Dispositivos semiconductores para la

Electrnica de Potencia
Tema 2

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TIPOS DE DISPOSITIVOS

1. NO CONTROLADOS
DIODOS

2. SEMICONTROLADOS
TIRISTORES

3. CONTROLADOS
TRANSISTORES BIPOLARES
MOSFET
IGBT
GTO
ETC...

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Modo de operacin
Los semiconductores utilizados en la Electrnica de
Potencia operan como interruptores:

N interesa
Nos i t conocer

Caractersticas de conduccin
Caractersticas de conmutacin
Mtodo de control

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Tensin Inversa
Tensin q
que debe p
poder bloquear
q sin daarse
Tensin mxima en continua
VRRM : Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Tensin de pico repetitivo
VRSM : Maximum Non Repetitive Peak Reverse Voltage
Tensin de pico no repetitivo

Tensin Directa
Cada de tensin en conduccin
VF : Forward Voltage
T bi aparece como VD, VCE satt...
Tambin

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Corriente Directa
Corriente media mxima
IF (Avg) : Average Forward Current

Corriente eficaz mxima

IF (RMS) : Maximum RMS Current

Corriente de
d pico repetitivo
IFRM : Maximum Repetitive Peak Forward Current

C
Corriente
i t ded pico
i no repetitivo
titi
IFSM : Maximum Non Repetitive Peak Forward Current

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Otros lmites
Potencia mxima

Temperatura mxima en la unin

Avalancha Secundaria
Avalancha
A l h
log i Secundaria
Safe log Imax Potencia
Operating mxima

Area SOA
log v
log Vmax

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Prdidas
Siempre que existe convivencia tensin corriente en el componente,
se disipa energa en forma de calor

V T

I
= u i dt
0

P. Conduccin


P
P= = f
T
P. Conmutacin
encendido apagado
p g

PTOTALES= PENCENDIDO+PAPAGADO+PCONDUCCIN+PEXCITACIN

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Frecuencia de conmutacin
Rapidez con la cual es capaz de conmutar un dispositivo

Viene limitada por:

Capacidades
p parsitas
p

Difusin de portadores

Prdidas en conmutacin
T

=
0
u i dt P=
T
= f

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 DIODOS

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DIODOS

Caracterstica esttica del diodo

I t
Intensidad
id d I

nodo Ctodo Tensin

inversa

VB
p n Tensin V
IO Tensin
directa

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DIODOS

Modelos estticos del diodo en estado de

conduccin
d i
Modelo Primera Segunda
g
ideal aproximacin aproximacin

Cortocircuito Pd = Vd I d ,med Pd = Vd I d ,med + rd I d2,ef

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 8.3. Diodos
DIODOS

Caracterstica dinmica del diodo: tiempo

de recuperacin inversa trr
trr Qrr Carga elctrica almacenada o
IF
desplazada.
ts
S Factor de suavizado. Es la relacin
0 t entre los tiempos de cada y
0.25IRR
almacenamiento
tf
IR
tf
S=
R ts
Ejemplo de conmutacin con
recuperacin suave S <1

Influencia del trr en la conmutacin Clasificacin diodos

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es LENTOS
despreciable :
Se limita la frecuencia de funcionamiento no se RPIDOS
puede conmutar hasta despus de la recuperacin ULTRARPIDOS
Existe una disipacin de potencia durante el tiempo
de recuperacin inversa convivencia V e I SCHOTTKY

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DIODOS

DIODO

No Controlado Prdidas en conduccin

VRRM < 15000V rD VD
iD
IF < 3800A
fmx < tipo
2
P=VD.iD + rD.iD(RMS)
Tiempo de recuperacin
inversa
iD I

trr
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 TIRISTOR

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TIRISTOR

Caracterstica esttica del tiristor

SCRSiliconControlled Rectifier

nodo, A iak
1 ZONA DE CONDUCCIN
Comportamiento similar al diodo:
2
ZONA DE BLOQUEO a
rd iak k
DE TENSIN INVERSA iG DISPARO
Puerta, G iG2 iG1
iG DISPARO > iG 2 > iG1
Tensin
mxima VRRM
Ctodo, K vak
VDRM
IMPLICACIONES CARACTERSTICA ESTTICA
3 ZONA DE BLOQUEO
1. REQUISITOS DE DISPARO
DE TENSIN DIRECTA
EFECTO
vak > 0 (Previamente polarizado en directa) AVALANCHA
Tensin mxima vDRM
iG > iG DISPARO
Iak > IH CORRIENTE DE ENCLAVAMIENTO

2. REQUISITOS DE APAGADO El modelo de prdidas en conduccin es igual al del diodo

iak < 0 CORRIENTE DE MANTENIMIENTO

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TIRISTOR

Corriente de enclavamiento (Latching current IL)

HAY QUE MANTENER EL PULSO DE iG HASTA QUE iak > IL

iG
Retrasa la subida
de iak

t
iakk
IL
iak
t
iG
Se apaga Se enclava
No se ha alcanzado IL Sigue disparado
aunque iG = 0

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TIRISTOR

Formas de apagado

1 NATURAL.
1. NATURAL

2. FORZADA.
Apagado por fuente inversa de tensin.
Apagado por fuente inversa de intensidad.
intensidad

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TIRISTOR

TIRISTOR

Semicontrolado por
Prdidas en conduccin
corriente de puerta
rD VD
Vmx < 8000V iD
IAVG < 15000A
fmx = 50 - 60Hz 2
P=VD.iD + rD.iD(RMS)
Circuitos de apagado
Controlo el instante de encendido, pero el
apagado debe producirlo el circuito externo
Apaga cuando IAK=0

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 TRIAC

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TRIAC

Caracterstica esttica del TRIAC

TRIAC Estado:
+II
encendido
did
MT1
MT1 Cuadrante II Cuadrante I
(MT2+ve ) Corriente de
G
disparo, IG
T1 T2 -V
V V

G Estado:
Corriente de apagado
Cuadrante III
disparo,
p IG (MT2-vve )
MT2 Cuadrante IV
MT2 -I
Estado:
Circuito equivalente de un encendido
TRIAC

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 MOSFET
((Metal Oxide Semiconductor Field Efect
Transistor)

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MOSFET

Caracterstica esttica del MOSFET

MetalOxideSemiconductorField Efect Transistor

VGS1 > VGSn

ero ID
Zona hmica VGS1

dad de sumide
Drenador (drain,
(drain D)
VGS2
D

VGS3 Se controla aplicando una

Puerta (gate, G) G
tensin entre la p
puerta y la

Intensid
S fuente (aplicando VGS)

Fuente de corriente
Surtidor o fuente (source, S)

VGSn
Regin de corte
Tensin drenador-fuente VDS

ID ID
El MOSFET se modela en conduccin como una resistencia (RDSon) D
Por tanto, el modelo de prdidas en conduccin del MOSFET es: RDSon
G
Pcond = RDSon I 2
D ,ef S

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MOSFET

Disparo del MOSFET

ID
RD
+
D + VDD
-
G VDS
Circuito de
S -
excitacin

VMM 1000-01P

El correcto manejo de la puerta es fundamental para utilizar un MOSFET

Tensin umbral (VGSth): tensin mnima entre puerta y surtidor para ponerlo en conduccin
Tensin mxima: el MOSFET se rompe si se aplica una tensin superior entre puerta y
surtidor
Interesa gobernarlo con la tensin ms alta posible (VGS~10 10 V): cuanto ms alta es la
tensin de puerta, menor es la RDS(on)

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MOSFET

Caractersticas dinmicas del MOSFET

La carga y descarga de las capacidades parsitas tiene un efecto muy importante en la
conmutacin del dispositivo, limitando la frecuencia de conmutacin
D
ID VDS VGS
90% tr = tiempo de subida
Cgd
tF = tiempo de bajada
G Cds td(on) = retraso de encendido
Cgs 10% t td(off) = retraso de apagado
p g

td(on) tF td(off) tR
S
Existe un diodo parsito entre drenador y fuente que puede conducir cuando el
MOSFET est t en estado
t d dde bloqueo.
bl S conduccin
Su d i no es aconsejable
j bl porque es
D
ID un diodo lento y aumenta considerablemente las prdidas

Cgd

G Cds
VMM 1000-01P
Cgs

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MOSFET

MOSFET

Controlado por tensin de

puerta
p
Vmx < 1500V
Imx < 400A
Prdidas en conduccin
fmx < 10 MHz rDS(on)
iD
No p
presenta avalancha
secundaria 2
PCON=rDS(on).iD(RMS)
Coeficiente negativo de
t mp
temperatura
tu
La mayora de los MOSFET
de potencia son de
acumulacin y canal N
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 IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)

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IGBT

Circuito equivalente del IGBT

Isolated Gate BipolarTransistor
Colector (collector, C)
Puerta (gate, G)

Emisor (emitter, C)

C C

RMOD RMOD
PNP PNP C, COLECTOR

G NPN G G,
PUERTA
RBE RBE
E, EMISOR

E E

Circuito equivalente Circuito simplificado Circuito equivalente de un IGBT

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IGBT

Caracterstica Esttica del IGBT

iC

Es capaz de bloquear tensin VCE VGE1 Se controla con tensin

negativa, al contrario que el de puerta como un
MOSFET, q que no ppuede debido a VGE2 MOSFET
OS
su diodo parsito VGE1 > VGEn
VGE3

VGEn
VRM
C VCE
BVDSS
G
Modelo de prdidas en
conduccin
d i similar
i il all d
de
E un transistor bipolar
+ VCEsat - Ron
C E
En muchas ocasiones se
incorpora internamente un i
diodo al dispositivo, pero no
pertenece a la estructura del Pcond = VCE , sat I C ,med + Ron I C2 ,ef
IGBT

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IGBT

IGBT

Ventajas como MOSFET

Totalmente Controlado por
tensin de puerta
Rapidez de conmutacin
No presenta avalancha Vmx < 6500V
secundaria
Imx
< 3600A
Ventajas como Bipolar
fmx < 75 kHz
Modelo p
prdidas en
conduccin
Corriente de colector
similar
i il all bi
bipolar
l
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IGBT

IGBT

Desventajas
Vmx < 6500V
Cola de corriente
Imx < 3600A
Efecto
Ef t tiristor
ti i t parsito
it
fmx < 75 kHz
Prdidas en conduccin

rd VCEsat
iT

2
P=VCEsat.iT + rd.iT(RMS)

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