sCMOS

Tecnologa cientfica CMOS

Un avance de imgenes de alto rendimiento

White Paper: Dr. Colin Coates, Andor Technology

Dr. Boyd Fowler, Fairchild Imaging

Dr. Gerhard Holst, PCO AG

16 June 2009 www.scmos.com

Contenido

1.Los detectores de imgenes de hoy en da Pg. 3

1.1-CCD y EMCCDs de la Pg. 3

1.2-Sensores de imagen de CMOS (CIS) Pg. 5

1.3-Sensores hbridos de imagen CCD/CMOS Pg. 5

2-Tecnologa cientfica CMOS Pg. 6

2.1-SCMOS-una nueva generacin de CIS cientficos Pg. 6

2,2-Sin compromiso Pg. 6

2.3-Una visin de la arquitectura CMOS Pg. 7

2.4-Rolling vs global (instantneas) modos de obturacin Pg. 9

2.5-SCMOS comparada con otras tecnologas de imagen cientfica lderes Pg.9

Resumen Pg.14
Introduccin

Desde su creacin, la tecnologa sensor de imagen CMOS (CIS) ha tenido un gran potencial para
convertirse en la plataforma de deteccin de la eleccin para muchas aplicaciones de imgenes
cientficas. Estos exigentes campos requieren una combinacin nica de sensibilidad, velocidad,
rango dinmico, resolucin y campo de visin.

Aunque la tecnologa CIS ha mejorado de forma constante, no se ha dado cuenta plenamente

de su potencial, con CCD, y ms recientemente EMCCD, los detectores siguen siendo las
plataformas de eleccin para la mayora de las aplicaciones de imgenes cientficas de alta gama.
En este trabajo presentamos SCMOS, una tecnologa innovadora basada en las tcnicas de
diseo y fabricacin de la prxima generacin de CIS. sCMOS est preparado para un amplio
reconocimiento como un CIS de verdadero grado cientfico, capaz de superar a la mayora
dispositivos de imgenes cientficas en el mercado hoy en da.

A diferencia de generaciones anteriores de CMOS y sensores basados en CCD, sCMOS es

excepcionalmente capaz de ofrecer simultneamente

Ruido extremadamente bajo

Velocidades de cuadro rpidas

Amplio rango dinmico

Alta eficiencia cuntica (QE)

Alta resolucin

Gran campo de visin

1- Detectores de imgenes de hoy

Muchas aplicaciones de imgenes cientficas exigen sensores de plano focal de mltiples

megapxeles que pueden funcionar con muy alta sensibilidad y amplio rango dinmico.
Adems, a menudo es deseable que estos sensores sean capaces de ofrecer velocidades de
fotogramas rpidas para capturar eventos dinmicos con alta resolucin temporal. A
menudo hay un fuerte elemento de exclusividad mutua en estas demandas. Por ejemplo, es
factible que los CCD logren menos de 3 electrones de ruido de lectura RMS, pero debido a
la naturaleza de lectura en serie de los CCD convencionales, este rendimiento se produce a
expensas de la velocidad de fotogramas. Esto es especialmente cierto cuando el sensor tiene
varios megapxeles de resolucin. Por el contrario, cuando los CCD se llevan a velocidades
de fotogramas ms rpidas, se pierde la resolucin y el campo de visin (es decir, menos
pxeles por fotograma para leer) o para leer el ruido y el rango dinmico es dificultoso.

A modo de Ilustracin, consideremos hoy en da una de las tecnologas de CCD cientfico con
luz delantera ms populares y de alto rendimiento lnea CCD. Estos dispositivos son
capaces de leer en 20Mpixel/s por puerto de salida con un ruido de lectura respetable de
slo 5 a 6 electrones RMS. A esta velocidad de lectura
un sensor de un solo puerto de 1.3 megapxeles puede
lograr 11 cuadros / s. El uso de micro lentes asegura que la mayora de los fotones incidente
se dirigen lejos del escudo de metal y en el rea de silicio activo para cada pxel resultando
en pico QE mayor de 60%.

El alto rendimiento combinado con bajo costo ha hecho a la lnea CCD una opcin muy
popular para los usos tales como microscopia de la clula de la fluorescencia, deteccin de
la luminiscencia y visin de mquina. Sin embargo, incluso 5 a 6 e-ruido es demasiado alto
para muchas aplicaciones cientficas de poca luz. Por ejemplo, cuando se hace una imagen
de la dinmica de las clulas vivas, es necesario limitar la cantidad de luz de excitacin de
fluorescencia, de manera que se minimice la mortalidad de las clulas y la foto blanqueo de
los colorantes fluorescentes.

El uso de la excitacin ms baja de la energa da lugar a una seal fluorescente proporcional

ms baja de la emisin de la clula. Tambin la imagen dinmica rinde tiempos de exposicin
ms cortos por fotograma, por lo tanto, menos fotones por fotograma.

Las condiciones ultra bajas de la luz significan que el piso ledo del ruido puede convertirse
en a menudo el lmite dominante de la deteccin, comprometiendo seriamente la relacin
de la seal-a-ruido total (SNR) y por lo tanto la capacidad de contrastar las caractersticas
estructurales finas dentro de la clula. Como tal, la incapacidad de mantener un bajo nivel
de ruido a velocidades de lectura ms rpidas limita la flexibilidad general de la cmara CCD.
El electrn que multiplicaba el CCD (EMCCD) fue introducido en el mercado en 2000 y
represent un salto significativo adelante en tratar la exclusividad mutua de la velocidad y
del ruido segn lo discutido arriba.

Las cmaras EMCCD emplean un mecanismo de amplificacin en chip llamado "ionizacin

de impacto" que multiplica los fotoelectrones que se generan en el silicio. Como tal, la seal
de un solo fotn puede amplificarse por encima del piso de ruido de lectura, incluso a
velocidades de lectura rpidas y de varios MHz. Es importante destacar que esto hace que
el EMCCD sea capaz de sensibilidad de un solo fotn a velocidades de fotogramas rpidas
(por ejemplo, 30 fotogramas/s con un array 512).
Este atributo ha ganado rpidamente el reconocimiento de la tecnologa EMCCD en las
exigentes mediciones de poca luz, como la deteccin de una sola molcula. Sin embargo, a
pesar de la sensibilidad bajo condiciones extremadamente bajas de la luz, hay algunas
inconvenientes restantes de la tecnologa de EMCCD. El mecanismo de amplificacin
necesario para reducir el ruido de lectura eficaz a < 1E-, tambin induce una fuente de ruido
adicional llamada ruido multiplicativo.

Las aplicaciones de sCMOS incluyen:

Microscopa de clulas vivas

Velocmetro de imgenes de partculas (PIV)
Deteccin de molcula individual
Microscopa de sper resolucin
Microscopa TIRF / guas de onda
Microscopio confocal de disco giratorio
Secuenciacin del genoma (2da y 3ra gen)
FRET
FRAP
Astronoma / imgenes afortunadas
ptica adaptable
Astronoma solar
Espectroscopa de fluorescencia
Bio- y Chemi - luminiscencia
Alto contenido de deteccin
Inspeccin fotovoltaica
tomografa de rayos X
Oftalmologa
Citometra de flujo
Lectura de biochip
Visin de mquina
TV / Difusin
Imgenes espectrales (hiper-espectrales)
Espectroscopia de descomposicin inducida por lser (LIBS)

Esto efectivamente aumenta el ruido de disparo RMS de la seal por un factor de 1,41, que
se manifiesta en las imgenes como un aumento en el pxel a pxel y el marco para enmarcar
la variabilidad de las seales de luz baja.
El efecto neto del ruido multiplicativo es que la imagen adquirida tiene una proporcin de
seal a ruido disminuida, hasta el punto de que se puede pensar que la FC del sensor ha sido
efectivamente reducida por un factor de dos. Por ejemplo, un QE -realzado detrs-iluminado
EMCCD con 90% QE tiene efectivamente 45% QE cuando se consideran los efectos del ruido
multiplicativo.
Tambin deben tenerse en cuenta las limitaciones de rango dinmico de EMCCDs.
Es posible lograr un rango dinmico respetable con un gran pixel (13 a 16m pxeles de
tamao) EMCCD, pero slo a velocidades de lectura lenta. Como tal, el rango dinmico ms
alto slo puede alcanzarse a velocidades de fotogramas ms lentas (o con un tamao de
matriz reducido) con ajustes de ganancia em modestos. La aplicacin de ajustes de ganancia
em ms altos resulta en el rango dinmico que se est agotando ms. El coste del sensor de
 la tecnologa de EMCCD es una consideracin adicional, junto con la restriccin prctica en
la resolucin y el campo visual que acompaa el coste del sensor.
En la actualidad, el mayor sensor EMCCD disponible en el mercado es un dispositivo de 1024
x 1024 pxeles con una inclinacin de pxel de 13m, que representa un rea de sensor de
13,3 x 13.3 mm. Esto ya conlleva una importante prima de costos, lo que hace que la
expansin de los dispositivos de mltiples megapxeles sea una propuesta costosa.
Adems, con el fin de mantener una velocidad de fotogramas muy rpida de EMCCDs de
mltiples megapxeles, la arquitectura de lectura de varios puertos tendr que ser
implementada, que en s lleva una prima de costo.
Finalmente, los sensores EMCCD requieren un considerable consumo de energa para
operar, y a menudo se necesita un grado razonable de enfriamiento termoelctrico para
hacerlos efectivos, haciendo que la tecnologa EMCCD sea impracticable para varios usos
especficos de baja imagen de luz para que esto es un factor.

Figure 1: QE curva entre 400 1000nm del sensor sCMOS de iluminacin frontal (microlente). Tenga en cuenta que
la respuesta verde y roja/NIR est bien mejorada.

1.2 - Sensores de imagen CMOS (CIS)

Los sensores de imagen CMOS son similares a los sensores CCD, en la medida en que son
dispositivos semiconductores con reas fotosensibles en cada pxel que convierte los
fotones incidentes en electrones. Aunque la tecnologa del sensor de imagen CMOS fue
desarrollado en la dcada de 1960, los CCD tienen dominado el mercado de sensores de
imagen desde principios de 1970 No fue hasta el mediados de los 90 que la atencin sera
una vez enfocada de nuevo en el sensor de imagen CMOS desarrollo. Este trabajo fue
alimentado en gran parte por los cada vez ms demandas de imgenes de alto volumen
mercados de consumo como videocmaras, cmaras digitales fijas, telfonos celulares,
visin artificial y automotriz.

Adems, mejoras en CMOS los procesos de fabricacin permitieron rpidamente CIS para
ganar terreno en los CCD en muchas reas incluida la velocidad y el ruido de lectura. En
trminos generales, sin embargo, y a pesar algunos avances innegablemente rpidos sobre
la ltima dcada, el rendimiento "tradicional" de CIS en general ha sido peor que los CCD y
su aceptacin en los mercados cientficos ha sido limitado debido a una reputacin de
 ruido de lectura inaceptablemente alto y oscuro factores de relleno actuales, menores, y
una mayor falta de uniformidad. Estos son todos los inconvenientes de que nuestro nuevo
La tecnologa sCMOS ha sido especficamente diseado para superar

Figura 2: primera imagen tomada con el nuevo sensor sCMOS de 5,5 megapxeles

1.3 - Imagen CCD / CMOS hbrida Sensores

En los ltimos cinco o seis aos, alguna cantidad de esfuerzo de desarrollo tiene entr en el
diseo y fabricacin de dispositivos hbridos CCD / CMOS. Estas han sido concebidas para hacer
coincidir la imagen tradicionalmente de alta fidelidad rendimiento de los CCD con la lectura

capacidades de velocidad de CMOS.Se incluye una matriz hbrida de plano focal de circuitos
integrados de lectura CMOS (ROIC) que estn unidos a un CCD sustrato de imagen. Aplicando
una columna paralela arquitectura de lectura, la velocidad v/s limitaciones de ruido de un
convencional

CCD se puede superar. Los principales problemas con la tecnologa hbrida

son los gastos de diseo y fabricacin, y la limitacin de ruido causada por el silicio a la
capacitancia del golpe de silicio. Como se mostrar en la pgina siguiente, la tecnologa sCMOS
ahora puede entregar todo lo que hbrido CCD / CMOS la tecnologa prometi entregar y ms,
haciendo que la ltima tecnologa sea menos deseable, debido a la complejidad innecesaria y
gasto
2 - Tecnologa cientfica CMOS

2.1 - sCMOS - Una nueva generacin de cientfico CIS

Recientemente, hemos sido pioneros en tecnologa de sensor de imgenes de vanguardia que

se basa en una nueva generacin de CMOS diseo y tecnologa de proceso. Este tipo de
dispositivo tiene un avanzado conjunto de caractersticas de rendimiento que rinde es
totalmente adecuado para alta fidelidad, medida cientfica cuantitativa. Scientific CMOS
(sCMOS) puede ser considerado nico en su capacidad para entregar simultneamente en
muchas llaves parmetros de rendimiento, superacin la "exclusividad mutua" que era anterior
discutido en relacin con los cientficos actuales estndares de tecnologa de imgenes, y
erradicar los inconvenientes de rendimiento que tradicionalmente han sido asociados con CIS
convencional. A modo de comparacin, el ruido ms bajo CCD interlineales, leyendo solo 1.3
megapxeles a ~ 16 fotogramas / s lo haran con ~ 10 electrones leen el ruido Mayor velocidad
est disponible a travs de seleccin de sub-ventanas de 'regin de inters', de modo que el
campo de visin puede ser intercambiado para alcanzar extremos resolucin temporal. La Tabla
1 a continuacin muestra tasas de fotogramas que se pueden esperar de una serie de tamaos
de sub-ventanas, tanto en persiana enrollable y modos de obturador globales de operacin (las
distinciones entre estos dos modos se explican ms adelante en este papel). Tenga en cuenta
que cada una de las sub-ventanas se puede expandir a todo el ancho en la direccin horizontal
y an mantener la misma velocidad de cuadros indicada. Por ejemplo, ambos 1300x1024 y
2560x1024 los tamaos de las sub-ventanas ofrecen 220 fotogramas / s

La lectura de bajo nivel de ruido se complementa por un alto rango dinmico de> 16: 000: 1. Por
lo general, para CCD o EMCCD para alcanzar sus valores ms altos de rango dinmico, all debe
ser un compromiso significativo en velocidad de lectura, sin embargo, sCMOS puede lograr este
valor mientras entrega 30 cuadros / s. Adems, la arquitectura de sCMOS permite un alto rango
dinmico ofreciendo una gran profundidad de pozo, a pesar del pequeo tamao de pixel A
modo de comparacin, un 1.3 megapxel interlinea con similarmente pequeo los pxeles solo
alcanzan ~ 1800: 1 dinmico rango a 16 cuadros / s.

Los aspectos destacados del rendimiento del primer sensor de tecnologa sCMOS incluyen:

Formato del sensor 5.5 megapxeles 2560 (h) x 2160 (v)

Lea ruido <2 e-rms @ 30 cuadros / s; <3 e-rms @ 100 cuadros / s
Velocidad mxima de cuadros 100 cuadros / s
Tamao de pxel de 6.5 m
Rango dinmico 16,000: 1 @ 30 cuadros / seg
QEmax 60%
Modos de lectura (seleccionables por el usuario) Balanceo y obturador global

2.2 - Sin compromiso

El sensor de 5.5 megapxeles ofrece un gran campo de visin y alta resolucin, sin comprometer
el ruido de lectura o la velocidad de cuadros. El ruido de lectura en s mismo es excepcional,
incluso cuando se compara con el ms alto CCD de rendimiento. Solo escaneo lento CCDs son
capaces de este nivel de lectura Rendimiento de ruido. Alta resolucin, lento Los CCD
generalmente se caracterizan por segundos por cuadro en lugar de cuadros por segundo. El
hecho de que el dispositivo sCMOS puede lograr <2 electrones RMS leer ruido mientras lee 5.5
megapxeles a los 30 frames / s lo hace realmente extraordinario en El mercado. Adems, el
sensor es capaz de lograr 100 cuadros completos / s con un ruido de lectura <3 electrones RMS.
en el modo de persiana enrollable. Esto es importante informacin para algunas aplicaciones
que pueden aprovechar un alargado (buzn forma) regin de inters.

Tamao de matriz (H x V) Modo de obturador giratorio Modo de obturador global

(cuadros por segundo) (cuadros por segundo)

2560 x 2160 (fotograma 105 52.5

completo)

2048 x 2048 (4 megapxeles) 110 55

1300 x 1024 (1.3 megapxeles) 220 110

512512 440 220

256256 880 440

128128 1760 880

Tabla 1: velocidad de fotogramas frente a tamao de ventana secundaria; Los modos de lectura de obturador global
y rodante. ntese bien Misma ventana secundaria las velocidades de cuadro se aplican cuando se utiliza un ancho
horizontal completo con las alturas verticales indicadas (consulte el texto del cuerpo) para ms detalles).

2.3 - Informacin sobre el sCMOS arquitectura

Si bien los avances tcnicos primarios que subyacen a esta innovacin deben seguir siendo de
propiedad, algunos de los detalles arquitectnicos pueden ser revelados en aras de una mayor
comprensin.

El sensor cuenta con un esquema de lectura dividido en el que se leen de forma independiente
las mitades superior e inferior del sensor. Cada columna dentro de cada mitad del sensor est
equipada con amplificadores de doble nivel de columna y convertidores duales de analgico a
digital (ADC), representados como un diagrama de bloques en la figura 3. Esta arquitectura fue
diseada para minimizar el ruido de lectura y maximizar el rango dinmico simultneamente.

Los pares amplificadores/ADC de nivel de columna dual tienen ajustes de ganancia

independientes, y la imagen final se reconstruye combinando lecturas de pxeles tanto de los
canales de alta ganancia como de baja ganancia para lograr un amplio rango dinmico dentro
de escena desde un pequeo pxel.

Cada pixel del fotodiodo del fijar-tiene 5 transistores (' 5T ' diseo), permitiendo el nuevo modo
del obturador del ' global del ' (descrito ms detalladamente abajo) y tambin facilitando el
muestreo doble correlacionado (CDes) y un dren antifloreciente lateral.

El sensor est integrado con una matriz de micro objetivos que sirve para enfocar gran parte de
la luz incidente por pxel lejos de los transistores y sobre el silicio expuesto, mejorando la FC
(anlogo al uso de micro lentes en los CCD Interline para enfocar la luz lejos de las mscaras de
columna).
 Figura 4: el sensor sCMOS de 5,5 megapxeles

El sensor est configurado para ofrecer una baja corriente oscura y un ruido de lectura
extremadamente bajo con CDs verdaderos. La no linealidad es inferior al 1% y es ms corregible
a < 0,2%. El sensor tambin tiene anti floracin de > 10000:1, lo que significa que los pxeles
pueden ser significativamente sobresaturados sin carga derramada en pxeles vecinos. Tambin
es posible utilizar la capacidad anti floracin para mantener todas o partes del sensor en un
estado de ' RESET ', incluso cuando la luz est cayendo en estos pxeles. El tiempo para transferir
la carga despus de que la exposicin es completa es menos que 1s, rindiendo el sensor til
para el encofrado electrnico rpido y las tcnicas de la "exposicin doble" tales como
velocmetro de la proyeccin de imagen de la partcula (PIV).

Figure 3. Diseo esquemtico de amplificadores de nivel de columna sCMOS y convertidores analgicos a digitales
(ADCS).
Figura 5: imgenes comparativas de poca luz tomadas con sCMOS (1.5 electrones leen ruido @ 400MHz) vs
CCD interlineal (5 electrones leen ruido @ 20MHz), bajo las dos intensidades LED ms dbiles.

Figura 6: perfiles de lnea de intensidad derivados de las imgenes capturadas por LED sCMOS y tecnologa interlnea
CCD, para un rango de intensidades de LED.
Modo de obturador de balanceo vs global (instantnea)

Los lectores de imgenes CMOS leen en el modo de Obturador giratorio o Obturador global. El
obturador giratorio significa esencialmente que diferentes lneas del conjunto se exponen en
momentos diferentes a medida que la "onda" de lectura se desplaza hacia abajo por el sensor.
El modo de obturador global, que tambin se puede considerar como un modo de exposicin
"instantnea", significa que todos los pxeles de la matriz estn expuestos simultneamente.
Con la tecnologa sCMOS ha llegado la capacidad de ofrecer ambos modos de lectura desde el
mismo sensor, de modo que se puede seleccionar el modo ms apropiado dependiendo de la
aplicacin requisitos. El modo de obturador global conlleva la desventaja de reducir a la mitad
la velocidad de cuadros que de otro modo se habra logrado en el modo de obturador rodante.
Adems, el obturador global tambin aumenta el ruido de lectura RMS en un factor de 1,41
sobre la lectura del obturador rodante. La desventaja de la persiana enrollable, la distorsin
espacial, ha sido histricamente ms aparente en dispositivos tales como videocmaras CMOS,
donde todo el campo de la imagen se poda mover (por ejemplo, por el usuario moviendo
rpidamente la cmara) a una velocidad que la lectura de la imagen no poda igualar; por lo
tanto, los objetos pueden aparecer en un ngulo en comparacin con su orientacin real. Si el
obturador rodante o el obturador global es adecuado para usted depender mucho de el
experimento. El modo de persiana enrollable, con las velocidades de cuadro mejoradas que
permite, es probable que se adapte a la mayora de las aplicaciones cientficas. Siempre que la
velocidad de fotogramas es tal que la cmara est temporalmente sobre muestreando la
dinmica del objeto, insignificante se observar distorsin espacial. Tal sobre muestreo es una
buena prctica de imgenes, ya que no es deseable que un objeto viaje una distancia significativa
durante una exposicin nica. Este mismo principio es vlido para el modo de obturador global
o cualquier otro mtodo de controlar el tiempo de exposicin. Sin embargo, para algunas
aplicaciones particulares, como en la visin artificial, el modo de obturador global se ver como
una necesidad. 2.5-sCMOS en comparacin con otras lderes tecnologas de imagen cientfica
Una breve descripcin comparativa de sCMOS se proporciona en la Tabla 2 a continuacin. Para
los propsitos de este ejercicio, limit la comparacin al CCD interlnea y tecnologas EMCCD,
dado su popularidad en todo el rango de cientficos aplicaciones de imgenes. CCD interlineales
son tipificado por una eleccin de 1.3 megapxeles o Sensores de 4 megapxeles. El ms popular
Los sensores EMCCD son 0.25 o 1 megapxel, ofreciendo tpicamente hasta 30 cuadros / s. Es
evidente que en la mayora parmetros, sCMOS presenta una ventaja de rendimiento,
especialmente en trminos de ruido, velocidad, rango dinmico y campo de vista / resolucin.
Es importante destacar que estas ventajas se cumplen en gran medida sin compromiso.
Mientras que el el ruido de lectura de sCMOS es muy bajo, EMCCD la tecnologa an mantiene
el distinto ventaja de poder multiplicar la seal de entrada sobre el piso de ruido de lectura, por
lo tanto, es insignificante (<1 e-). Los la mayora de las cmaras EMCCD adquiridas en este
momento tambin son de retroiluminacin formato, que tiene ~ 90% QE mx. que tambin se
alimenta en la comparacin de sensibilidad. Por esta razn, la tecnologa EMCCD se mantendr
firme en condiciones de extrema oscuridad aplicaciones que requieren este nivel de primas
sensibilidad, y estn dispuestos a sacrificar en la resolucin mejorada, campo de ver, rango
dinmico y velocidad de cuadros que sCMOS puede ofrecer.
 Parmetro sCMOS Interlinea CCD EMCCD
Formato del sensor 5.5 megapixel 1.3 a 4 megapxeles 0.25 a 1 megapixel
Tamao del pixel 6.5m 6.45 a 7.4 m 8 a 16 m
Leer ruido <2 e- @ 30 cuadros / s 4 -10 e- <1e- (con ganancia EM)
Velocidad de 100 cuadros / s a nivel 3 a 16 cuadros / s ~30 cuadros/s
fotogramas completa completo resolucin
(mximo)
Eficiencia cuntica 60% 65% 90% 'retroiluminado'
(QE) 65% 'fase virtual'
Rango dinmico > 16,000:1 (@ 30 ~ 3,000:1 (@ 11 8500:1(@ 30 cuadros / s
cuadros/s) cuadros/s) con baja ganancia EM)

Ruido Multiplicativo Ninguna Ninguna 1.41x con ganancia EM

(efectivamente reduce
a la mitad el QE)
Tabla 2: Resumen de comparacin de las especificaciones tpicas de las tecnologas Interline CCD y EMCCD en
comparacin con la tecnologa sCMOS.

Las figuras 5 a 11 muestran los resultados de las comparaciones de cabeza a cabeza, lanzando
un prototipo de 5,5 megapxeles sCMOS cmara contra un dispositivo CCD de 1,3 megapxeles,
y tambin contra 1 megapxeles EMCCD iluminado hacia atrs. El sCMOS fue fijado a la imagen
en 400 MHz, en esta velocidad de la lectura que alcanza 70 Full frames/s, con solamente 1,5
electrones ley ruido. La cmara del CCD de Interline, un Andor ' clara ', fue leda hacia fuera en
20 MHz, alcanzando 11 frames/s con 5 electrones ley el ruido (representando la optimizacin
extrema de este sensor en esta velocidad). El EMCCD cmara, un Andor iXonEM+ 888, fue Lea
en 10 MHz con amplificacin de ganancia em x 300, logrando 9 frames/s con 0,15 electrones
efectivos leer ruido. Se crearon condiciones de imagen de bajo nivel de luz usando (a) un aparejo
de imagen ligero, provisto de una variable de intensidad difusa, 622 la fuente de luz y la cubierta
de la mscara del nanmetro LED (consistiendo en un arsenal de agujeros o de una carta de la
resolucin del USAF), y (b) a campo la proyeccin de imagen del microscopio de fluorescencia
fij las clulas epiteliales bovinas, etiquetadas con Bodipy FL (emisin mx. ~ 510nm).

La plataforma LED result excelente para comparar la sensibilidad bajo condiciones de extrema
luz baja, utilizando una serie de ajustes de intensidad LED, etiquetado ' LED1 ' a travs de ' LED4
'. Las intensidades del flujo del fotn en cada ajuste, dadas como fotones por el pixel del m 6,5,
estn aproximadamente como sigue: LED1 ~ 10 fotones/PIX; LED2 ~ 32 fotones/PIX; LED3 ~ 240
fotones/PIX; LED4 ~ 1050 fotones/PIX.

La superioridad de SNR de sCMOS sobre incluso la tecnologa interlineal bien-optimizada del

CCD puede ser observada claramente, manifest como contraste mejor de la seal contra un
fondo de ruido ledo menos ruidoso, dando por resultado tambin en una mejor resolucin de
caractersticas.

Sin embargo, la comparacin de las dos tecnologas contra el EMCCD detrs-iluminado (Figura
8) en el ajuste ms dbil del LED, demostr que el < 1 piso del ruido del electrn y un qe ms
alto del EMCCD dio lugar a contraste superior de la seal dbil del piso del ruido.

Las imgenes del microscopio de la fluorescencia, en las ampliaciones del x y de x 100, revelan
claramente el campo de visin marcado ms grande capacidad del sensor del sCMOS del
megapixel 5,5 comparado con el del CCD interlineal de 1,3 Megapixel. Puesto que cada tipo del
sensor tiene echada del pixel de ~ 6,5 m, permitiendo el sobre muestreo adecuado de NyQuist
en el lmite de la difraccin, no es sorprendente que cada uno de la demostracin virtualmente
idntica de la estructura de la multa intracelular bajo condiciones ms brillantes.

figura 7: Imgenes comparativas de baja iluminacin de una tabla de resolucin de la USAF, que muestra sCMOS (1.5
electrones leen ruido @ 400 MHz) frente al CCD de interlnea (5 electrones leen ruido a 20 MHz), bajo las dos
intensidades LED ms bajas.

Figura 8: Imgenes comparativas de baja iluminacin tomadas con sCMOS (1.5 electrones leer ruido @ 400MHz) vs
interline CCD (5 electrones leer ruido @ 20MHz) vs retroiluminado EMCCD (<1e-ruido de lectura), bajo condiciones de
luz extremadamente bajas (configuracin 'LED 1').
5.5 Megapxel sCMOS 1.3 megapxeles Interlinea de CCD

Figura 9: comparacin de campo de dos tecnologas; x60 aumento; 1.25 NA; SCMOS de 5.5 megapxeles frente a 1.3
megapxeles CCD de interlineado (cada uno tiene ~ 6,5 m de paso de pxel). sCMOS es capaz de ofreciendo este campo
de visin ms amplio a 100 cuadros / s con <3 e-read noise

Figura 10: campo de visin y comparacin de resolucin de dos tecnologas; ampliacin x100; 1.45 NA; SCMOS de 5.5
megapxeles frente a CCD de interlnea de 1.3 megapxeles (cada uno tiene ~ 6.5 m de paso de pxel). sCMOS es capaz
de ofrecer este campo de visin ms amplio a 100 fotogramas por segundo con <3 e-read noise
Figura 11: Microscopa comparativa de fluorescencia de baja luz imgenes tomadas con sCMOS vs interline CCD bajo
condiciones tpicas de los empleados en la clula viva dinmica imgenes. ND filtros en un microscopio de
fluorescencia de campo amplio se usaron para reducir los niveles de luz en relacin con el ruido de lectura piso.
Tenga en cuenta que sCMOS puede ofrecer este campo mejorado de vista y relacin SNR a ~ 70 cuadros / s en las
condiciones utilizado (lectura de pxeles de 400 MHz), frente a 11 cuadros / s de interline CCD.

A bajos flujos de fotones, sin embargo, tipificado en la figura 11, el mayor ruido de lectura de la
el dispositivo interlnea produce un mayor sacrificio en resolucin y contraste. Esto es un punto
decisivo para las mediciones de clulas vivas, que a menudo requieren el uso de baja energas
de iluminacin. Para complementar an ms el relativo rendimiento de sensibilidad de estas
imgenes tecnologas, trazados SNR tericos que son representativos de estos tres las
tecnologas se dan en las Figuras 12 y 13. Para este ejercicio comparativo, se usaron
especificaciones que reflejan el CCD interlnea ms sensible y sensores EMCCD retroiluminados
en el mercado hoy. La figura 12 muestra cmo la SNR de sCMOS se compara con el de interline
CCD en un rango de flujos de fotones (es decir, intensidades de luz incidente). El pixel diferencias
de tamao entre los dos sensores tipos es insignificante, por lo tanto, no es necesario para
corregir an ms para las diferentes reas de coleccin de luz por pxel. La sensibilidad
diferencias entre las dos tecnologas tipos se refleja en la varianza marcada entre las respectivas
curvas SNR en flujos de fotones bajos a moderados.

En flujos de fotones superiores, no hay Punto "cruzado" entre sCMOS y Curvas CCD interlineales.
Similar QE y pixel tamao asegura que el CCD de interlnea nunca supere el rendimiento SNR de
sCMOS. De hecho, debido a la significativa menor ruido de lectura, el sCMOS exhibe
marcadamente mejor seal-ruido que el CCD interlineado hasta varios cientos fotones / pxeles
en cuyo punto los dos las curvas se fusionan como el ruido de lectura de ambos sensores se
vuelve insignificante en comparacin con el ruido de disparo.
La Figura 13 muestra parcelas SNR que comparan sCMOS y sensores CCD de interline con el de
los sensores EMCCD retroiluminados. La trama supone que los tres sensores tener el mismo
tamao de pxel, lo que podra efectivamente ser el caso si los ~ 6.5m pxeles de sCMOS e
interlnea Los sensores CCD iban a ser operados con Binning de 2x2 pxeles, para igualar a 13m
Pixel EMCCD (representante de un popular sensor EMCCD retroiluminado en el mercado).

Figura 12 - Comparaciones de la trama terica de seal a ruido para sCMOS frente a sensores de CCD de interlnea.
Flujo de fotones (es decir intensidad de luz de entrada) se proporciona en trminos de fotones por cada 6,5 m de
pxeles de cada tipo de sensor.

Como tal, se presenta el flujo de fotones en trminos de fotones por pxel de 13m (o 2x2 bin-
super pixel), relacionado con un rea real de pxeles de 169m2. Existen dos puntos de inters
cruzados notables, relacionado con el lugar donde se encuentra la curva S / N de EMCCD cruza
tanto el sCMOS como la interlnea
Curvas CCD, que se producen en el flujo de fotones valores de ~ 48 fotones / pxel y ~ 225 fotones
/ pixel, respectivamente. En fotones flujos ms bajos que estos puntos de cruce el EMCCD
entrega una mejor relacin S / N, y peor relacin S / N a mayores flujos de fotones. La razn por
la que una luz de fondo iluminada EMCCD con ruido de lectura insignificante no exhibir una
mayor S / N derecha en toda la escala de flujo de fotones, se debe al ruido multiplicativo del
EMCCD trama (que efectivamente aumenta el disparo).
Figura 13 - Comparaciones de la trama terica seal a ruido para sCMOS vs CCD interlnea vs retroiluminada Sensores
EMCCD A efectos de una comparacin objetiva, se supone que los ~ 6,5 m pxeles del sCMOS y los sensores CCD de
interlineado estn 2x2 agrupados para igualar un pxel de 13 m de un EMCCD retroiluminado.

Resumen

Despus de varias dcadas de CIS maduracin, ahora hemos llegado un punto de 'salto
adelante', donde puede afirmar con confianza que el prximo significativa ola de avance en alto
rendimiento cientfico la capacidad de imagen ha venido de la tecnologa CIS estable. Scientific
CMOS (sCMOS) la tecnologa est para ganar reconocimiento generalizado una amplia gama de
exigentes aplicaciones de imgenes, debido a su
capacidad distintiva de simultanear entregar extremadamente bajo ruido, rpido velocidades
de cuadros, amplio rango dinmico, alta eficiencia cuntica, alta resolucin y un gran campo de
visin.

La superioridad de SNR de sCMOS sobre incluso la tecnologa interlineal bien-optimizada del

CCD puede ser observada claramente, manifest como contraste mejor de la seal contra un
fondo de ruido ledo menos ruidoso, dando por resultado tambin en una mejor resolucin de
caractersticas.

Sin embargo, la comparacin de las dos tecnologas contra el EMCCD detrs-iluminado (Figura
8) en el ajuste ms dbil del LED, demostr que el < 1 piso del ruido del electrn y un QE ms
alto del EMCCD dio lugar a contraste superior de la seal dbil del piso del ruido.

Las imgenes del microscopio de la fluorescencia, en las ampliaciones del x y de x 100, revelan
claramente el campo de visin marcado ms grande capacidad del sensor del sCMOS del
megapixel 5,5 comparado con el del CCD interlineal de 1,3 Megapixel. Puesto que cada tipo del
sensor tiene echada del pixel de ~ 6,5 m, permitiendo el sobre muestreo adecuado de NyQuist
en el lmite de la difraccin, no es sorprendente que cada uno de la demostracin virtualmente
idntica de la estructura de la multa intracelular bajo condiciones ms brillantes.