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SPICE Nivel Electrico PDF
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PRIMITIVAS DE SPICE
SINTAXIS DE SPICE
TIPOS DE ANLISIS:
Anlisis en DC
Anlisis en AC
Anlisis transitorio
Anlisis a distintas temperaturas
ELEMENTOS:
Resistencias
Condensadores
Bobinas
Bobinas acopladas
Fuentes independientes
Fuentes variables con el tiempo:
Pulso
Sinusoidal
Exponencial
Lineal a tramos
Modulada en frecuencia
Fuentes controladas
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES:
Diodo de unin p-n
Transistor BJT
Transistor JFET
Transistor MOSFET
SUBCIRCUITOS
LNEAS DE CONTROL:
Anlisis en DC:
.OP .DC .TF .SENS
Anlisis en AC:
.AC .NOISE .DISTO
Anlisis transitorio:
.IC .TRAN .FOUR
Control de Salida
PROBLEMAS EN LA SIMULACIN
ANEXO
PRIMITIVAS DE SPICE
SPICE es un simulador elctrico que reproduce el comportamiento (I, V)
de circuitos formados por los siguientes elementos o primitivas:
1. Resistencias
6. Dispositivos semiconductores
Diodos
BJT NPN
BJT PNP
JFET canal P
JFET canal N
MOSFET canal P
MOSFET canal N
7. Lneas de transmisin
EJEMPLO:
R1
10k
+
V1 = 5V 10k R2
****************************************************************
*
* Esta linea es un COMENTARIO.
*
V1 1 0 5V
R1 1 2 10K
R2 2 0 10k
*
*
.OP
.END
( 1) 5.0000 ( 2) 2.5000
V1 -2.500E-04
JOB CONCLUDED
TOTAL JOB TIME 1.59
LNEA DE TTULO
LNEAS DE ELEMENTOS
LNEAS DE MODELOS
LNEAS DE CONTROL
LNEAS DE COMENTARIO
LNEA DE FINAL
Lneas de elementos:
Existe una por elemento.
Definen la topologa de interconexionado del elemento y el valor
del mismo.
Lneas de modelo:
Existe una por cada modelo distinto que se considere.
Especifican los parmetros del modelo en cuestin.
Lneas de comentarios:
Son transparentes para SPICE.
Se inicia con *.
Lneas de control:
Permiten especificar el tipo de anlisis a realizar y las condicio-
nes del mismo.
Nombres:
Deben comenzar por una letra y no pueden contener espacios,
comas, +, =, ;.
Nmeros:
Enteros o de coma flotante.
Se permiten exponentes y factores de escala:
Se ignoran:
1) Las letras que haya detrs de un nmero y no sean fac-
tores de escala.
2) Las letras que sigan a un factor de escala.
R (resistencias)
C (condensadores)
L (bobinas)
K (bobinas acopladas)
T (lneas de transmisin)
G (VCCS)
E (VCVS)
F (CCCS)
H (CCVS)
D (diodos)
Q (BJTs)
J (JFETs)
M (MOSFETs)
X (subcircuitos)
TIPOS DE ANLISIS
ANLISIS EN DC
ANLISIS EN AC
ANLISIS EN TRANSITORIO
ELEMENTOS PASIVOS
RESISTORES:
N+
+
Rxxxxxxx=VALOR ()
-
N-
[
VALOR (T) = VALOR (T0) 1 + TC1(T-T0) + TC2(T-T0)2 ]
CONDENSADORES Y BOBINAS:
N+ N+
+ +
Cxxxxxxx=VALOR (F) Lxxxxxxx=VALOR (H)
- -
N-
N-
N+ N+
+ m + m
q = f (V) = Ci V i = f (I) = Li I i
- i=0 - i=0
N-
N-
BOBINAS ACOPLADAS:
N+ N+
Lyyyyyyy Lzzzzzzz
N- N-
FUENTES INDEPENDIENTES
Se pueden dar dos situaciones bsicas de especificaciones:
Caso A:
N+
+ N+
valor
- AC valor valor
AC DC/TRAN
+ valor cte.
- DC/TRAN N-
cte.
N-
En el anlisis en DC o en transitorio se anula la fuente de AC.
En el anlisis en AC ste se realiza sobre el punto de trabajo
determinado por el valor de la fuente de DC.
Caso B:
N+
+ N+
valor
AC
- valor DC/TRAN
AC f(t)
+ DC/TRAN
- f(t) N-
N-
Para anlisis transitorio la fuente es variable en el tiempo y se
anula la de AC.
El anlisis en DC se hace con f(0).
El anlisis en AC, ste se hace sobre el punto de trabajo resul-
tante con f(0).
Valor DC/TRAN = 0
AC = no hay fuente de AC
PULSO (PULSE)
SINUSOIDAL (SIN)
EXPONENCIAL (EXP)
PULSO:
V2
V1
t
0 TD TD+TR TD+TR+PW TD+TR+PW+TF
EJEMPLO
5V
0V
10 15 35 40 50 60 65 85 90 100 110 115 135 140
t (ns)
o bien:
SINUSOIDAL:
1/FREQ
VA
V0
t
0 TD
Se describe por:
V0 si 0 < t < TD
V0 + VAe-(t-TD)THETA sen[2FREQ(t-TD)] si t TD
EXPONENCIAL:
V2
cte. de tiempo
TAU1 cte. de tiempo
TAU2
V1
t
0 TD1 TD2
Se describe por:
LINEAL A TRAMOS:
V3
V2
V1
V0
t
T0 T1 T2 T3
EJEMPLO
1 PWL (0 0 10n 0 15n 5 35n 5 40n 0)
2 PWL (0 0 10n 0 35n 5 40n 0)
5V 1 5V 2
0V 0V
10 15 35 40 t (ns) 10 15 35 40 t (ns)
MODULADA EN FRECUENCIA:
VA
V0
Se describe por:
V = V0 + VAsen[2FCt + MDIsen(2FSt)]
NC+ N+
+ I2 2
I
V1 VALOR = ----
V
-
1
-
NC- N-
NC+ N+
+ V
2
I1 + VNAM + V2 VALOR -
= ----
- - I
1
-
NC- N-
NC+ N+
I2 I
+ VNAM 2
I1 VALOR = ---
- I
1
NC- N-
FORMA GENRICA:
y = f (x1, x2, x3, ..., xm)
donde
y, variable controlada, puede ser una tensin o una intensidad.
xi (1 i m), variables de control, son tensiones o intensidades.
Asignacin de coeficientes:
y = P0 + P1x1 + P2x2 + ...+ Pmxm +
+ Pm+1x12 + Pm+2x1x2 + ... + Pm+mx1xm +
+ P2m+1x22 + P2m+2x2x3 + ...
FORMATO:
VCVS: Exxxxxxx N+ N- <POLY(ND)> NC1+ NC1- <NC2+ NC2- ...>
+ P0 <P1 ...> <IC=val>
donde ND indica el nmero de variables de control y (NC1+, NC1-),
(NC2+, NC2-), ..., son pares de nudos entre los que estn definidas
dichas variables.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
LNEA DE ELEMENTO
DIODO DE UNIN:
I
N+ N-
+ V -
TRANSISTOR BIPOLAR:
NC NC
NPN + PNP +
NB NS VCE NB NS VCE
+ +
VBE - - VBE - -
NE NE
VALORES POR DEFECTO:
AREA = 1
Dispositivo en ON para condiciones iniciales, anlisis DC.
VBE y/o VCE = 0
M = 1
TRANSISTOR JFET:
ND ND
CANAL N CANAL P
+ +
NG VDS NG VDS
+ +
VGS - - VGS - -
NS NS
TRANSISTOR MOSFET:
NMOS ND PMOS ND
+ +
NG NB VDS NG NB VDS
+ + + +
VGS VBS VGS VBS
- - - - - -
NS NS
LNEA DE MODELO
SUBCIRCUITOS
Son circuitos definidos como un conjunto de elementos en el fichero de
entrada y que pueden ser llamados y colocados como un dispositivo ms
dentro de un circuito ms complejo.
FORMA DE DEFINIRLOS:
FORMA DE INVOCARLOS:
EJEMPLO
VA
X1
VB X3 VD
VC X2
Vcc=5V Vcc=5V
V1 R1 Ro
Vo 5k 5k
V2 D1
V1
Vo
D2
V2 G1(V3)=1+V3+V32+V33
+
V3 R2
5k
-
LNEAS DE CONTROL
Permiten especificar el anlisis a realizar sobre el circuito, indicando asi-
mismo cmo cambiar parmetros de carcter general.
.NOMBRE ....
ASOCIADAS AL ANLISIS EN DC
.OP
Adems de calcular el punto de trabajo (por defecto), da informa-
cin de los modelos en pequea seal de los dispositivos.
.DC
.DC NOMBRE1 VALC1 VALF1 VALI1
+ <NOMBRE2 VALC2 VALF2 VALI2>
ASOCIADAS AL ANLISIS EN DC
.NODESET
.NODESET V(NUMNOD)=VAL V(NUMNOD)=VAL ....
.TF
.TF VARSAL VALENT
.SENS
.SENS OV1 <OV2 ...>
ASOCIADAS AL ANLISIS EN AC
.AC
.AC DEC NO FCOM FFIN
.AC OCT NO FCOM FFIN
.AC LIN NO FCOM FFIN
.NOISE
.NOISE OUTV INSRC NUMS
RC1 RC2
RS1 RS2
Q1 Q2
+
VIN
- RE
VEE
NAME CURRENT
VCC -1.127E-03
VEE 1.147E-03
VIN -9.996E-06
VM(5)
VP(5)
ASOCIADAS AL ANLISIS EN AC
.DISTO
.DISTO RLOAD <INTER <SKW2 <REFPWR <SPW2 >
SPW2 = Amplitud de F2
.IC
.IC V(NUMNOD)=VAL V(NUMNOD)=VAL ....
.TRAN
.TRAN TSTEP TSTOP <TSTART <TMAX <UIC >
.FOUR
.FOUR FREQ OV1 <OV2 OV3 ...>
.TEMP
.TEMP T1 <T2 <T3 ... >
.WIDTH
.WIDTH IN=NCOLUM OUT=NCOLUM
.OPTIONS
.OPTIONS OPT1 OPT2 ... (o OPT=OPTVAL ...)
OPCIONES EFECTO
INVERSOR CMOS
Vout
VDD = 3.3V
5/0.35
Vin Vout
2/0.35 10pF
Vin
Vin
Vout
VdB(out)
Vp(out)
90o
Vin
10mV
180o
Vout
200mV
1.75V
Vin
10mV
135o
Vout
142.5mV
1.75V
10mV
Vin
90o
Vout
2.75mV
1.75V
Vout
ANLISIS TRANSITORIO: .FOUR
****** fourier analysis tnom= 25.000 temp= 25.000
Vout
ANLISIS TRANSITORIO: .FOUR
****** fourier analysis tnom= 25.000 temp= 25.000
R1 R2 Ro
Vout Vout
Vin C1 V1 R1 A.V1 RL
R1 C1 C2
Vout
L1
R2 V1
V1 R >> R >>
R >> C3
V1 V2 L1 L2 V1 L1 V1 L1
5) CIRCUITOS GRANDES
- Memoria RAM Dividir el circuito y simular independientemente cada parte
- Limitacin del Simulador
7) TRANSITORIOS LARGOS
- Limitacin del nmero de print steps: LIMPTS en .OPTIONS LIMPTS = 0 (ilim, default)
LIMPTS = 32000 (mx)
8) CONVERGENCIA
- .DC Circuitos con realimentacin positiva o histresis
Vin (V)
Vout 3
2
1
Vin 0 t (s)
0 2 4