Introduccin a la Tecnologa de los Computadores. T1-1 Introduccin a la Tecnologa de los Computadores.

T1-2

TEMA 1. Principios Bsicos de Semiconductores Para estudiar las propiedades de conduccin de los semiconductores se utiliza el
modelo de Bandas de Energa, basado en la aglomeracin de los diferentes
CONDUCTORES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES. niveles de energa de los orbitales atmicos. Se forman tres tipos de bandas:

Una de las propiedades caractersticas de los materiales es la resistividad (),

que es la inversa de la conductividad (). En funcin del valor de dicha
propiedad los materiales son:

Banda de Electrones de

SEMICONDUCTORES 10-2 Valencia (BV)

CONDUCTORES 10-6
Banda de Electrones de

AISLANTES 104 Conduccin (BC)

Banda Prohibida (BP) o
DIFERENCIAS PRINCIPALES gap

SEMICONDUCTORES CONDUCTORES
Tienen dos tipos de portadores Tienen un solo tipo de portador

Huecos
Electrones

Electrones Al aumentar la temperatura
Al aumentar la temperatura aumenta la resistividad
La distancia que define la periodicidad de una red cristalina, determina el grado
disminuye la resistividad
de interaccin entre los electrones de los orbitales externos (valencia), de modo
que las Bandas de Conduccin y de Valencia pueden adoptar diferentes
configuraciones, dependiendo si quedan separadas por una Banda Prohibida, o si
Los SEMICONDUCTORES son slidos cristalinos con enlaces covalentes.
resultan solapadas, as como por el grado de ocupacin de los orbitales
Podemos distinguir:
contenidos en cada capa. As, si la distancia de cristalizacin se correspondiese
Elementales: Si, Ge.
con r1 las Bandas de Conduccin y de Valencia quedaran separadas por una
Compuestos: AsGa, PGa, OZn, y otras aleaciones.
Banda Prohibida de valor Eg (energa del gap). Estos materiales no son
La estructura cristalina del Si, base de la inteligencia artificial, es idntica a la
conductores de modo espontneo. Si el valor de Eg supera los 2 eV, el material
del C, base de la inteligencia humana; se trata de la estructura diamantina:
tiende a ser aislante, ya que resultar difcil conseguir que algn electrn de la
Banda de Valencia salte a la Banda de Conduccin para que facilite el
Representacin tridimensional Representacin bidimensional
movimiento de carga.
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TIPOS DE SEMICONDUCTORES

Los Semiconductores Intrnsecos son aquellos materiales que presentan una

conductividad nula a bajas temperaturas, pero que pueden ser dbilmente
conductores a temperatura ambiente, debido a que la anchura de la Banda
Prohibida no es elevada, lo que hace que la resistividad del material, con ser alta
no sea infinita. Algunos de los semiconductores intrnsecos, o en estado de
mxima pureza ms conocidos son el Silicio (Si), el Germanio (Ge), o el
Si la Banda de Conduccin y la Banda de Valencia quedan separadas por Arseniuro de Galio (AsGa). La tabla muestra la anchura de la Banda Prohibida
distancias energticas de alrededor de 1 eV, como es el caso del Si, algunos para los mismos.
estados en la Banda de Conduccin pueden ser ocupados por electrones que
hayan saltado desde la Banda de Valencia (esto significa que se han salido de su
posicin de enlace habitual, o que han roto el enlace), y en este caso el material
ser dbilmente conductor, pero slo a partir de una cierta temperatura, ya que a
0K el material ser totalmente aislante. A este tipo de materiales se le denomina
Semiconductores.

En este tipo de semiconductor existe un equilibrio entre el nmero de electrones

libres (n) y el nmero de huecos libres (p)

Si la distancia de cristalizacin corresponde al caso r2 da lugar a un

solapamiento de la Banda de Conduccin y la de Valencia, y en este caso los
electrones pueden moverse con total libertad, pues romper un enlace para
conducir requiere muy poca energa, y a temperaturas fuera de los 0K esto
sucede de forma natural. Este material es de tipo Conductor. Es posible para un
conductor, que las Bandas de Conduccin y de Valencia se hallen separadas,
pero la Banda de Conduccin tenga parte de sus estados ocupados. Los semiconductores extrnsecos, son aquellos en que se ha introducido un
elemento contaminante, llamado impureza, generalmente del grupo III o V de la
tabla peridica, que cambia drsticamente las propiedades de conduccin del
material intrnseco, reduciendo enormemente la resistividad del mismo. Se
distinguen dos tipos de semiconductores extrnsecos:

TIPO P (n < p)

TIPO N (n > p)
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Si el material contaminante es del tipo III (B, Al, Ga, In), los tomos de dicho
material completan solamente tres enlaces covalentes, quedando un enlace
covalente incompleto, que puede ser completado por un electrn de un orbital
vecino de un tomo de Si con una pequea aportacin de energa del entorno. Si obtencin de un dispositivo semiconductor llamado diodo de unin.
esto sucede, se genera un hueco. La consecuencia de impurificar con este tipo de
materiales, llamados aceptadores, es la aparicin de un hueco por cada tomo
de impureza introducido en el cristal. El semiconductor tiene entonces un exceso
de huecos (n < p). Se trata de un tipo p.
EC
EF
EV
LA UNIN P-N
Se trata de la unin de un semiconductor tipo p y uno de tipo n. Su fruto ser la
Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor
ms simple y fundamental es el diodo; todos los dems dispositivos pueden
entenderse en base a su funcionamiento.
Cuando un semiconductor de tipo n y otro del tipo p se unen, las
concentraciones inicialmente desiguales de electrones y huecos dan lugar a una
trasferencia de electrones a travs de la unin desde el lado p al n y de huecos
desde el lado n al p. Como resultado, se crea una doble capa de carga en la unin
semejante a la de un condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p
y positivo el lado n.
Ya que esta regin se ha vaciado de carga libre se le denomina regin de
vaciamiento, (o regin de carga espacial, o regin de transicin).

Si la impureza es del grupo V (P, As, Sb) se completaran los cuatro enlaces
covalentes con los cuatro tomos vecinos de Si, sobrando un electrn dbilmente
ligado, que podra pasar a la Banda de Conduccin. Este tipo de material recibe
el nombre de donador y al existir un exceso de electrones (n > p) el
_
semiconductor es del tipo n. +
En atencin a las bandas de energa EF debe ser constante, con lo que se produce
una curvatura de las bandas de energa. Esta curvatura implica la aparicin de un
EC campo elctrico hacia la izquierda, y como consecuencia una variacin de
potencial en la zona de transicin, el potencial de contacto Vbi.
EF

EC

EV EF
EC
EF
EV

Al aplicarle a la un semiconductor
EV
una excitacin externa, se logra un N N K = 1.381 x 10-23 J/K
flujo ordenado de los electrones y de Vbi = VT ln d 2 a T = 300 K
los huecos. Son los electrones libres
ni
q = 1.602 x 10-19 C
los que realmente se mueven, pero el KT
sentido de la corriente elctrica, por VT = VT (T=300K) = 0.0259 V
q ni (T=300K)= 1.45 x 10-10 cm-3
convenio, se toma en sentido
contrario.
Introduccin a la Tecnologa de los Computadores. T1-7
DIODOS
Un diodo es bsicamente una unin p-n. Se trata de un dispositivo
semiconductor que permite el paso de la corriente en un solo sentido.
Cuando aplicamos un voltaje externo a la unin que facilite la combinacin
entre electrones y huecos, la corriente fluye fcilmente. La unin est entonces
directamente polarizada (VD > 0).
Cuando aplicamos un voltaje opuesto slo circula un pequea corriente que
puede despreciarse. La unin est inversamente polarizada (VD < 0).
Se puede aplicar un voltaje negativo suficientemente grande como para forzar la
corriente en sentido inverso, se entra entonces en una zona de ruptura o
avalancha. La caracterstica I-V del diodo es:
VF es la tension directa de polarizacin y vale aproximadamente 0.7 V. VB es la
tension de ruptura y vara entre 3.3 V y kV segn el tipo de diodo. En
polarizacin inversa la corriente que fluye por el diodo es negativa y con un
valor IS 10-12 A. Se puede modelar por la ecuacin de Shockley:
ID
I D = I S (eVD nVT
1) VD = nVT ln( + 1)
IS
Introduccin a la Tecnologa de los Computadores. T1-8
MODELOS MATEMTICOS SIMPLIFICADOS PARA LOS DIODOS.
Debido a la complejidad de la ecuacin de Shockley, en la resolucin de
circuitos con diodos se suelen usar otros modelos ms simples.
El primero de ellos es el Modelo Elemental de Conmutador de Corriente, segn
el cual, cuando la tensin supere el cero, la corriente puede dispararse hasta el
infinito, mientras que en sentido contrario se producir un bloqueo total de
corriente.
El segundo de los modelos es el Modelo de Conmutador de Corriente con cada
de Tensin; es equivalente al anterior salvo que la tensin a vencer para que
conduzca corriente es un valor dado VD = 0,7 V, que es la tensin a la que la
corriente comienza a despuntar claramente.
Finalmente, el Modelo de Conmutador de Corriente con cada de Tensin y
Resistencia Equivalente. El valor de la resistencia Rd puede aproximarse por la
inversa de la pendiente de la curva del diodo en el punto de arranque (VF).
Usando dichos modelos podemos resolver este sencillo problema. (Rs = 1k,
VF=0.7V)
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OTROS TIPOS DE DIODOS APLICACIONES: RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.

ZENER Esta aplicacin permite convertir

Se trata de un diodo que suele trabajar en la zona de ruptura. Cuando la tensin voltaje AC en DC. Durante el semiclo
de ruptura VB est por debajo de los 10V se suele denominar tensin Zener VZ. positivo el diodo conduce (ON) y
durante el semiciclo negativo no (OFF).
Cuando la tensin a la que est sometido el diodo trata de ser menor que VZ se
produce el efecto de avalancha y segn la caracterstica I-V del diodo el diodo se
comporta como una fuente de alimentacin con valor VZ bastante estable. Por
ello una de las aplicaciones es la estabilizacin y regulacin de fuentes de
tensin.

CIRCUITO CARGADOR DE BATERIA

LED La corriente fluye solo cuando Vm sen(t) < VBAT.
Los diodos LED se basan en la recombinacin de carga que tiene lugar cuando
una unin p-n est fuertemente polarizada en directo. La colisin de un electrn
con un hueco supone la reconstruccin de un enlace covalente, perdiendo el
electrn el exceso de energa que portaba, que resulta emitida en forma de un
fotn, bien en el espectro visible o del infrarrojo (IRED). Dicha radiacin puede
excitar la base de un transistor bipolar, obligndolo a proporcionar corriente. Un
dispositivo as formado es un optoacoplador.

RECTIFICADOR FILTRADO
Tambin llamado detector de pico, se construye con un rectificador y un
condensador C en paralelo con la carga. El resultado es una seal prcticamente
DC.

SCHOTTKY
Se trata de un diodo constituido por la unin de un semiconductor tipo n y un
metal. El metal sustituye al semiconductor tipo p. Las ventajas es que conducen
ms rpidamente y su VF 0.35V. Las desventajas estriban en su mayor Is y
menor VB. Su smbolo:

Vm
C si Vr << 1
Vr fRL
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APLICACIONES: RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA I. TRANSISTORES BIPOLARES BJT

Este circuito usa un transformador con BJT significa Bipolar Junction Transistor (Transistor de Unin Bipolar). Se
derivacin central, creando dos fuentes de trata de un dispositivo no lineal semiconductor basado en el diodo de unin p-n.
entrada efectivas. Su uso fue frecuente hasta 1975, fecha a partir de la cual se us mas el transistor
MOS. La tecnologa bipolar actual hace uso preferentemente de un hbrido
BICMOS.

Tienen dos principales aplicaciones:

Como amplificador en circuitos analgicos

Como conmutador en circuitos digitales

Durante el semiciclo positivo DA (ON) y DB (OFF). En el semiciclo negativo al ACCIN DE TRANSISTOR: consiste en la captacin de portadores
contrario. minoritarios provenientes de una unin PN directamente polarizada, que los
emite por otra unin PN inversamente polarizada y muy cercana a la anterior.

BJT NPN BJT PNP

APLICACIONES: RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA II.

En lugar de usar un transformador con derivacin central, este circuito usa un

puente de diodos, resultando ms barato y ms moderno.

REGIONES DE OPERACIN TRANSISTOR NPN

REGIN Unin B-E Unin B-C Caracterstica

Semiciclo positivo: D1 y D3 (ON), D2 y D4 (OFF) Corte
Inversa Inversa IE = IB = IC = 0
Semiciclo negativo: D1 y D3 (OFF), D2 y D4 (ON) (OFF)
Activa Directa
Directa Inversa Amplificador
(ZAD)
Saturacin
Directa Directa VCE ~ 0
(SAT)
Activa Inversa
RECTIFICADOR FILTRADO Inversa Directa Poco uso
(ZAI)
Como la salida del rectificador es de onda
completa, el condensador C se descarga Vm
aproximadamente la mitad de tiempo que el C si Vr << 1
caso del rectificador de media onda. 2Vr fRL
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MODELOS MATEMTICOS SIMPLIFICADOS PARA LOS BJT. TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO: FET

Las ecuaciones matemticas que describen el comportamiento de los transistores
Bipolares son las ecuaciones de Ebers-Moll. Debido a la complejidad de estas
ecuaciones se suelen usar modelos ms sencillos como en el caso de los diodos.
Un modelo muy usado es la versin Hbrida en .
ICT = ICC - IEC
Dispositivos semiconductores de tres terminales. Tipos:

JFET (Junction FET, MESFET)

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET, Insulated-Gate FET)
Son dispositivos de portadores mayoritarios (unipolares), cuyo funcionamiento
se basa en la aplicacin de un campo elctrico para gobernar una corriente. Se
modelizarn como fuentes de corriente controladas por tensin.

JFET DE CANAL N
I CC = I S (eVBE VT 1)
E Estructura:
C I EC = I S (eVBC VT 1)
ICC IEC
F R
B
F es un parmetro tpico de los transistores dado por el fabricante. Se calcula
Operacin:
como:
ZONA LINEAL-OHMICA (Triode)
F
F =
1F
dnde F se define como la relacin entre la intensidad capaz de llegar al
colector y la intensidad que entra en el emisor. Para la Z.A.I. se tiene R .

De una forma simple el transistor se puede modelar en un circuito como:

ZONA SATURACIN (Pinch-off)
ZONA ACTIVA DIRECTA ZONA DE SATURACIN

B C B C

VBE(ON) = 0,7V IC = F IB VBE(SAT) = 0,8V VCE(SAT) = 0,2V

IC < F IB

E E
Introduccin a la Tecnologa de los Computadores. T1-15

TRANSISTOR MESFET
Es una variacin del JFET construida en AsGa y con uniones metal-
semiconductor (Schottky). Su comportamiento es similar, pero ms rpido.

TRANSISTOR MOS DE CANAL N

nMOS de Empobrecimiento nMOS de enriquecimiento

Simbologa:

Modos de Operacin:

Inversin Dbil: bajas corrientes, funcionamiento similar al BJT

Inversin Fuerte: grandes corrientes cuando VGS > VTH

Zona Subumbral o Corte (VGS < VTH)

Zona Ohmica o Lineal (VGS > VTH y VDS < VGS - VTH)

Zona Saturacin (VGS > VTH y VDS VGS - VTH)

Inversin Moderada: entre las dos anteriores.

COMPARATIVA FETs