Calculo zener

http://www.unedcervera.com/c3900038/estrategias/estrategias_diodos.html

Magnitudes que intervienen y sus unidades:

Semiconductores intrnsecos:
Los semiconductores presentan resistividad intermedia entre los metales y los aislantes.

Los ms usados son silicio (Si) y germanio (Ge).

A cualquier temperatura por encima de 0 K la agitacin trmica provoca que algunos
electrones rompan sus fuerzas de ligadura con los tomos y viajen por el interior del cristal.
El fenmeno produce, simultneamente, un hueco electrnico, que puede asimilarse a una
carga positiva de idntica magnitud que el electrn.Se puede suponer que tanto los
electrones(-), como los huecos(+) son portadores libres con valores especficos de
concentracin (que aumenta con la temperatura) y movilidad.
Si se aplica un campo elctrico (E) entre los extremos de un semiconductor, los electrones(-
) se desplazarn en sentido opuesto al campo y los huecos(+) en el sentido del campo, pero
ambos portadores contribuyen a una corriente elctrica del mismo sentido (por convenio el
de los huecos)

como la agitacin trmica produce igual nmero de electrones que de huecos (n=p=ni) se
obtiene la conductividad intrnseca (que slo depende de la temperatura):

Semiconductores extrnsecos o dopados:

Si sustituimos en un semiconductor unos pocos tomos de Si (tetravalente), por ejemplo 10-
6
, por un elemento(dador) con 5 electrones de valencia (P, Sb, As) se puede aumentar el
nmero de electrones libres, obtenindose un semiconductor tipo N.
La sustitucin de unos pocos tomos de Si por un elemento(aceptor) con 3 electrones de
valencia (B,Al) origina un hueco por cada tomo sustituido, obtenindose un
semiconductor tipo P.
Ejemplo DI1
Una zona de silicio intrnseco en un circuito integrado utilizada como resistencia tiene
forma de barra de 4 mm de longitud y una seccin rectangular de 1250x20000 micras.
Calcular su resistencia a 300 K, teniendo en cuenta los siguientes datos:

Diodo de unin PN:

Si un semiconductor se dopa en un extremo con impurezas tipo P y en el otro con tipo N se
originan unas corrientes de difusin de huecos (en el sentido P --> N) y de electrones (en el
sentido N --> P) que debido a sus diferentes cargas originan una corriente de difusin neta
de P --> N. Las corrientes de difusin empobrecen en portadores la zona de unin PN,
originndose una diferencia de potencial (potencial de unin) de 0.1-0.2 V, siendo la zona
de potencial positivo la ms prxima a N.

Diodo de unin PN polarizado:

- Polarizacin directa (conduccin), por encima de unos 0.6 V, un diodo de Si equivale a
una pila de 0.6 V con una resistencia en serie muy pequea (en la prctica para tensiones
superiores a 10 V es equivalente a un cortocircuito)

- Polarizacin inversa (corte), el diodo se comporta como una fuente de intensidad (-Is)
dependiente de la temperatura (para el Si Is se duplica cada 10C), en muchos casos puede
asimilarse a un circuito abierto.
Ejemplo DI2
Un diodo de tensin umbral 0.7V y resistencia interna 100 ohmios se conecta a una fuente
de tensin de 15 V a travs de una resistencia de 900 ohmios. Calcule la corriente que
circula por el diodo si ste se haya polarizado directamente.

Ejemplo DI3
Se dispone de una resistencia R1=1 kohmio en paralelo con un diodo D, este conjunto se
pone en serie con otra resistencia R2=1 kohmio y todo ello se conecta a una red elctrica de
110 Vef/60 Hz. a) Cul es el valor mximo de corriente que
circula por R1?, b) y por R2?. Uumbral=0 ,rd=0

Diodo zener:
La curba caracterstica presenta una zona casi vertical en la polarizacin inversa (que es la
que se usa habitualmente en estos diodos), en estas condiciones el circuito equivalente es
una pila (Uz) con una pequea resistencia en serie (rz).
 En polarizacin directa es equivalente a un diodo normal ( Ud= 1V para el Si). El diodo
zener es usa en estabilizadores y limitadores de tensin.Ejemplo DI4
Ejemplo DI4
La zona de tipo N de un diodo zener se conecta al terminal positivo de una fuente de
tensin de 15 V a travs de una resistencia serie de 1000 ohmios. La zona P de ese diodo se
conecta al terminal negativo de dicha fuente. Sabiendo que este diodo se caracteriza por
UZ=5.6 V rz=100ohmios, UD=0.7 VD=10 V. Cul es la corriente que circula por el diodo?.

Diodo fotoemisor:
En diodos fabricados con PGa o PAsGa la energa procedente de la recombinacin
electrn-hueco se emite en forma de fotones. La cada de tensin en conduccin (2.5 V) es
superior a la de los diodos normales , la tensin inversa mxima permitida es muy baja (5
V).

Ejemplo DI5
La potencia radiante de un diodo emisor de luz (LED) en funcin de la corriente que circula
por el diodo viene dada por la grfica de la figura. Determinar cul es la potencia radiante
del LED si la cada de tensin a travs del diodo es de 1 V.