ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES

Y DE TELECOMUNICACIN

UNIVERSIDAD DE CANTABRIA

INSTRUMENTACIN ELECTRNICA DE COMUNICACIONES

(5 Curso Ingeniera de Telecomunicacin)

Tema V:
Amplificadores de potencia.

Jos Mara Drake Moyano

Dpto. de Electrnica y Computadores
Santander, 2005
Contenido:

V.1 Clasificacin de las etapas de potencia.

V.2 Modelo trmico de un dispositivo electrnico.
V.3 Etapas de potencia clase A.
V.4 Etapas de potencia clase B.
V.5 Amplificadores de potencia integrados.
 CAPITULO 5

AMPLIFICADORES DE POTENCIA
______________________________________________________________________

5.1 CLASIFICACIN DE LAS ETAPAS DE POTENCIA.

Los transistores y amplificadores integrados que se utilizan para procesar seales son de
baja potencia y solo tienen capacidad de generar en su salidas tensiones en el rango de
voltios, proporcionar intensidades en el rango de los miliamperios, y en consecuencia,
transferir a las cargas conectadas a su salida, potencias en el rango de miliwatios o dcimas
de watios.

En muchas aplicaciones dentro de los sistemas de instrumentacin, tales como en el

control de pequeos motores, en el gobierno de sistemas de altavoces, etc., se necesitan
proporcionar potencias en el rango de las decenas o centenas de watios, y para conseguirlo
se requiere utilizar amplificadores de media potencia.

Un amplificador de potencia es aquel cuya etapa de salida se ha diseado para que sea
capaz de generar uno rangos de tensin e intensidad mas amplios de forma que tenga
capacidad de transferir a la carga la potencia que se requiere. Cuando se disean utilizando
amplificadores operacionales, un amplificador de potencia consiste en una etapa de baja
potencia basada en un amplificador operacional, a la que se dota de una etapa (interna o
externa) de potencia, con ganancia reducida, (habitualmente 1) pero con capacidad de
suministrar las intensidades que se necesitan. Para seguir manteniendo los beneficios de la
realimentacin, la etapa de potencia debe estar incluida dentro del bucle de realimentacin.

-
Amplificador Etapa de
operacional potencia
+
vo
vi

El amplificador operacional proporciona la alta ganancia que se necesita en el bucle de

realimentacin para reducir la no linealidad y distorsin que introduce la etapa de potencia.
Sin embargo, en estas configuraciones, la posible ganancia extra de la etapa de potencia, y
las cargas reactivas, introducen nuevos problemas de estabilidad.
En este tema solo se tratan etapas de media o baja potencia, para baja frecuencias,
realizables mediante circuitos con dispositivos semiconductores y sin la utilizacin de
transformadores. No obstante, los problemas que se plantean son similares a los que se
presentan en alta frecuencia, o para potencias ms altas.

Las etapas de potencias se clasifican en funcin del punto de trabajo en que se polarizan
los dispositivos de potencia, y en la fraccin del ciclo de seal durante las que
conducen, como consecuencia de ello.

Etapa clase A: El dispositivo se polariza en una zona de respuesta lineal, con capacidad de
responder a seales de cualquier polaridad. Su principal ventaja es que sigue un
modelo de amplificador lineal convencional. Su desventaja es que an con seal
nula disipa una cantidad considerable de potencia.
Etapa clase B: El dispositivo se polariza en el extremo de la zona de respuesta lineal, y en
consecuencia slo tiene capacidad de responder a seales con una determinada
polaridad. En estas etapas no se produce disipacin de potencia cuando la seal es
nula, pero requiere la utilizacin de etapas complementarias para pode generar
una respuesta bipolar.
Etapa clase AB: El dispositivo se polariza en la zona lineal pero en un punto muy
prximo al extremo de respuesta lineal. Esta configuracin es una variante de la
etapa de tipo B en la que se sacrifica la disipacin de una pequea cantidad de
potencia cuando opera sin seal, a cambio de evitar la zona muerta de respuesta.
Etapa clase C: El dispositivo se polariza en zona de respuesta no lineal, de forma que los
dispositivos activos slo conducen en una fraccin reducida del periodo de la
seal. De esta forma se consiguen rendimientos mximos, aunque se necesitan
elementos reactivos que acumulen la energa durante la conduccin y la liberen
en el resto del ciclo en el que el dispositivo no conduce. Se puede utilizar para
amplificar seales de banda muy estrecha.
5.2 MODELO TRMICO DE UN DISPOSITIVO ELECTRNICO.

El lmite de la potencia que puede proporcionar una etapa de salida, viene establecida por
el lmite de la temperatura que se puede alcanzar en los puntos interiores de los
dispositivos que transfieren la potencia.

Esta temperatura, es funcin de la cantidad de potencia que se genera y de la capacidad de

conduccin de la energa trmica hacia la fuente fra sobre la que se libera y que
habitualmente es el entorno ambiente. Este ltimo aspecto se describe mediante el
concepto de resistencia trmica.

Se define la resistencia trmica de un trozo de material, como la relacin entre la

diferencia de temperatura entre los extremos del trozo, y la potencia que se transfiere por
conduccin trmica.
P (W)
T Temperatur a entre los extremos T1 T2
= = (C/W)
P Potencia que fluye (C) (C)
T2-T1= P

Las temperaturas en los diferentes puntos de un dispositivo, se pueden obtener utilizando

una analoga del modelo trmico con un circuito elctrico. En esta analoga, el papel de la
intensidades que fluyen lo juega la potencia que se trnsmite, el de las diferencias de
potencial lo juegan las diferencias de temperaturas, y el de la resistencias hmicas lo
juegan las resistencias trmicas. Siguiendo esta analoga, la temperatura TJ en el interior de
un dispositivo que libera una potencia P, se puede calcular como

JM A
TJ TM
T J = T A + P ( JM + A ) TA
P
Siendo,

TJ = Temperatura interior del dispositivo.

TA = Temperatura en el aire.
TM = Temperatura en la montura del dispositivo.
P = Potencia generada por el dispositivo.
JM= Resistencia trmica entre el interior y la superficie del dispositivo.
A= Resistencia trmica entre la superficie del dispositivo y el aire.

Temperatura mxima interna (TJ_max). Frecuentemente el fabricante proporciona la

mxima temperatura interna del dispositivo. En estos casos la potencia mxima que puede
disipar el dispositivo ser,

T J max - T A
Pmax =
JM + A
Informacin en catlogos
de disipadores trmicos
Ejemplo:

Considrese un transistor que admite 100 C como temperatura mxima en su unin de

colector TJ_max, que tiene como resistencia trmica interna JM = 1C/W, como resistencia
trmica de la oblea de aislamiento I = 0.5 C/W y en el que la resistencia trmica de
disipacin hacia el aire es D = 2.5 C/W. La temperatura ambiente es TA= 25C.
JM I D
TJ TM TA

La mxima potencia que es capaz de disipar el transistor es,

100 - 25
Pmax = = 18.75 W
1.0 + 0.5 + 2.5

Determinacin grfica de la disipacin de potencia de un dispositivo.

El modelo trmico de un dispositivo no siempre es tan simple como una resistencia

trmica. Los fabricantes suelen caracterizar las prestaciones lmites que pueden
proporcionar un dispositivo mediante una curva o una poligonal que formula la mxima
potencia que puede disipar el dispositivo en funcin de la temperatura que se establece en
su carcasa externa. Esta curva puede presentar diferente formas de acuerdo con el
dispositivo que se modela.
P (Potencia disipable)
Modelo
Pmax Modelo resistencia trmica
trmico

P TM 1/JM
Zona de
comportamiento
seguro
TM max TM (C)

A partir de esta curva, se puede obtener la mxima potencia disipable en un diseo

especfico trazando sobre ella la recta de eliminacin de potencia hacia el exterior,

P (Potencia disipable)
Ec. del dispositivo

Modelo del
Modelo del
disipador Ec. del disipador
dispositivo P TM P externo Pmax

Tmax TM (C)
 La interseccin de esta recta con la curva de mxima potencia disipable permite determinar
la mxima potencia disipable Pmax, y la temperatura TM que alcanzar la el soporte de
montaje bajo esa situacin.

El mismo problema puede resolverse analticamente, resolviendo el sistema para cada

tramo de la poligonal, y dando como resultado, aquella que proporciona una solucin
compatible con el rango de validez de cada tramo.

Ejemplo:

Considrese un transistor de germanio con la curva de mxima disipacin que se muestra

en la figura (Este dispositivo coincide con el transistor que se ha utilizado en el ejemplo de
la pgina anterior). Considrese que la resistencia trmica de la oblea de aislamiento i =
0.5 C/W y la resistencia trmica de disipacin hacia el aire es A = 2.5 C/W y que la
temperatura ambiente es TA= 25C.

P
Potencia disipada
I D 75W
TM
Modelo
trmico TA
P 50W Pendiente=1/(0.5+2.5) W/C
dispositivo

25W Pmax=18.74W

P = (TM-TA)/(I+D) 0W
0 25 50 75 100 TM (C)
TM=81.4C

Grficamente se determina que la mxima potencia disipable es de 18.74 W, siendo en tal

caso 81.4C la temperatura de la carcasa externa.

Ejemplo: Se construye una etapa de potencia con los transistores complementario BD139
(NPN) y BD140 (PNP), y se montan a un disipador comn de resistencias trmica de 2.5
C/W. Los colectores de ambos transistores se aslan del disipador a travs de una lmina
de mica con resistencia trmica de 0,75 C/W. Si el amplificador va a operar en un entorno
ambiental de entre 10C y 40C de temperatura. Cual es la mxima potencia que pueden
suministrar el amplificador a la carga?, si el rendimiento en potencia del amplificador es
del 80%.
TJ JM TM I TJ = TA + P*D+ (P/2) (I +JM )
P/2 TD
D TJmax - TAmax 150 - 40
BD BD
TJ JM TM I
T A P < = = 13,75W
139 140 Dmax
D+(1/2)( I + JM ) 2.5+1/2 (1.0+10)
P/2 PCarga PCarga
= =
PFuente PCarga + PDisipada
Siendo para el BD139 y BD140: 0.8
TJmax < 150C JM =10C/W PCarga = PDisipada = 13.75W =55.0W
(1) 0.2
5.3 ETAPAS DE POTENCIA CLASE A.

En una etapa de potencia tipo A, el dispositivo de salida est polarizado en la zona

lineal y en un punto que maximice el rango de salida. En la figura se muestra un
ejemplo de configuracin de potencia clase A.

R R Vcc
Vcc if Si hFE >> 1 ib << iL
- Rb
R si R >> RL i f << iL

+ ib
R Vcc
iL vL = + vi
vi RL vL 2
iL

Cuando no hay seal vi=0 la etapa de salida est polarizada al valor medio Vcc/2del
rango se salida 0<vL<Vcc. En este circuito, la ganancia del amplificador es 1.

Si despreciamos la tensin colector-emisor de saturacin del transistor VCEsat= 0.1V 0

Volt. En una etapa de tipo A como la de la figura, la tensin de colector-emisor vCE puede
variar en el rango,
Vcc
0 < vCE < V CC
iB <<i E
y la intensidad de emisor iE es aproximadamente igual a la
intensidad de colector iC (iC= iE siendo un valor tpico i L=iE =iC
=0.99 ) y pueden variar en el rango
Vcc +
0 < iE < I E max = RL vL
RL
siendo Imax, la mxima intensidad que puede soportar el
transistor, y RL la resistencia de carga.

Operacin en continua

Cuando se opera con seales analgicas arbitrarias vi= vi(t), la potencia que se transfiere a
la carga PR vara en el rango,
PL
2
Vcc / RL
V2
0 PR V CC I max = cc
RL
Vcc2 /4RL
0
0 Vcc /2 Vcc vL
La potencia que se disipa en el transistor PT es nula para ambos valores extremos del rango
dinmico,

si iE = 0 PT = Vcc 0 = 0 PT
si iE = I max PT = I max 0 = 0 Vcc2 /4RL

La mxima potencia en el transistor se disipa cuando,

0 Vcc vL
0 Vcc /2
iE = I max / 2 V 2
PT max = cc
vCE = Vcc / 2 4 RL

Operacin en rgimen sinusoidal

En este caso, el amplificador opera en rgimen sinusoidal, con el punto de polarizacin

centrado en ICQ= Imax /2=VCC/2RL, y VCEQ= VCC/2

Vcc
v L (t ) = + Vm sen(t + o )
2 Vcc
vi (t ) = Vm sen(t + o ) V V siendo Vm <
iL (t ) = cc + m sen(t + o ) 2
2 RL RL

En este caso, las potencias medias que se generan en funcin de la amplitud de la seal
sinusoidal, son,

Potencia deseal en la car ga : Vm2

PL (Vm ) =
2 RL

Potencia generada en la fuente : Vm2

PS (Vm ) =
2 RL

Potencia disipda transistor : Vcc2 V2

PT (Vm ) = m
4 RL 2 RL

La potencia mxima que es transferida sobre la carga PL se produce cuando la amplitud de

salida es mxima (Vm=Vcc/2).
2 2
V m max V CC
P L max = =
2 RL 8 RL

La potencia media que es suministrada por la fuente PS es constante e independiente de la

amplitud de la seal sinusoidal.

El mximo rendimiento conseguible , es,

P
= L max = 0.25 = 25%
PS
La mxima potencia PT que va a ser disipada por el transistor ocurre justamente cuando no
hay seal, en este caso su valor es,
2
V CC
PT =
4 RL

La cual es el doble de la mxima potencia AC que puede ser transferida a la carga.

Ejemplo:

Se desea realizar una etapa de potencia clase A, para alimentar una carga de 10 ,, y se
utiliza una fuente de alimentacin de 20 V. Seleccionar las caractersticas del transistor que
se puede utilizar.
2
400
Maxima potencia transferid a = Pac = V CC = =5W
8 R L 80
Potencia disipada transistor = PT = 10 W
20
Maxima corriente colector = I max = V CC = = 2 A
R L 10

5.4 ETAPAS DE POTENCIA CLASE B.

En un amplificador de potencia con etapa de salida tipo B, debe estar compuesta por dos
etapas complementarias. Cada una de ellas se encuentra sin conducir cuando no hay seal,
y cuando la seal vara respecto de cero hace que conduzca una de las etapas de acuerdo
con la polaridad de la variacin.

vL=vi

Vcc t
Rb
iE1
Q1 iE1
- t
iE2
Q2
+ iL +
iE2 vL t
+ Rb
vi iL
Rb
-Vcc
t
En la figura se muestra una etapa de potencia clase B, basada en transistores
complementarios, y en la que se utilizan fuentes de alimentacin simtricas. En esta
configuracin las resistencias y los diodos de polarizacin de las bases establecen que
cuando la tensin de entrada vi sea cero, ambos transistores se encuentran cortados, pero en
un punto de trabajo muy prximo a la conduccin, siendo en este caso la salida vo nula, y
las intensidades de colector de ambos transistores, tambin nulas.

Cuando vi se hace positiva, el transistor Q1 comienza a conducir, mientras que si vi se hace

negativa es Q2 el que empieza a conducir. En ambos casos la intensidad de los transistores
se hacen fluir sobre la resistencia de carga, ya que el otro transistor no conduce.

Anlisis en continua

Cuando la seal vi es una seal que vara en el rango de operacin Vcc < vi < Vcc, el
comportamiento del circuito es exactamente igual que en el caso de una amplificador
tipo A. Si la seal es positiva Q1 conduce y Q2 no conduce. La disipacin de potencias
en Q1 es la descrita en las etapas de tipo A. Cuando la entrada es negativa, el papel de
los transistores se invierte.

Por tanto, los valores de potencia que se disipan en este caso, son,

v L2 Vcc2
Potencia disipada en la ca rga PL = PL max = para v L = Vcc
RL RL
V v v2 V2 Vcc
Potencia disipada en el transistor activo PT = cc L L PT max = cc para v L =
RL RL 4 RL 2

Anlisis con seal sinusoidal

Si la etapa se hace conducir con una seal sinusoidal de amplitud mxima Vm,

vi (t ) = v L (t ) = Vm sen(t + o )
v L (t ) Vm
iL ( t ) = = sen(t + o )
RL RL
La potencia que proporcionan las dos fuente de alimentacin en conjunto PS, la potencia
que se proporciona a la carga PL y la potencia que se disipa en cada transistor PT, son,

2 VCCVm
PS =
RL
Vm2
PL =
2RL
2
= P S - P L = 1 VCCVm - Vm
PT
2 RL 4 RL
La amplitud de la intensidad para la que se produce la mxima disipacin de potencia en el
transistor, se puede calcular como,
2 2
dPT = 0 2 V CC V CC
==> Vm = Vcc PT max = 2 = 0.1
dV m RL RL
Siendo Ptmax la potencia mxima disipada en cada transistor.

La mxima potencia transferible a la carga RL, se produce cuando Vm = VCC, y las

potencias que resultan en este caso son,
2
V CC V CC
Im= ==> P L max =
RL 2 RL
2 2 2
V CC - V CC = 0.068 V CC
PT =
RL 4 RL RL
2
2V
PS = cc
RL

= Pac max = = 0.785 = 78.5%
PS 4

En la prctica, las cadas de tensin base emisor, hacen que la eficiencia de estas etapas sea
inferior a este mximo de 78.5%.

En la figura de la izquierda, se muestran otras etapas

complementarias que operan en clase B. El primero es
interesante, porque solo requiere transistores T1 y T2
complementarios de baja potencia, mientras que los de
potencia T3 y T4 solo son de tipo NPN.

En el esquema de la derecha se muestra un esquema tpico de

etapa de potencia clase B para circuitos integrados. En l, la
polarizacin se realiza mediante fuentes de intensidad, se
introducen las resistencias RE1 y RE2 en los emisores de los
transistores de potencias para asegurar la estabilidad trmica, y
as mismo, se introducen los transistores T4 y T5 para limitar la
intensidad de salida bajo cortocircuito.
5.5 AMPLIFICADORES DE POTENCIA INTEGRADOS.

Los amplificadores de potencia integrados, son aquellos que incorporan dentro del propio
chip el amplificador operacional y la etapa de potencia, y son adecuados para transferir a la
carga potencias medias, con intensidades de salida en el rango de los amperios. Estos
circuitos se utilizan para controlar cargas que operan con seales de continua, tales como
servomotores, reles, lmparas, calefactores, etc.

No debe confundirse estos amplificadores con los amplificadores de potencia para audio,
en los que se ha optimizado su estructura para operar con seales variables en el tiempo
con espectro en el rango de audio.

En este apartado, se presenta el amplificador de potencia integrado OPA512, que es un

circuito tpico, con etapa de salida complementaria de clase AB, tal como se puede
observar en la figura,

Su respuesta frecuencial es similar al de un amplificador A741. La tensin de saturacin

del amplificador est a 5 V de la tensin de alimentacin. Esto no es muy relevante ya que
este amplificador puede operar con tensiones de alimentacin de hasta 50V. As mismo,
frente a los 20 mA de intensidad mxima de salida del AD741, este amplificador de
potencia puede proporcionar intensidades de salida de hasta 15 A.

El amplificador de potencia integrado, permite mediante las resistencias externas, limitar la

mxima intensidad que se desea que pueda ser suministrada bajo cortocircuito. El valor de
las resistencias RCL+=RCL-=RCL, que deben conectarse para que el circuito bajo
cortocircuito no proporcione una intensidad de salida superior a Ilim, es

V BE - 0.007 = 0.65 - 0.007 ( )

RCL =
I lim I lim (Amp)
Este es el valor nominal de limitacin de corriente para temperatura ambiente. La corriente
de salida mxima decrece con la temperatura, como se muestra en las siguientes curvas de
comportamiento tpico.

En la figura, adjunta se muestra la mxima potencia que puede suministrar el sistema para
cada temperatura de la carcasa externa del dispositivo.

Esta curva, corresponde a una temperatura de unin mxima de 200 C, y un resistencia

trmica de 1.25 C/W.
Ejemplo:

Determinar la resistencia trmica que debe tener el refrigerador que ha de colocarse al

amplificador de potencia OPA512 SM, si se desea gobernar una carga de 20 , y si se
polariza el amplificador con fuentes de alimentacin de 40 V. Suponer que la temperatura
ambiente es de 60C, y que no se debe alcanzar una temperatura de la unin superior a
140C.

Solucin:

La potencia disipada por el amplificador para una tensin de salida Vo= Io RL es

2
P = V CC V o - V o
RL RL
La tensin de salida para la que la disipacin de potencia en el amplificador es mxima,

dP
= 0 ==> V CC - 2 V o = 0 ==> V o = V CC
dt P=P max RL RL 2

y la potencia mxima que se puede disipar en el amplificador es,

2 2
V CC = (40 V ) = 20 W
Pmax =
4 R L 4 x 20

la ecuacin trmica de este sistema es,

T J - T A ==> 140 C - 60 C
JS + SA = SA = - 1.25 C/W = 2.75 C/W
P 20 W

Se debe colocar un refrigerador que posea una resistencia trmica menor de 2.75C/W

Igual pendiente

Pendiente= 1 /2.75 C/W