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ELECTRICA
4-10 Circuitos inversores.
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INVERSORES DE POTENCIA ELECTRICA
INTRODUCCION
1
Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA
4-10 Circuitos inversores.
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Inversores de baja potencia
+Vcc
VCE
IC t
(3)
(2)
(1)
t
VBE
t1 t2
IL
B
t
H
Caractersticas magnticas t
ncleo transformador
t1: tiempo de conduccin del
iC transistor; se transfiere energa a Lp
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4-10 Circuitos inversores.
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Cuando el transistor comienza a conducir, como resultado de una polarizacin directa o
excitacin externa (transitorio, conexin la tensin de alimentacin), se transfiere
energa de la batera y se la almacena a la inductancia de colector (bobinado primario
T). Mientras se transfiere esa energa, la variacin de flujo dentro del circuito
magntico del transformador induce un voltaje en el bobinado de realimentacin T2
que aumenta la conduccin de Q1, hasta que el transistor entra en saturacin. Si
suponemos la carga reflejada RL1 alta, debido a la alta permeabilidad del circuito
magntico, la corriente de colector es muy baja y por lo tanto tambin lo ser la
VCEsat0. Entonces, bajo esta circunstancia, se inducir en el bobinado primario una
FEM dada por:
Vp = L.di/dt = +Vcc dado que VCEsat 0
La corriente de colector crece entonces en forma lineal con el tiempo (del punto 1 al 2).
Por otra parte, se induce una tensin en el bobinado de realimentacin T2 que hace
aumentar ib y por supuesto iC.
Cuando se llega a la saturacin del flujo magntico, la permeabilidad disminuye lo que
hace disminuir a Lp y como Vcc= Lp.di/dt = cte entonces, partir de este punto (2) la
corriente de colector crece mas rpidamente. El aumento de iC y la saturacin del flujo
magntico, modifica el valor de la resistencia reflejada a RL2`, haciendo que aumente la
VCEsat (el transistor pasa de saturacin a la zona activa) por lo que el interruptor deja de
comportarse como ideal. En el lmite de la saturacin no se tiene suficiente tensin
inducida de realimentacin de la base, lo que hace que la corriente de colector caiga
abruptamente., pasando al corte. Este ltimo proceso comentado, se desarrolla durante
el tiempo t1. Durante el tiempo t2, la energa almacenada en la bobina Lp, se
transfiere a la carga y la base del transistor en este tiempo, recibe una tensin de
polarizacin negativa. Cuando la energa del inductor se hace cero, nuevamente el
transistor tiene tensin positiva en la base (V) para reiniciar nuevamente el ciclo.
Frecuencia de funcionamiento
Los inversores de baja potencia, que utilizan ncleo saturable y uno o dos transistores
(contrafase), son de frecuencia fija. La frecuencia de estos inversores, esta determinada
por:
E = 4.44Bm.f.Np. A.S.10-8
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Los materiales que se utilizan para el transformador de ncleo saturable depende de los
siguientes factores: Potencia sobre la carga, frecuencia de funcionamiento y temperatura
de trabajo. Los materiales utilizados normalmente son la Ferrita, el hierro al silicio y el
acero al silicio. Estos materiales, usados para construir el ncleo del transformador,
deben tener un bajo campo coercitivo (H), muy alta permeabilidad y brusco cambio de
la permeabilidad entre la zona saturada y no saturada (caractersticas cuadrticas).
Para altas frecuencias, el ncleo de ferrita es ms conveniente que los otros, dado que
tiene mayor rendimiento. Se utiliza para frecuencias comprendida entre 1 a 20 Khz. Las
prdidas de potencia de la ferrita es funcin lineal de la frecuencia, hasta unos 40 Khz.
Por encima de los 50 Khz., el rendimiento baja.
Los ncleos de hierro al silicio, aleaciones nquel -hierro y acero al silicio, se aplican
para frecuencias comprendidas entre 0,1 a 1 Khz. En Gral. Podemos decir que los
ncleos de hierro, no superan los 10 Khz. (altas perdidas).
N1 T
Np1
Ns
V.salida
V.entrada c.a
c.c Np2
N2
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En este circuito inversor, durante un ciclo completo, la densidad del flujo magntico del
transformador varia entre el valor de saturacin en un sentido (+Bm) y el valor de
saturacin en el otro (-Bm). La conduccin y no conduccin de los transistores, se
realiza en forma alternativa; es decir cuando uno conduce, el otro esta cortado y
viceversa. Al comienzo del periodo de conduccin de un transistor, la densidad del flujo
magntico en el ncleo esta en su valor mximo negativo o positivo. Por ejemplo, el
transistor Q1 pasa a la conduccin con -Bm y Q2 con +Bm. Durante la conduccin
de Q1, la densidad del flujo magntico cambia de su nivel inicial -Bm y se hace
positiva a medida que se almacena energa en la inductancia del transformador (Np1),
proveniente de la batera, y simultneamente se le suministra energa a la carga (Np2).
Cuando la densidad del flujo magntico llega a +Bm, el transistor Q1 pasa al corte y Q2
pasa a la conduccin. De esta forma, el transformador asegura el suministro de energa a
la carga a una velocidad constante, durante todo el periodo de conduccin de Q1. Este
ciclo de transformacin, tambin se repite cuando conduce Q2. El proceso de corte y
conduccin de Q1 y Q2, es similar al analizado con el inversor de un solo transistor
respecto a la actuacin de los bobinados de realimentacin, es decir por ejemplo cuando
Q1 conduce, a travs de la realimentacin recibe una polarizacin de base directa que
hace aumentar su conduccin y por otra parte, durante este periodo, Q2 recibe
polarizacin inversa, mantenindolo cortado. El proceso se repite, a la inversa cuando
Q2 conduce.
T2
RB=1
Vent.
T1 cc
+
Vsal RL
c.a
-
RB=1
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En este tipo de circuito, un transformador de ncleo saturable T1, controla la operacin
de conmutacin del inversor en todos los niveles de potencia de del circuito de base. El
transformador de salida T2, de funcionamiento lineal, transfiere la potencia de salida a
la carga. Como este transformador no se satura, la corriente pico de colector de cada
transistor esta determinada principalmente por el valor de la impedancia de la carga.
Esta caracterstica permite un rendimiento elevado para el circuito.
Las resistencias RB y R2 fijan una polarizacin, prxima a la tensin umbral (V) para
ambos transistores que permita el arranque del circuito, especialmente con altas cargas,
para que el circuito tenga una ganancia de lazo superior a la unidad. La resistencia de
realimentacin Rfb, se calcula como la resistencia requerida para producir la diferencia
de tensin que debe existir entre la tensin colector-colector de los dos transistores y la
tensin primaria aplicada al primario del transformador T1. La modificacin de su
valor, produce una variacin en la tensin primaria de T1 lo que produce una
modificacin de la frecuencia de funcionamiento, dentro de un rango limitado. Una
disminucin de Rfb aumenta la corriente magnetizante de T1, aumentando las perdidas
del circuito asociado y un aumento de la frecuencia. El aumento de Rfb, produce el
efecto contrario.
Cuando se alimenta con tensin al inversor, a causa de un pequeo desequilibrio del
circuito, uno de los transistores, Q1 por ejemplo conduce inicialmente ms intensamente
que el otro. El aumento resultante en la tensin existente a travs del primario del
transformador de salida T2, se aplica al primario del transformador de excitacin de
base T1, en serie con la resistencia de realimentacin Rfb. Los bobinados secundarios
del transformador T1 estn dispuestos de manera que el transistor Q1 sea llevado a la
saturacin, y a Q2 se le aplique una tensin inversa en la base que lo mantenga cortado.
Al saturarse T1, la corriente del primario , en rpido aumento, produce una mayor cada
de tensiona travs del resistor de realimentacin, disminuyendo la tensin primaria
aplicada a T1, y con ello una disminucin de la tensin de excitacin de base de Q1 que
hace disminuir su corriente de colector; esta disminucin modifica la Fem. en T2 y T1,
provocando el encendido de Q2 y apagado de Q1, cumplindose el ciclo.
(Para mas datos sobre diseo de estos inversores remitirse a Circuitos de potencia de
estado slido, RCA).
Carga
conectada a
secundario
trafo
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Entrada
CC Salida
tensin
CA
Salidas de excit.
desfasadas 180
Vcc1
Realimentacin
Entrada tensin
Realimentacin
corriente CI
TL594 Rectif y
filtro RyC
Entrada de determinan
tensin para
Frecuencia
ref. corriente
salida Salida CA
Entrada para
Entrada ref. de tensin
PWM salida
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El dibujo anterior, representa el circuito de un inversor CC a CA, del tipo contrafase
(push pull), con transformador, excitado por un CI regulador de tensin y corriente del
tipo conmutador. El circuito, utiliza la tcnica de Modulacin por ancho de pulso
nico, para modificar el valor eficaz de la tensin alterna de salida. El CI, genera la
frecuencia de conmutacin (con R y C externos) y con ello la frecuencia de la tensin
alterna de salida. La forma de onda de esta tensin, es de onda cuadrada (un solo pulso
en el semiciclo positivo y otro, en el negativo). El circuito me permite regular la tensin
alterna de salida, generando la tensin una continua de realimentacin, mediante el
divisor resistivo, transformador aislador y rectificador y filtro. La generacin de la
tensin de realimentacin que limita la corriente de salida, se obtiene como cada de
tensin en la resistencia RI, al circular la corriente continua de los interruptores. Para
ello el CI dispone de terminales, donde se ingresan tensiones de referencia para regular
la tensin de salida y limitar la corriente en la carga. El control de la tensin (valor
eficaz) y corriente, se realiza internamente en el CI mediante un modulador de ancho de
pulso, controlado por los amplificadores de error (internos) de la tensin y o la
corriente. La modificacin del ancho del pulso, se realiza mediante la tcnica de
comparacin de una onda triangular con la tensin de control, similar al analizado para
el regulador de tensin continua conmutado. Ante un eventual aumento o disminucin
de la tensin de salida y o corriente, la realimentacin acta de manera tal de disminuir
o aumentar el ancho del pulso de excitacin de los interruptores (en este caso MOSFET
de potencia), respectivamente. El CI, tambin dispone de una entrada para una tensin
continua que permite modular el ancho del pulso, de la misma forma que lo hacen las
tensiones de control, provenientes de los amplificadores de error.
Vref.
Q1
Q2
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Voltaje ca de salida
Voltaje cc de
entrada
+Vcc Realiment.
tension
Circuito
supresor de
Realiment.
pulsos
corriente
TL494
Reg.de
Conmutacion
Tension ref. Tensin alterna de
para ref. tensin y
Limitacion frecuencia salida
corriente
Fuente de seal
para modular R.C fijan los
ancho de los pulsos
pulsos mltiples mltiples en
los semiciclos
+ +
Ve Vo
_ _
Este filtro, se disea para que presente una alta impedancia a la frecuencia de
conmutacin de los interruptores (generada por el CI) y baja impedancia a la frecuencia
de salida de voltaje del inversor (generada por la tensin alterna de referencia mediante
el supresor de pulsos).
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Como referencia, la relacin entre las frecuencias de conmutacin y la de salida del
inversor, puede estar entre 50 a 100 Khz. para la conmutacin y 2 a 6 Khz. para la
salida.
La seal de retroalimentacin de voltaje, se toma a travs del divisor resistivo Rv1, Rv2.
Esta seal se rectifica y se utiliza como realimentacin para el CI de regulacin de
voltaje, dado que trabaja con tensiones continuas. La seal de referencia de voltaje y
frecuencia, como es de corriente alterna, tambin debe ser rectificada y utilizada como
referencia de voltaje para el circuito de regulacin. La referencia de frecuencia del
voltaje de salida del inversor, se toma de esta ultima seal, sin rectificar, y se aplica al
circuito supresor de pulsos, encargado de controlar las seales de excitacin a los
interruptores del inversor Q1 y Q2.
La seal de retroalimentacin de corriente de salida, es similar al circuito de un solo
pulso, y es obtenida como cada de voltaje de cc en la resistencia RI. En esta resistencia,
la corriente proveniente de los interruptores y primario del transformador, es siempre
en un solo sentido. Para la referencia de limitacin de la corriente se lo resuelve
mediante una tensin de referencia de cc (estabilizada) y potencimetro.
Teniendo en cuenta que las seales de referencia de voltaje y de realimentacin son
alternas y el CI 494 es un regulador de voltaje de conmutacin de continua, se modifica
la seal de referencia de tensin, para este regulador, colocando un circuito de control
automtico de ganancia (AGC), como muestra el la siguiente figura:
Fuente de referencia de
voltaje y frecuencia
Tensin de
referencia de voltaje
Circuito RC para el CI 494
promediador
Circuito RC
promediador
Voltaje de
retroalimentacin de
salida del inversor
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Corriente
Vs/2 Vao=vo fundamental
io1
i1 t
+
Vs/2 0
-
-Vs/2 1
io
+ To/2 To
Vs
va0=vo -
+ i1
Vs/2 Vs/2R
i2 -
t
0
i2
Vs/2R
Vs/4fL t
0
0 t
Formas de onda con carga resistiva
D1 Q1 D2 Q2 D1 Q1
Este inversor tiene dos interruptores, en este caso dos MOSFET de potencia. Cuando se
hace conducir a Q1, el voltaje instantneo que aparece en la carga, durante el tiempo
To/2, vale +Vs/2. Si conduce Q2, durante To/2, la tensin en la carga vale Vs/2. La
lgica de excitacin de Q1 y Q2 debe ser tal, que no deben estar activos al mismo
tiempo; de hacerlo provocara un cortocircuito a la fuente Vs, llevando a la destruccin
de los dispositivos interruptores. De all la importancia, cuando se disea el circuito de
excitacin, tener en cuenta los tiempos de activacin y desactivacin de los
interruptores.
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Carga inductiva
Cuando la carga es muy inductiva, la corriente no puede cambiar rpidamente. Si Q1 es
desactivado en To/2, la corriente seguir fluyendo a la carga a travs del diodo D2. De
la misma forma, cuando deja de conducir Q2, la corriente sigue circulando por D1.
Cuando conducen los diodos D1 y D2, la energa se devuelve a la fuente de
alimentacin.
Observando el grafico anterior para carga inductiva, vemos que los transistores
solamente pueden conducir durante 90. Para cargas con inductancia y resistencia, el
periodo de conduccin esta entre 90 y 180.
Para una carga RL, la corriente instantnea la podemos encontrar dividiendo el voltaje
instantneo de salida por la impedancia de carga Z= R +jnwL, resultando:
________
io= [2Vs/n.R+(nwL)2].sen(nwt-n) = 0 para n=2,4,.
n=1,3,5
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Corriente de alimentacin de la fuente de cc
Is = (Vo1rms.Io1rms.cos 1)/ Vs
THD= (1/Vo1).[ (Von)2]1/2
n=1,3,5
DF= (1/Vo1).[ (Von/n2)2]1/2
n=1,3,5
Para una sola componente: DFn = Vn/(Vo1.n2)
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io
vo=vab
Corriente fundamental
Vab Vs io1 io Vs/(4.f.L)
Vs/R
t t
0 1 To/2 To
Forma de onda de la tensin y la corriente Corriente para una carga altamente inductiva
para carga resistiva
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El voltaje rms de la salida, lo podemos calcular como:
______________
Vorms= 2/To.0To/2(Vs)2.dt= Vs
Con carga inductiva a travs de los diodos (de retroalimentacin), la energa vuelve a la
fuente de cc., como se observa el grafico con carga altamente inductiva.
Corriente de alimentacin de CC
Si no tenemos en cuenta las perdidas, la potencia que entrega la fuente Vs es igual a la
potencia en la carga:
Para carga inductiva y para frecuencias relativamente altas, podemos suponer que la
corriente en la carga io y el voltaje de salida vo son sinusoidales, resultando:
_ _
is(t) = (1/Vs). 2.Vo1.sen(wt).2.Io.sen(wt-1)
Para la tensin hemos tomado la 1 armnica dado que tiene forma de onda cuadrada y
para la corriente hemos tomado el valor eficaz dado que la inductancia elimina
prcticamente las armnicas de orden superior.
Ordenando la ltima expresin de la corriente tenemos:
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En la ltima ecuacin vemos que aparece un armnico de 2 orden de la misma
magnitud que la corriente de alimentacin de continua. Esta armnica se inyecta de
regreso a la fuente de alimentacin Vs. Para eliminarla, se suele conectar un capacitor
de valor considerable a travs de la fuente de alimentacin de continua.
Finalmente, como conclusin de estos dos circuitos presentados, podemos decir que el
voltaje pico inverso de cada transistor y la calidad de voltaje de salida para el medio
puente y puente completo, son iguales. Sin embargo, en los inversores con puente
completo, la potencia de salida es cuatro veces mayor, y la componente fundamental es
el doble que la de los puentes medio.
Inversores trifsicos
- Vs +
Inversor
1
Inversor
2
Inversor
3
Para obtener tres tensiones simtricas con igual amplitud y defasaje entre ellas, las
seales de control de los inversores monofsicos se deben adelantar o atrasar 120 entre
si. Los devanados primarios se deben aislar entre ellos, mientras que los devanados
secundarios se pueden conectar en estrella (Y) o en triangulo (). Normalmente, los
secundarios se conectan en delta (), para eliminar armnicas de mltiplo de tres
(n=3,6,9,) que aparecen en los voltajes de salida.
En la prxima figura podemos observar la conexin de los transistores a los devanados
del transformador trifsico de salida:
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Es posible obtener una salida trifsica, con una configuracin de seis transistores y seis
diodos, con la siguiente configuracin de circuito:
En este circuito, se pueden aplicar dos clases de seales de control a los transistores:
Conduccin a 180 o conduccin a 120.
Conduccin a 180
Cada transistor conduce durante 180. En cualquier momento hay tres transistores
conduciendo. Cuando se activa el transistor Q1, el terminal a queda conectado con el
terminal positivo de la fuente de alimentacin Vs. Cuando se activa el transistor Q4, el
terminal a se lleva al terminal negativo de Vs.
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Como se observa en el siguiente grafico, tenemos seis modos de operacin en un ciclo,
y la duracin de cada modo es de 60. Los transistores se numeran en el orden de sus
seales de disparo: 123, 234, 345, 456, 561 y 612.
g1
0 2 3
g2
1/3
g3
2/3.
g4
3/3.
g5
+1/3
g6
Vab
Vs
Vbc
Vca
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Conduccin a 120
En esta clase de control, cada transistor conduce 120. En cualquier momento solo hay
dos transistores activados. El orden de conduccin de los transistores es: 12, 23, 34, 56
y 61. Esto da lugar a tres modos de operacin en medio ciclo, dando lugar a las formas
de onda que muestra la siguiente figura:
g1
0 2/3 2 2/ 3
g2
1/3
g3
2/3.
g4
3/3.
g5
+1/3
g6
Van
Vs/2
Vbn
Vcn
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Secuencia de activacin de los transistores
Conduccin 180
1) Se deben generar tres seales de disparo cuadradas, vg1, vg3, y vg5, desfasadas 120,
con la frecuencia de salida y ciclo de trabajo 50%. Las seales vg2, vg4, y vg6 son las
inversas lgicas respectivamente. Este modo de disparo hace que las seales en el orden
de numeracin establecido, estn desfasadas 60, Los transistores conducen durante
180.
2) Las seales vg1, vg3, y vg5 controlan respectivamente a Q1, Q3, y Q5, a travs de
circuitos de aislamiento. Las seales vg2, vg4 y vg6 pueden activar, respectivamente a
Q2, Q4, y Q6, sin circuitos de aislamiento.
Conduccin 120
1) Se generan tres seales de disparo cuadradas vg1, vg2 y vg3, desfasadas 120 con la
frecuencia de salida, con ciclo de trabajo asimtrico, conduccin solamente de 120 de
los interruptores. Las seales vg2, vg4 y vg6, se activan a los 180 del comienzo de las
seales vg1, vg2 y vg3, respectivamente. Este modo de disparo hace que las seales vg1
a vg6, respectivamente, estn desfasadas 60. Los transistores conducen durante 120.
2) Las seales vg1, vg3, y vg5 controlan respectivamente a Q1, Q3, y Q5, a travs de
circuitos de aislamiento. Las seales vg2, vg4 y vg6 pueden activar, respectivamente a
Q2, Q4, y Q6, sin circuitos de aislamiento.
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Los mtodos mas frecuentes son:
1) modulacin por ancho de un solo pulso.
2) Modulacin por ancho de pulsos mltiples.
3) Modulacin por ancho de pulso senoidal.
4) Modulacin por ancho de pulso senoidal modificado.
5) Control por desplazamiento de fase.
Consiste en modular el ancho de un solo pulso por cada medio ciclo. En la prxima
figura, se muestra la generacin de las seales de control, las seales de excitacin de
los interruptores y el voltaje de salida, para un inversor monofsico en puente completo
.
Seal portadora
e Seal de referencia
Ac
Ar Ac
Ar wt
0
1 2
g1
wt
0
g2 /2-/2 /2 /2+/2
wt
Vo
Vs
wt
0
/2-/2 /2 /2+/2
-Vs
M= Ar/Ac
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El voltaje rms de salida se puede determinar como:
(+)/2
Vo = [(2/2)(-)/2Vs2 dwt ]1/2 = Vs.(/)1/2
V1 DF 7
0,8
6
0,6 5
4
0,4
V3 3
0,2 2
V5
V7
1
0 0
1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
ndice de modulacin M
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Se puede reducir el contenido de armnicas usando varios pulsos en cada medio ciclo
del voltaje de salida. La generacin de las seales de activacin de los interruptores,
se lo hace comparando una seal de referencia, de onda cuadrada y de frecuencia fo,
con una onda triangular de una frecuencia mayor a la frecuencia del voltaje de salida del
inversor. La prxima figura muestra la generacin de las seales de control, las seales
de activacin y la forma de onda del voltaje de salida:
Seal portadora
e 1/fc Seal de referencia
Ac
Ar Ac
Ar wt
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
g1
0 wt
g2
m+/2
wt
Vo
Vs m++/2
0 2 wt
m
-Vs
La variacin del ndice de modulacin M, desde 0 a 1 hace variar el ancho del pulso d
desde 0 hasta T/2p (0 a /p), y al voltaje rms de salida desde 0 a Vs
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La expresin gral de la serie de Fourier para el voltaje instantneo es:
vo(t) = Bn. sen (nwt)
n=1,3,5..
Para el calculo de Bn, debemos primero encontrar el valor b1 para un solo par de
pulsos, teniendo en cuenta su ubicacin dentro del ciclo, luego tomar otro par de pulsos
para encontrar b2 y asi con el resto. El valor de Bn resulta como suma de todos los
valores de bn calculados. La expresin resultante es engorrosa (consultar
bibliografa). A los fines prcticos, daremos las graficas de variacin de las armnicas y
el valor del factor de distorsin DF, en funcin del ndice de modulacin.
Vn/Vs DF(%)
1 5
V1 DF 4
0,8
0,6 3
0,4 2
V3
0,2 V5 1
V7
01 0,8 0,6 0,4 0,2 0
ndice de modulacin M
Observando el grafico, vemos que DF vara entre 3,8 a 4,5 % en todo el rango de
variacin de M. El orden de las armnicas es igual que el de un solo pulso. Sin
embargo, por la mayor cantidad de procesos de conmutacin, las perdidas son mayores.
Con mayores valores de p, las amplitudes de la LOH serien menores, pero
aumentaran las de algunas armnicas de orden mayor. Sin embargo, esas armnicas
producen un rizado menor y fcilmente pueden ser filtradas con facilidad (son de alta
frecuencia, requiriendo valores de L y C de poca magnitud). No existen armnicas
pares, por la simetra con el eje de absisas.
El m-simo tiempo tm y m, se calculan como:
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Con este mtodo, en vez de mantener igual el ancho de todos los pulsos, se hace variar
el ancho de cada pulso en proporcin con la amplitud de una onda senoidal evaluada en
el centro del mismo pulso. De esta forma, se logra disminuir considerablemente el
factor de distorsin (DF) y la armnica de orden ms bajo (LOH). Las seales de
control, se generan comparando a una seal senoidal de referencia con una onda
portadora triangular con frecuencia fc. Esta modulacin por ancho de pulso
sinusoidal (SPWM) es la que se suele usar en las aplicaciones industriales.
Ar
wt
1/fc
g1
wt
0 2
g4
wt
0 2
Vs m
wt
0 m 2
-Vs
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Tambin es posible las mismas seales de disparo con una onda portadora triangular
unidireccional como se muestra en el siguiente dibujo, siendo ms fcil y preferible.
Ac v
M=Ar/Ac
Ar
0 m 2 wt
1 1
DF 0,8
0,8
V1
0,6 0,6
0,4 0,4
V11=V13
0,2 0,2
V9=V15
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Modulacin por ancho de pulso modificada
En la modulacin por ancho de los pulsos senoidal (SPWM), los anchos de los pulsos
ms cercanos al pico de la onda senoidal no cambian mucho al variar el ndice de
modulacin. Esto se debe a las caractersticas propias de la onda senoidal. Esto se puede
modificar para que se aplique la onda portadora durante los primeros y ltimos
intervalos de 60 por medio ciclo (de 0 a 60 y de 120 a 180). Esta modulacin por
ancho de pulso senoidal modificada (MSPWM), aumenta la componente fundamental, y
mejora sus caractersticas de armnica; adems, reduce la cantidad de conmutacin de
los dispositivos de potencia, reduciendo las perdidas por conmutacin.
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Ac v Seal portadora
Ar M=Ar/Ac
Seal de referencia
g1
wt
1 10
8
0,8
DF
V1
0,6 6
0,4 4
V3
0,2 2
V13
1 0,8 0,6 0,4 0,2
0 ndice de modulacin M 0
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Control por desplazamiento de fase
Para entender esta forma de control, podemos interpretar que la tensin de salida del
inversor de puente completo, es el resultante de la suma de las tensiones de salida de
dos inversores de medio puente, desfasados 180 , como se muestra en las siguientes
graficas:
.
Vao
Vs/2 wt (a)
180 360
Vbo
wt (b)
-Vs/2
Vab
Vs
wt (c)
-Vs
Vbo
wt (d)
+Vs/2
-Vs/2
180 360
Vab
Vs
wt (e)
-Vs 180 360
Vab
+Vs
wt (f)
-Vs
( 180-) 180 360
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Para lograr este desplazamiento, a la seal de compuerta g1 del inversor de medio
puente, la desfasamos y la aplicamos a la compuerta g2
El voltaje de salida rms , aplicando la formula correspondiente, resulta:
___
Vo = Vs./
Vo1= (4Vs/2).sen(/2)
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Otras tcnicas utilizadas en los convertidores de cc a ca
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