HCL), para obtener triclorosilano

El triclorosilano es un líquido a temperatura ambiente

-por destilación fraccionada se remueven las impurezas no deseadas.

-para purificar el silicio del triclorosilano se emplea una reacción de reducción con hidrogeno para
preparar el silicio de grado electrónico (EGS)

La reacción toma lugar en un reactor conteniendo una varilla de silicio calentada por resistencia,
este sirve como punto de nucleación para la deposición de silicio.

El EGS regularmente tiene impurezas en el orden de partes por billón.

-emplea un aparato llamado extractor de cristal:

Se compone de tres principales componentes:

un horno, el cual posee silicio fundido en un crisol, un susceptor de grafito, un mecanismo de

rotación( sentido horario), un elemento de calefacción y una fuente de potencia. El crisol rota
durante el crecimiento para prevenir fríos o calores localizados.

Un mecanismo de extracción de cristal que incluye un soporte de semilla y un mecanismo de

rotación (sentido anti horario)
Un ambiente controlado que incluye una fuente de gas (por lo general argón para prevenir de
contaminación el traslado del silicio) un controlador de flujo y un sistema de escape.

Nota la rotación es invertida para lograr mayor homogeneidad en el dopado. El crisol se calienta a
1412°C. Las impurezas deseadas son obtenidas por medio de la adicción de impurezas a la masa
fundida en la forma de silicio altamente dopado anterior al crecimiento del cristal (se añaden
impurezas al silicio fundido).

El dopado se realiza regularmente con boro y fosforo según el tipo deseado de semiconductor.

Diámetro obleas 450 mm y peso 450 kg lingote (en 2015).

existe una diferencia entre la concentración de dopaje en el fundido sólido y el fundido liquido el
radio de estas dos concentraciones se le conoce como coeficiente de segregación de equilibrio.
K=cs/cl , cs y cl son equilibrio de concentración en del dopado sólido y liquido

impurezas de 10`^15 cm^-3

la cantidad típica es de un microgramo por kilogramo.

Concentración de dopaje menor en estado sólido al liquido

silicio dopado al silicio intrínseco.

El silicio producido posee oxigeno lo que es inconveniente para el uso de semiconductores en

circuitos con alta potencia por la alta resistencia manejada. Este silicio es de baja resistencia.
Proceso de zona de flotación de silicio

Puede ser usado para el crecimiento de silicio con menor contaminación, que los normalmente
obtenidos por la técnica de Czochralski.

Una vara poli cristalina de alta pureza con una semilla de cristal en el fondo retenida en una
posición vertical y rotando. La vara es puesta en una envoltura de quarzo dentro de la cual hay
una atmosfera mantenida inerte (con argon).

Durante la operación, una pequeña zona (de solo unos centimetros) del cristal es mantenido
fundido por una radiofrecuencia calentadora, la cual es movida hacia arriba de tal manera que la
zona flotante atraviese la longitud de la varilla.

La varilla es retenida por medio de tensión ejercida en sus caras, al subir la zona flotante el
material de abajo se solidifica haciendo crecer el silicio mono cristalino.

Silicio poli cristalino dopado o se dopa por medio de la irradiación de neutrones a el silicio,
transmutando el silicio a fosforo para obtener un semiconductor tipo n.

Galio-Arsenico
Galio y arsénico presiones de vapor elevadas a la temperatura de fusión del arseniuro de galio

Se realiza el proceso sobre presión de arsénico

Se posee un tubo de cuarzo en un horno con dos zonas a diferentes temperaturas, arsénico de
alta pureza en recipiente de grafito y se coloca se calienta 610ºc y el galio puro se calienta por
encima del punto de fusión del arsenuro de galio 1238ºc se establece sobrepresión de arsénico
que permite el transporte del gas de arsenico a la sección de galio fundido y obteniendo arseniuro
de galio y se evita debido a las condiciones la descomposición del arseniuro de galio.

Al enfriarse se obtiene arseniuro de galio de alta pureza.

Técnica LEC (Liquid-Encapsulated-Czochralski).

El arseniuro de galio monocristalino se puede obtener por el método Czochralski como en el silicio,
pero requiere condiciones especiales para evitar el escape del aseniuro.

Condiciones alta presión de arsénico, se aisla el fundido por medio de oxido borico principalmente
para evitar la salida del arsénico.

Técnica de bridgmann

Se emplea un horno de 2 zonas, una zona a 610ºc para generar sobre presión de arsénico. En la
otra zona el horno se mantiene a una temperatura por encima del GaAs . El tubo sellado es de
cuarzo y el recipiente con GaAs es de grafito, al pasar del segundo horno al primero con una
semilla en lado contrario al segundo horno, la sección de la semilla se enfría y empieza a crecer,
gracias a la semilla comienza a crecer según la semilla el cristal de GaAs.
Obleas, se quitan lo extremos del lingote, se marca la orientación del cristal y el tipo de
conductividad. Se cortan y se tratan químicamente las obleas para eliminar impurezas y otros
defectos causados con el contacto con el ambiente y los mismos químicos.

Crecimiento epitexial:

Se emplea para hacer crecer una lámina delgada de cristal encima de un cristal substrato.

En este caso el substrato de la oblea actúa como cristal semilla para el crecimiento. El
crecimiento epitexial se diferencia del crecimiento volumétrico por la facilidad de emplear
temperaturas menores a la de fusión del material.

Cuando un material crece epitexialmente en un substrato del mismo material, se denomina homo
epitaxia, de lo contrario se denomina heteroepitaxia en este caso los materiales de la capa y el
substrato deben ser similares en su estructura para poder obtener el crecimiento cristalino.

Existen diferentes tipos de crecimiento epitexial:

Epitexia en fase gaseosa (VPE): reactivos en fase gaseosa

Epitexia en fase liquida (LPE): reactivos en fase liquida

Epitexia por haces moleculares (MBE): los reactivos son haces de átomos o moléculas, en entorno
vacio

VPE

Dentro de un reactor

Las obleas se ingresan dentro de un recipiente sobre un soporte de grafito

Para el arsenuro de galio

La capa de dopado se puede lograr para tipo p añadiendo diborano B2Cl4 y para tipo n arsina AsH3
y la fosfina PH3.

Debe haber sobrepresión de arsénico. Tipo n hidruro de azufre y selenio tetranetilestaño, para el
tipo p dietilzonc, dietilcadmio.
Mbe

Crecimiento de cristal monocristalino, condiciones de alto vacío.

Es un proceso a bajas temperaturas 400 a 800ºc.

Control preciso del perfil de dopado

Crecimiento de múltiples capas mono cristalinas con espesores atómicos

El material copia las propiedades cristalinas del sustrato. Cámara ultra alto vacío, dentro una
celda(crisol con material a depositar), se calienta el crisol y se evapora el material, debido al ultra
alto vacío, camino medio libre de metros, esto ocasiona disparo de átomos en forma de haces,
permite controlar el dopado, posee cada celda un obturador interrumpe átomos que llegan al
substrato controlando el proceso.
Sputtering

http://www.icmm.csic.es/fis/espa/sputtering.html

Es un método por el cual se posee un substrato y un material objetivo, el material objetivo

(cátodo) es bombardeado por gas ionizado, típicamente argón o otros gases inertes o especies
reactivas como oxígeno y nitrógeno.
Básicamente se emplean dos métodos el dc y el rf. El dc se emplea una corriente directa, es
regularmente usada para la deposición de una película de un metal, empleando 2 electrodos se
forma un campo eléctrico, como el cátodo es aplicado directamente sobre el material objetivo, los
electrones libres son acelerados y con suficiente energía ionizan los átomos de argón produciendo
el plasma, el argón es acelerado hacia la placa objetivo liberando átomos,, los cuales salen como
haces y se depositan en el substrato.

PVD (metalizacion)

Es un método por el cual por medio del calentamiento de un material solido o el bombardeo con
iones energéticos, el vapor termina condensándose en el material substrato. La evaporación
ocurre cuando un material fuente es calentado a su punto de fundición y evacuado en una
cámara. La evaporación genera el recorrido a altas velocidades de los átomos en trayectorias
rectas. Es usual mente se empleaba la evaporación y la evaporación por haz de luz para la
fabricación de circuitos integrados.
CVD

Se realiza por medio de gases (a veces en forma líquida) los cuales mediante reacción dan un
producto nuevo que se condensa en forma de película delgada en el substrato

Implica la interacción entre una mezcla de gases y la superficie de un sustrato calentado, lo que
provoca la descomposición química de algunas de las partes del gas y la formación de una película
sólida en el sustrato. Regularmente se emplea un vidrio de silicio el cual se dopa con
borofosforosilicato BPSG y fosfosilicat FSG. Nitrilo de silicio se emplea para hacer películas
dieléctricas

Existen tres métodos principales:

Presión atmosférica CVD

Baja presión LPCVD: permite eliminar reacciones de fase no deseados y una película uniforme
sobre las obleas. Baja razón de deposición.
CVD mejorado por plasma PECVD: permite la deposición a bajas temperaturas, pero con un
diámetro de obleas limitado y el requisito de que las obleas no posean impurezas ya que causan
grandes fallos en la deposición.

CVD polisilicio
litografía
Iluminación con rayos ultravioleta, polimerización disolución de dióxido de silicio con acido
fluorhídrico.
Posteriormente a la exposición del semiconductor se procede a dopar el mismo puede ser por
plasma 10^19 10^12 cm-3