Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere

solo de una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy

alta siendo los tiempos de conmutacin del orden de los nanos segundos. Dentro
de las aplicaciones se encuentra en los convertidores de alta frecuencia y baja
potencia. Este dispositivo no tiene problemas de rupturas con BJT, sin embargo,
los MOSFET tienen problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo
requiere de cuidados especiales. Adems, es relativamente difcil protegerlos bajo
condiciones de falla de corto circuito.

Los MOSFET son de dos tipos:

MOSFET DE AGOTAMIENTO: de canal n se forma en un sustrato de silicio

de tipo p, con dos silicios tipo n fuertemente dopados para tener conexiones
de baja resistencia. La compuerta est aislada del canal mediante una
delga capa de xido. Sus terminales son llamados drenaje, compuerta y
fuente. Normalmente el sustrato se conecta a la fuente, las tensiones de
compuertas VGS, pueden ser positivos o negativos. Si V GS es negativo los
electrones en el rea del canal n sern repelidos y crea una regin de
agotamiento que dar como resultado un canal ms angosto y en una alta
resistencia de drenaje a fuente R DS. Si VGS es totalmente negativo, el canal
se cerrar completamente ofreciendo un R DS muy alta, y no habr flujo de
corriente de drenaje a fuente IDS = 0. Cuando todo esto ocurre el valor de
VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, V P. Si VGS es positivo, el
canal se ensancha, e I DS aumenta debido a la reduccin de la R DS. Con un
tipo de agotamiento de canal p, se invierten las polaridades de V DS, IDS y VGS.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO: de canal n, no tiene un canal fsico, Si
VGS es positivo, un voltaje inducido atraer los electrones del sustrato p, y
ser acumulados en la capa de xido. Si V GS es mayor o igual al voltaje
umbral, VT, se acumular un nmero de electrones suficientes para formar
un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje a la fuente. Si se trata de
un MOSFET de enriquecimiento de canal p, las polaridades de V DS, IDS y VGS
se invierten. [1]
Las curvas caractersticas de los MOSFET:

Imgenes tomadas del libro del libro Electrnica de potencia, Rashid. [1].

Transistor MOSFET / de potencia / de silicio - HS8K11

Curvas caractersticas para el TR1.

Imgenes tomadas del datasheet del dispositivo. [2].

Curvas caractersticas para el TR2

BIBLIOGRAFA
[1] RASDID, M. H. (1997). ELECTRONICA DE POTENCIA, Circuitos, dispositvos y
aplicaciones. (Vol. SEGUNDA EDICION). (G. SANCHEZ GARCIA, Trad.)
NUEVA YORK: PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A.

[2] SEMICONDUCTOR, R. (2017). ROHM SEMICONDUCTOR. Obtenido de

http://www.rohm.com/