Desarrollo de Pruebas de Evaluación para MOSFET’s

Debido a la importancia que presenta el conocer los distintos parámetros que caracterizan el
funcionamiento de un MOSFET, se presentan a continuación una serie de pruebas que permitan
identificar dichos parámetros. Esto permitirá hacer una comparación con los datos presentes en la
hoja de dato del dispositivo y las medidas obtenidas a partir de las pruebas expuestas a
continuación.

Antes de exponer los métodos planteados para la determinación de los parámetros de

funcionamiento de un MOSFET, se necesita conocer cada uno de esos parámetros, por lo que
primeramente se definirá cada uno de estos y la importancia que tienen a la hora de la elección
de un MOSFET para una aplicación en específico.

 Parámetros de un MOSFET

Los MOSFET’s han tomado una parte central en el desarrollo de equipos electrónicos
encargados del manejo de potencia, esto debido a su facilidad de control en comparación con su
contraparte BJT, al mismo tiempo que presenta mejores características para su utilización como
un SWITCH.

A pesar de esto, se deben tomar distintos parámetros en consideración a la hora de elegir un

MOSFET para una aplicación dada. Siendo estos parámetros vitales para asegurar el correcto
funcionamiento del equipo diseñado y su durabilidad.

1. Voltaje de Rompimiento (BREAKDOWN VOLTAGE ): Denominado por las siglas BVDSS

representa el voltaje al que el transistor polarizado inversamente entra en un estado de
conducción entre el SOURCE y el DRAIN, implicando esto que se produjo un
rompimiento del diodo formado, debido a la polarización inversa del transistor, entre
SOURCE y DRAIN.
 Este valor de voltaje suele ser especificado por la hoja de datos para una corriente de
250µA, en el que ya la corriente de fuga IDSS entra en un proceso de avalancha,
produciendo de esta manera la conducción entre el SOURCE y el DRAIN a pesar de la
polarización inversa del dispositivo.

2. Resistencia de encendido: Denominada por las siglas RDS(ON), representa el valor de

resistencia presente en el canal formado a través del MOSFET bajo polarización directa.
Es la sumatoria de varios efectos resistivos presentes en cada una de las uniones que
conforman al MOSFET.

Este valor es vital para calcular parte de las pérdidas por conducción del MOSFET,
debido a que al ser un componente resistivo se tendrá una disipación de potencia en
función de la corriente media que pase a través del MOSFET, quedando estas perdidas
representadas por la ecuación PMOSFET = IRMS2 x RDS(ON) .

3. Transconductancia: Denominada por las siglas gfs, es una medida de la sensibilidad de la

corriente que pasa a través del DRAIN ID a cambios en la polarización del GATE y el
SOURCE. Este parámetro suele ser dado en las hojas de datos para un Vgs determinado,
que produzca la circulación de una corriente ID igual a la mitad de la corriente máxima
soportada por el dispositivo.

4. Voltaje de Umbral: Denominado por las siglas Vth, se define como el voltaje mínimo
necesario para crear una polarización entre el GATE y el SOURCE que permita la
formación de un canal de conducción entre el SOURCE y el DRAIN. Suele ser medido
para una corriente ID igual a 250µA.

5. Voltaje de Polarización Directa: Denominado por las siglas VF, representa el voltaje de
caída máximo, garantizado por el fabricante, a través del canal formado entre el
SOURCE y el DRAIN.
6. Disipación de Potencia: Definida por las siglas Pd, representa la potencia máxima que
puede disipar el MOSFET para que este llegue a su temperatura máxima permitida, este
valor se toma para una referencia de 25ºC.

7. Características Dinámicas: Estas son un número de características de importancia a la

hora de utilizar al MOSFET como un SWITCH. Estas representan el comportamiento que
presentará el MOSFET en este tipo de operación, quedando determinadas por el tiempo
requerido por las capacitancias internas del MOSFET para presentar cambios de voltaje.

Estas capacitancias están representadas por Ciss (capacitancia de entrada), Coss

(capacitancia de salida) y Crss (capacitancia de transferencia reversa). Todas estas
capacitancias se ven afectadas por la capacitancia MILLER del MOSFET, quedando
determinadas de la siguiente manera:

Ciss = CGS + CGD, CDS (cortocircuitada)

Crss = CGD
Coss = CDS + CGD

Donde CGD (capacitancia GATE-DRAIN) representa la capacitancia MILLER, esta es

una función no lineal del voltaje. Estas determinan el retraso de encendido (td (ON)) y de
apagado (td(OFF)) del MOSFET

8. Carga del GATE: Definida por las siglas QG, es una mejor medida para los diseñadores
de los parámetros de cambio de un MOSFET. Representa la carga necesaria en el GATE
del MOSFET para que este llegue a un estado de encendido. De este parámetro se
determina la cantidad de corriente que necesita proveer el DRIVER para poder encender
el MOSFET en el tiempo deseado.

9. Manejo de dV/dt: Este valor demuestra la capacidad que presenta el MOSFET para
manejar una tasa máxima de crecimiento de voltaje entre el DRAIN y el SOURCE. El no
tomar en cuenta al elegir un MOSFET su condición de dV/dt puede llevar a una falla
seria en el mismo.
 Pruebas a realizar al MOSFET

1. Medición de BVDSS

Fig. 1

 Procedimiento:
a) Variar fuente de entrada con Vgs = 0v
b) Variar fuente de entrada hasta que ID sea igual a 250µA
c) Medir el voltaje entre DRAIN y SOURCE, y se obtendrá el BVDSS

2. Medición de VTH:

Fig. 2

 Procedimiento:
a) Conectar una fuente de voltaje con un voltaje igual al Vgs especificado en
la hoja de dados del MOSFET
b) Colocar un resistor en serie de forma tal que ID sea igual a 250µA
c) Medir el voltaje entre DRAIN y SOURCE, y se obtendrá el VTH
3. Medición de RDS(ON):

Fig. 3

 Procedimiento:
a) Colocar pulsos de entrada con un ancho de 300µS y un D.C de 2%
b) Con el osciloscopio se mide VDS(ON) y tomando el valor de ID se calcula la
RDS(ON)
c) Se deben conectar las puntas de prueba lo mas cercano posible al voltaje
que se desea observar en el osciloscopio

4. Medición de Transconductancia:

 Procedimiento:
a) Colocar un voltaje de entrada igual a 0.5 veces el VDS nominal del
MOSFET
b) Utilizar una punta de prueba de corriente, y tomar valores de corriente
correspondientes a 0.015, 0.05, 0.15, 0.5 y 1.5 veces ID.
c) Graficar estos valores, y la pendiente obtenida corresponderá al valor de la
transconductancia
5. Medición de Características de Encendido y Apagado:

 Procedimiento:
a) Colocar en serie con el MOSFET la resistencia especificada en la hoja de
datos para realizar la medición de estos parámetros
b) Dar pulsos de encendidos al GATE lo suficientemente altos como para
poder encender el MOSFET, manteniendo un D.C de 0.1%
c) El circuito de prueba debe ser armado teniendo consideraciones de RF,
para evitar introducir valores parásitos que hagan la medición no fiable
d) En el osciloscopio se podrán observar todos los tiempos de transición y
realizar la correspondiente medición para cada una de las características de
encendido o apagado.