IVAN GÓMEZ GONZALEZ KATHERINE CAHUATIJO YEDRA

Departamento de Ingeniería Eléctrica Departamento de Ingeniería Eléctrica

Universidad Politécnica Salesiana Universidad Politécnica Salesiana
Quito-Ecuador Quito-Ecuador
cgomezg1@ups.edu.ec kcahuatijo@ups.edu.ec

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Abstract.- In the • Polarizar el disposición en
following amplificador circuito integrado,
practical work we operacional, convierten al
have as objective observar sus mismo en un
the learning and formas de onda y nuevo elemento
operation of the medir sus electrónico capaz
Operational características con de intervenir en la
Amplifiers, ayuda del conformación de
which is an osciloscopio. circuitos Fig1.- Esquema
amplifier device • Estudiar los analógicos de del Amplificador
Operacional. [1]
whose operating diferentes tipos de mayor
characteristics aplicaciones que complejidad, la
Dónde:
approximate tienen estos utilización del
A = ganancia del
those of an ideal transistores. A.O. en circuitería
amplificador. Grado
amplifier: infinite presupone un
II. I
de amplificación.
gain, zero output adecuado
in the absence of N conocimiento de = tensión de
T
the input signal, sus características entrada.
R
impedance O de funcionamiento = Intensidad de
infinite input, D y prestaciones. entrada.
zero output U
impedance, C El Amplificador = Impedancia de
C entrada.
infinite I
bandwidth and O El objeto de un = tensión de
zero rise time. N amplificador salida.
electrónico, es
Keywords.- En la actualidad la conocer el valor de = Intensidad de
Operational electrónica la tensión, salida.
amplifier, infinite analógica se ha corriente o = Impedancia
gain. visto enriquecida potencia de una de salida.
con la señal variable en el La ganancia (A), es
I. OB incorporación de tiempo,
JE
la relación entre la
un nuevo procurando
TI salida y la entrada.
componente mantenerla lo más
VO Se puede distinguir
importante como fiel posible.
S entre ganancia de
es el amplificador
tensión, corriente y
 Objetivo operacional Los parámetros potencia.
General. (A.O.). que caracterizan a
El (A.O.) es un =
un amplificador
Familiarizarse circuito son los siguientes: ganancia de tensión.
con los electrónico = Is/Ie ganancia
amplificadores evolucionado, sus de corriente.
operacionales características de
versatilidad, = = .
 Objetivo uniformidad de Ganancia de
Específico polarización,
propiedades potencia.
.
notables y
 de Germanio o Silicio,
que tienen cualidades
de semiconductores,
estado intermedio entre
conductores como los
metales y los aislantes
como el diamante.
Sobre el sustrato de Fig3.- Transistor de efecto
cristal, se contaminan de campo. [1]
[1]Mar
co en forma muy
controlada tres zonas, II.- Marco
Teór Fig1.-Transistores. Procedimental
ico dos de las cuales son
del mismo tipo, NPN o
Tipos De Transistores. PNP, quedando Ejercicios: 1.- Realizar
Transistores un circuito para
En la actualidad, formadas dos uniones
Transistor de contacto NP. polarización en DC el
existe una gran transistor BJT.
puntual
variedad de aparatos Elementos:
electrónicos, tales 1. Transistor Tip 122.
Primer transistor, consta
como televisores, 2. Transistor 2N2222A o
de una base de
vídeos, equipos 2N3903-D.
germanio
musicales, relojes 3. Potenciómetros de
semiconductor, sobre la
digitales y, cómo no, Fig2.- Transistor de unión precisión de: 500 KΩ.
que se apoyan, muy
computadoras. polar. 4. Potenciómetros de
juntas, dos puntas
Aunque, precisión de: 500 KΩ.
metálicas que
aparentemente sean Transistor de efecto de 5. Potenciómetro de
constituyen el emisor y
muy distintos, todos campo precisión de: 2 KΩ.
el colector. La corriente
ellos tienen algo en El transistor de efecto 6. Potenciómetro de
de base es capaz de
campo es una familia de precisión de: 10 KΩ.
común: los modular la resistencia
transistores que se 7. Gafas de protección.
dispositivos que se "ve" en el
electrónicos de los colector. Es difícil de basan en el campo
eléctrico para controlar II.- Circuito
que están fabricar (las puntas se
la conductividad de un Implementado En
constituidos. Los ajustaban a mano),
"canal" en un material Proteus
transistores son unos frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y semiconductor. Los
de los dispositivos FET pueden plantearse
más importantes. ruidoso, en la
actualidad ha como resistencias
Están construidos con controladas por
desaparecido.
materiales diferencia de potencial. III.- Circuito
semiconductores pero La mayoría de los FET Implementado Práctico
con estructuras más están hechos usando las
complejas que los técnicas de procesado
diodos. Son la base de de semiconductores
la electrónica y uno de habituales, empleando
los objetivos actuales la oblea mono cristalina IV.-
es ir reduciendo su semiconductora como la REGISTRO DE
tamaño región activa o canal. RESULTADOS
continuamente Los transistores de
Fig2.- Transistor de efecto de campo más BJ
contacto puntual. [1] conocidos son los JFET,
β 0,4
MOSFET y MISFET.
VB 8,5
Transistor de unión
bipolar VE 9,01
VC 11
El transistor de unión, IB 2,38
se fabrica básicamente IE 6,0 m
sobre un mono cristal IC 1,1 m
Tabla1.-Valores preset de
obtenidos de las V.- DISCUSIÓN DE una tensión de Vs/2.
medidas en el RESULTADOS Conclusión
laboratorio con el REFERENCIAS
multímetro.
Con [1] Ele
Primeramente los la realización del ctrónica Teoría
resultados obtenidos VI.- trabajo practico de circuitos y
del circuito CONCLUSIONES aprendimos a dispositivos
implementado electrónicos,
utilizar un LM741
prácticamente, las 1.- El funcionamiento ROBERT L.
y el TL081 que BOYLESTAD
resistencias en este de un transistor BJT poseen el LOUIS
circuito no varían el depende de la amplificador NASHELSKY
motivo es que la polarización que se le operacional. , Décima
resistencias son fijas, aplica en sus Edición.
depende de diversos terminales, ya que una Aprendimos que [2] EL
factores como la mala polarización TRANSISTO
para medir
naturaleza del podría funcionar mal R,
la tensión de
material del que está el circuito en el que se ESRUCTURA
offset lo que se FISICA Y
hecho y del formato le aplique o el usuario debe hacer es APLICACIO
(longitud, espesor, no podría tener los conectar la NE, ASIER
etc.) y tiene una resultados entrada Vi del IBEAS
tolerancia que puede satisfactorios. HERNANDE
amplificador a
variar el valor de la 2.-Si se aplica un Z,
tierra (masa), el
resistencia. voltaje entre el emisor UNIVERSID
cual
y la base se puede esta medición se
AD OBERTA
Para ver de una obtener una ganancia DE
realizo con un CATALUNYA
manera distinta el de voltaje en el multimetro ya que .
cambio de valores colector y la base así al querer realizar [3] EL
remplazaremos las se puede comprobar
la medición con el TRANSISTO
resistencias fijas por que este tipo de R,
osciloscopio nos
potenciómetros dispositivos se pueden ESRUCTURA
generaba ruido y
cambiando R1= 40 utilizar como FISICA Y
era imposible
KΩ y R1= 4 KΩ. amplificadores. APLICACIO
apreciar la señal. NE, ASIER
3.-Concluimos que la
corriente del colector IBEAS
Aprendimos a HERNANDE
β es aproximadamente
calcular la Z,
VB igual a la corriente del
Impedancia de UNIVERSID
VE emisor, la corriente de AD OBERTA
entrada de un
VC base es mucho más DE
amplificador
pequeña generalmente CATALUNYA
IB inversor visto
menor que la corriente .
IE desde los
del emisor. [4] EL
IC terminales de TRANSISTO
4.-Podemos concluir
Tabla2.-Valores entrada Vi, para R,
que la amplificación
obtenidos de las ello utilizamos el ESRUCTURA
de una señal relaciona
medidas en el
la amplitud de la señal metodo FISICA Y
laboratorio con el de máxima transf APLICACIO
de entrada con la NE, ASIER
multímetro cuando erencia
amplitud de la señal de IBEAS
utilizamos de energía que se
potenciómetros.
salida. HERNANDE
5.-Con la práctica vasa en colocar un Z,
realizada podemos preset de 100k o 500k UNIVERSID
Como podemos lineal a la entrada y
concluir que la AD OBERTA
observar cuando
ganancia de voltaje AV variando el valor del DE
cambiamos las CATALUNYA
es la relación entre el mismo para que
resistencias fijas por .
potenciómetros la voltaje de salida y el cuando midamos
corriente (IB). voltaje de entrada. a continuación del