UNIVERSIDAD AUTONOMA DE OCCIDENTE

Facultad de Ingeniera
Departamento de Automtica y Electrnica
I Periodo de 2016

Amplificador de Potencia (10W)

Andrs Felipe Giraldo (2126397)

Sebastin Mayor (2127307)
Febrero del 2016

I. RESUMEN
En este trabajo se presenta el desarrollo de un
amplificador de potencia el cual est compuesto
por dos etapas, en la primera etapa se utiliza un
amplificador operacional con el fin de amplificar
un voltaje de entrada. La segunda etapa la
compone una configuracin Darlington con
excitador, mediante la cual se busca amplificar la
corriente y a su vez darle ms ganancia al voltaje
proveniente de la primera etapa. Finalmente se
ubica una resistencia como carga en donde se
esperan 10 Vatios (10W) de potencia sobre la
misma.
II. INTRODUCCION
Un amplificador de potencia es un circuito
configurado para que su etapa de salida sea capaz
de generar unos rangos de tensin e intensidad
ms amplios de forma que tenga capacidad de
transferir a la carga una potencia requerida.
Cuando se disean utilizando amplificadores
operacionales, un amplificador de potencia
normalmente consiste en dos etapas, la primera
etapa de baja potencia basada en un amplificador
operacional y una segunda etapa de potencia, con
ganancia reducida, pero con capacidad de
suministrar las intensidades que se necesitan.1
Figura N.1 Etapas Amplificador de Potencia.
entradas multiplicadas por un factor A de
ganancia.
Figura N.2 Esquema de un Amplificador
operacional.
Imagen tomada de:
http://educativa.catedu.es/44700165/aula/archivos/repositorio//
3000/3079/html/462_el_amplificador_operacional.html.
Cuando un circuito necesita ms corriente que la
que puede suministrar un simple transistor, como
cuando se quiere controlar un motor, se necesita
emplear un dispositivo que sea capaz de
suministrar esta corriente. Este dispositivo puede
ser un circuito Darlington, tambin llamado par
Darlington o transistor Darlington. El transistor
Darlington es un tipo especial de transistor que
tiene una alta ganancia de corriente. Este est
compuesto internamente por dos transistores
bipolares que se conectan en cascada2.
La configuracin de Darlington (originalmente
realizada con dos transistores separados) fue
creada por el ingeniero de los Laboratorios
Bell, Sidney Darlington. La idea de poner dos o
tres transistores sobre un chip fue patentada por
l.2

Para amplificar la tensin usualmente se utilizan

amplificadores operacionales que son dispositivos
electrnicos los cuales normalmente se presentan
como circuitos integrados que tienen dos entradas
y una salida, la salida es la diferencia de las dos

Figura N.3 Configuracin Darlington.
Imaginen tomada de
http://hades.mech.northwestern.edu/index.php/Diodes_and_Transistors
Esta configuracin sirve para que el dispositivo
sea capaz de proporcionar una gran ganancia de
corriente. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores
individuales.
Para explicar las caractersticas elctricas del
transistor Darlington, se debe tener en cuenta que
los dos transistores pueden ser diferentes, pero se
debe respetar que los dos sean NPN o PNP.
En el caso del transistor NPN, el transistor Q1
suministra la corriente que sale por emisor a la
base de Q2, que se observa en la ecuacin 2.
La ecuacin de ganancia tpica de un transistor es:
= [1]
Por lo tanto, analizando la figura N.1 se obtiene:
1 = 1 . 1
1 = 1 + 1 = ( 1 + 1) 1 [2]
Haciendo uso de la ecuacin 1 se obtiene la
corriente de colector del transistor Q2, y la
corriente de emisor de este transistor es igual a:
2 = 2 + 2 = ( 2 + 1) 2
= ( 1 + 1)( 2 + 1) 1
La corriente total que entra hacia colector del
encapsulado, es igual a la suma de las corrientes
de colector de Q1 y Q2.
= 1 + 2 = ( 1 ) 1 + ( 2 ) 2
= ( 1 ) 1 + ( 2 ) ( 1 + 1) 1
Un dispositivo tpico tiene una ganancia en
corriente de 1000 o superior. La tensin base-
emisor tambin es mayor, siendo la suma de
ambas tensiones base-emisor, y para transistores
de silicio es superior a 1.2V.
El beta de un transistor o par Darlington se halla
multiplicando las de los transistores individuales.
La corriente del colector se halla multiplicando la
corriente de la base por el beta total.
= 1 + 2 + 1 . 2 [3]
Pero en el caso en el que los beta de los
transistores tengan un valor muy grande, se puede
hacer la siguiente aproximacin:
1 . 2
En cuanto a las tensiones del transistor, la primera
caracterstica es la duplicacin del voltaje base-
emisor ( ), debido a la cada de tensin del
semiconductor en este punto, que sera
aproximadamente 0.7 voltios para cada transistor.
Es decir que el voltaje base-emisor total del
transistor es igual a 1.4 voltios.
Figura N.4 Representacin del punto de trabajo Q
Imagen tomada de http://ocw.uv.es/ciencias/1-4/clase52edit.pdf
Una caracterstica del transistor Darlington es el
aumento de la tensin de saturacin. Ya que el Q2
no se puede saturar ya que la tensin colector-
emisor es igual a la suma base-emisor de Q2 y
colector-emisor de Q1:
2 = 2 + 1
Adems de los dos transistores propios del par
Darlington, este dispositivo, lleva un diodo
2
adicional y un par de resistencias con fines de
proteccin.

III. ANALISIS Y RESULTADOS

Para el diseo del amplificador de potencia se
dividi el circuito, en dos etapas. La primera etapa
amplifica la tensin por medio de un amplificador
operacional, mientras que la segunda amplifica
corriente usando dos par Darlington para obtener
como resultado la amplificacin de potencia.
La primera etapa de tensin, est basada en un
amplificador operacional no inversor para el cual
se utiliz un Amplificador Operacional (LF356).

Figura N.5 Segunda Etapa.

Despus de definir el valor resistivo de la carga en

este caso 8 ohmios y estableciendo la potencia que
se desea obtener sobre la carga, se calcula la
corriente que circulara a travs de dicha
resistencia o elemento que se tenga como carga.

Figura N.5 Esquema Etapa de Tensin 10

IRL = = 1,11 A
8

La Figura N.5 muestra la etapa de amplificacin

Conociendo tanto el valor de los betas de los
de tensin, en donde la entrada (50 mV) ingresa
transistores usados los cuales son de 120 cada uno
directamente por la entrada no inversora del
y la corriente sobre la carga nos permite calcular
Amplificador y la retroalimentacin por medio de
la corriente que ingresa a la base del transistor Q6.
la resistencia 2, en donde:
I1 es igual a I2. 1,11
IBQ6 = = 77,1 uA
14400
2 =
2
Donde 14400 hace referencia al sper beta de los
transistores el cual proviene de la multiplicacin
1 =
1 del beta de cada uno.
Por lo tanto la primera etapa tiene una ganancia
de: Una vez encontrada la corriente de base se calcula
2 la corriente que viaja a travs de la resistencia R3,
= 1 +
1 ya que esta corriente debe ser al menos 20 veces
mayor que la corriente en base.
=
IR3 = 77,1 uA x 20 = 1,55 mA
Y se esperan aproximadamente 2 Voltios a la
salida del amplificador. Es posible ahora obtener el valor del voltaje
presente en la base del transistor Q6, dividiendo
Para la segunda etapa, se requiere realizar el el voltaje de alimentacin en 2 y sumando el 0,7 V
acople de las dos etapas, por lo que se necesita presentes en cada transistor correspondiente a
calcular las resistencias y capacitores efectos del diodo base-emisor.
correspondientes.
VBQ6 = (Vcc / 2) +1,4 V = 11,4 V

3
El voltaje hallado anteriormente sirve para obtener Todas las simulaciones fueron realizadas
el valor correcto de la resistencia R3. utilizando el software Pspice.

R3 = (Vcc - VBQ6) / IR3 = 4,6 k El Circuito implementado en la simulacin tiene

como resultado los siguientes valores en corriente
Es de tener en cuenta que esta etapa de y voltaje medidos en la carga y en la salida de la
amplificacin de corriente se realiz mediante un etapa amplificacin de tensin. Donde la corriente
espejo de corriente principalmente para corregir el y el voltaje en la carga se ilustran en color rojo y
error que se presenta en la configuracin de verde respectivamente y en color azul se ilustra el
potencia Clase AB de cruce por Zero. Adems nivel de tensin en la salida de la primera etapa.
tambin proporciona una corriente constante, para
esto se necesitan transistores con idnticas cadas
de tensin en base-emisor y similares valores de
beta, de igual manera las bases deben estar
conectadas a un mismo punto y la corriente de los
dos colectores tiene que ser aproximadamente la
corriente de emisor.

Calculamos ahora el voltaje presente en el

colector del transistor excitador que a su vez es el
mismo voltaje de la base del transistor Q8.
Tomamos el valor calculado en la base de Q6 y
restamos los correspondientes 0,7 V por cada
Figura N.8 Resultados en simulacin.
diodo presente al voltaje de la base en Q6.

VBQ8 = VBQ6 -2,8 V = 8,6 V Posteriormente la simulacin se lleva a la prctica

donde se obtienen los siguientes niveles de tensin
Teniendo en cuenta que la tensin de salida de la y corriente.
primera etapa es de 2.05 V (rms), se calcula ahora
la ganancia en voltaje que proporciona el
transistor excitador al circuito.

A = 8,6 V / 2,0 V = 4,19

A = R3 / R4

De donde podemos despejar entonces el valor de

la resistencia R4 para que se cumpla la condicin
de la ganancia que debe tener el excitador para
que trabaje bajo los estndares que tengamos
aplicados en el diseo realizado. Figura N.10 Tensin en carga.

R4 = R3 / 4,19 = 1 k

El transistor excitador fue polarizado mediante

una resistencia realizando una retroalimentacin
negativa en donde se debe garantizar que la
corriente que se tome de la salida no sea
relativamente grande para que hacia la carga fluya
la mayor cantidad de corriente pero tambin
debemos garantizar que dicha corriente active
nuestro transistor de excitacin de manera segura Figura N.11 Corriente en la carga.
para que no hallan anomalas en su
funcionamiento, todo esto se logra situando una
resistencia de gran valor en el orden de los M.

4

Figura N.12 Espejo de Corriente.
IV. CONCLUSIONES
Para esta segunda prctica de laboratorio se
implement la configuracin que se trabaj para
lograr 5W pero esta vez se agreg un transistor
excitador polarizado con retroalimentacin
negativa, mediante el cual se logr darle mayor
estabilidad a las corrientes de base de manera que
el espejo de corriente fuera casi perfecto, se logr
que la seal en la carga saliera sin ningn tipo de
ruido seleccionando los acoples adecuados entre
las etapas y trabajando a frecuencias altas (1kHz).
En la implementacin de esta configuracin se
tuvieron problemas con la retroalimentacin
negativa ya que cuando se calcul la resistencia de
retroalimentacin se obtuvo un valor en el orden
de aproximadamente 220k lo que causo que
disminuyera la corriente presente en la carga y
posteriormente se quemara el transistor excitador
por exceso de corriente en su base. Fue por esta
razn que se utiliz una resistencia en el orden de
M.
Otro de los problemas presentados fue un pequeo
ruido en la seal de salida lo cual se compenso
cuando se ubic un capacitor paralelo a la carga,
tambin se present una descompensacin en los
espejos lo cual se corrigi con la resistencia R4
que se ubica entre el emisor del excitador y los
colectores del par Darlington, resistencia que fue
reemplazada con un potencimetro mediante el
cual se disminuy un poco el valor establecido y
se estabilizo el espejo de corriente.
Fue muy importante disminuir considerablemente
la ganancia en la etapa de tensin, ya que para esta
configuracin se tena que tener en cuenta que el
excitador proporcionara otra ganancia de tensin
al circuito lo que causara que si se mantuvieran
los mismos niveles de tensin ganados en la
configuracin de 5w la seal se saturara por
completo.
Para obtener que el espejo de corriente funcione
correctamente se deben medir los betas de todos
los transistores y procurar que sean lo ms
cercanos posible, teniendo en cuenta los betas se
calculan las resistencias de base de los transistores
para garantizar que las corrientes de base sean casi
idnticas. Adicionalmente se deben ubicar
resistencias muy pequeas en los emisores de los
segundos transistores para brindarle proteccin al
dispositivo y evitar que se daen por altas
corrientes.
Para lograr los resultados esperados se deben
estabilizar los transistores en la configuracin
Darlington, debemos tener en cuenta la corriente
de base necesaria para que los primeros
transistores se activen y empiecen a trabajar
correctamente, de lo contrario las componentes de
la seal sinusoidal pueden salir con mucho ruido o
cortada.
V. REFERENCIAS
[1]http://www.ctr.unican.es/asignaturas/instrumen
tacion_5_it/iec_5.pdf. En lnea 30 de Enero de
2016.
[2]http://usuaris.tinet.cat/fbd/electronica/Darlinton
/darlington-aplicacion.html. En lnea 30 de Enero
de 2016.
[3] Neurosciencie and Robotics Lab. Diodes and
Transistors En lnea 30 de Enero de 2016
[http://hades.mech.northwestern.edu/index.php/Di
odes_and_Transistors].
[4] Fsica de Transistores. Dpto. de Electrnica
UNLP. 2007. En lnea 30 de Enero de 2016
[http://www.ing.unlp.edu.ar/electrotecnia/termo/tp
/FSTP3-07.pdf].
[5] Dispositivos Electrnicos Octava Edicin.
Editorial PEARSON Prentice Hall.- Autor
Thomas L. Floyd- CAP 7.
[6] Principios de Electrnica Sptima Edicin.
Editorial McGraw Hill.- Autor Albert Malvino.