CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

CAPTULO 2

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA

2.1) EL DIODO DE POTENCIA.

+++
P

N
---

a) b) c) d)

Fig.2.1.: Diodo semiconductor: a) estructura; b) smbolo; c) caracterstica v-i; d)

caracterstica v-i ideal.

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.8

CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.2) EL TIRISTOR.
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
A

+++
P

N
---
+++
G P

N
---

b)
K

a)

c) d)

Fig.2.2.: Tiristor: a) estructura; b) caracterstica v-i; c) smbolo; d) caracterstica v-i ideal.

i
A

i
iG1 iG2 iG3 IL
iG
IH iG = 0
v
v
iG1 > i G2 > i G3

Fig.2.3.: Tiristor con corriente en el gate.

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.9

CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.2.1)Ejemplo de funcionamiento de un tiristor.

vAK vd
iG id
id

vS R vd

Fig.2.4.: Funcionamiento de un tiristor.

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.10

CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.3) EL TRIAC.
Triode Alternating Current Switch

A1 i
Conduccin i
i
Conduccin

iG Bloqueo IH iG = 0 Corte
v v
G v

A2

a) b) c)

Fig.2.5.: Triac: a) smbolo; b) caracterstica v-i; c) caracterstica v-i ideal.

2.4) EL TRANSISTOR BIPOLAR.

Bipolar Junction Transistor (BJT)

a) b) c)

Fig.2.6.: Transistor bipolar NPN: a) smbolo; b) caracterstica v-i; c) caracterstica

v-i ideal.

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.11

CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

a) b)

Fig.2.7.: Transistor bipolar; a) Darlington; b) triple Darlington.

2.5) EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

a) b) c)

Fig.2.8.: Transistor de efecto de campo canal N; a) smbolo; b) caracterstica v-i; b)

caracterstica v-i ideal.

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.12

CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.6) EL TIRISTOR APAGADO POR EL GATE.

Gate Turn Off Thyristor ( GTO )

a) b) c)

Fig.2.9.: GTO: a) smbolo; b) caracterstica v-i; c) caracterstica v-i ideal.

2.7) EL TRANSISTOR IGBT.

a) b)

c) d)
Fig.2.10.: IGBT: a) smbolo; b) circuito equivalente; c) caracterstica v-i; c) caracterstica
v-i ideal.

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.13

CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.8) COMPARACIN DE SEMICONDUCTORES

CON CAPACIDAD DE CORTE.
Elemento Potencia Rapidez de conmutacin
MOSFET Baja Alta
BIPOLAR Media Media
IGBT Media Media
GTO Alta Baja

Fig.2.11.: Capacidad de semiconductores de potencia. Estado al ao 1995 (aprox.).

2.9) CLASIFICACIN DE SEMICONDUCTORES

SEGN SU CONTROLABILIDAD.
DIODOS: Paso al estado de couccin (ON) y al estado de corte (OFF) controlado por el
circuito de potencia.

TIRISTORES: Paso a conduccin (ON) mediante pulso de control. Paso al estado de corte
(OFF) controlado por el circuito de potencia.

INTERRUPTORES CONTROLADOS: Paso a conduccin (ON) y a corte(OFF)

mediante pulsos de control

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.14

CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Fig.2.12.: Diferentes tipos de semiconductores.

Fig.2.13.: Diferentes tipos de semiconductores.

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.15

CAPTULO 2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

IGBT. 1200 [V] / 10 [A]. IGBT. 1200 [V] / 400 [A].

2 IGBTS 1200[V] / 150 [A]. INVERSOR TRIFSICO.

INVERSOR RECTIFICADOR Y CHOPPER DE FRENADO.

Fig.2.14.: Diversos semiconductores de potencia.

ELECTRNICA INDUSTRIAL Pg.16