FISICA DE SEMICONDUCTORES (PROBLEMAS).

P.01.- El Al cristaliza en una red fcc. Cuando se hace incidir rayos X de 3,30 =‫ ג‬Ángstrom, los planos.
(111) producen difracción de 1er orden para ө = 45°. (a) Determinar la constante de la red del Al, Calcular
la densidad superficial de (átomos/cm2)en el plano (1,00)

DATOS

Tipo de red para el Al es. Fcc SOLUCIÓN

3,30 =‫ ג‬Ángstrom longitud de los rayos X a) Fórmula: nλ = 2dsenθ
(111) plano cristalográfico.
Orden de reflexión: n=1 Despejando d = nλ/2 senθ
Angulo de reflexión: θ= 45°
d = 2,33x10-10 m.
SOLUCIÓN
b) 2 átomos ……………….. comparando con la distancia
2
√ 2a interplanar d se tiene:

X átomos ………………… 1cm2 a a

d= =
√2 √ h +k +l √3
2 2 2

X= atm /cm2
−8 2
( 4,035 x 10 )
−10
a=2,33 x 10 √3 m
X =8,7
P.03.- x 1014 atm/cm 2
Demostrar que: Ψ(x+L,y,z) = Ψ(x,y,z) en el modelo de electrones libres cuando los átomos están
restringidos a moverse en un cubo de arista L.

SOLUCION
⃗
ψ k (r )=e i K .⃗r

Donde:
2 nπ
Kx = ,n=0,1,2,3,4,5,6, … ..
L
Ψ(x+L,y,z) = Ψ(x,y,z

exp [ i K x ( x + L ) ]=exp i [ 2nπ

L
( x+ L ) ]
x
exp ( i2 nπ ) exp i 2 nπ ( L )
=exp [ i K x ]

Por tanto:

Ψ(x+L,y,z) = Ψ(x,y,z)

P.05.- Hallar la concentración de electrones y huecos para el Si en las circunstancias siguientes. ( a ) Si puro a
300° k (b) a 300°K dopado con As en una concentración de 5x10 20 electrones /m3. (c) A 300°K dopado con In a
una concentración de 2x1020 electrones /m3; (d) Si puro a 500°K ni (500°K) = 3,7,x1020 electrones /m3

SOLUCION
USAMOS LA LEY DE ACCION DE MASAS.
 Concentración intrínseca= producto de concentración d electrones por concentración de huecos

np = ni2
a) Concentración de huecos = concentración de electrones
n = p = 1.5 x 1016 electrones o huecos /m3
b) El As es elemento donador por tener valencia 5
Concentración que genera el Arsénico: n
n = 5 x 1020 electrones/m3

LEY DE ACCION DE MASAS: np = ni2

2
ni2 ( 1.5 x 1016 )
: p= = =4,5 x 1011 electrones/m3
n 5 x 10 20

c) El In es elemento aceptor por tener valencia 3

Concentración que genera el Arsénico: n
n = 2 x 1020 huecos/m3

LEY DE ACCION DE MASAS: np = ni2

2
ni2 ( 1.5 x 1016 )
p= = =1,125 x 1012 huecos /m 3
n 2 x 1020

d) La concentración del silicio puro a 500°K es un valor experimental además de ser un semiconductor
intrínseco.
n = p = 3x1020 (electrones o huecos/m3)

FISICA DE SEMICONDUCTORES (TEORIA).

2.- RELACIONE, la información de la columna 1 con los de la columna 2 colocando la letra en los
recuadros vacios según corresponda. SOLUCION (jihgfedccbaf)
COLUMNA 01 COLUMNA 02
Los ángulos que forman entre ellos no generalmente son de 90° a Red de Bravais
Se forma de la unión de cada punto de la red con una base. b Celda convencional
Forma geométrica definido por puntos. c Celda unitaria
Representan adecuadamente los planos cristalográficos. d simetría
Es aquel que tiene mayor densidad atómica. e Factor de empaquetamiento
Relación entre Volumen ocupado a volumen de la celda. f Plano atómico
Propiedad de un sistema que sometido a ciertas transformaciones g Índices de miller
de rotación o traslación sigue siendo el mismo.
Permite reproducir el cristal en todo su volumen. h Red cristalina
Aquella que tiene un átomo por celda i Estructura cristalina
Puede tener uno o más átomos por celda elemental j Ejes cristalográficos
Tipo especial de Red.
Se representa por los índices de Miller.

4.- Relacione correctamente los enunciados de la columna segunda con la primera columna y escoja la
alternativa correcta en la tercera columna. SOLUCION B) 1a,1b,3d,2c,2e

1. Semiconductor. a) Su conductividad varia con la A)1a,2b,3c, 1d,2e

2. Tipos de semiconductores. temperatura. B) 1a,1b,3d,2c,2e
3. Concentración electrónica. b) Según la temperatura se comporta como C)1e,2a,3b, 1d,2c
aislante o como conductor. D),3e,2a,1a,3d,1e
c) Extrínsecos e Intrínsecos. E)1d,2e,3a,
d) numero de electrones por unidad de
volumen..
e) dependiendo del tipo de portados puede
ser “n” o “p”