Resistividad elctrica y Efecto Hall en pelculas delgadas

de ZnO depositadas por evaporacin reactiva

Hall effect and electrical resistivity of ZnO thin films deposited
by reactive evaporation

Fredy Giovanni Mesa Rodrguez, Ph.D.1*, Carlos Andrs Arredondo Orozco, Ing. PhD (c)2

1
Docente Investigador Departamento de Ciencias Bsicas, Facultad de Ingeniera, Universidad Libre, Bogot-Colombia. * fgmesar@unal.edu.co.
2
Docente Investigador Facultad de Ingeniera Electrnica y Biomdica, Universidad Antonio Nario, Bogot-Colombia; Departamento de Fsica, Universidad
Nacional de Colombia, Bogot-Colombia. caarredondoo@unal.edu.co.

Fecha de recepcin del artculo: 14/10/2010: Fecha de aceptacin del artculo: 26/01/2011

Resumen It was established that the best figure of merit

La investigacin del presente trabajo muestra
que el parmetro de mayor influencia sobre la
figura de mrito de pelculas delgadas de ZnO
depositadas por el mtodo de evaporacin
reactiva, es el contenido de oxigeno en la cmara
de preparacin. Se establece que la mejor figura
de mrito est definida en trminos de resistividad
y de transmitancia espectral, con contenido de
oxigeno correspondiente a una presin parcial de
0.3 mbar. La muestras presentan simultneamente
alta transmisin (>80%) y conductividad (>103
W-1cm-1) adecuadas para ser usadas como contacto
elctrico transparente en celdas solares. El especial
nfasis esta dedicado a la determinacin de la
resistividad elctrica y concentracin de portadores
de carga a travs del mtodo de van der Pauw.
defined in terms resistivity and the transmittance,
is achieved for oxygen contents corresponding to a
partial pressure of around 0.3 mbar. This samples
present simultaneously high transmission (>80%)
and high conductivity (>103 (cm)1), which make
them adequate for being used as transparent electric
contact in thin film solar cells. Special emphasis
was devoted to the determination of the electrical
resistivity and carrier density by van der Pauw method.
Keywords
ZnO, thin films, reactive evaporation, Hall effect,
electrical resistivity.
Introduccin

Palabras clave El xido de zinc (ZnO) es un material

Abstract
In this work, results about theconcerning of the
most influential parameter on the figure of merit
of ZnO thin films deposited by the reactive
evaporation method are showed. This parameter is
the content of oxygen in the preparation chamber.
semiconductor tipo n que presenta muy buenas
propiedades pticas, elctricas y piezoelctricas;
stas hacen que este material sea utilizado en la
fabricacin de mltiples dispositivos electrnicos,
optoelectrnicos, mecnicos y fotovoltaicos [1,2].
Pertenece a grupo II-IV con estructura tipo wurzite
y puede depositarse en forma de pelcula delgada
por diferentes tcnicas [3,4], y como resultado, se
presentan pticamente transparentes en el espectro
visible y elctricamente conductoras.

AVANCES Investigacin en Ingeniera 13 (2010) 15

 En este trabajo se hace nfasis en la utilizacin de este
material depositado por el mtodo de evaporacin
reactiva (en atmsfera de oxgeno) como contacto
elctrico transparente de celdas solares, ya que Sustrato
depositado en forma de pelcula delgada presenta alta Obturador
transmitancia (@80% - 90%) y altas conductividades
+V
elctricas (mayores de103 (Wcm)-1). El uso del ZnO Electrodos
como contacto transparente conduce a un aumento V
significativo de la fotocorriente generada en la
celda solar y por consiguiente en la eficiencia de I
conversin del dispositivo. En particular se estudia Celda Knudsen
Zn O2
el efecto de la presin parcial de oxgeno sobre las I
propiedades elctricas del ZnO a travs de medidas
de transmitancia espectral, efecto Hall y de la Figura 1. Equipo para depositar pelculas delgadas
resistividad elctrica. de ZnO por evaporacin reactiva.

Experimental Tabla 1. Lista de parmetros usados en la preparacin

Las pelculas delgadas de ZnO fueron depositadas
a temperatura ambiente en sustrato de vidrio
tipo soda-lime a travs de una reaccin qumica
entre el Zinc ionizado y el oxigeno: Zn+-1e +
O-+ 1e ZnO. Inicialmente, en la cmara de
deposicin la presin es de alrededor 1x10-3 mbar
y secuencialmente, se introduce el oxigeno en la
cmara hasta presurizarla, en donde es utilizado un
control electrnico, permitiendo crecer pelculas
delgadas de ZnO manteniendo el vaco. El zinc
es suministrado por evaporacin, utilizando una
celda Knudsen, tal como lo ilustra la Figura 1, la
ionizacin de especies reactantes es obtenida a
travs de una descarga elctrica.
Primero, nosotros encontramos condiciones de
preparacin para el crecimiento de pelculas de ZnO
presentando simultneamente alta conductividad y
alta transmitancia en la regin del espectro visible.
En la Tabla 1 se encuentran los parmetros de
pelculas de ZnO transparentes y conductoras.
Las medidas de transmitancia se realizaron
usando el Perkin Elmer Spectrophotometer. La
concentracin de carga y la movilidad Hall son
calculadas a travs de medidas de coeficiente Hall
y conductividad elctrica usando un equipo basado
en Keithley Hall Effect Card model 7065.
de pelculas delgadas de ZnO por evaporacin reactiva.
Valores de
Parmetros de deposicin
parmetros
Corriente de iones (mA) 2
Temperatura de evaporacin del Zn C) 540-560
Presin de O2 (mbar) 0.15-0.35
Separacin Electrodos (cm) 3
Espesor de las pelculas (nm) 570-838
Resultados y discusin
Las pelculas delgadas de ZnO preparadas durante
el presente trabajo se usan como contacto elctrico
transparente en celdas solares, por lo tanto se
requiere que stas sean altamente transparentes
y conductoras. Generalmente el aumento en
conductividad va acompaado de una disminucin
en la transmitancia de las pelculas delgadas de
ZnO, por consiguiente se acostumbra a usar una
figura de mrito F para definir la calidad de las
pelculas de ZnO, la cual est dada por el cociente
de la transmitancia y la resistitividad elctrica
(F=Transmitancia / Resistitividad) [5]. La mayora
de los parmetros de deposicin afectan la figura
de mrito; sin embargo, el parmetro que ms

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fuertemente la afecta es la cantidad de oxgeno
usado durante la descarga elctrica, el cual est 1

determinado por la presin parcial de oxgeno

dentro de la cmara de deposicin del ZnO.
0.8

La Figura 2, muestra el efecto de la presin parcial

de oxigeno sobre la transmitancia de las pelculas

Transmitancia
depositadas usando los parmetros indicados en la
0.6

Tabla 1.
0.4
Se observa que la presin parcial de oxigeno afecta
significativamente la transmitancia, especialmente 0.15mbar(ZnOF1)
en las regiones azul y verde del espectro visible. 0.2 0.25mbar(ZnO72)
Las pelculas de ZnO preparadas a grandes
presiones de oxigeno presentan alta transmitancia 0.35mbar(ZnO93)
en la regin espectral correspondiente a la 0
azul, indicando que en este tipo de muestras la 350 550 750 950
absorcin de los fotones es asociada a transiciones  (nm)

fundamentales y existencias de bandas de

absorcin dentro del gap. Figura 2. Efecto de la presin parcial de oxgeno
sobre la transmitancia espectral.
En la Figura 3, se observa el efecto de la presin
parcial de oxigeno sobre la resistividad.

Los resultados de r vs T de las muestras 3.0E-03

ZnO-F1 y ZnO-93 son atpicos para un material

Resistividad (Ohm x cm)

2.5E-03

semiconductor degenerado como el ZnO ya que 2.0E-03 ZnO72

lo normal es que la resistividad no disminuya al 1.5E-03
ZnOf1
aumentar la temperatura debido a que todas las ZnO93

impurezas estn ionizadas a cualquier temperatura.

1.0E-03

Por consiguiente, la disminucin de la resistividad 5.0E-04

que presentan las muestras F1 y 93 al aumentar 0.0E+00

la temperatura por encima de 400K podra ser

70 170 270 370 470 570 670
Temperatura (K)
atribuida a un aumento de la concentracin de
portadores causado por excitacin trmica de
portadores atrapados en estados dentro de las Figura 3. Variacin de la resistividad en dependencia
fronteras de grano durante la preparacin de las de la temperatura de pelculas delgadas de ZnO
muestras hacia la banda de conduccin. depositadas a diferentes presiones parciales de O2

A altas temperaturas todas las tres muestras

presentan resistividades similares indicando que
la resistividad de pelculas delgadas de ZnO
depositadas por evaporacin reactiva est afectada
bsicamente por la concentracin de portadores
libres causadas por vacancias de oxgeno y por la
densidad de portadores atrapados en estados de
frontera de grano [6].
Por otra parte, las medidas de efecto Hall son
importantes para la caracterizacin de materiales
semiconductores, por eso a partir de medidas de
voltaje Hall se obtiene la densidad de portadores
de carga, la movilidad y el tipo de conductividad
elctrica [7,8]. Cuando es aplicado un campo

AVANCES Investigacin en Ingeniera 13 (2010) 17

 magntico, se mide el voltaje Hall usando la
configuracin mostrada en la Figura 4.
A partir de las 8 mediciones de voltaje Hall, el
coeficiente Hall se calcul de la siguiente manera:
(1) d (V4  2  V 2 4   V 2 4  V 4 2  )
R HC 
BI
d (V31  V1 3  V1 3  V31 )
(2) R HD  fundamentalmente por una alta concentracin de
BI
Donde RHC y RHD son los coeficientes Hall, V
representa los voltajes medidos, I la corriente que
pasa a travs de la muestra y B el campo magntico.
El coeficiente Hall promedio es calculado por
(RHC+ RHD)/2.
Los resultados obtenidos para la concentracin de
portadores de carga son observados en la Tabla 2.
Se observa que las altas conductividades
elctricas de las pelculas de ZnO son causadas
portadores libres generados mediante vacancias de
oxgeno, ya que este tipo de material no es dopado
extrnsecamente. En general, un aumento de la
presin de oxgeno da lugar a un aumento de la

Figura 4. Esquema de las ocho configuraciones de medicin del voltaje Hall por el mtodo de van der Pauw.

Tabla 2. Efecto de la presin parcial de oxgeno sobre las propiedades electricas de pelculas delgadas de ZnO.

Muestra PO2 (mbar) r (W x cm) N (cm-3) fig. merito f = (T/r)

ZnOF1 0.15 2.7x10-3 1.51x1019 259.2
ZnO72 0.25 3.4x10-4 1.60x1020 2441.1
ZnO93 0.35 6.4x10-4 3.40x1019 1468.7

18 AVANCES Investigacin en Ingeniera 13 (2010)

transmitancia en el azul. A presiones del orden de
0.35 mbar se logran transmitancias muy altas en el
azul (94%); sin embargo, la mejor figura de mrito
se obtiene a presiones del orden de 0.25 mbar
porque a estas presiones se obtienen los mnimos
valores de conductividad. Los valores de movilidad
de las pelculas de ZnO son relativamente bajos por
el carcter degenerado de este tipo de muestras, el
transporte de portadores es fuertemente limitado
como consecuencia de la interaccin de estos con
impurezas ionizadas.
Conclusiones
Se encontraron las condiciones de deposicin para
preparar pelculas delgadas de ZnO altamente
transparentes y conductoras por el mtodo de
evaporacin reactiva. Los estudios revelan que: el
contenido de oxigeno en la reaccin, es un parmetro
de crecimiento de pelculas delgadas de ZnO que
presentan alta transmitancia y alta conductividad
en la regin visible. Estos resultados hacen que
estas pelculas sean usadas como contacto elctrico
transparente en dispositivos fotovoltaicos.
El mejor funcionamiento de estas pelculas,
determinado por la figura de merito, se encontraron
para pelculas de ZnO preparadas con parmetros:
presin de O2 alrededor de 0.3 mbar, temperatura
de evaporacin de Zn en 550 C, corriente de
iones en 2 mA. Se presentan pelculas delgadas
con transmitancia del 85% y resistividades del
orden de 6.4 x104 Wcm. Pelculas depositadas
a bajas presiones de O2 de 0.2 mbar presentan
una disminucin de la transmitancia en la regin
espectral del azul y el verde.
Agradecimientos
Este trabajo fue realizado en la Universidad
Nacional de Colombia en colaboracin con el
grupo de Materiales Semiconductores y Energa
Solar, y nuestro especial agradecimiento al profesor
Gerardo Gordillo. Tambin agradecemos el apoyo
brindado por la Universidad Libre (sede Bogot) y
la Universidad Antonio Nario (sede Bogot).
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