Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
2 Organización-Atómica PDF
2 Organización-Atómica PDF
Ronald Mrquez
Captulo 2
Organizacin Atmica
La estructura electrnica del tomo, que queda descrita por cuatro nmeros cunticos ayuda a
determinar la naturaleza de los enlaces atmicos y las propiedades fsicas y mecnicas de los
materiales.
a) Enlace metlico: encontrado en los metales, los electrones de valencia se mueven con
facilidad, en consecuencia, los metales son dctiles y tienen alta conductividad elctrica
y trmica.
b) El enlace covalente se encuentra en muchos materiales cermicos, semiconductores y
polmeros. Requiere que los tomos compartan electrones de valencia, los enlaces son
fuertes y altamente direccionales, haciendo que estos materiales sean frgiles y tengan
baja conductividad elctrica y trmica.
c) El enlace inico encontrado en muchos cermicos se produce cuando un tomo muy
electropositivo dona un electrn a otro muy electronegativo generando un anin y un
catin que se unen electrostticamente. Al igual que los materiales enlazados
covalentemente, estos tienden a ser frgiles y malos conductores.
d) Fuerzas de Van der Waals unen principalmente a molculas que tienen una distribucin
desigual de cargas o estn polarizadas. Son de naturaleza electrosttica y se encuentran
en polmeros termoplsticos.
La energa de unin est relacionada con la fuerza de los enlaces y es alta en materiales unidos
en forma inica o covalente. Los materiales con energa de unin alta normalmente tienen:
Estructura Cristalina
21
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
En los metales, algunas disposiciones atmicas permiten una excepcional ductilidad, mientras
que otras una gran resistencia.
Los transductores usados para producir una seal elctrica en un estreo deben a su estructura
cristalina la capacidad de producir cadas de carga permanente en el material.
Los diferentes comportamientos exhibidos por los polmeros como: gomas, plsticos y resinas
epxicas dependen de las diferencias en los arreglos atmicos.
En este captulo se describirn los arreglos atmicos tpicos que se encuentran en los materiales
slidos perfectos, as como tambin la nomenclatura para designar dichos arreglos.
Una vez conocidos estos aspectos, se estar preparado para entender como las imperfecciones
que existen en los slidos juegan un papel importante en la comprensin de la deformacin y
cambios que sufren muchos materiales.
Sin ordenamiento: como por ejemplo en los gases nobles en donde los tomos se ubican al azar
llenando completamente el espacio donde se encuentran confinados.
Ordenamiento corto: es caracterstico de los materiales que presentan arreglos atmicos que se
extienden desde un tomo en cuestin hasta su vecino ms cercano. Por ejemplo en el vapor de
agua el tomo de oxgeno est enlazado covalentemente a dos tomos de hidrgeno y fuera del
sistema que compone una molcula de agua no existe un arreglo especfico. Este tipo de
arreglo es caracterstico de polmeros y vidrios. En el polietileno es una cadena carbonada
donde cada tomo de carbono est unido a dos de hidrgeno. Un caso similar es el vidrio en el
cual cuatro tomos de oxgeno se unen a uno de silicio.
Estos materiales son considerados amorfos porque muestran buena resistencia y tenacidad
adems de comportamiento quebradizo. Adems se caracterizan por poseer un arreglo atmico
regular y predecible slo en una corta distancia (uno o dos espacios atmicos).
Los retculos varan de un material a otro tanto en tamao como en forma dependiendo del
tamao de los tomos y de los enlaces entre ellos. La estructura cristalina de un material se
refiere al tamao, forma y ordenamiento de los tomos en el retculo.
22
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Celda Unitaria: es la subdivisin del retculo cristalino que retiene todas las caractersticas del
mismo.
Los puntos reticulares se sitan en las esquinas de la celda y en algunos casos en los centros de
las caras o en el centro de la misma celda. Una celda unitaria queda denotada completamente
por los parmetros reticulares.
Los parmetros reticulares definen el tamao y la forma de una celda unitaria. Estos incluyen
las dimensiones de los lados de la celda y el ngulo entre ellos.
Por ejemplo, para la celda unitaria cbica simple. El parmetro reticular es la longitud de uno
de sus lados (ao). El ngulo y las dems aristas estn sobreentendidos. Esta longitud se expresa
en angstroms o nanmetros.
Celdas unitarias ms complejas requieren un mayor nmero de parmetros reticulares para ser
descritas. Por ejemplo, una celda unitaria ortorrmbica debe especificarse con tres parmetros
reticulares que son las dimensiones de los tres lados.
La mayora de los metales elementales alrededor del 90%, cristalizan en tres estructuras
cristalinas densamente empaquetadas:
Cbica centrada en el cuerpo BCC
Cbica centrada en las caras FCC
Hexagonal compacta HCP
La razn de que se presenten este tipo de estructuras es que los ordenamientos compactos
poseen menos energa.
En esta celda el tomo central se encuentra rodeado de 8 vecinos ms cercanos y se dice que
tiene un nmero de coordinacin de 8. Si se asla la celda unidad de esferas rgidas
obtendremos una celda con un equivalente de 2 tomos por celda.
23
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Nro de tomos
Volumen de cada tomo
Factor de empaquetamiento = celda
Volumen de la celda
4
Vatomos = 2 R 3 = 8,373R 3
3
3
4R
Vcelda = a =
3
= 12,32 R
3
3
8,373R 3
Factor de empaquetamiento= = 0, 68
12,32 R 3
En esta celda hay un punto reticular en cada vrtice del cubo y uno en el centro de cada cara
del cubo.
Figura FCC
1 1
8 en cada vertice + 6 en cada cara
8 2
4R
La relacin entre el radio y el parmetro de red es a =
2
Esta celda posee un factor de empaquetamiento de 0,74 igual que FCC. En esta estructura cada
tomo est rodeado de 12 tomos, por lo que el nmero de coordinacin es 12.
La celda unidad HCP tiene dos tomos asociados a cada punto reticular: uno en cada vrtice y
otro centrado dentro de cada celda. De esta manera se tienen
1 1 1
4 atomos centrados en la celda + 4 atomos en los vertices agudos + 4 en los vertices obtusos=2 at por celda
2 2 6
La estructura HCP est integrada por 3 celdas para dar un total de 6 at. La relacin c/a ideal es
aquella que resulte de esferas tan prximas como sea posible y vale 1,633.
24
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Los materiales que pueden tener ms de una estructura cristalina se llaman alotrpicos o
polimrficos. El trmino alotropa se reserva para este comportamiento en elementos puros,
mientras que polimorfismo es ms general. En la tabla se ve como el hierro y el titanio pueden
tener ms de una estructura cristalina; a bajas temperaturas el hierro es BCC pero a
temperaturas ms altas se convierte en FCC.
25
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
26
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
27
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Figura 15
28
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
29
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Coordenadas de puntos: se emplean para localizar las posiciones de los tomos en la red o
dentro de la celda unitaria. La distancia se mide en parmetros de red usando un sistema
cartesiano.
1. Usando el sistema de coordenadas ubique dos puntos que estn contenidos en esa
direccin.
2. Preste a las coordenadas del punto final las del inicial.
3. Reduzca las fracciones o resultados obtenidos a mnimos enteros, encierre los tres
nmeros entre corchetes y de haber algn negativo colquelo como una barra sobre el
nmero.
Los ndices de Miller para las direcciones tienen las siguientes caractersticas:
1. Una direccin y su negativo no son iguales, representan una misma lnea con
direcciones opuestas.
2. Una direccin y sus mltiplos son idnticas slo falto reducirlas a sus mnimos
enteros.
3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes. Sus ndices particulares dependen
de cmo se construyen las coordenadas. Estas pueden representarse como familias
de direccin encerrados entre parntesis angulares.
La densidad lineal es el nmero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una
direccin.
30
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Fraccin de empaquetamiento lineal = densidad lineal * Longitud ocupada por los tomos en la
direccin
Planos en la celda unitaria: algunos planos de tomos son significativos. Los metales se
deforman a lo largo de los planos de empaquetamiento ms compacto. La determinacin de los
ndices de Miller se hace de la siguiente manera:
1. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes coordenados. Si el plano
pasa a travs del origen el origen debe moverse.
2. Tome los recprocos de las intersecciones.
3. Elimine las fracciones pero no reduzca a mnimos enteros.
4. Encierre los nmeros resultantes entre parntesis ( ). Los nmeros negativos se escriben
con una barra.
Para demostrar lo anterior se recurre a la densidad planar: es el nmero de tomos por unidad
de superficie cuyo centro est sobre el plano. De la misma forma, la fraccin de
empaquetamiento, es el rea sobre el plano cubierta por tomos.
3. Para una celda unitaria los planos de una familia se representan encerrndolos entre
llaves { }
ndices de Miller para celdas unitarias hexagonales: El sistema usa cuatro ejes en lugar de
tres con un eje redundante. El procedimiento para localizar los ndices de los planos requiere
cuatro intersecciones.
Distancia interplanar: la distancia entre dos planos de tomos, paralelos y adyacentes con los
mismos ndices de Millar se conoce como distancia interplanar. La distancia interplanaar para
materiales cbicos est dada por:
ao
d hkl =
h + l2 + k2
2
31
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Sitios intersticiales
En cualquiera de las estructuras que han sido descritas, existen pequeos huecos entre los
tomos de la red que pueden ser ocupados por tomos ms pequeos. Estos espacios se
conocen como sitios intersticiales.
El tomo intersticial tiene un nmero de coordinacin igual al nmero de tomos que toca.
Existe el sitio cbico con un nmero de coordinacin de 8, el tetradrico con nmero de
coordinacin de 4 y el octadrico con nmero de coordinacin de 6.
Cuando un haz monocromtico con una longitud de onda del mismo orden de magnitud que los
espacios interatmicos del material golpea al mismo se produce la dispersin de la mayor parte
de la radiacin.
Sin embargo, los rayos x que golpean los planos cristalogrficos en ngulos especficos se ven
reforzados en vez de eliminados. Este refuerzo ocurre siempre que las condiciones satisfagan la
Ley de Bragg
sen( ) =
2d hlk
es la mitad del ngulo de difraccin, es la longitud de onda de los rayos empleados, dhlk es
la distancia interplanar del refuerzo constructivo del haz.
Cuando el material se prepara en forma de polvo fino, siempre habrn algunas partculas de
polvo cuyos planos h, k, l, queden orientados en el ngulo para satisfacer la ley de Bragg.
2
sen(2 ) =
4ao 2 (h 2
+ k2 + l2 )
sen 21
BCC (1 1 0) y (2 0 0) = 0,5
sen 2 2
32
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
sen 21
FCC (1 1 1) y (2 0 0) = 0, 75
sen 2 2
33
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Figura 21 La secuencia de apilamiento ABCABCABC de los planos compactos produce la estructura FCC
34
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Figura 24 Localizacin de los sitios intersticiales en celdas unitarias cbicas, solo se muestran sitios representativos
35
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Figura 27 Estructura del cloruro de sodio, una celda unitaria CCC con dos iones (Na+ + Cl-) por punto de red
36
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Figura 28 Izq. La estructura cristalina de espinel del MgAl2O4. Der. La estructura cristalina de perovsquivita del CaTiO3
37
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Figura 29 (a) Celda unitaria tetradrica y (b) estructura cbica de diamante (blenda de zinc).
Figura 30 Los tetraedros de silicio-oxgeno y su combinacin para formar la cristobalita del slice
Figura 31 Izq. Estructura del cuarzo, mostrando la red tridimensional de tetrahedros de SiO4. Der. Vista superior de una
estructura laminar de silicato que resulta de la unin de tres vrtices del tetraedro de SiO4.
38
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
(A)
(B)
(C)
Figura 32 Estructura del polietileno. (A) Celda unitaria del polietileno cristalino. (B) Vista superior. (C) Microfotografia de
cristales de polietileno
Figura 33 Izq. Representacin esquemtica de ordenamiento de cadenas que llevan a la formacin de cristales lquidos y
arreglos de cristales que forman esferulitas. Der. Microfotografa de polarizadores cruzados de polietileno mostrando la
estructura esferultica.
39
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez
Figura 34 Ley de Bragg:Izq. Difraccin de luz lser. Der. ngulo de difraccin y distancia entre planos
Figura 35 Densidad de
materiales (Mitchell, 2004)
40