Transistores

Objetivos

Entender la distribucin y movimientos de carga en los

transistores
Conocer las estructuras, funcionamiento y caractersticas
de los diferentes tipos de transistor
Ser capaz de explicar les diferencias entre el transistor de
unin, el JFET y el MOSFET
Conocer algunas aplicaciones

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Transistores

El transistor de unin
Polarizacin
El amplificador
Modelos
El transistor de efecto campo
El JFET
El MOSFET
Circuitos lgicos, memorias, CCDs, TFTs

Fundamentos fsicos de la informtica, cap. 10

L. Montoto, Fundamentos fsicos de la informtica y las comunicaciones,
Thomson, 2005
A.M. Criado, F. Frutos, Introduccin a los fundamentos fsicos de la informtica,
Paraninfo, 1999

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Transistores

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

El transistor bipolar de unin (BJT)
Emisor Base Colector

Emisor P N P Colector
Base

- -
- I Emisor Base Colector

e--
Emisor N P N Colector

Base

Base poco dopada

Emisor ms dopado que colector
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Unin no polarizada

p n p

r r
E E

V V0

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

El transistor polarizado (saturacin)

IE p n IB p IC

r r
E E

V V0
IB + IC = IE

similar a dos diodos con polarizacin directa

Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 El transistor polarizado (corte)

p n p

r r
E E

V
IE = IC = IB = 0
V0

similar a dos diodos con polarizacin inversa

Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Transistor polarizado en forma activa

p n p

r r
E E

(P) Emisor (N) Base (P) Colector

IE
IpB

IC
IC = IB
InB InC
IBB

IB

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistor polarizado en forma activa

(P) Emisor (N) Base (P) Colector

IpB

IE IC
InB InC
IBB

IB

BC inversa puede conducir si BE directa

Los huecos que se difunden de E a B llegan a C

IC = IB factor de ganancia
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 (P) Emisor (N) Base (P) Colector

I
IpB, huecos que por difusin pB
IE base.
pasan del emisor a la IC
InB InC
IBB

InB, electrones que pasan

de la base al emisor. IB

IBB, electrones procedentes del InC, dbil corriente de electrones del

circuito para cubrir las colector a la base.
recombinaciones.

IE = IpB + InB IB = -InC + IBB +InB IC = IpB - IBB + InC

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Configuraciones del transistor

Hay 4 variables que dependen el tipo de conexin:

Vsalida, Ventrada, Isalida, Ientrada.

E C
B C B E

E C
B

Base comn Emisor comn Colector comn

Variables: Variables: Variables:
VBE, VCB, IE, IC VBE, VCE, IB, IC VCB, VCE, IB, IE
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 Configuracin en emisor comn

IC = 99 mA
RC
C
RB C
B IC n
RC
IB VBE VCE
VBB VCC RB
E 99 %
B p
1% VCC
IB = 1 mA

VBB
n
100 % E
IE = 100 mA
Ic
= 99
IE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Curva caracterstica de entrada

IB

RC
C
RB
B IC

VCE
IB VCC
VBB VBE
E

0,7 V VBE
VBE = VBB - IB RB

VBE 0,7 V
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 Curva caracterstica de salida

IC
RC (mA) IB = 60 A
C
RB
B IC IB = 40 A
VCE
IB VCC IB = 20 A
VBB VBE
E

VCE (V)

VCE = VCC - IC RC

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Emisor comn: variables

RC
Variables: VBE, VCE, IB, IC
RB
IC

VBE 0,7 V para silicio VBB IB VBE VCE

VCC

VBE = VBB - IB RB
+VCC
IC
IC = IB RC

RB
Vsalida
VCE = VCC - IC RC IB
Ventrada

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Curvas caractersticas del transistor CE
IB = 80 A
IC ( mA) Regin de saturacin

IB = 60 A Regin activa

IB = 40 A Regin de corte

Ruptura
IB = 20 A
RC
RB
IB = 0 A VCC
VBB VBE VCE
VCE (V)
En regin activa: unin EB con polarizacin directa, BC con
polarizacin inversa. Aplicacin en amplificacin.
En regin de corte: las dos uniones polarizadas inversamente:
circuito abierto.
En regin de saturacin: las dos uniones polarizadas
directamente: cortocircuito.
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Lnea de carga y punto de funcionamiento
= 100 VBE 0,7 V
RC =1 k

RB=16 k VBE = -IB RB+ VBB

IC
VBB VBE 2 0,7
VBB = 2 V IB = = = 81,25 A
IB VBE VCE RB 16000
VCC=10 V
Ic = IB = 8,125 mA

IC VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

VCC Q IB4
RC VBB (V) VCE (V) Ic (mA) IB (A)

Q IB3
0,7
0,8
10
9,375
0
0,625
0
6,25
Corte

0,9 8,75 1,25 12,5

Regin activa
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
1,4 5,625 4,375 43,75
IB2 1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75
2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
IB1 2,3 0 10 100 Saturacin
Q
VCE
V CC = 10
Presentacin V
por Jos Quiles Hoyo
Lnea de carga y punto de funcionamiento

V BE 0,7 V VCE (V) Ic (mA)

5,55 V 14
0 12,00 5,550 6,450
RC

Ic (mA)
1000 12 0,00
RB C 12
100
150 V CC 10
B
VB E
12 V 8
6,49 mA
5V 43,00 A 6,45 mA 6

2
43,000 IB 43,00 A 30,1 PEB 30,10 W
6,450 Ic 6,45 mA 35,7975 PCE 35,80 mW
6,493 IE 6,49 mA PT 35,83 mW 0
5,550 VCE 5,55 V 0 2 4 6 8 10 12 14
4,850 VCB 4,85 V Vcc (V)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Lnea de carga y punto de funcionamiento
RC
RB
IC
VCC
VBB VBE VCE
VCC
RC IB4

IB3
VCE = -IC RC+ VCC
Q
IB2 VCC VCE
IC =
RC
IB1

O VCC VCE

VCE IC RC

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Punto de funcionamiento: IB

IC

VCC IB4
RC RC
IB3
RB
IC

IB2 IB VBE VCE

VBB VCC

IB1

VCC VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Punto de funcionamiento: RC

IC

VCC IB4
RC1 RC
IB3
VCC RB
RC 2 IC

VCC IB2 IB VBE VCE

VBB VCC
RC 3

IB1

VCC VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Punto de funcionamiento: VCC

IC
VCC 3
IB4
RC
RC
VCC 2 IB3
RB
RC IC
VCC1 IB2 VCE
VBB IB VBE VCC
RC

IB1

VCC1 VCC2 VCC3 VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 El transistor como conmutador

Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC
zona de saturacin
C
cortocircuito CE VCE = 0 B
IC

B E

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC 0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC
VCC VCE

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Circuito inversor simple

+VCC VBB (V) VCE (V) Ic (mA) IB (A)

0,7 10 0 0
RC 0,8 9,375 0,625 6,25
0,9 8,75 1,25 12,5
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
RB 1,4 5,625 4,375 43,75
Vsalida 1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75
Ventrada 2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
2,3 0 10 100

INVERSOR Y = not A

A Y

Ventrada Vsalida

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistor de unin: amplificador

IE IC
P N P
Emisor Base Colector A
E C

B
IB
RL
D

VEB V
VAD = RLIC
(-IC) = gm VEB VAD
= RL g m
gm : transconductancia VEB
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Transistores de efecto campo

Transistor de efecto campo de unin

(JFET)

Transistor de efecto campo metal-

xido-semiconductor (MOSFET)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistores de efecto de campo de unin
(JFET)

Contactos hmicos
Drenador D

Regin de agotamiento

p n p Puerta G

Fuente S

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistor de efecto campo de unin (JFET)

a) G Puerta b) G

S p D S n D
n p
p n
Fuente Drenador

+VDD -VDD

IG IG
D D

G G
VG
VG
S S

Canal n Canal p
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Transistores de efecto de campo de
n p
D
S ID ID

p
VDD

G
unin

ID IDSS
Al aumentar la tensin entre
Drenador y Fuente VDS, la
intensidad ID aumenta, al tiempo
que se estrecha el pasillo debido
al incremento de la de las uniones
p-n y la ampliacin de la regin de
agotamiento.
El pasillo se cierra para VDS = VP;
tensin para la que ID deja de
aumentar.
VP Voltaje de estrechamiento
VDS
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Transistores de efecto de campo de unin
(JFET)

D D
p ID p
S n ID S n ID ID

p VDD p VDD
VGS=0
G G

Manteniendo nula la tensin entre la fuente y G, VGS, al aumentar la

tensin entre Drenador y Fuente VDS, la intensidad ID aumenta, al
tiempo que se estrecha el pasillo debido al incremento de la de las
uniones p-n y la ampliacin de la regin de agotamiento .

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Estrechamiento del canal
Para
VGS=0
Corriente de saturacin, IDSat
ID IDSS
Estrechamiento del canal,
aumento de la resistencia
Regin de comportamiento hmico
Voltaje de estrechamiento, VP
VP
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
D
S n ID p ID
p VDD
G
Al aumentar la tensin entre
Drenador y Fuente VDS, la
intensidad ID aumenta, al tiempo
que se estrecha el pasillo debido
al incremento de la de las uniones
p-n y la ampliacin de la regin de
VDS
agotamiento
El pasillo se cierra para VDS = VP
 Estrechamiento del canal
D
Con valores negativos de VGS el S n ID p ID
pasillo se cierra antes, siendo la
corriente de saturacin menor VDD
p

IDSS G
ID VGS= 0 V
VGS< 0

IDSat3
VGS= -1 V
2
VGS
IDsat = IDSS 1
VP
IDSat2 VGS= -3 V
IDSat1 VGS= -VP
VDS
VPP (para VGS=0)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 D
Intensidad de saturacin IDS=f(VGS) G

ID (mA) IDSS
VGS= 0 V

2
V
IDsat = 7,81 GS
5 5
VGS= -1 V

VGS= -2 V
VP
1
VGS= -3 V
VGS (V) -5 -4 -3 -2 -1 0 5 10 15 VDS (V)
VP = 5 V
VGS= -VP

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Transistor de efecto campo metal- Metal

xido-semiconductor (MOSFET)
S G D S G D
xido

Semiconductor
n n n n
p p

Metal
de enriquecimiento de agotamiento
Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de xido del semiconductor -
por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor. Posee cuatro electrodos:

Compuerta, gate en ingls, simbolizado con G; que se conecta a la placa metlica.

Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simtricos, que se internan en el sustrato.
Sustrato (Body), generalmente conectado elctricamente con la fuente.

D D D D

G sustrato G sustrato G sustrato G sustrato

p n p n

nMOS-FET pMOS-FET nMOS-FET pMOS-FET

de enriquecimiento
S de enriquecimiento
S de agotamiento
S de agotamiento
S

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

MOSFET de enriquecimiento n D

G sustrato
p

G S

Contactos metlicos

S D
SiO2

n n

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Formacin del canal en el MOSFET de D

enriquecimiento n G sustrato
p

VGS>VT G e- atrados por la puerta +

ID
S +++++++++++++
D
-----------------
n n

p VDS

Regin de agotamiento
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Formacin del canal en el MOSFET de D

enriquecimiento n G sustrato
p

VGS>VT G
ID
S +++++++++++++
D
-----------------
n n

p VDS

Al aumentar VDS, se estrecha el canal, alcanzndose la I de

saturacin, IDS
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 En ausencia de canal para VGS = 0, no hay corriente ID. Es necesario un valor
mnimo de voltaje umbral VT positivo de VGS para que se forme el canal.
Caracterstica MOSFET de Aumentando VGS aumenta el valor de la corriente de saturacin

enriquecimiento de canal n + VD + VG + VG + VDS=VDsat

+ VDS
G G D G D
S D S S
+ + + + + + + + + + +
n+ n+ n+ -- -- -- -- -- -- -- -- -- n+ n+ -- -- -- -- -- -- -- -- - n+

p p p

ID (mA) ID (mA)
VGS= 7 V

ID Sat = K (VGS VT )2
VGS= 6 V

VT VGS= 5 V
VGS= 4 V

1 2 3 4 5 6 7 8 VGS= VT VDS
Presentacin
V (V) por Jos Quiles Hoyo
GS
MOSFET de agotamiento n D

G sustrato
p

S
D

n n n

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 D
MOSFET de agotamiento n G sustrato
p

VGS = 0 G
ID
S
D
- - - - - - - - -n
--------
n n
VDS
p

Con VGS=0 ya existe canal y los e- del canal son

atrados porPresentacin
D por Jos Quiles Hoyo
 D

MOSFET de agotamiento n G sustrato

p

VGS < 0 G-
ID
S
D

- - - - - - - -n- - - - - - -
n ------------ n
+ + + + + + + + + + + + + + +
VDS
p

Con VGS<0, los e- del canal son repelidos hacia la zona p,

recombinndose con huecos. La corriente de saturacin
disminuye. Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Caracterstica MOSFET de agotamiento - VG + VDS=VDsat
+ VDS D
S G G D
D S
- - - - - - - G sustrato

n - - - - - - - - - p
n n n - - - - - - - - - n
+ + + +
p p S
de canal n

ID (mA) ID (mA)
2 VGS= 1 V
V
ID = IDSS 1 GS
Vp 10 10

IDSS
V
2 VGS= 0 V
ID = 81 GS
4
5 5
VGS= -1 V
VP
VGS= -2 V
VGS= -3 V
-4 -3 -2 -1 0 1 VGS (V) 5 10 15 VDS (V)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 Aplicaciones: circuitos lgicos
puertas AND y OR, lgica de diodos
Puerta AND con diodos Puerta OR con diodos
10 V

A
Vs

B Vs
R
R

1N914

1N914

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Del vaco al CMOS

1950: Abandono de las vlvulas de vaco y sustitucin

por transistores individuales

1960: Circuitos integrados en sustrato de silicio

1980: Transistores de efecto campo

1993: Tecnologa CMOS

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Aplicaciones: circuitos lgicos
tecnologa CMOS

Inversor (NOT)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 Aplicaciones: memorias RAM

BIT
DRAM Se almacena un 1 en la celda cargando el
D condensador mediante una VG en fila y VD en bit
G
La lectura se hace aplicando VG en fila y midiendo la
S corriente en la lnea bit

La lectura es un proceso destructivo. Hay que

FILA restaurar el valor ledo

SRAM

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Aplicaciones: memorias ROM

EPROM

MOSFET ROM

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Aplicaciones: CCD

CMOS sensor
CCD

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Aplicaciones: TFT

Estructura DRAM con celda

LCD i LED
RGB
Presentacin por Jos Quiles Hoyo