FOTODIODO

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de

la luz visible oinfrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente,
con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz.
Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en
ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el
negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre decorriente
de oscuridad.

Principio de Operacin

Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energa llega al
diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la
absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l,
estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento,
produciendo una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin
directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite
en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula
en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el
fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de
corriente cuando el diodo es excitado por la luz.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos
mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona
de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del
dispositivo.

Composicion

El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus

propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de
hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier
otro material semiconductor.

Material Longitud de onda (nm)

Silicio 1901100

Germanio 8001700

Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600

 sulfuro de plomo <1000-3500

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos

medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin
por nitrgeno lquido.

Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie

amplia.

Uso

A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y

viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de
respuesta ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd
transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser
procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
Usados en fibra ptica

Investigacion

La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el
desarrollo de clulas solares econmicas, miniaturizacin y mejora de los
sensores CCD y CMOS, as como de fotodiodos ms rpidos y sensibles para su uso en
telecomunicaciones con fibra ptica.

Desde 2005 existen tambin semiconductores orgnicos. La empresa NANOIDENT

Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar unfotodetector orgnico, basado en
fotodiodos orgnicos.

Fotodiodo.
Diodo detector de luz

El fotodiodo se parece mucho a undiodo semiconductor comn, pero tiene una caracterstica
que lo hace muy especial: es un dispositivo queconduce una cantidad de corriente
elctrica proporcional a la cantidad deluz que lo incide (lo ilumina).

Luz incidente

Sentido de la corriente generada

Esta corriente elctrica fluye ensentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de
fuga.
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz
en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un
cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo.

Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de

la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se
comportara como un diodo semiconductor normal.

La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de
luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente.

A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a

iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo
de respuesta ms pequeo.

Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el

colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor),
se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de

la luz visible oinfrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente,
con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz.
Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en
ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el
negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente
de oscuridad.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus
propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de
hasta 1m); germanio para luz infrarroja(longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier
otro material semiconductor.
Ancho de Banda
Un ancho de banda tpico de un LED es de 200 MHz, con rendimientos de 50 mW/mA. Los
LED presentan un espectro de emisin ms ancho que los lser. Un LED de 850 nm. tiene un
ancho entre 30 y 50 nm.
Fotodiodo Avalancha
El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicacin por avalancha para conseguir amplificar la
fotocorriente creada por los pares hueco-electrn. Esto proporciona una elevada sensibilidad y
gran rapidez. Sin embargo, el equilibrio entre ruido y ganancia es difcil de conseguir y como
consecuencia, el coste es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se
requiere una tensin de alimentacin de valor elevado (100-300 v.), estrechamente controlada.
Por estas razones, el fotodiodo de avalancha tiene limitadas aplicaciones.

El fotodiodo es un dispositivo de unin pn que opera con polarizacin en inversa. El fotodiodo

tiene una peqea ventana transprente que permite que la luz incida en la unin pn, o sea que
slo funciona en presencia de la luz.
Cuando est polarizado en inversa, un diodo rectificador tiene una corriente de fuga inversa
muy pequea. lo mismo es cierto para el fotodiodo; un fotodiodo difiere de un diodo rectificador
en que la corriente en inversa crece con intensidad luminosa en la unin pn. Cuando no hay luz
incidente, la corriente en inversa es casi despreciable y se denomina corriente obscura.
 Fotodiodo

A fotodiodo es un tipo de fotodetector capaz de convertir luz en

cualquiera actual o voltaje, dependiendo del modo de operacin.

Los fotodiodos son similares a regular semiconductor diodos salvo que pueden o ser
expuestos (detectar vaco UV oRadiografas) o empaquetado con una ventana o fibra
ptica conexin para permitir que la luz alcance la pieza sensible del dispositivo. Muchos
diodos disearon para el uso especficamente pues un fotodiodo tambin utilizar
a PERNO ensambladurams bien que el tpico Ensambladura del PN.

Contenido

1 Gua de referencia rpida

2 Teora de operacin
o 2.1 Modo Photovoltaic
o 2.2 Modo fotoconductor
o 2.3 El otro modo de operacin
3 Materiales
4 Caractersticas
5 Usos
o 5.1 Comparacin con los photomultipliers
o 5.2 P-N contra PERNO fotodiodos
6 Arsenal del fotodiodo
7 Vea tambin
8 Referencias
9 Acoplamientos externos

Gua de referencia rpida

La mayora de los fotodiodos parecern el cuadro a la derecha, es decir, similar a a diodo

electroluminoso. Tendrn dos plomos, o alambres, viniendo del fondo. El final ms corto
de los dos es ctodo, mientras que el extremo ms largo es nodo. Vea abajo para un
dibujo esquemtico del lado del nodo y del ctodo. La corriente pasar del nodo al
ctodo, bsicamente siguiente la flecha.

Teora de operacin

Un fotodiodo es a Ensambladura del PN o PERNO estructura. Cuando a fotn de

suficientes huelgas de la energa el diodo, excita un electrn de tal modo que crea un
electrn mvil y un agujero positivamente cargado del electrn. Si la absorcin ocurre en
la regin de agotamiento de la ensambladura, o una longitud de difusin lejos de ella,
estos portadores son barridos de la ensambladura por el campo incorporado de la regin
de agotamiento. As los agujeros se mueven hacia el nodo, y electrones hacia el ctodo,
y se produce un photocurrent.

Modo Photovoltaic

Cuando est utilizado en cero diagonal o el modo photovoltaic, el flujo de photocurrent

del dispositivo es restricto y un voltaje se acumula. El diodo se polariza hacia adelante y
la corriente oscura comienza a fluir a travs de la ensambladura en la direccin frente al
photocurrent. Este modo es responsable de efecto photovoltaic, para que es la
base clulas solares- en hecho, una clula solar es justa un arsenal de fotodiodos grandes
del rea.

Modo fotoconductor

En este modo el diodo est a menudo (pero no siempre) en polarizacin negativa reverso.
Esto aumenta la anchura de la capa de agotamiento, que disminuye la
ensambladura capacitancia dando por resultado tiempos de reaccin ms rpidos. El
diagonal reverso induce solamente una cantidad pequea de corriente (conocida como
corriente de la saturacin o de la parte posteriora) a lo largo de su direccin mientras que
el photocurrent del restos iguales virtualmente.
 Aunque este modo es ms rpido, el modo photovoltaic tiende para exhibir menos ruido
electrnico.[citacin necesitada] (La corriente de la salida de un buen PERNO diodo es tan baja -
< 1nA que Ruido de Johnson-Nyquist de carga la resistencia en un circuito tpico domina
a menudo.)

El otro modo de operacin

Fotodiodos de la avalancha tenga una estructura similar a los fotodiodos regulares,

pero se funcionan con un diagonal reverso mucho ms alto. Esto permite cada uno foto-
generado portador que se multiplicar cerca interrupcin de la avalancha, dando por
resultado aumento interno dentro del fotodiodo, que aumenta el eficaz responsivity del
dispositivo.

Fototransistores tambin consista en un fotodiodo con aumento interno. Un

fototransistor no es esencialmente nada ms que a transistor bipolar encajonar eso en un
caso transparente para luz puede alcanzar base-colector ensambladura. Los electrones
que son generados por los fotones en la ensambladura del base-colector se inyectan en la
base, y esta corriente son amplificados por la operacin del transistor. Observe eso
aunque los fototransistores tienen un ms alto responsivity para la luz no pueden
detectar los niveles bajos de la luz mejores que los fotodiodos. Los fototransistores
tambin tienen tiempos de reaccin ms lentos.

Materiales

El material haca un fotodiodo es crtico a definir sus caractersticas, porque

solamente fotones con la suficiente energa a excitar electrones a travs del
material bandgap producir photocurrents significativos.

Los materiales de uso general producir los fotodiodos incluyen:

Material Gama de longitud de onda (nanmetro)

Silicio 1901100

Germanio 4001700

Arseniuro de galio del indio 8002600

Sulfuro del plomo <1000-3500

Debido a su mayor bandgap, los fotodiodos silicio-basados generan menos ruido que los
fotodiodos germanio-basados, pero los fotodiodos del germanio se deben utilizar para las
longitudes de onda ms de largo que aproximadamente 1 m.

Puesto que los transistores e ICs se hacen de semiconductores, y contienen

ensambladuras del P-N, casi cada componente activo es potencialmente un fotodiodo.
Muchos componentes, especialmente sos sensibles a las corrientes pequeas, no
trabajarn correctamente si estn iluminados, debido a los photocurrents inducidos. En la
mayora de los componentes esto no se desea, as que se colocan en una cubierta opaca.
Puesto que las cubiertas no son totalmente opacas a las radiografas o a la otra radiacin
de la alta energa, stas pueden todava causar a muchos ICs al malfuncionamiento
debido a las foto-corrientes inducidas.

Caractersticas

La parametrizacin para la optimizacin del tratamiento crtica de un fotodiodo incluye:

responsivity

El cociente de photocurrent generada a la energa de la luz del incidente, expresado

tpicamente adentro A/W cuando est utilizado en modo fotoconductor. El
responsivity se puede tambin expresar como a eficacia del quntum, o el cociente
del nmero de photogenerated los portadores a fotones del incidente y as a una
cantidad unitless.

corriente oscura

La corriente a travs del fotodiodo en ausencia de la luz, cuando se funciona en

modo fotoconductor. La corriente oscura incluye photocurrent generada por la
radiacin de fondo y la corriente de la saturacin de la ensambladura de
semiconductor. La corriente oscura se debe explicar cerca calibracin si un fotodiodo
se utiliza para hacer una medida ptica exacta de la energa, y la est tambin una
fuente de ruido cuando un fotodiodo se utiliza en un sistema de comunicacin ptica.

energa ruido-equivalente

(NEP) la energa ptica de la entrada mnima de generar photocurrent, igual a la

corriente del ruido del rms en un 1hertzios anchura de banda. La caracterstica
relacionada detectivity (d) es lo contrario del NEP, 1/NEP; y detectivity especfico ()
es el detectivity normalizado al rea (a) del fotodetector, . El NEP es spero la
energa de entrada perceptible mnima de un fotodiodo.

Cuando un fotodiodo se utiliza en un sistema de comunicacin ptica, estos parmetros

contribuyen a sensibilidad del receptor ptico, que es la energa de entrada mnima
requiri para el receptor para alcanzar especificada cociente de error de pedacito.

Usos

Los fotodiodos del P-N se utilizan en usos similares a otro fotodetectores, por
ejemplo photoconductors, dispositivos acoplados de carga elctrica,
y photomultiplier tubos.

Los fotodiodos se utilizan adentro electrnica de consumidor dispositivos por

ejemplo disco compacto jugadores, detectores de humos, y los receptores para los
mandos a distancia adentro VCRs y televisiones.

En otros artculos del consumidor por ejemplo cmara fotogrfica fotmetros, radios de
reloj (las que amortiguan la exhibicin cuando son oscuros) y luces de
calle, photoconductors son de uso frecuente ms bien que los fotodiodos, aunque en
principio cualquiera podra ser utilizada.

Los fotodiodos son de uso frecuente para la medida exacta de la intensidad de luz en
ciencia e industria. Tienen generalmente una respuesta mejor, ms linear que los
photoconductors.

Son tambin ampliamente utilizados en varios usos mdicos, tales como detectores
para tomography computado (juntado conscintillators) o instrumentos para analizar
muestras (immunoassay). Tambin se utilizan adentro monitores del gas de sangre.

PERNO diodos sea mucho ms rpido y ms sensible que los diodos de ensambladura
ordinarios del p-n, y por lo tanto sea de uso frecuente para comunicaciones pticas y en
la regulacin de iluminacin.

Los fotodiodos del P-N no se utilizan para medir intensidades de la luz corta
extremadamente. En lugar, si la alta sensibilidad es necesaria, fotodiodos de la
avalancha, dispositivos acoplados de carga elctrica intensificados o photomultiplier los
tubos se utilizan para los usos por ejemplo astronoma, espectroscopia, equipo de la
visin de la noche y rangefinding del laser.
Comparacin con los photomultipliers

Ventajas comparadas a photomultipliers:

1. Las linearidades excelentes de la corriente de salida en funcin del incidente se

encienden
2. Respuesta espectral a partir del 190 nanmetro a 1100 nanmetro (silicio), ms de
largo longitudes de onda con otromateriales del semiconductor
3. De poco ruido
4. Ruggedized a la tensin mecnica
5. Bajo costo
6. Acuerdo y peso ligero
7. Curso de la vida largo
8. Alto eficacia del quntum, el tpicamente 80%
9. Ningn alto voltaje requiri

Desventajas comparadas a photomultipliers:

1. rea pequea
2. Ningn aumento interno (excepto fotodiodos de la avalancha, solamente su aumento
es tpicamente 10 el - 10 comparado a hasta 108 para el photomultiplier)
3. Una sensibilidad total mucho ms baja
4. Fotn que cuenta solamente posible con los fotodiodos especialmente diseados,
generalmente refrescados, con los circuitos electrnicos especiales
5. El tiempo de reaccin para muchos disea es ms lento

P-N contra PERNO fotodiodos

1. Debido a la capa intrnseca, un PERNO fotodiodo debe ser en polarizacin negativa

reverso (Vr)[la citacin necesit]. El Vr aumenta la regin de agotamiento permitiendo un
volumen ms grande para la produccin de par del electrn-agujero, y reduce la
capacitancia de tal modo que aumenta la anchura de banda.
2. El Vr tambin introduce la corriente del ruido, que reduce el cociente de S/N. Por lo
tanto, un diagonal reverso se recomienda para usos ms altos de la anchura de
banda y/o los usos donde se requiere una gama dinmica ancha.
3. Un fotodiodo del PN es ms conveniente para los usos de la luz corta porque permite
la operacin imparcial.

Arsenal del fotodiodo

Fotodiodos de los centenares o de los millares (hasta 2048) del rea sensible tpica
0.025mmx1m m por cada uno dispuestos como arsenal unidimensional, que se puede
utilizar como a sensor de posicin. Una ventaja de los rdenes del fotodiodo (PDAs) es
que permiten el paralelo de la velocidad ledo hacia fuera puesto que la electrnica que
conduce no se puede construir adentro como un sensor tradicional del Cmos o del CCD.