INFORME PREVIO 1

EE 131 O
PERALTA BENITES VICTOR ANTONIO (20127051A)
CICLO 2015-I
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

1.- Comentar los resultados obtenidos en la simulacin.

Dibujar el sentido de las corrientes obtenidas en cada
nodo y rama.
Hemos realizado la simulacin del circuito con el software Multisim, con lo cual hemos
obtenido los siguientes resultados:

Como se puede apreciar, hemos puesto multmetros en paralelo con cada una de las
resistencias. Obtuvimos los siguientes resultados:
Podemos afirmar que lo siguiente:

- En la resistencia R1: el mayor potencial se encuentra arriba del resistor, y el punto de menor
potencial, abajo.

- En la resistencia R2: el mayor potencial se encuentra arriba del resistor, y el punto de menor
potencial, abajo.

- En la resistencia R3: el mayor potencial se encuentra arriba del resistor, y el punto de menor
potencial, abajo.

- En la resistencia R4: el mayor potencial se encuentra arriba del resistor, y el punto de menor
potencial, abajo.

- En la resistencia R5: el mayor potencial se encuentra a la derecha del resistor, y el punto de

menor potencial, a la izquierda.

Teniendo esto en cuenta, y considerando que la corriente se dirige de puntos de mayor a

punto de menor potencial, entonces haremos la siguiente grfica para expresar el sentido de
las corrientes:
2.- Comentar los resultados obtenidos de la
simulacin. Indicar la polaridad de los voltajes
obtenidos en cada resistencia.

De la simulacin del circuito elctrico, hemos hecho las siguientes observaciones:

Se colocaron los multmetros en una polaridad al azar, donde hemos obtenido resultados
positivos para los resistores R1, R2, R3 y R4, con lo cual se puede afirmar que las polaridades
que se haban dado inicialmente al azar, coinciden con las polaridades reales de los voltajes de
cada uno de dichos resistores.
Para el resistor R5 se obtuvo una medicin negativa, con lo cual concluimos que la polaridad
real viene a estar dada por la inversa de la polaridad que inicialmente le habamos asignado.

Segn esto, hemos construido el siguiente diagrama que expresa las polaridades reales de los
voltajes en cada uno de los resistores:

3.- Presentar las potencias consumidas en cada rama.

Multiplicar la Tensin de la fuente por la Corriente y
comparar los resultados.

Podemos hallar la potencia consumida en cada rama segn la siguiente expresin matemtica:

P= I.V

Y mediante la ley de Ohm, V= I.R

Entonces :

P= (V/R).V

Finalmente:

=

Podemos hacer la siguiente tabla:

V (voltios) R (ohmio) P (Watts)

R1 6.78 46.3 0.9928
R2 5.289 22.4 1.24882
R3 5.22 21.4 1.27329
R4 6.711 48.4 0.930527
R5 1.491 15.3 0.145299

Podemos tambin hacerlo haciendo uso de las corrientes medidas. Las corrientes medidas se
obtendrn de la simulacin del circuito:

XMM1 XMM2

R1 R2
46.3 22.4

V1 R5
12 V XMM3
15.3
XMM5

XMM4
R4
48.4

R3
21.4

Con lo cual obtuvimos los siguientes resultados:

Con lo cual podemos hallar la Potencia consumida por cada resistor segn P=I.V:

V (Voltios) I (mili-Ampere) P (Watts)

R1 6.78 146.441 0.99287
R2 5.289 232.12 1.24282
R3 5.22 138.654 1.27329
R4 6.711 243.91 0.930527
R5 1.491 97.466 0.145299

Se muestran resultados muy similares a los obtenidos segn el mtodo anterior. Se ha

verificado el cumplimiento de la ley de ohm y del clculo de la potencia, mediante las
simulaciones.

4.-Comentarios
Hemos podido observar la importancia del conocimiento terico de conceptos bsicos
sobre sistemas elctricos, tales como es el concepto de que la corriente, en su sentido
convencional, viaja desde puntos de mayor a menor potencial elctrico. Pudimos
observar tambin el cumplimiento de la ley de ohm y de la relacin entre el voltaje, la
corriente y la resistencia, en el clculo de las potencias consumidas en cada rama.

Podemos estimar desde ya en la importancia de los simuladores en el anlisis y sntesis

de circuitos elctricos. Podemos observar cmo se puede tener gracias a ellos valores
tericos de referencia muy tiles para los siguientes experimentos; as mismo, cmo
pueden ser tiles en la verificacin de las leyes de los sistemas elctricos.