Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Ingeniera Electrnica
Tema 1: El diodo
semiconductor
Contenidos del Tema 1: El diodo
semiconductor
1.1.- Clasificacin electrnica de los materiales.
1.2.- Semiconductores.
1.2.1.- Semiconductores intrnsecos.
1.2.2.- Semiconductores extrnsecos.
1.3.- La unin PN.
1.3.1.- La unin PN en equilibrio: el diodo.
1.3.2.- Polarizacin directa
1.3.3.- Polarizacin inversa.
1.3.4.- Relacin corriente-voltaje.
1.4.- Teora de diodos.
1.4.1.- Caracterizacin del diodo.
1.4.2.- Tipos de diodos.
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
1.5.2.- Fuentes de alimentacin.
1.1.- Clasificacin electrnica de
los materiales.
Aislantes, conductores y semiconductores.
La mayora de los dispositivos electrnicos se fabrican mediante
el uso de materiales semiconductores junto a conductores y
aislantes.
Representacin del tomo en dos partes: ncleo ms los orbitales internos y orbital de
valencia.
1.2.- Semiconductores.
1.2.1.- Semiconductores intrnsecos o puros.
Los tomos de Si se combinan mediante enlaces covalentes para formar un
material slido, y lo hacen segn un patrn ordenado que se denomina cristal.
Cuando se forma el cristal de Si, los electrones de valencia de cada tomo dejan
de estar al mismo nivel de energa, pues se ven influenciados por las cargas del
resto de tomos del cristal. Los niveles de energa que representan cada orbital
se ensanchan formando bandas de energa.
1.2.- Semiconductores.
1.2.1.- Semiconductores intrnsecos o puros.
Cuando aumenta la temperatura, la energa trmica puede desligar un electrn
de la banda de valencia, adquiriendo la energa suficiente para pasar a un orbital
de mayor energa que se denomina banda de conduccin.
La salida del electrn deja un vaco en la banda de valencia que se denomina
hueco (h+), que se comporta como una carga positiva.
Los electrones libres tienen un corto tiempo de vida hasta que son atrapados por
un h+ vecino. A este proceso se denomina recombinacin. Cuando un electrn
libre se recombina con un hueco se emite energa en forma de calor, luz u otro
tipo de radiacin.
1.2.- Semiconductores.
1.2.2.- Semiconductores extrnsecos (dopado).
A temperatura ambiente, el nmero de pares electrn / hueco (portadores) es
muy pequeo, comportndose el semiconductor puro casi como un aislante.
Para aumentar el nmero de portadores, o aumentar la conductividad elctrica,
del semiconductor se aaden impurezas donadoras o aceptoras. Las impurezas
son tomos de otro elemento que se aaden al semiconductor puro.
Semiconductor tipo n (negativo); se aaden tomos polivalentes como el P, As o Sb.
El n de electrones aadidos es igual al de tomos o impurezas donadoras.
Asimismo, como las bandas del lado n suben, los electrones prximos a la unin
de ambas zonas pueden recombinarse con los huecos de la banda de valencia
(camino B).
1.3.- La unin PN.
1.3.3.- Polarizacin inversa
Cuando la unin PN se polariza en inversa se produce un aumento de la zona
de deflexin y, por lo tanto, de la barrera de potencial. La zona de deflexin deja
de aumentar cuando la barrera de potencial se iguala a la tensin inversa.
vD
i D I s e T 1
nV
Donde:
Is es la corriente de saturacin en polarizacin inversa. Para el Si
es del orden de 10-18 a 10-12 A.
VT se define como el voltaje trmico, que es aproximadamente de
0,026V a temperatura ambiente (T = 300K);
1n2 es el coeficiente de emisin o factor ideal. Normalmente se
toma n=1. Da cuenta de la importancia de la recombinacin de
electrones y huecos.
1.4.- Teora de diodos
1.4.1.- Caracterizacin del diodo.
A continuacin se muestra el smbolo elctrico del diodo y la curva caracterstica
que representa la corriente ID que lo atraviesa y la tensin VD entre sus
extremos: nodo (A) y ctodo (K).
1 Aproximacin (diodo
ideal):
2 Aproximacin (diodo
con barrera de potencial):
3 Aproximacin (diodo
con barrera de potencial
y RB):
1.4.- Teora de diodos
1.4.1.- Caracterizacin del diodo.
La recta de carga de un diodo es un mtodo para determinar la
corriente y tensin en el mismo cuando se encuentra formando parte de
un circuito.
A los valores (IDQ,VDQ) de un diodo se le denomina punto de operacin o
de trabajo Q.
2
1 T Vp 2
V 2
R ,ef VR2 (t )dt
Potencia til de salida ( DC) VR ,medio RL
2
T 0 4 Potencia entregada total VR ,ef RL
V p RL
2 2
4
3 aproximacin para el diodo: 2 2 40,52%
V p 4 RL
VR (t )
RL
Vin (t ) Vk 0 t T 2
RL RB
RL V p Vk V p
VR ,medio VR , DC si V p Vk , RL RB
RL RB 2
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Rectificador de onda completa:
2
1 T Vp 2
V 2
R ,ef VR2 (t )dt
Potencia til de salida ( DC) VR ,medio RL
2
T 0 2 Potencia entregada total VR ,ef RL
4V p RL
2 2
8
3 aproximacin para el diodo: 81,04%
V p2 2 RL 2
VR (t )
RL
V (t ) Vk 0 t T
RL RB in
RL 2V p
VR ,medio VR , DC Vk
RL RB
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Puente rectificador:
2
1 T Vp 2
Potencia til de salida ( DC) VR ,medio RL
VR2,ef VR2 (t )dt 2
T 0 2 Potencia entregada total VR ,ef RL
4V p RL
2 2
8
3 aproximacin para el diodo: 81,04%
V p2 2 RL 2
VR (t )
RL
V (t ) 2Vk 0 t T
RL 2RB in
RL 2V p
VR ,medio VR , DC 2Vk
RL 2RB
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Comparacin de los diferentes tipos de
rectificadores:
Tensin media R V p Vk R 2V p R 2V p
Vk 2Vk
(VR,media) R RB 2 R RB R 2 RB
Tensin media Vp 2V p 2V p
aproximada
Rendimiento () 40% 80% 80%
Frecuencia de la
seal de salida fin 2fin 2fin
VR(t)
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.2.- Fuentes de alimentacin.
La seal de salida de un rectificador no es una seal continua, sino que es una
seal continua pulsada o unidireccional respecto a la corriente que circula por la
carga.
Para conseguir una seal constante o continua se hace uso de un filtro, el cual
puede ser de choque o con condensador a la entrada.
Mientras el filtro de choque (LC) permite obtener una tensin continua igual al
valor medio de VR(t), el de condensador a la entrada permite obtener una
tensin igual Vp de VR(t).
VL VZ I Z RZ
Como Rz0, VL VZ. Por otro lado, dado que Rz es mucho menor que RL
(Rz||RL Rz), la tensin de rizado en la carga disminuye y se hace independiente
de RL.
RZ R
VL,rizado Vs ,rizado Z Vs ,rizado
RS RZ RS