1) Write the name of the corresponding switching power device below its name:

a. IGBT
b. MOSFET
c. Transistor JFET
d. DIODE
e. Transistor BJT
f. GTO Thyristor
g. SCR Thyristor
h. MOSFET

2) In which aspect the MOSFET may be better than the IGBT?

Pueden ser mejores para fuentes de suministro de alta frecuencia.

3) True or false. For a diode, in the reverse-biased voltage large current flows through
the device.
Falso

4) Mention three advantages of using MOSFETs:

a. Alta capacidad de switcheo o conmutacin, alcanzando frecuencias de gigahertz.

b. Proteccin simple para el circuito y control de voltaje.
c. Paralelaje fcil para incrementar los valores de las corrientes.

5) Is a thyristor turned on only by applying positive voltage in the gate? Why or why not?

No es posible, puesto que necesita adems de un puso de corriente. Para encenderse con un
pulso de voltaje en la compuerta se podra usar un MOS tiristor controlado MCT.

6) What happens with the current when the breakdown voltage in a diode is reached?

Incrementar drsticamente.

7) Would you recommend for a switching device to works in breakdown operation

mode? Why?

No es recomendable, puesto que el dispositivo se puede llegar a destruir.

8) Why an overvoltage protection is not needed a JFET?

Puesto que el JFET es un dispositivo portador mayoritario de electrones, entonces su coeficiente
de temperatura es positivo, su resistencia incrementa con la temperatura, entonces la corriente
cae con la carga conectada en paralelo, as la zona de operacin es ms grande.

9) Nowadays, what is the switching device managing the greatest amount of power?
Which is the second one?

Los tiristores, en segundo lugar estn los GTO.

10) In thyristor, what is it known as firing angle?

El retardo cuando el tiristor en AC, al momento de la apertura, debe ajustarse al cambiar el pulso
de control relativo al punto de inicio del pice de alternancia positiva.

11) In which aspect the MOSFET is worse than the BJT?

Los MOSFET son ms rpidos, sin embargo son peores que un BJT puesto que presentan altas
prdidas en estado de conduccin o encendido.

12) What is the name of the device acting as a bidirectional diode?

DIAC

13) Mention two disadvantages of the BJT?

a. Conmutacin relativamente lenta.

b. Baja zona de operacin segura.

14) For high power applications would you prefer using a GTO or a Thyristor? Why?

El GTO es recomendable para aplicaciones que requieren alta potencia o demandan altos costos,
esto debido a su alta capacidad de conduccin de corrientes o de soportar altos voltajes.

15) A triac is equivalent to have?

Dos tiristores conectados en paralelo inverso con la puerta comn.

16) What does the acronym SCR mean?

Rectificador controlado de silicio.

17) Is it possible for a thyristor to be turned off by switching off the gate pulse?

No, imposible.

18) What does the acronym GTO mean? Can a GTO be turned off? How?
Gate Turn-Off (puerta de apagado), se pueden encender o apagar con pulsos de corriente en la
compuerta (gate).

19) What are the main advantages of using a Mos-controlled thyristor rather than a GTO?

Requerimientos de acondicionamiento ms simples y altas velocidades de conmutacin.

20) In a BJT, what are the operating regions?

Saturacin, activa y corte.

Lectura 2

1) Cuando se hace necesario el uso de una red snubber y cul es su propsito?

Para proteger al transistor y evitar su degradacin.

2) A su criterio que significan las siglas RBSOA y que informacin contienen?

Las curvas que muestran las reas de operacin segura Brief-time safe operating rea. Contienen
la informacin de corriente de pulsos, corriente continua, lmite por disposicin de potencia,
lmite por avalancha secundaria, curvas para diferentes tiempos.

3) Comente y sustente con una grfica el comportamiento del encendido y apagado del
transistor para cargas resistivas e inductivas.

Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin. Para una carga resistiva, el
transistor pasar de corte a saturacin por la recta que va desde A hasta C, y de saturacin a
corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor
pasa a saturacin recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace por el tramo
CDA. Puede verse que este ltimo paso lo hace despus de una profunda incursin en la zona
activa que podra fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha secundaria, con valor VCE muy
superior al valor de la fuente (Vcc).
 4) Explique en sus propias palabras sobre la primera y segunda avalancha de un
transistor

La primera avalancha es cuando la base polarizada en inverso entra en proceso de ruptura por
haber sobrepasado la tensin mxima permitida entre colector y base con el emisor abierto, o
en su defecto la tensin mxima entre colector y emisor con base abierta.

La segunda avalancha se produce cuando aparecen puntos calientes, estando incluso trabajando
por debajo de los voltajes mximos, stos se producen en la polarizacin de unin base emisor,
alcanzando cierto valor, se produce este efecto degenerativo con el aumento de prdidas y de
la temperatura.

1) According to the lecture, how di/dt can damage a power switching device?

Puesto que no es posible cortar el flujo de corriente de manera repentina, esto implicara un
voltaje infinito en los terminales del inductor, esto se debe a que el voltaje en el inductor sigue
aumentando y obliga a la corriente a fluir, sobrecargando al elemento y provocando un dao
permanente y definitivo para el dispositivo.

2) If you have an application where the di/dt should rapidly decrease, what is it
recommendable?

Es recomendable usar un diodo en paralelo a la carga con direccin opuesta al flujo de la

corriente que viene de la fuente, es decir para realimentar a la carga con una corriente extra.

3) From a practical point of view, what type of load is more difficult to control, a resistive
or an inductive one? Why?

La inductiva, puesto que requiere de arreglos electrnicos para no poder interferir o poder
controlar de mejor manera el di/dt causado por el efecto de carga del inductor al momento de
energizar.

4) What is a disadvantage of using a freewheeling diode?

Alarga la descomposicin de la corriente a travs del inductor, ya que la velocidad de cambio de

la corriente del inductor es proporcional al voltaje a travs de l.