Monografia Tiristores

UNIVERSIDAD NACIONAL DE
MORENO
Ingeniera Electrnica
Monografa: Tiristores (SCR)

Dispositivos Electrnicos
Becerra Juan Manuel
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Monografa Tiristores, Dispositivos Electrnicos, Ing. Electrnica
Indice
Introduccin ........................................................................................................................... 3
Un poco de historia ................................................................................................................ 4
Dispositivos semiconductores de potencia ........................................................................ 4
El Tiristor ................................................................................................................................. 7
Estructura y Simbologia ...................................................................................................... 8
Funcionamiento del Tiristor en bloqueo o polarizacin inversa ................................. 9
Modelo de SCR de dos transistores: ................................................................................. 10
Funcionamiento del Tiristor en conduccin o polarizacin directa........................... 11
Principio de Encendido por Compuerta (Gate) ................................................................ 12
Activacin del SCR ............................................................................................................. 14
Accin de la Compuerta (Gate) ......................................................................................... 15
Curva caracterstica del SCR.............................................................................................. 16
Definicin de los smbolos ................................................................................................ 17
Tipos de Tiristores ............................................................................................................. 20
Algunas aplicaciones tpicas.............................................................................................. 28
Hojas de Datos ...................................................................................................................... 31
Bibliografia ............................................................................................................................ 47
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El Tiristor o SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
Introduccin
Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica de los

sistemas de traccin y de los controles industriales impulsados por motores elctricos;
esto ha llevado a un temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de
obtener un voltaje de corriente directa variable para el control de los motores e
impulsores. La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para la
conversin de potencia y para el control de los motores elctricos.
La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se

encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo
cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria,
para la generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa
de los dispositivos y circuitos de estado slido requerido e el procesamiento de seales
para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrnica de potenciase puede
definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin
de energa elctrica.
La electrnica de potencia se basa, en primer termino, en la conmutacin de dispositivos
semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores
de potencia, las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de
los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologa
de los microprocesadores - microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la
sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia.
El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia,
que puede compararse con el msculo, y (2) microelectrnica, que tiene el poder de la
inteligencia del cerebro.
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Un poco de historia
La historia de la electrnica de potencia empez e el ao 1900, con la introduccin del

rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron gradualmente, el rectificador de
tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vacio de rejilla controlada, el fanotron y el
tiratron. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950.
La primera revolucin electrnica inicia en1948 con la invencin del transistor de silicio en
los Bell Telephone Laboratories por los seores Bardeen, Brattain y Shockley. La mayor
parte de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta
invencin. A travs de los aos la microelectrnica moderna ha evolucionado a partir de
los semiconductores de silicio. El siguiente gran parte aguas, en 1956, tambin provino de
los Bell Telephone Laboratories: la invencin del transistor de disparo PNPN, que se
defini como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR) por sus siglas en ingles.
La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial
por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de
potencia. Desde entonces, se han introducidos muy diversos tipos de dispositivos
semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de microelectrnica
nos dio la capacidad de procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad
increble. La revolucin de la electrnica de potencia nos esta dando la capacidad de dar
forma y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor.
Debido a la fusin de la electrnica de potencia que es el msculo, con la
microelectrnica, que es el cerebro, se han descubierto muchas aplicaciones potenciales
de la electrnica de potencia, y se descubrirn ms. Dentro de los siguientes 30 aos, la
electrnica de potencia formara y condicionara la electricidad, en alguna parte de la lnea
de transmisin, entre el punto de generacin y todos los usuarios.
La revolucin de la electrnica de potencia ha ganado inercia, desde el fin de los aos 80
y principios de los 90.
Dispositivos semiconductores de potencia

Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines
de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia.
Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el
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control de la energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios

tipos de dispositivos semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma
comercial. stos se pueden dividir en cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2)
tiristores, (3) transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia,
y (5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin
estticos (SIT). Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos: (a) tiristor de
conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por lnea, (e) tiristor desactivado por
compuerta (GTO), (d) tiristor de conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin
esttico (SITH), (o tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT), (g) rectificador
controlado de silicio foto activado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS(MCT).
Los transistores de induccin estticos tambin estn disponibles en forma comercial.
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de
recuperacin rpida) y Schottky. Los diodos de uso general estn disponibles hasta 3000
V, 3500 A, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta
3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5s. Los diodos de
recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia
a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos
Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy
pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y
sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su
nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo de
potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el
voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo.
Existen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan
bsicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en perno y el otro
como de disco empacado a presin o de disco de hockey. En el de perno, tanto el nodo
como el ctodo podran ser el perno.
Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo, y una compuerta. Cuando una
pequea corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hacia el ctodo, el tiristor
conduce, siempre y cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el
ctodo. Una vez que el tiristor est en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta
no tiene ningn control y el tiristor continuara conduciendo. Cuando un tiristor est en un
modo de conduccin, la cada de potencial en directa es muy pequea, tpicamente 0.5 a 2
V.
Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del nodo sea igual
o menor que el potencias de ctodo. Los tiristores conmutados en lnea se desactivan en
5
razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en

forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de
conmutacin. Existen varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de
conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja.
Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de
hasta 6000V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los tiristores de bloqueo inverso de
alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 s con un
tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de
tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la
interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es
capaz de aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse. Los RCT y los GATT se
utilizan en gran medida para la interrupcin de alta velocidad, en especial en aplicaciones
de traccin. Un RCT se puede considerar como un tiristor que incluye un diodo inverso en
paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000 (y 400 A de conduccin inversa)
con un tiempo de interrupcin de 40 s. Los GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A
con una velocidad de interrupcin de 8 s. Los LASCR, que se fabrican hasta 6000V, 1500
A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 s, son adecuados para sistemas de
energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente, alterna de
baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de
calor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las
caractersticas de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo
con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a travs de un TRIAC se puede
controlar en cualquier direccin. Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los
GTO y los SITH se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las
compuertas, y se desactivan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las
mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin. Los GTO resultan muy
atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponibles hasta 4000 V,
3000A.
Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V, 300A, se espera que
puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una frecuencia de varios
cientos de Khz. y ms all del rango de frecuencia de los GTO. Existen varias
configuraciones de GTO. Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los
convertidores de energa a frecuencias menores que 10 Khz. y su aplicacin es eficaz en
las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Un transistor bipolar tiene tres
terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la
configuracin de emisor comn. Mientras que la base de un transistor NPN est a un
potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande
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como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se conservar

activado, siempre que la unin del colecto ral emisor est correctamente polarizada. La
cada directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de
excitacin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin (es
decir desactivado).
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn
disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50
A, en un rango de frecuencia de varias decenas de Khz. Los IGBT son transistores de
potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no
tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de
salida muy superiores a las de los BJT. Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas
corrientes y frecuencias de hasta20 Khz. Los IGBT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A.
El Tiristor
En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren se entregue una cantidad
de potencia elctrica variable y controlada. La iluminacin, el control de velocidad de un
motor, la soldadura elctrica y el calentamiento elctrico, son las cuatro operaciones ms
comunes. Siempre es posible controlarla cantidad de potencia elctrica que se entrega a
una carga si se utiliza un transformador variable para proporcionar un voltaje de salida
variables. Sin embargo, para grandes potencias, los transformadores variables son
fsicamente grandes y costosos y necesitan un mantenimiento frecuente, estos tres
factores hacen que los transformadores variables sean poco utilizados.
Otro mtodo para controlar la potencia elctrica que se entrega a una carga, es intercalar
un restato en serie con la carga, para as controlar y limitar la corriente. Nuevamente
para grandes potencias, los restatos resultan de gran tamao, costosos, necesitan
mantenimiento adems, desperdician una cantidad apreciable de energa. Los restatos
no son la alternativa deseable frente a los transformadores variables en el control de
potencia industrial.
Desde 1960 est disponible un dispositivo electrnico, el cul no adolece de las fallas
antes mencionadas. El SCR es pequeo y relativamente barato, no necesita
mantenimiento y su consumo de potencia es muy pequeo. Algunos SCR modernos
pueden controlar corrientes del orden de cientos de amperios en circuitos que operan a
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voltajes tan elevados como 1000 volts. Por estas razones, los SCR son muy importantes en
el campo del control industrial moderno.
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin
duda, el de mayor inters hoy en da, y fue presentado por primera vez en 1956 por los
Bell Telephone Laboratories. Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de los SCR
son controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de alimentacin
reguladas, interruptores estticos, controles de motores, recortadores, inversores, ciclo-
conversores, cargadores de bateras, circuitos de proteccin, controles de calefaccin y
controles de fase.
En aos recientes han sido diseados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10
MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia
de aplicacin tambin ha sido extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas
aplicaciones de alta frecuencia.
Estructura y Simbologia
El tiristor es un nombre genrico de una serie de dispositivos semiconductores de
potencia. Uno de ellos llamado SCR (rectificador controlado de silicio) es un
semiconductor slido de silicio formado por cuatro capas P y N alternativamente,
dispuestas como se ve en la Figura 1, donde tambin se representa su smbolo.
Figura 1 Smbolo y circuito equivalente del SCR Figura 2 Seccin longitudinal del SCR
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El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbitrariamente

como sigue:
Rectificacin: consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional del
dispositivo, el cual realiza entonces la misma funcin de un diodo.
Interrupcin de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede

reemplazar a los contactores mecnicos.
Regulacin: la posibilidad de ajustar el momento preciso del encendido permite

emplear el tiristor para gobernar la potencia o la corriente media de salida.
Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy dbil en

comparacin con la corriente principal, se produce un fenmeno de amplificacin
en corriente o en potencia. En ciertas aplicaciones esta "ganancia" puede ser de
utilidad.
Funcionamiento del Tiristor en bloqueo o polarizacin inversa

Para simplificar el siguiente anlisis admitiremos que el ctodo del tiristor est
siempre a tierra y que la puerta no est conectada ("flotando").
En estas condiciones, se puede comparar el tiristor a tres diodos conectados en oposicin.
En efecto, las capas P2N2 y P1N2 forman diodos que aseguran el aguante en tensin del
dispositivo. De esta forma:
Si el nodo es positivo, el elemento est polarizado directamente, pero el
diodo P1N2 bloquea la tensin aplicada.
Si, por el contrario, el nodo es negativo, los diodos P2N2 y P1N1 tienen
polarizacin inversa. Por ser dbil la tensin de avalancha de P1N1, su papel es
despreciable y es P2N2 el que ha de limitar la corriente inversa de fuga.
La tensin mxima viene limitada, prcticamente, por la tensin de avalancha de los

diodos P2N2 y P1N2 en serie.
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Figura 3 - Las tres uniones del tiristor

pueden representarse mediante tres diodos
equivalentes
Figura 4 El SCR polarizado en Inversa
Modelo de SCR de dos transistores:

La accin regenerativa o de enganche debido a la retroalimentacin directa se puede
demostrar mediante un modelo de un SCR de dos transistores. Un SCR se puede
considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, T1, y un transistor
NPN, T2 :
Figura 5 A) SCR simplificado. B) SCR como dos Transistores. C) Circuito Equivalente
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Funcionamiento del Tiristor en conduccin o polarizacin directa

Se comprender mejor el funcionamiento del tiristor si nos referimos al montaje
con dos transistores, PNP y NPN, de la Figura 5, que resulta equivalente. Estos dos
transistores estn conectados de forma que se obtenga una realimentacin positiva.
Supongamos que sea positiva la regin P2 con relacin a la N1. Las uniones J3 y J1 emiten
portadores positivos y negativos respectivamente hacia las regiones N2 y P1. Estos
portadores, tras su difusin en las bases de los transistores, llegan a la unin J2, donde la
carga espacial crea un intenso campo elctrico.
Siendo 0.3 la ganancia de corriente que da la fraccin de la corriente de huecos inyectada
en el emisor y que llega al colector del PNP, y siendo por otro lado a la ganancia de
corriente que da lafraccin de la corriente de electrones inyectada en el emisor que llega
al colector del NPN, podemos escribir:
=
2 = 2 . y 1 = 1 .
La corriente total de nodo IA es evidentemente la suma de lc1 e lc2, a la que hay que
sumar la corriente de fuga residual que pasa por la unin central J2 y a la que llamaremos
Icx. Se tiene entonces:
= 2 . + 1 +
Lo que nos queda:

=
1 (1 + 2 )
Ahora bien, en muchos transistores de silicio la ganancia es baja para valores reducidos
de corriente, aumentando cuando crece la corriente. Luego, si Icx es reducida, el
denominador de la fraccin anterior se acerca a 1 (para corrientes dbiles) y la corriente
IA es apenas mayor que la corriente de fuga.
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Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece pues bloqueada

presentando una elevada impedancia. Cuando aumenta, por cualquier motivo, la
corriente de fuga lcx, aumentan la corriente y la ganancia. La suma 1 + 2 tiende
entonces a 1 y la corriente IA tiende a infinito. En realidad, esta corriente toma un valor
muy alto, limitado slo porel circuito externo.
El tiristor est entonces en estado conductor (tambin se dice que est
desbloqueado o disparado).
Hagamos observar que este tipo de encendido por aumento de la corriente de fuga esto
es, en general, por aumento de la tensin aplicada entre nodo y ctodo del
elemento es desaconsejable en la mayora de los casos.
Figura 6 El SCR en polarizacin Directa
Principio de Encendido por Compuerta (Gate)

El encendido por puerta es el mtodo ms usual de disparo de tiristores. El
razonamiento siguiente aparecer mucho ms claro si nos referimos a la Figura 7.
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Una vez polarizado directamente el tiristor se inyecta un impulso positivo de

mando en su puerta (este ataque es en corriente, denominndose lG a esta ltima). El
transistor NPN designado T1 recibe una corriente de base lG, pasando a ser su corriente
de colector de . 1 , donde 1 es la ganancia de corriente de este transistor (montaje en
emisor comn).
Esta corriente se inyecta a su vez en la base del transistor T2 (PNP) que entrega entonces
una corriente de . 1 . 2 (siendo 2 la ganancia de corriente de T2). Esta corriente,
que aparece en el colector de T2, vuelve a aplicarse a la base de T1.
Hay que considerar entonces dos casos:
1. El producto 1 . 2 es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se enciende
2. El producto 1 . 2 tiende a la unidad, con lo que se realiza el proceso de

amplificacin y el elemento pasa al estado de conduccin.
Estas dos condiciones (1 . 2 < 1 y 1 . 2 = 1) caracterizan el estado del tiristor en

funcin de la corriente. En efecto, la ganancia de un transistor de silicio crece
normalmente, por lo general, en funcin de la corriente (Figura 8). As pues:
Si la corriente de puerta es dbil, el producto 1 . 2 es inferior a la unidad y no
se enciende el dispositivo
Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante

elevadas para que el producto 1 . 2 tienda a 1.
En cuanto se produce el encendido, la realimentacin hace que los dos transistores

conduzcan a saturacin (por cuanto la corriente de colector de uno se inyecta
sistemticamente en la base del otro). Una vez en conduccin, los transistores se
mantienen ya en ese estado, incluso aunque desaparezca el impulso inicial de
puerta, hasta que el circuito exterior deje de mantener la corriente IA.
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Figura 7 Modelo SCR con transistores Figura 8 Curva Beta en funcin de la IE
Activacin del SCR

Como ya hemos visto, el tiristor puede adoptar uno de estos estados:
De bloqueo, cuando est polarizado en sentido inverso;
De bloqueo o de conduccin, cuando la polarizacin es directa, segn que est

encendido o no.
En este ltimo caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de conduccin se
recurre, como se ha dicho ya, a la propiedad esencial del transistor de silicio: la de poseer
una ganancia de corriente que crece con la corriente de emisor, le.
Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un aumento de la
corriente IE. Los ms importantes son:
LA TENSIN: Cuando aumenta la tensin nodo-ctodo del tiristor, llega un

momento en que la corriente de fuga es suficiente para producir un brusco
aumento de la corriente IE. Esta forma de disparo se usa sobre todo con los diodos
de 4 capas (diodos- tiristores).
LA DERIVADA DE LA TENSIN: Ya se sabe que una unin PN presenta una cierta

capacidad. As, pues, si se hace crecer bruscamente la tensin nodo-ctodo, esta
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capacidad se carga con una corriente: Y, si esta corriente I es suficientemente

elevada, provocar el encendido del tiristor.
LA TEMPERATURA: La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio

aumenta al doble, aproximadamente, cada 14 C (al aumentar la temperatura).
Cuando la corriente alcanza un valor suficiente, se produce el disparo del tiristor
por los mismos fenmenos ya vistos.
EL EFECTO TRANSISTOR: Es la forma clsica de gobernar un tiristor. En la

base del transistor equivalente se inyectan portadores suplementarios que
provocan el fenmeno de disparo (la base es la puerta del tiristor).
EL EFECTO FOTOELCTRICO: La luz, otra de las formas de energa, puede

tambin provocar el encendido del tiristor al crear pares electrn-hueco. En este
caso se emplea un fototiristor, que es un tiristor con una "ventana" (esto es una
lente transparente que deja pasar los rayos luminosos) en la regin de puerta.
Accin de la Compuerta (Gate)

Si se aplica una seal de mando a la puerta del tiristor se modifica la tensin de encendido
de ste, tal como muestra las curvas de la Figura 9.
Cuando es nula la corriente lG de puerta, el tiristor no se ceba hasta que se alcanza la

tensin de disparo entre nodo y ctodo del elemento. A medida que aumenta la
corriente de puerta lG, disminuye el valor de la tensin de disparo del tiristor. En el
lmite, el tiristor se comporta como un diodo, esto es, para una corriente de puerta
suficientemente elevada, la menor tensin de nodo provoca la conduccin en el tiristor.
Para prevenir los posibles encendidos espordicos del tiristor se puede conectar un
resistor en paralelo con la unin puerta-ctodo (siguiente figura). Esto es especialmente
interesante cuando la ganancia del transistor NPN (del par equivalente) es elevada.
(Por lo general suele ser ms elevada que la ganancia del PNP.)
Por otra parte, casi todos los fabricantes integran ya un resistor de difusin entre la
puerta y el ctodo del tiristor; esta tecnologa es la que se conoce como "shorted
emitter", con un cortocircuito puerta-emisor.
Al aumentar el valor de la corriente de puerta necesaria para el encendido del tiristor,

este resistor en paralelo mejora las caractersticas del elemento en bloqueo, y
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aumenta la inmunidad ante transitorios parsitos. La resistencia depende de la

temperatura y de las tolerancias de fabricacin, y vara entre los valores extremos RG,
(mn.) y RG (mx.).
Figura 9 Curva IA en funcin de la IG

Figura 10 Tecnologa Shorted Emitter
Curva caracterstica del SCR

En la Figura 11 se presenta la curva caracterstica tpica de un tiristor (elemento
unidireccional), representndose la corriente IA en funcin de la diferencia de tensin
nodo-ctodo.
Cuando es nula la tensin V, lo es tambin la corriente IA. Al crecer la tensin V en sentido
directo se la designar como VF, siendo F la inicial de "forward" (directo, en ingls)
se alcanza un valor mnimo (Vd) que provoca el encendido; el tiristor se hace
entonces conductor y cae la tensin nodo-ctodo mientras aumenta la corriente IA.
Por lo mismo que hemos dicho de la tensin, a esta corriente directa la llamaremos IF.
Si se polariza inversamente el tiristor, aplicndole una tensin VR(donde R es la inicial
de "reverse", esto es, inverso en ingls) observaremos la existencia de una dbil
corriente inversa de fuga (esta corriente inversa recibir el smbolo IR) hasta que se
alcanza un punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del elemento.
El tiristor es pues conductor slo en el primer cuadrante. El disparo ha sido provocado
en este caso por aumento de la tensin directa. La aplicacin de una corriente de mando
en la puerta desplaza, como veremos, hacia la derecha el punto de disparo Vd.
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Figura 11 Curva caracterstica del SCR Figura 12 Zonas de Trabajo del SCR
Definicin de los smbolos

La curva caracterstica del tiristor puede pues dividirse en 6 regiones, de las que 4
estn situadas en el primer cuadrante. A continuacin definiremos los smbolos
principales relativos a puntos notables de esta curva.
Debido a que la mayor parte de la bibliografa existente sobre tiristores procede de
Estados Unidos, se han conservado aqu las designaciones simblicas del ingls. Las
magnitudes directas llevarn el ndice F (de forward) y las inversas R (de reverse). El
siguiente cuadro resume el significado de las abreviaturas usadas:
CORRIENTE DIRECTA MEDIA

Se define as el valor medio de los valores instantneos de corriente directa nodo-
ctodo en el tiristor, para un intervalo dado de tiempo. Su smbolo es IF(AV).
CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO

Es el valor que puede alcanzar un pico de corriente nodo-ctodo en forma
accidental, esto es transitoriamente y no de modo recurrente. Su smbolo es IFSM y
define pues el valor mximo admisible de las extracorrientes, en el curso de regmenes
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transitorios aleatorios. Normalmente se especifica para , 1, o 10 ciclos a una frecuencia

dada.
CORRIENTE MXIMA DE PUERTA

La corriente mxima de puerta se simboliza IGFS, y es el valor mximo instantneo
que puede alcanzar un pico de corriente en el electrodo de mando del tiristor. Este valor
define tambin el valor mximo de la corriente de mando en rgimen de impulsos de muy
corta duracin.
TENSIN DIRECTA DE DISPARO

La tensin directa de disparo Vd (o tambin VBO) es la tensin directa por encima
de la cual se enciende el tiristor por disparo directo.
TENSIN INVERSA DE RUPTURA

La tensin inversa que produce la ruptura del elemento se designa como VRR.
TENSIN INVERSA REPETITIVA

La tensin inversa recurrente es VRWM. Se define as el valor mximo que puede tomar la
amplitud de la tensin inversa peridica aplicada entre el nodo y ctodo del tiristor.
TENSIN INVERSA REPETITIVA DE PICO

La tensin inversa recurrente de pico es VRPM y es el valor mximo que pueden alcanzar
las punas recurrentes de tensin inversa. Este valor es numricamente superior al valor
mximo de tensin inversa del tiristor (valor de pico mximo).
TENSIN INVERSA TRANSITORIA O ACCIDENTAL

La tensin inversa transitoria o accidental es VRSM. Este valor limita la tensin inversa
ctodo-nodo a la que puede someterse el tiristor, durante un intervalo dado de tiempo.
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TENSIN DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO

La tensin directa de pico en estado de bloqueo es VDWM (o tambin VFDM). Su valor fija
un lmite a la tensin mxima aplicable entre nodo y ctodo del tiristor, con puerta
flotante, sin riesgo de disparo. Esta tensin es pues ligeramente inferior a la tensin de
disparo en ausencia de seal de mando.
POTENCIA TOTAL DISIPADA

La potencia total disipada en el tiristor es Pav. En ella se consideran todas las corrientes:
directa, media e inversa (IFAV e IRR); de fuga, directa e "inversa (IFD e IR); de mando (IG);
corriente capacitiva, etc. Su valor permite calcular el radiador, si es que el tiristor precisa
de uno.
POTENCIA MEDIA DISIPABLE DE PUERTA

La potencia media disipable de puerta es PGAV. Es el valor de la potencia disipada
en la unin puerta-ctodo.
POTENCIA DE PICO DE PUERTA
La potencia de pico de puerta es PGFS. Corresponde a la potencia mxima disipada
en la unin puerta-ctodo, en el caso de aplicarse una seal de disparo no continua. Su
valor es superior al de PGAV y su lmite depende de las condiciones de encendido.
CORRIENTE DE ENGANCHE
La corriente de enganche IL es la corriente IA mnima que hace bascular el tiristor
del estado de bloqueo al de conduccin. Su valor es por lo general de dos o tres
veces la corriente de mantenimiento, definida a continuacin.
CORRIENTE DE MANTENIMIENTO
Para conservar su estado de conduccin el tiristor debe suministrar una comente
de nodo, IA, mnima que recibe el nombre de corriente de mantenimiento, IH. A veces
se denomina tambin a esta corriente, corriente hipo-esttica.
TENSIN DE ENGANCHE
A la corriente LI , de enganche le corresponde una tensin de enganche VL.
19
TENSIN DE MANTENIMIENTO
Del mismo modo, se podra definir una tensin de mantenimiento VH que sera la
tensin que, aplicada al nodo, permitira el paso de la corriente In de mantenimiento.
CORRIENTE DE PUERTA
La corriente de puerta se designa GI . En una serie dada de tiristores teniendo
en cuenta la dispersin de las caractersticas el valor mximo necesario para
asegurar el encendido de cualquier elemento se designa lGT.
TENSIN DE ENCENDIDO
A esta corriente IGT le corresponde una tensin de encendido VGD (que en los
dispositivos de uso corriente se aproxima a 1 V).
TENSIN MXIMA EN LA PUERTA SIN DISPARO

Finalmente, la tensin mxima aplicable a la puerta s n provocar el disparo se simboliza
por VGD. Esta tensin se define a la temperatura mxima y es siempre muy inferior a la
tensin de encendido (puede ser, por ejemplo, de 0,3 V).
Tipos de Tiristores
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere
de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano
a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para
controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y

desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en ocho categoras:
1. Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

2. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
3. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
4. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
20
5. Tiristores de induccin esttica (SITH).

6. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).
7. Tiristores controlados por FET (FET-CTH).
8. Tiristores controlados por MOS (MCT).
TIRISTORES DE CONTROL DE FASE O DE CONMUTACIN RPIDA (SCR)
El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales,

conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo
desarroll la General Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt
posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se
muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR.
Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su

caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la
misma que la del diodo PNPN.
Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es
que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que
fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta,
tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura,
sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces,
solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Una
vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga por debajo de I H.
Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin
que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es
cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo
comn.
Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms
comn en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o
rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos
pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A.
21
Un SCR:
Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO

Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente
iG, presente en el SCR
Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo de IH
Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje
mximo inverso.
Figura 13 Simbolo del SCR
TIRISTORES DE DESACTIVACIN POR COMPUERTA (GTO)
Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por
compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin
suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH.
Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron
prcticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos
dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control de motores,
puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR
en circuitos de cc.
Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR
comn. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del
orden de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa
de entre 20 y 30 s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe
ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.
22
Figura 14 Simbolo
del GTO
TIRISTORES DE TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC)
Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una
compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el
voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El
voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la
misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los
impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC
permanece as hasta que su corriente cae por debajo de IH.
Figura 15 Simbolo del

TRIAC
TIRISTORES DE CONDUCCIN INVERSA (RTC)
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de

un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga
inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El
diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo de las condiciones de
rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede
elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro
del dispositivo.
Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito;

puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se
23
muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR).
El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000v y la especificacin de corriente llega
hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40v. Dado que para un
dispositivo determinado est preestablecida la relacin entre la corriente directa a travs
de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de
circuitos especficos.
TIRISTORES DE INDUCCIN ESTTICA (SITH)
Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como

los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un
SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una
baja resistencia en estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar
con especificaciones de voltaje y corriente ms altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y

di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La especificacin de voltaje
puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es
extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en
el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus
caractersticas.
RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO ACTIVADOS POR LUZ (LASCR)
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada
con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente
de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea
a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes
luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y
dv/dt).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin
de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-
amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de
disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota
24
a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de

voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo
luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico es 250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto
como 2000v/m s.
Figura 17 - LASCR
TIRISTORES CONTROLADOS POR FET (FET-CTH)
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se

muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje
suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el
tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede
desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un
disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la
seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.
Figura 18
Estructura FET-CTH
25
TIRISTORES CONTROLADOS POR MOS (MCT)
Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor

regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito equivalente
se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo correspondiente en la (a). La estructura
NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura
de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de
canal n M2.
Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR
normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican
todas las seales de compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo
directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma
en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de
Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del canal p hacia la base p B1 de Ql (que
es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base
correspondiente al transistor npn Q1. A continuacin e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta
electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el
emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP
Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal
p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2.
Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo V GA.
Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan
lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a
travs del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET
M2 del canal n+). Este flujo de electrones desva la corriente de base del transistor PNP
Q2 de tal forma que su unin base-emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles
para recoleccin por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2de Q2). La eliminacin de esta
corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT
regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta V GA, desva la
corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es

menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores
que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del
dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR
26
estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de

corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe
ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En
muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso
continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de
evitar ambigedad en el estado.
Un MCT tiene:
Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;

Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado
rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
Bajas perdidas de conmutacin;
Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de
corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un
transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar
ambigedad de estado.
Figura 19 Estructura MCT
27
Algunas aplicaciones tpicas
REGULACIN DE LUZ
Una de las aplicaciones ms tpicas de uso domestico es el regulador de luz. La figura 183
muestra un esquema de este circuito basado en el TRIAC MAC218A de Motorola y cuyo
control de disparo se realiza a travs de un SBS. La resistencia R1+R2 carga el condensador
C1 a travs de la propia tensin de alimentacin en alterna y cuando se alcanza la tensin
de ruptura del SBS, este dispara el TRIAC haciendo circular la corriente por la carga
(lmpara). El uso de TRIAC y SBS permite el control de potencia en semiperiodos positivos
y negativos.
El ngulo de conduccin se controla a travs de la resistencia variable R1; contra mas

pequeo sea su valor el ngulo de conduccin ser mayor, y viceversa. Las ecuaciones de
funcionamiento del circuito son difciles de extraer pero en la Figura 20 se indican los
valores tpicos de los diferentes componentes. Los diodos, la resistencia de R4 y el
condensador C2 actan como elementos de proteccin.
Figura 20 Regulador de Luz
Un segundo ejemplo de circuito de regulador de luz se indica en la Figura 21. En este caso,
el UJT 2N4870 es el encargado de disparar al TRIAC. El circuito de polarizacin del UJT est
constituido por un circuito rectificador de diodos, una resistencia y el diodo zener 1N4871
de 22V; con ello se consigue obtener la seal VS indicada en la parte inferior de la figura.
Esta seal seria prcticamente una onda cuadrada si no existiese el TRIAC. El disparo del
TRIAC hace que la cada de tensin en sus terminales sea muy baja (~1 a 2V) anulando el
28
circuito de polarizacin (VS~ 0V). El UJT acta como oscilador de relajacin cuya frecuencia
est determinada por R1 y C1. La activacin del UJT dispara a su vez el TRIAC a travs de un
pequeo transformador. El ngulo de conduccin del TRIAC oscila entre =0 a 170 en
cada semiperiodo.
Figura 22 Regulador de Luz con UJT
CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES
El control de velocidad de los motores se ha realizado en base a SCR en mayor medida que
en TRIAC. A primera vista, el TRIAC presenta mayores ventajas debido a su simetra, lo que
le confiere ciertas ventajas frente al SCR que nicamente conduce en un semiperiodo. Sin
embargo, el TRIAC tiene unas caractersticas dv/dt inadecuadas para el control de motores
y es difcil la realizacin de circuitos de control simtricos. Por otra parte, el SCR puede
conducir en todo el periodo si se rectifica la seal de red. Las figuras 185a y 185b
muestran dos ejemplos sencillos de control realizados a travs de SCR de un motor
universal (Figura 23a) y un motor de imn-permanente (Figura 23b).
29
Figura 23 Control de velocidad de motores - a)Motor universal b)Motor de imn permanente
CONTROL DE CALOR CON SENSOR DE TEMPERATURA
El circuito de control de calor mostrado en la Figura 24 ha sido concebido para controlar la

temperatura de una habitacin, bien utilizando una fuente de calor (por ejemplo, una
resistencia elctrica o un horno) o bien utilizando un ventilador (o cualquier dispositivo
refrigerador). El circuito de disparo se realiza a travs de un UJT que introduce un ngulo
de conduccin de los TRIAC que va a depender de la temperatura de la habitacin medida
a travs de una resistencia trmica (termistor) RT cuyo valor es de 2 k a 25 C; el
rectificador de puente de diodos y el diodo zener 1N5250A alimentan a este circuito de
disparo. R2 se ajusta para que el transistor bipolar 2N3905 este en corte a una
temperatura dada. Cuando el 2N3905 est en corte ninguna corriente carga el
condensador C y, por consiguiente, el UJT y los TRIAC estn cortados. Si el 2N3905 esta a
ON, este carga el condensador C y dispara el UJT cuando alcanza la tensin V P. El tiempo
que tarda en alcanzar la tensin VP del UJT depende de RT. Un incremento en la
temperatura disminuye el valor de RT, y por consiguiente, disminuye el valor de corriente
de colector del transistor aumentando a su vez el tiempo de carga del condensador
(disminuye el ngulo de conduccin). Por el contrario, al disminuir temperatura aumenta
el ngulo de conduccin. El modo de operar con la temperatura se invierte si se
intercambia RT con R2.
30
Figura 24 Circuito de control de calor
Hojas de Datos
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Bibliografia
Apuntes
Academia de Instrumentacion - CECyTEM - Unidad I: Tiristores
Rashid - Capitulo 7 - Teoria del Tiristor
Universidad del Salvador Dispositivos Electronicos Tiristores y Triacs
Sitios Web
http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm#lascr
http://www.datasheetcatalog.net
47

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE

Monografa: Tiristores (SCR)

Un poco de historia ................................................................................................................ 4

Dispositivos semiconductores de potencia ........................................................................ 4

Estructura y Simbologia ...................................................................................................... 8

Funcionamiento del Tiristor en bloqueo o polarizacin inversa ................................. 9

Modelo de SCR de dos transistores: ................................................................................. 10

Funcionamiento del Tiristor en conduccin o polarizacin directa........................... 11

Principio de Encendido por Compuerta (Gate) ................................................................ 12

Activacin del SCR ............................................................................................................. 14

Accin de la Compuerta (Gate) ......................................................................................... 15

Curva caracterstica del SCR.............................................................................................. 16

Definicin de los smbolos ................................................................................................ 17

Tipos de Tiristores ............................................................................................................. 20

Algunas aplicaciones tpicas.............................................................................................. 28

Hojas de Datos ...................................................................................................................... 31

El Tiristor o SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica de los

La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se

La historia de la electrnica de potencia empez e el ao 1900, con la introduccin del

Dispositivos semiconductores de potencia

control de la energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios

razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en

como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se conservar

El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbitrariamente

Interrupcin de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede

Regulacin: la posibilidad de ajustar el momento preciso del encendido permite

Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy dbil en

Funcionamiento del Tiristor en bloqueo o polarizacin inversa

La tensin mxima viene limitada, prcticamente, por la tensin de avalancha de los

Figura 3 - Las tres uniones del tiristor

Figura 4 El SCR polarizado en Inversa

Modelo de SCR de dos transistores:

Figura 5 A) SCR simplificado. B) SCR como dos Transistores. C) Circuito Equivalente

Funcionamiento del Tiristor en conduccin o polarizacin directa

Lo que nos queda:

Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece pues bloqueada

Figura 6 El SCR en polarizacin Directa

Principio de Encendido por Compuerta (Gate)

Una vez polarizado directamente el tiristor se inyecta un impulso positivo de

2. El producto 1 . 2 tiende a la unidad, con lo que se realiza el proceso de

Estas dos condiciones (1 . 2 < 1 y 1 . 2 = 1) caracterizan el estado del tiristor en

Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante

En cuanto se produce el encendido, la realimentacin hace que los dos transistores

Figura 7 Modelo SCR con transistores Figura 8 Curva Beta en funcin de la IE

Activacin del SCR

De bloqueo o de conduccin, cuando la polarizacin es directa, segn que est

LA TENSIN: Cuando aumenta la tensin nodo-ctodo del tiristor, llega un

LA DERIVADA DE LA TENSIN: Ya se sabe que una unin PN presenta una cierta

capacidad se carga con una corriente: Y, si esta corriente I es suficientemente

LA TEMPERATURA: La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio

EL EFECTO TRANSISTOR: Es la forma clsica de gobernar un tiristor. En la

EL EFECTO FOTOELCTRICO: La luz, otra de las formas de energa, puede

Accin de la Compuerta (Gate)

Cuando es nula la corriente lG de puerta, el tiristor no se ceba hasta que se alcanza la

Al aumentar el valor de la corriente de puerta necesaria para el encendido del tiristor,

aumenta la inmunidad ante transitorios parsitos. La resistencia depende de la

Figura 9 Curva IA en funcin de la IG

Curva caracterstica del SCR

Definicin de los smbolos

CORRIENTE DIRECTA MEDIA

CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO

transitorios aleatorios. Normalmente se especifica para , 1, o 10 ciclos a una frecuencia