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Simulink proporciona un entorno grafico al usuario que facilita enormemente el anlisis, diseo y
simulacin de sistemas (de control, electrnicos, ect), al incluir una serie de rutinas que resuelven
clculos matemticos de fondo, junto a una sencilla interface para su uso, proporciona un entorno
de usuario grafico que permite dibujar los sistemas como diagramas de bloques como tal y como
se hara sobre un papel.
http://ee.hacettepe.edu.tr/~solen/Matlab/MatLab/Matlab%20-
%20Electronics%20and%20Circuit%20Analysis%20using%20Matlab.pdf
Transistores BJT
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de
circuitos de conmutacin y procesado de seal, el cual se puede controlar una cierta cantidad de
corriente por medio de otra cantidad de corriente, sus tres patas el colector, la base y el emisor.
El transistor bipolar est formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo p, de acuerdo
a la distribucin de los materiales semiconductores se tienen 2 tipos de transistor bipolares, los
que se conocen como transistor npn y transistor pnp, el funcionamiento del transistor se basa en
movimientos de electrones (negativos) y de huecos (positivos), de all el nombre de transistor
bipolar o bjt (transistor de unin bipolar).
Efecto Transistor
Transistor
- Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal
semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas (E, B, C).
- El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base.
- En la base se gobiernan dichos portadores
- En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
- En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
- Unin emisor: es la unin pn entre la base y el emisor.
- Unin colector: es la unin pn entre la base y colector.
- Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces
menos que el colector o emisor.
- La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.
Entre la base y el emisor hay un diodo, lo mismo entre la base y el colector hay otro diodo, el
transistor cuenta con 3 regiones o zonas diferentes regin activa, regin de corte y regin de
saturacin.
Para que opere en la regin de saturacin, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en
forma directa y el diodo base colector tambin tendr que estar polarizado en forma directa.
Para que opere en la regin de corte, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en forma
inversa y el diodo base colector tambin tendr que estar polarizado tambin forma inversa
Para que opere en la regin de activa, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en forma
directa y el diodo base colector tendr que estar polarizado en forma inversa.
Ecuaciones
Para una tensin base emisor superior a unas dcimas de voltio, la exponencial hace despreciable
la unidad del interior del parntesis.
Definiendo como:
Polarizacin Fija
La polarizacin fija es sencilla y es rpido su montaje pero es una opcin muy inestable ante las
variaciones de beta, La polarizacin fija solo se usa en la configuracin emisor comn, ya que en la
configuracin base comn cortocircuita la entrada, y en la configuracin colector comn
cortocircuita la salida
Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ,
ICQ, VCEQ). La ecuacin para IBQ es la siguiente:
Y la ecuacin de VCEQ:
Ecuaciones para cuando se da el valor del punto Q (IBQ, ICQ, VCEQ), y se pide hallar el valor de las
resistencias. La ecuacin para RB es la siguiente:
Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias, y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ,
ICQ, VCEQ). La ecuacin para hallar IBQ es la siguiente
Ecuaciones para cuando se da el valor del punto Q, y se pide hallar el valor de las resistencias RB,
RC y RE. Primero se debe escoger un valor para n que normalmente debe estar entre 5 y 10. n es la
relacin entre la resistencia de colector y la resistencia de emisor:
Luego de escoger un valor para n, ya se puede pasar a la ecuacin que determina el valor de RE:
Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias, y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ,
ICQ, VCEQ)
VCEQ es igual a:
Ecuaciones para cuando se conoce el valor del punto Q (IBQ, ICQ, VCEQ), y se pide hallar el valor
de las resistencias.
Para hallar las resistencias de base antes se debe hallar un voltaje que se normalmente se
denomina VTH (voltaje thevenin), su ecuacin es la siguiente:
Ya con VTH hallamos las resistencias de base. La ecuacin para la resistencia de base RB1 es la
siguiente:
3. Elaborar algoritmo (diagrama de flujo o pseudocdigo) y cdigo (en Matlab o Scilab) que aporte
a la construccin de la solucin del problema planteado.
Conclusiones
- El software tanto de Matlab y Scilab provee de una larga lista de funciones bastante tiles
para el desarrollo de futuros algoritmos, la utilizacin de este software ha permitido
identificar la gran utilidad de este software para implementaciones en electrnica y otras
reas de tecnologa.
- Se ha identificado las ecuaciones y posibles soluciones las cuales nos podrn aportar al
desarrollo de la actividad final del curso.
Bibliografa
- Libro Diseo electrnico. Circuitos y sistemas C.J. Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1 edicin, 1992.