AUDIO

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Lanzamiento del libro:
TERMICO:
UN ASESINO DE TRANSISTORES DE
POTENCIA

El presente artculo es una modificacin del publicado en

noviembre de 1994, sobre los peligros de la temperatura
en los transistores de potencia de audio. Corresponde a la
serie: Los Asesinos Andan Sueltos y forma parte del
libro: Cuaderno del Tcnico Reparador,
Reparador que se en-
cuentra actualmente en los mejores quioscos del pas.

Por Ing. Alberto H. Picerno

1. Cmo se comete el crimen?
En todo componente electrnico, se
genera calor debido a las componentes
resistivas. Inclusive, un capacitor tiene
una componente resistiva serie, que re-
presenta las prdidas por la resistencia de
sus terminales y placas y otra en paralelo,
por la fuga dielctrica.
Trmico elige su vctima. Los transis-
tores, circuitos integrados de potencia y
resistores de alambre son las vctimas
predilectas, pero ningn componente es-
t a salvo de nuestro asesino. El asesinato
de un transistor de potencia se produce
de la siguiente manera: el chip del tran-
sistor est montado sobre una pieza de
cobre, con el fin de disipar el calor gene-
rado o de conducirlo a un disipador ex-
terno. Adems, en el caso del encapsula-
do plstico, est rodeado por el mismo.
Los coeficientes de dilatacin del chip,
del cobre y del plstico son distintos en-
tre s; esto provoca dilataciones cuando
el equipo es encendido y contracciones
al apagarlo. Con el tiempo, el chip ter-
mina separndose de la pieza de cobre y,
por lo tanto, sta pierde parcialmente su
capacidad de disipar o conducir el calor
al exterior, este hecho acelera el proceso
de destruccin, hasta que el chip termi-
na por llegar a su temperatura de fusin
(150C para el silicio) y el componente
muere en un estertor final. El proceso
en un circuito integrado de potencia es
en todo similar al del transistor, con el
agravante de que la complejidad del cir-
cuito hace que la falla pueda producirse
antes de llegar a los 150C, si en el mis-
mo circuito conviven etapas de seal
sensibles a la temperatura. En este caso,
es posible que, antes del estertor final,
deba cambiarse el integrado, ya que tra-
bajando a temperaturas elevadas, se pue-
den producir fallas de funcionamiento,
algn tiempo despus de encender el
equipo.
En un resistor de potencia (general-
mente de alambre), la falla se produce en
la unin del alambre con la brida o ter-
minal de conexin, por el proceso de di-
latacin diferencial o tambin por oxida-
cin, en caso de resquebrajamiento del
vitrificado o recubrimiento epoxi (el pro-
ceso de oxidacin aumenta con la tem-
peratura).
2.Cmo protegerse del asesino?
Nuestro asesino ataca a las vctimas
ms indefensas. El diseo inadecuado de
un disipador provoca un funcionamiento
del chip a temperaturas elevadas que, si
bien no llegan al mximo de 150C, son
lo suficientemente altas como para pro-
ducir una dilatacin importante. La dila-
tacin es directamente proporcional a la
temperatura y la vida del componente,
tambin. Temperatura baja del cristal: es
sinnimo de una larga y tranquila exis-
tencia.
En algunos casos, los disipadores se
eligen de pequeo tamao por razones
de economa. Pero, en general, el proble-
ma se produce cuando es muy difcil cal-
cular la potencia elctrica que se debe di-
sipar, ya sea por el funcionamiento del
componente, en frecuencias elevadas o
por trabajar con seales complejas, que
dificultan el clculo.
Existe una manera segura de determi-
nar la temperatura del chip en un compo-
nente, mientras ste est en su funciona-
miento normal?
En principio parecera totalmente im-

54 Saber Electrnica N 154

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Figura 1 Figura 2

posible, salvo que el chip tenga men). Mantener el funciona-

algn componente sensible a Figura 3 miento a mxima exigencia, du-
la temperatura, montado ex- rante por lo menos varias horas
profeso en el punto ms ca- y, por ltimo:
liente y con conexiones al ex- D) Desconectar el equipo y
terior. Sin embargo, con un llevar la llave a la posicin
poco de ingenio y paciencia se "prueba" para obtener la tempe-
puede medir la temperatura de ratura de trabajo de la juntura;
la juntura base emisor, de los entre la desconexin y la lectura
transistores de potencia, en debe mediar un intervalo de
forma indirecta, a travs de la tiempo pequeo, que debe me-
medicin de la tensin de ba- dirse con un reloj apropiado, y
rrera. se deben realizar mediciones a
La tensin de barrera de un intervalos de 10 segundos, con
transistor de silicio vara a ra- el fin de trazar una curva de va-
zn de -2,5mV, aproximada- riacin de la tensin en funcin
mente, por cada grado cent- del tiempo, extrapolando para
grado de aumento de la temperatura; es figura 2. tiempo cero (ver figura 4) se puede obte-
decir que, en un caso normal, donde la B) Montar el transistor en el equipo ner la tensin inicial y, del grfico de la
juntura llegue a una temperatura mxi- con una llave de dos polos y dos posicio- figura 2, se obtiene la temperatura de
ma de 70C, partiendo de una tempera- nes, para que stos desconecten los dos trabajo del chip.
tura ambiente de 20C, el aumento de la terminales del circuito y lo conecten al La temperatura obtenida corresponde
tensin de juntura es de 125mV, que es mismo circuito de prueba anterior, tal al dispositivo, cuando el equipo se en-
un valor fcilmente medible. como se indica en la figura 3. cuentra a temperatura ambiente en el
El mtodo que proponemos es el si- C) Con la llave en "prueba" se mide momento de la medicin. Si se supone
guiente: la barrera y del grfico se obtiene la tem- que el equipo puede trabajar a una tem-
A) Desconectar el transistor a medir, peratura correspondiente, que ser igual peratura ambiente mayor, slo basta con
conectarlo como se indica en la figura 1 a la ambiente si el equipo estuvo desco- sumar la diferencia entre la temperatura
y medir la barrera base/emisor a dos nectado suficiente tiempo. Colocar la ambiente durante la medicin y la mxi-
temperaturas. En general, lo ms conve- llave en NORM, conectar el equipo y ma ambiente supuesta.
niente es preparar una mezcla de hielo predisponerlo en su mxima exigencia A qu temperatura de juntura mxima
(en trozos pequeos) y agua, mezclar (en caso de equipos de audio, esta condi- conviene trabajar?
bien durante unos minutos y antes de cin no corresponde al mximo volu- Esta es una decisin que debe tomar-
que el hielo termine de disolverse, intro- men, por lo cual conviene hacer medi- se en funcin de la confiabilidad del
ducir la aleta disipadora del transistor en ciones en diferentes condiciones de volu- equipo y del costo del disipador.
la mezcla y medir la barrera. Varios mi-
nutos despus, el valor obtenido es la ba-
rrera de 0C. Luego se procede a calen- Figura 4
tar agua y realizar el mismo proceso tras
de la ebullicin, este valor es la barrera a
100C. La diferencia entre las dos barre-
ras, dividida por 100, permite averiguar
el valor del coeficiente de nuestro tran-
sistor con gran precisin. Tambin puede
realizarse un grfico de la recta, que re-
presenta la variacin de barrera en fun-
cin de la temperatura, tal como el de la

Saber Electrnica N 154 55


Pero lo aconsejable es no superar los
90 o 100C, en la peor condicin, para
asegurar una larga vida del transistor o
circuito integrado.
Es imprescindible conocer la teora de
la disipacin del calor para atacar a nues-
tro enemigo en forma eficaz. El conoci-
miento es la nica arma que siempre est
cargada.
Todo clculo trmico comienza por
determinar la potencia elctrica desarro-
llada dentro del dispositivo; cuando este
clculo es muy complejo, se puede mo-
dificar el mtodo descripto con anterio-
ridad para medir la temperatura de jun-
tura. La idea es sustituir el funciona-
miento normal del dispositivo por un
funcionamiento en CC, que permita cal-
cular fcilmente la potencia disipada, y
modificar ese funcionamiento hasta ob-
tener la misma temperatura de juntura
que en el funcionamiento normal. De
este modo, obtenemos la potencia disi-
pada en el dispositivo.
Luego, se deben analizar los datos de
los coeficientes trmicos del dispositivo,
para hallar la resistencia trmica juntura-
carcaza que, en general, se la denomina
jc, este coeficiente se expresa en
C/W. Si, por ejemplo, el dispositivo di-
sipa 20W y el jc es de 1C/W, pode-
mos decir que la cada trmica entre la
juntura y el dispador es de:
20 x 1 = 20C
Si el dispositivo est montado con un
aislante y grasa siliconada, se debe adi-
cionar el coeficiente de la misma que, en
general, es del orden de 0,5C/W para
un encapsulado tipo TO3; en este caso,
la cada trmica es de 30C.
Por ltimo, se debe averiguar la resis-
tencia trmica del disipador. Si ste est
construido por extrusin de aluminio, el
fabricante debe proveer la resistencia tr-
mica por cada cm de largo de la extru-
sin. Si se lo compra ya cortado, el dato
debe ser provisto directamente. Existen
una gran variedad de perfiles, que com-
binan costo, cada trmica (en el mismo
cuerpo del disipador, entre el punto de
montaje y el punto ms alejado del mis-
mo) y superficie total del disipador. To-
do esto se combina para obtener el coefi-
ciente da (resistencia trmica disipador
ambiente). Si, por ejemplo, el disipador
tiene un coeficiente de 4C/W, en nues-
tro caso, tendremos una cada trmica de
20.4 = 80C.
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Un Asesino de Transistores de Potencia
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El ltimo paso, consiste en calcular la
temperatura de juntura. Se parte de con-
siderar la mxima temperatura ambiente
de trabajo, en la zona del disipador. Si,
por ejemplo, se estima esta temperatura
como de 40C, se puede calcular la tem-
peratura de juntura sumndole las dos
cadas trmicas antes calculadas:
40C + 30C + 80C = 150C
Nuestro dispositivo ser presa fcil de
nuestro temido asesino. Las contraccio-
nes y dilataciones terminarn destruyen-
do el dispositivo que, seguro morir jo-
ven y tendr una vida llena de tensiones
(mecnicas). Qu se puede modificar en
nuestro caso. Como la cada entre juntu-
ra y disipador es baja (con un disipador
infinito la juntura puede llegar a 40 + 30
= 70C), la solucin es utilizar un disi-
pador con un coeficiente menor, por
ejemplo de 2C/W, que dar una cada
de 40C. Ahora la temperatura mxima
de juntura ser:
40C + 30C + 40C = 110C
Ya podemos asegurar que nuestro dis-
positivo tendr una vida menos azarosa,
pero que no ser muy larga. De cual-
quier manera, este clculo slo fue reali-
zado con la intencin de explicitar qu
acciones debe realizar un tcnico, cuan-
do cambia un dispositivo de potencia
que pas a mejor vida.
Vamos a suponer que el proyecto est
correctamente realizado ya que
en caso contrario, no vale ningn
anlisis. Antes de enterrar el ca-
dver se debe realizar una autop-
sia del mismo y, si sta demues-
tra que la muerte es dudosa, se
debe proceder a una exhaustiva
investigacin. Si el transistor es
con encapsulado plstico, ste
tendr seguramente huellas de
una muerte por calentamiento; el
plstico estar deformado en la
zona del chip. Si es metlico, las
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Tel./Fax: 4931-4542
huellas se deben buscar en los aisladores
plsticos de los tornillos.
Si se comprueba que el culpable fue
Trmico, antes de desmontar el cadver,
se comprobar que la tuerca de montaje
est correctamente apretada. Una tuerca
floja incrementa la resistencia trmica
entre carcaza y disipador, ya que el tran-
sistor tiene un mal contacto trmico.
Ahora s, dispngase a desmontar el ca-
dver pero hgalo con atencin.
Retire la tuerca, a continuacin debe
encontrar una arandela plana (puede ser
un terminal tipo semilla, para la cone-
xin elctrica del colector), luego, una
arandela grover para absorber las dilata-
ciones y, por ltimo, el tornillo. Investi-
gue los elementos retirados: la tuerca
tiene el huelgo correcto sobre el tornillo?
(mala calidad de tornillo o tuerca), la
rosca est falseada en todo su recorrido?
(mala calidad del tornillo), la tuerca tie-
ne su rosca falseada? (material inadecua-
do), la arandela grover no tiene elastici-
dad? (material inadecuado), etc.
Por ltimo, retire el transistor y ob-
serve si tena suficiente grasa siliconada y
si era realmente grasa siliconada.
Retire el aislador y realice la misma
observacin, respecto de la grasa, entre el
aislador y el disipador.
Cuando monte el reemplazo de nues-
tro mrtir, hgalo con cuidado. Use un
nuevo aislador, con grasa de indudable
procedencia y monte los componentes
en el orden establecido, que puede ob-
servarse en la figura 5.
Figura 5