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Tesis Doctoral
Presentada por:
Vicente Esteve Gmez
Catedrtico de Universidad
del Departamento de Informtica y Electrnica
de la Universidad de Valencia
ii
AGRADECIMIENTOS
Deseo expresar mi agradecimiento a todas aquellas personas que con su ayuda han hecho
posible la realizacin de este trabajo.
En primer lugar a mi director de Tesis Doctoral, D. Enrique J. Dede, por ensearme todo
lo que s en Electrnica y por tutorizar este trabajo, pero sobre todo, por brindarme la
oportunidad de trabajar, durante ya mucho tiempo, codo con codo con l y formar as parte de su
equipo de lo cual debo enorgullecerme.
Y como no, de manera especial a mi mujer, mi hija y toda mi familia por su presencia,
apoyo y nimo imprescindible para seguir trabajando.
iii
A Estrella y Alba
iv
OBJETIVOS Y RESUMEN DE LA TESIS DOCTORAL
Desde hace ya mucho tiempo se ha venido acudiendo a la Electrnica para resolver los
problemas que plantea la alimentacin de equipos elctricos tanto en la industria como en otros
sectores. En el sector industrial del calentamiento por induccin se ha pasado en pocos aos de
los primitivos sistemas electromecnicos y osciladores con tubo electrnico a sofisticados
circuitos electrnicos con el objeto la mejorar las prestaciones de la instalacin.
El primero de estos grficos muestra los rangos de frecuencia cubiertos por cada
tecnologa sin tener en cuenta las mejoras en el control de los procesos de conmutacin que se
indican en este trabajo. El coste de los convertidores con tiristores crece con la frecuencia debido
fundamentalmente al aumento de precio de estos semiconductores cuando sus prestaciones
mejoran. Se puede apreciar que los convertidores con transistores IGBT vienen a sustituir a los
convertidores con tiristores en la frecuencia en la que sus costes son comparables.
v
OBJETIVOS Y RESUMEN DE LA TESIS DOCTORAL
coste/kW
coste/kW
Evolucion del coste por kilovatio de los generadores del calentamiento por induccin.
vi
OBJETIVOS Y RESUMEN DE LA TESIS DOCTORAL
A continuacin se hace un breve resumen de los contenidos de cada unos de los captulos
de esta memoria.
El primer captulo muestra una introduccin al calentamiento por induccin dando una
relacin de las necesidades de este sector industrial y las soluciones aportadas por la Electrnica
Industrial en el transcurso de los ltimos aos.
Los equipos generadores utilizados en caldeo por induccin tienen como punto comn
que la carga es un circuito resonante. En el segundo captulo se aborda el anlisis y condiciones
de carga de las distintas configuraciones resonantes paralelo as como la caracterizacin de los
componentes bsicos de los convertidores y el estudio de sus estructuras topolgicas dando una
especial atencin a los circuitos inversores con carga resonante paralelo.
Una vez caracterizados los circuitos de salida y definidas las topologas del convertidor,
en el tercer captulo se estudian los procesos de conmutacin de los dispositivos conmutadores
en inversores con carga resonante paralelo para diferentes condiciones de funcionamiento. Estos
procesos se pueden mejorar con el uso de redes de ayuda a la conmutacin cuyo funcionamiento
tambin ser analizado. En este captulo se introducen las tcnicas del disparo de los
conmutadores del inversor para conseguir conmutaciones suaves que reduzcan las prdidas de
conmutacin permitiendo as la posibilidad de aumentar tanto la potencia como la frecuencia del
convertidor. El estudio de este sistema de control se har en el cuarto captulo y se completar
mediante su modelizacin y estudio dinmico.
vii
INDICE
NDICE
viii
INDICE
ix
INDICE
3.7. Bibliografa..........................................................................................................148
x
INDICE
5.5. Conclusiones........................................................................................................185
5.6. Bibliografa..........................................................................................................185
xi
INDICE
7.1. Conclusiones........................................................................................................201
7.3. Aplicaciones.........................................................................................................203
A1.5. Bibliografa..........................................................................................................209
xii
INDICE
xiii
GLOSARIO
GLOSARIO
dP
Densidad de potencia por unidad de superficie.
dS
dP
Densidad de potencia por unidad de volumen.
dV
Conductividad del material conductor.
Constante dielctrica del medio.
xiv
GLOSARIO
xv
GLOSARIO
Hi Ganancia de corriente.
HiC Ganancia de corriente en el condensador.
HiL Ganancia de corriente en el inductor.
Hv Ganancia de tensin.
HvC Ganancia de tensin en el condensador.
HvL Ganancia de tensin en el inductor.
i(t) Corriente alterna del circuito.
iC Corriente por el condensador.
IK Corriente por el conmutador.
iL Corriente por el inductor.
L Inductancia de la bobina
Leq Inductancia equivalente en el circuito LLC.
Lp Inductancia paralelo en el circuito LLC.
Ls Inductancia serie en el circuito LLC.
N Relacin de transformacin.
Pact Potencia activa.
pi Polo de la funcin de transferencia.
Preact Potencia reactiva.
PWM Modulacin por anchura de pulso.
Q Factor de calidad.
QP Factor de calidad del circuito resonante paralelo.
QS Factor de calidad del circuito resonante serie.
Req Resistencia equivalente conectada en serie
Rp Resistencia equivalente conectada en paralelo.
s Variable de la Transformada de Laplace.
sN Variable de la Transformada de Laplace normalizada a la frecuencia de
resonancia.
v(t) Tensin alterna del circuito.
vC Tensin en bornes del condensador.
VK Tensin en los bornes del conmutador.
vL Tensin en bornes del inductor.
Z(j) Funcin impedancia.
ZCS Conmutacin con corriente nula.
ZVS Conmutacin con tensin nula.
xvi
GLOSARIO
xvii
GLOSARIO
xviii
GLOSARIO
c
Pr = El nmero de Prandtl.
k
v d
Re = El nmero de Reynolds.
d
Nu = Nmero de Nusselt.
k
P Potencia disipada por el dispositivo.
Rthch Resistencia trmica carcasa del mdulo al disipador.
Rthha Resistencia trmica del disipador.
Rthjc Resistencia trmica unin carcasa del mdulo.
Ta (max) Temperatura mxima del agua de refrigeracin.
Ta Temperatura de entrada del agua de refrigeracin del disipador.
Tc Temperatura de la carcasa del mdulo.
Th Temperatura de la superficie del disipador en contacto con el mdulo.
Tj (max) Temperatura mxima en la unin semiconductora.
Tj Temperatura de la unin del semiconductor.
xix
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
r r
Ni = Hdl = Hl (1.1)
d
= N (1.2)
dt
Donde la fem inducida, N el nmero de espiras del inductor y el flujo del campo
magntico.
A las corrientes provocadas por esta fem en el interior de la sustancia conductora les
llamaremos corrientes inducidas o corrientes de Foucault iF y son las responsables ltimas del
calentamiento por efecto Joule cuya ley es:
1
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
iF
La resistencia equivalente de la pieza es de valor muy pequeo por lo que para generar
prdidas apreciables por efecto Joule (i2R) son necesarias grandes corrientes inducidas.
2
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
i
i N:1 iF
iF
Req
3
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
En el caso del calentamiento por induccin el cuerpo a calentar se puede llevar a una
temperatura mucho ms elevada que el de la "fuente" cosa que no se puede conseguir por
mtodos de calentamiento clsicos. De este modo se pueden conseguir, prcticamente sin
limitaciones, grandes densidades de potencia en el material a calentar.
4
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Fusin.
Forja.
Tratamientos trmicos.
Soldadura.
Sellado de envases.
5
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Cocinas de induccin
Fabricacin de semiconductores.
Para las aplicaciones del calentamiento por induccin, son dos las caractersticas ms
importantes que definen la eficacia trmica y energtica del proceso:
6
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
La frecuencia de la corriente
rr
E = C (1.4)
r r
H = 0 (1.5)
r
r r B
E = (1.6)
t
r r
r r r B r E
H = J + J = (1.7)
t
7
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Esto es consecuencia del efecto de difusin del campo magntico y se puede decir que
es la nocin fundamental que rige el calentamiento por induccin. En una primera
aproximacin, para un cilindro la distribucin del campo magntico se puede dar como:
r r (1+ j ) x
H (x )= H 0 e - (1.8)
donde x representa la coordenada radial del cilindro, H0 es la intensidad del campo magntico
en la superficie y es la profundidad de penetracin definida como:
2
= (1.9)
dP r 2 2
r 2 2 x
= E = ZS H0 e (1.10)
dV 2 2
1+ j
ZZ = (1.11)
2
r 2
dP ZS H0
2 x
R 2r
r 2
dS
=
2 0
e
dx = S
2
1 e
H0
(1.12)
8
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
1
R S = Re(Z S ) = = (1.13)
P( x )= P0 e -
2x
(1.14)
J ( x )= J 0 e -
x
(1.15)
2x
P= Po e
-
dx = Po (1.16)
0 2
x
J= Joe
-
dx = J o (1.17)
0
1
P( ) = P0 0.13 P0 (1.18)
2e
1
J ( ) = J 0 0.37 P0 (1.19)
e
9
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
J, P
J0, P0
J(x)
P(x)
0.37J0
0.13P0
= (1.20)
f o r
donde se tiene :
10
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
f frecuencia de trabajo.
(mm)
100 Grafito 20-1300C
Acero 800C
Cobre 800C
10
Aluminio 500C
Aluminio 20C
1 Cobre 20C
Acero 20C r=40
0.1 Acero 20C r=100
0.01
0.1 1 10 100 1000 10000 f (kHz)
As, por ejemplo, para la forja de metales con simetra cilndrica donde se pretende un
calentamiento homogneo de la pieza en todo su dimetro, se ha de utilizar una frecuencia tal
que se asegure que la profundidad de penetracin sea mayor que el radio de la pieza.
11
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
1 N2
P= RS K R S 2 I 2 (1.21)
2 l
2r
K R = 1 e
(1.22)
N2
Req = R S K R S (1.23)
l2
que estar en serie con el inductor de calentamiento y en la que se disipa toda la potencia
correspondiente a la energa transmitida a la pieza.
Para piezas con geometra cilndrica la expresin anterior puede escribirse como:
2 r
Req = K R N 2 (1.24)
l
12
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Teniendo en cuenta que la potencia disipada, para un valor de corriente del inductor I
determinada, va a ser directamente proporcional a la Req, de esta ultima ecuacin se pueden
extraer las siguientes consecuencias:
Los inductores con mayor nmero de espiras obtendrn una disipacin mayor de
energa.
13
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Condensadores
Inductor-pieza
Refrigeracin
14
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Motor
Alternador
15
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Los convertidores rotativos tienen rendimientos a potencia nominal del orden del 85%
en la gama de frecuencia de 1 a 3 kHz y del 75% al 80% en la gama de 3 a 10 kHz. Sin
embargo, cuando se utilizan con potencias por debajo de su valor nominal los rendimientos
bajan mucho.
Una etapa osciladora compuesta por un circuito oscilante con uno o varios triodos (tubo
electrnico) para su excitacin.
16
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Una de las mayores ventajas de estos generadores es que son circuitos autooscilantes y
por lo tanto, su funcionamiento es, en principio, independiente de la frecuencia de resonancia
de la carga
Generador clsico
Generador aperidico
17
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
transporta potencia activa desde el generador al circuito de carga. En este caso el rendimiento
mejora de 5 a 10 puntos.
Una desventaja de estos generadores es la limitada duracin del triodo cuya vida esta
comprendida generalmente entre 7000 y 10000 horas.
Otro problema de estos equipos esta relacionada con la seguridad de las personas
debido a la presencia de alta tensin. En algunas aplicaciones con generadores de tubo
electrnico clsicos los condensadores de la etapa oscilante estn en la estacin de
calentamiento con lo que aparece alta tensin en los cables de transporte y los condensadores.
En cualquier caso, el triodo siempre se alimenta con alta tensin.
18
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Los rendimientos son buenos incluso a bajas cargas muy por debajo de la potencia
nominal. Desde 100 Hz hasta 4 kHz los rendimientos son superiores al 95% y de 4 kHz a
10 kHz al 90%.
Al ser un circuito atacado por corriente, los inversores con carga paralelo tienen una
gran fiabilidad en caso de cortocircuito en la salida, cosa muy corriente en ciertas aplicaciones
de calentamiento por induccin.
19
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
20
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Sin embargo, existen algunos inconvenientes frente al generador paralelo como son:
El rendimiento es algo menor (del orden del 90% a 10kHz) debido a que la corriente
reactiva atraviesa los tiristores.
21
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
Estos son el transistor bipolar, usualmente con estructura Darlington, el transistor IGBT y el
transistor MOS.
1 Tiristores
2 Transistores BJT
P(MW)
3 Transistores IGBT
4 Transistores MOS
1 3
1 4
0.1
2
1 10 100 f (kHz)
22
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
En general los rendimientos de estos equipos con transistores son superiores al 80%
teniendo en cuenta que este dato depende de la frecuencia de funcionamiento y del tipo de
transistor elegido.
Tan solo hay que resear que la posibilidad de controlar tanto la conduccin como el
corte de los conmutadores con transistores frente a los tiristores, permite el funcionamiento de
los generadores con carga paralelo sin necesidad de circuitos adicionales de arranque.
Para los generadores con carga serie el uso de transistores permiten otros modos de
funcionamiento y regulacin de potencia adems de la variacin de frecuencia. Mediante los
modos de desplazamiento de fase (phase shifting) o modulacin de anchura de pulso (PWM)
es posible regular la potencia de salida sin variar la frecuencia permaneciendo todo el tiempo
cerca de frecuencia de resonancia con lo que se mejora la precisin de la regulacin de
potencia en cualquier condicin.
Como ya se cit en el apartado 1.3, las diferentes aplicaciones del calentamiento por
induccin caracterizan por si mismas la potencia y frecuencia del generador que ha de
instalarse en cada caso. En la siguiente tabla se muestran las gamas de potencia y frecuencia
que requieren las distintas aplicaciones as como el tipo de generador usado.
23
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
1.8. BIBLIOGRAFIA
24
Captulo 1 INTRODUCCION AL CALENTAMIENTO POR INDUCCION
[DEDE92] E.J. Dede, V.Esteve, J.V. Gonzlez, J.A. Linares, J.Jordn, E. Sanchis.
"Transistors are Replacing Electronic Tube and Thyristors in Induction Heating
Generators".
Elektrowrme International Edition B. n1, Germany 1992.
[ZINN84] S. Zinn.
"A Survey of New Techniques in Induction Heat Treating".
EPRI Electrical Power Research Institute, Inc (1984).
[ZINN97] S. Zinn.
"Basics of Induction Heating".
ASM International and the Heat Treating Society / September 1997.
25
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
2.1. INTRODUCCION
26
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
L Rp
MODELO PARALELO
L Req
MODELO SERIE
27
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Preact
Q= (2.1)
Pact
P=
1
I
2
(R eq + jL ) = Pact + jPreact (2.2)
2
L
Q= (2.3)
Req
1 2 1 1
P= V + = P + jPreact (2.4)
R act
2 p jL
Rp
Q= (2.5)
L
28
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
L R p
Q= = (2.6)
Req L
Y de esta igualdad se puede deducir fcilmente la siguiente expresin que relaciona las
resistencias de ambos modelos:
R p = Q 2 Req (2.7)
v(t)
C L Rp
i(t)
En la figura 2.2 puede verse que inicialmente se ha elegido la conexin paralela para la
resistencia de prdidas Rp. L y C son los valores del condensador y la bobina del resonante,
i(t) la corriente de la fuente de alimentacin y v(t) la tensin de salida. La funcin de
transferencia, en este caso la impedancia, viene dada por:
29
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
1 1
s s
Z(s) = C = C (2.8)
2 s 1 (s - p1 )(s - p 2 )
s + +
R p C LC
Donde:
2
1 1
p1,2 = 1 (2.9)
2R p C 2 R C LC
p
Los polos p1 y p2 pueden ser reales o complejos conjugados, por lo tanto hay que
considerar estos dos casos separadamente.
Para el caso en que (1/2RpC)2 1/LC, p1 y p2 aparecen sobre el eje real negativo segn
muestra el diagrama de polos y ceros de la figura siguiente.
p1 p2
Figura 2.3. Diagrama de polos y ceros de la funcin Z(s) con (1/2RpC)2 1/LC.
Este caso corresponde a valores de Rp pequeos para los cuales se hace despreciable las
impedancias de L y C dentro de la banda comprendida entre |p1| y |p2|. A la izquierda de p1 la
impedancia del circuito tiende a cero debido a que as lo hace la de la bobina, mientras que a
la derecha de p2 tambin cae a cero de modo anlogo debido, esta vez, a la impedancia del
condensador. Entre p1 y p2 la impedancia es Rp. En la figura se muestra el diagrama de Bode
de la impedancia para su amplitud y fase.
30
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Z(j) Rp
p1 p2
Figura 2.4. Diagrama de Bode del mdulo de Z(j) con (1/2RpC)2 1/LC.
Pero estas no son las condiciones habituales de un circuito resonante para caldeo por
induccin. Hasta ahora hemos visto que nuestro circuito se comporta como un filtro pasa banda
de banda pasante ancha determinada por |p2|-|p1|. En caldeo por induccin se hace necesario que
la banda de paso del resonante sea ms estrecha y que su factor de calidad sea alto. Por lo tanto
debemos de estudiar ms a fondo el caso en que (1/2RpC)2 < 1/LC, para el cual la expresin de
los polos toma la siguiente forma:
p1,2 = j 02 2 = j (2.10)
donde
0 = 1 / LC
= 1 / 2R p C (2.11)
= 02 2
31
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
p1
0
p2
Figura 2.5. Diagrama de polos y ceros de la funcin Z(s) con (1/2RpC)2 < 1/LC.
Para frecuencias por debajo de la resonancia, la fase es positiva y eso significa que el
circuito trabaja en modo inductivo y que la tensin estar adelantada respecto de la corriente.
Contrariamente, cuando la frecuencia de trabajo est por encima de la resonancia, la fase es
negativa y eso significa que el circuito trabaja en modo capacitivo y que la tensin estar
retrasada respecto de la corriente.
32
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
|Z|/R
0
0.1 1 10
f/fo
90
arg(Z) 0
0.1 1 10
-90
f/fo
(cada de 3dB) o donde la fase pasa por /4. Su diferencia define el ancho de banda del circuito:
BW = 2 1 = 2 (2.12)
j
C RP
Z ( j ) = 2 = (2.13)
0 + 2 j
2
2 02
1 + jQ P
0
33
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
0 R
QP = = 0 RP C = P (2.14)
2 0 L
BW 2 1
= = (2.15)
0 0 QP
A la vista de las anteriores expresiones podemos dar el significado del parmetro QP. De
la ecuacin anterior vemos que al aumentar QP disminuimos la anchura de la banda pasante lo
cual significa que el circuito aumenta su selectividad en frecuencia. Adems, cuando aumente
QP ms cercanos estarn los polos del eje imaginario con lo que mayor ser la oscilacin del
circuito.
Pero lo ms importante, desde el punto de vista del calentamiento por induccin, es que
cuando mayor sea el parmetro QP del circuito resonante mayor ser la energa almacenada en l,
o lo que es lo mismo, la relacin entre la potencia reactiva y la activa ser mayor cuanto mayor
sea QP. La siguiente ecuacin muestra la expresin de QP en funcin de las potencias reactiva y
activa para la frecuencia de resonancia.
Potencia reactiva 0 CV 2
= = 0CRP = QP (2.16)
Potencia activa V2
RP
34
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
v(t)
C
i(t)
Req
1 Req
(s + )
Z( s ) = C L (2.17)
( s p1 )( s p 2 )
donde:
2
Req R eq 1
p1,2 =
(2.18)
2L 2L LC
Como puede verse, los polos de la ecuacin pueden ser reales o complejos dependiendo
de la relacin entre los parmetros. De nuevo nos interesa, para caldeo por induccin, el caso en
que Q sea alta o sea 1/LC > (Req/2L)2 para el cual los polos se pueden escribir como
p1,2 = j 02 2 = j (2.19)
donde:
0 = 1 / LC (2.20)
= Req / 2 L (2.21)
35
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
= 02 2 (2.22)
El correspondiente diagrama de polos y ceros muestra que los polos se sitan, al igual
que en el caso de resistencia paralelo, en una semicircunferencia de radio 0 en el semiplano
izquierdo.
p1
0
p2
Para este circuito debemos definir un factor de calidad distinto al Q del circuito con
resistencia paralelo como:
0 0L 1
QS = = = (2.23)
2 Req 0 Req C
1 + jQS N
Z ( j N ) = Req (2.24)
1 N2 + j N
QS
36
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
con:
N = / 0 (2.25)
0.35
|Z|
0
0.01 0.1 1 10 100
f/fo
90
arg(Z) 0
0.01 0.1 1 10 100
-90
f/fo
Figura 2.9. Respuesta en frecuencia de un circuito resonante paralelo con modelo serie.
Adems se puede apreciar que el diagrama del mdulo no tiende a cero para bajas
frecuencias ya que en este modelo siempre queda en serie con la inductancia la resistencia Req a
cuyo valor tiende el diagrama. Igualmente para la fase, se ve que no se tiende a fase 90 sino a
fase 0 debido, de modo anlogo, a la conexin serie de Req.
37
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
RP L
Q = QP = = 0 = QS (2.27)
0 L R eq
Estas ecuaciones son idnticas a las demostradas en el segundo apartado de este captulo
para la frecuencia de resonancia y con ellas se puede establecen una equivalencia entre los dos
circuitos resonante paralelo. Para este valor de R sern validas todas las expresiones enunciadas
para el circuito resonante con resistencia paralelo.
Las figura 2.10 - 2.15 son grficos tridimensionales de diferentes magnitudes (eje Z) en
funcin de la frecuencia (eje X) y del parmetro Q (eje Y) para un circuito resonante paralelo. El
primer grfico muestra el mdulo de la impedancia normalizado al valor de Rp. Cuando el valor
de Q aumenta las pendientes se hacen mayores con lo que resulta un circuito ms selectivo
reducindose rpidamente la impedancia al alejarse de la frecuencia de resonancia.
38
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
|Z|/Rp
3
6
9 Q
0 12
0
1 15
2
f/fo
90
arg(Z)
3
7
Q
-90 11
0
1 15
2
f/fo
En la figura 2.12 se muestra la amplitud de la tensin en bornes del circuito resonante para
una corriente de entrada dada. Para un circuito resonante paralelo con Q alta, la impedancia de
entrada es pequea a cualquier frecuencia salvo en las proximidades de la resonancia. Esto es, la
39
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
500
V
3
9 Q
0 12
0
1 15
2
f/fo
La figura 2.13 representa la potencia activa que se puede entregar al resonante (la
disipada por su resistencia equivalente)
10
P
3
6
9 Q
0 12
0
1 15
2
f/fo
paralelo.
40
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
En los prximos captulos veremos que los conmutadores del circuito inversor al cual
estar conectado el circuito resonante paralelo deben soportar la tensin de resonante.
500
V
3
9 Q
0
12
0
1 15
2
f/fo
P
3
9 Q
0 12
0
1 15
f/fo 2
41
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Debe existir en el circuito de control del inversor una limitacin de dicha tensin para
evitar la rotura de los semiconductores de potencia. Esta limitacin actuar reduciendo la
corriente inyectada al resonante para as limitar la amplitud de la tensin cuando haya un
aumento de la Q. En las figuras 2.14 y 2.15 se aprecia el efecto de esta limitacin de tensin.
En el grfico de la potencia se observa que el mximo puede alcanzarse slo para un
determinado valor de Q. Para valores mayores, el efecto de que se alcance la limitacin de
tensin mediante la reduccin de corriente hace que tambin se reduzca la potencia.
vC(t)
L
iL
C
iC
i(t)
Req
iL vC Z (s )
H i L (s ) = = = (2.28)
i ( Ls + Req ) i Ls + Req
42
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Por lo tanto:
1
H i L (s N ) = (2.29)
s
s N2 + N + 1
Q
donde: sN = s / 0 (2.30)
iL
H iL ( j 0 ) = =Q (2.31)
i
15
|Hi|
3
9 Q
0 12
0
1 15
f/fo
Por otro lado, la ganancia de corriente del condensador vendr dada por la siguiente
expresin:
iC Csv C
H iC (s ) = = = CsZ (s ) (2.32)
i i
43
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Por lo tanto:
sN
s N2 +
Q
H iC (s N ) = (2.33)
s
s + N +1
2
N
Q
iC
H iC ( j 0 ) = =Q (2.34)
i
15
|Hi|
3
9 Q
0 12
0
1 15
2
f/fo
44
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Por otro lado, estos transformadores se disean con una relacin de transformacin
que ayude a la correcta adaptacin de tensiones y corrientes entre el circuito inversor y el
resonante.
45
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
vC(t)
N:1
L
iL
C
i(t)
Req
Para el caso del circuito resonante paralelo con transformador de aislamiento se tiene
que:
i L = NQi (2.35)
Para ilustrar de un mejor modo este caso supngase, como ejemplo, que un circuito
resonante con gran Q debe de trabajar con un inductor que, debido a las exigencias de la
aplicacin, debe de ser de reducidas dimensiones y, por lo tanto, de pequeo valor de
inductancia. Mediante la conexin de un transformador de adaptacin de relacin N, con el
primario conectado al condensador resonante y con el inductor conectado en su secundario, se
puede conseguir que el valor de la inductancia y de la resistencia equivalente se vea
multiplicado por el cuadrado de la relacin de transformacin para as conseguir una adecuada
adaptacin de la carga.
46
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
v vo
N:1
L iL
Ceq
i
Req
v
i L = NQi vo = (2.36)
N
L1 = N 2 L R1 = N 2 Req
(2.37)
47
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
v(t) vo
CS L
iL
CP
i(t)
Req
48
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
2
s 1 s
+ +1
1 0S Q S 0 S
Z ( s ) = (2.38)
(C S + C P )s s
2
1 s
+ + 1
0 Q
0
donde:
CS C P
Ceq = (2.39)
CS + C P
1 1
0 = 0S = (2.40)
LC eq LC S
L 0 L 0 S
Q= QS = (2.41)
R eq Req
En los siguientes grficos se muestra las diferentes respuestas en frecuencias para varios
valores de Q del mdulo y la fase de la impedancia de este circuito.
50
arg(Z)
Q=7 0
Q=5
Q=3
50
100
0.1 1 10
( i)
49
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
100
|Z|
Q=7 10
Q=5
Q=3
0.1
0.1 1 10
(i )
La ganancia de tensin y corriente del circuito CLC viene determinada por las funciones
de transferencia Hv y Hi. La ganancia de corriente viene dada por:
iL CS 1
H i (s ) = = (2.42)
i C S + C P s
2
1 s
+ + 1
0 Q 0
10
|Hi|
1
Q=7
Q=5
Q=3 0.1
0.01
0.001
0.1 1 10
(i)
50
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Q
H i ( j 0 ) = (2.43)
C
1+ P
CS
2
s 1 s
+
vo 0 S Q S 0S
H v (s ) = = (2.44)
v s 2 1 s
+ + 1
0 S Q S 0S
10
|Hv|
Q=7 1
Q=5
Q=3
0.1
0.01
0.1 1 10
(i )
51
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
CP
H v ( j 0 ) = 1 + (2.45)
CS
CP
N = 1+ (2.46)
CS
v vo
1:N
L iL
Ceq
i
Req
Mediante este circuito se puede disear los valores de corriente y tensin en el inductor
de calentamiento como si con un transformador de adaptacin se tratase, teniendo en cuenta que
la relacin N siempre es mayor o igual que la unidad. Por esa razn este circuito CLC es llamado
en ocasiones circuito resonante multiplicador.
52
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Los equipos de conversin que estn compuestos por circuitos elctricos sin partes
mviles (motores, alternadores, etc.) son los genricamente llamados convertidores estticos.
Bsicamente estn compuestos por dos tipos de componentes:
53
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
La impedancia a la que nos referimos ser de salida para generadores y de entrada para
cargas. Adems hay que tener en cuenta que las anteriores definiciones corresponden
nicamente al comportamiento de componentes ideales ya que no es posible encontrar
circuitos cuyas impedancias sean cero o infinito debido a la presencia de elementos parsitos
(resistencia serie y paralelo).
Cuando se utilizan generadores y cargas caracterizados como fuentes hay que tener en
cuenta las siguientes reglas para su conexin:
Una fuente de tensin nunca puede ser cortocircuitada pero puede trabajar en circuito
abierto. En consecuencia, la conexin de una fuente de tensin con otra de corriente es
siempre posible.
Una fuente de corriente nunca puede trabajar en circuito abierto pero puede ser
cortocircuitada. Por lo tanto, se puede conectar una fuente de corriente con otra de
tensin.
Solo es posible conectar dos fuentes de tensin de diferentes valores mediante una
impedancia que disee el valor de corriente por ellas. Si dicha impedancia es nula la
tensin de las fuentes debe ser exactamente la misma. Esto implica que cuando
conectamos un conmutador entre dos fuentes de tensin (generador y carga), su
54
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Solo es posible conectar dos fuentes de corriente de diferentes valores mediante una
impedancia que fije la tensin. Si dicha impedancia es infinita la corriente de las
fuentes debe ser la misma. Es decir, cuando existe un conmutador conectado a dos
fuentes de corriente este debe de pasar a estado de corte (impedancia infinita) cuando
las corrientes son iguales.
Estas cuatro reglas bsicas nos permitirn realizar el diseo de los circuitos
convertidores, sus procesos de conmutacin y sus redes de ayuda.
Uno de los factores ms importantes que hay que tener en cuenta para la correcta
aplicacin de las reglas anteriores es su direccionabilidad. Dependiendo de la topologa
elegida para su construccin y conexin, las fuentes pueden clasificarse como:
55
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Hay que resear que el funcionamiento de las fuentes en cuadrantes reales (primero y
tercero) puede ser permanente mientras que el funcionamiento en los cuadrantes imaginarios
(segundo y cuarto) slo puede ser transitorio. En la siguiente figura se muestran los smbolos
elegidos para cada una de las fuentes numeradas atendiendo a la relacin anterior.
1 2 3 4 5 6 7 8
56
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
considerar constante mientras que las segundas se caracterizan por tener valores de amplitud
peridicos y valor medio cero.
Con una apropiada secuencia de operacin entre los estados estticos, un conmutador
permite la transferencia de energa entre el generador y la carga de un convertidor.
Las prdidas de corte son debidas a las corrientes de fuga que atraviesan un
conmutador cuando este bloquea la tensin aplicada entre sus bornes durante el estado de
corte. En la mayora de los casos estas prdidas son despreciables salvo en los convertidores
de muy alta tensin.
57
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Ik
Vk
Ik
Vk
58
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Ik Ik
Vk Vk
D T
Ik Ik
Vk Vk
-D -T
59
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Ik Ik
T
T -D
Vk Vk
IIk Ik I
k k
-T
-T D
Vk Vk
-D
Conmutador de cuatro segmentos. Hay dos formas de construir y representar este tipo
de conmutador mediante la combinacin de dos conmutadores de tres segmentos aunque slo
existe un nico tipo de estos conmutadores ya que ambos tiene el mismo comportamiento
esttico con corriente y tensin bidireccional.
60
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Ik
T -T
Vk
D -D
61
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Vamos a dar como resumen de todo lo dicho una clasificacin de los conmutadores
existentes basada en el nmero de segmentos de su caracterstica esttica y de sus posibles
procesos de conmutaciones.
62
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Ik Ik
a
b
Vk Vk
a
b
Si las condiciones de trabajo del circuito son las adecuadas es posible considerar
conmutaciones suaves en la caracterstica dinmica del conmutador T.
As, por ejemplo, la conmutacin a corte sera suave si se realiza en condiciones ZCS.
Esta conmutacin se podra considerar espontanea si conectramos internamente el terminal b
Ik Ik
a b
b a
Vk Vk
b a
a a b b
Figura 2.33. Conmutador tipo T con slo terminal de control para conmutaciones suaves
63
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Ik Ik
Vk Vk
a b
Figura2.34.
Figura 3.8. Conmutador
Conmutador de
de tres
tres segmentos
segmentos bidireccionales
bidireccional enencorriente.
corriente.
64
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
65
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Ik Ik
Vk Vk
a b
66
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Los convertidores directos son por lo tanto redes elctricas compuestas nicamente
por conmutadores sin capacidad de almacenamiento de energa. En estas circunstancias se
tiene que la fuente de energa estar conectada o desconectada a la carga en funcin del estado
de los conmutadores. Estos procesos deben de cumplir las reglas bsicas de conexin de
fuentes que dimos en el apartado anterior y que ahora conviene recordar:
Por lo tanto, atendiendo a la primera regla, un convertidor directo alimentado con una
fuente de tensin debe tener como carga obligatoriamente una fuente de corriente. La
condicin dual, tambin permitida, ser la de un convertidor cuya fuente generadora es de
corriente y cuya carga es una fuente de tensin.
67
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
68
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
En un momento dado, slo uno de los conmutadores de la celda debe estar en estado
de conduccin. As nunca ser posible interconectar fuentes de tensin o
cortocircuitarlas ni dejar a la fuente de corriente en circuito abierto.
69
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
iK2
vK1 K1 I
V
vK2 K2
iK2
Por lo tanto, en la celda elemental slo son posibles los siguientes estados
estacionarios de los conmutadores:
ESTADO 1
ESTADO 2
Existen dos posibles procesos de conmutacin al pasar del estado uno al dos o
viceversa que definirn la caracterstica dinmica de los conmutadores. Puesto que uno de los
70
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
conmutadores tiene su conmutacin inherente slo ser necesario diferenciar las dos posibles
conmutaciones controladas del otro que son:
Atendiendo a las consideraciones anteriores se puede enunciar una regla simple que
especifica el proceso de conmutacin del conmutador con independencia de su posicin en la
celda y del sentido de la corriente o de la tensin: Si el signo de la corriente atravesando el
conmutador que estaba en conduccin antes de la conmutacin y el signo de su tensin
despus de ella son iguales, la conmutacin controlada debe ser la de corte. En caso
contrario la conmutacin debe ser inherente. Si el signo de la corriente atravesando el
conmutador que estaba en corte antes de la conmutacin y el signo de su tensin despus de
ella son distintos, la conmutacin controlada debe ser la de conduccin. En caso contrario la
conmutacin debe ser inherente.
71
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Por lo tanto, estos conmutadores deben ser de tres segmentos con una caracterstica
esttica que permita la bidireccionabilidad adecuada y una caracterstica dinmica acorde con
la regla de la conmutacin de la celda antes mencionada.
72
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
a b
a b
a a b b
Se pueden definir a los inversores como aquellos convertidores cuya salida es una
magnitud alterna obtenida a partir de otra continua. Estamos hablando de convertidores
DC/AC con salida monofsica no modulada cuya estructura depende de la naturaleza de la
fuente DC. La topologa ms frecuente, que no la nica, es la del puente completo que como
ya hemos mencionado en el apartado anterior, pueden ser alimentados con fuente DC de
tensin o de corriente (ambas unidireccionales). A partir de este momento, cuando se hable de
inversores en trminos generales, se asumir que se trata de inversores con esta determinada
topologa.
73
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
fuente DC a la carga (+VDC). En la otra fase los estados de los conmutadores se invierten y
conectan a la carga la fuente invertida (-VDC). De modo anlogo, cuando la fuente es de
corriente continua la salida de corriente es cuadrada.
Si la carga es resistiva pura, en ambos casos, tanto la tensin como la corriente son
cuadradas y el factor de potencia a la salida (el coseno del ngulo de desfasaje entre tensin y
corriente) es la unidad. En el caso que la carga tenga componente inductiva, como es el caso
de una carga serie RL, el factor de potencia ser distinto de la unidad y para poder
compensarlo, es decir aumentarlo lo ms posible, ser necesario conectar a la carga un
componente reactivo adecuado. Este componente es el condensador que se puede conectar en
serie formando un circuito RLC denominado circuito resonante serie. Tambin se puede
conectar en paralelo para formar un circuito resonante paralelo.
El circuito resonante serie se considera como una fuente de corriente y por lo tanto un
inversor con este tipo de carga, denominado inversor resonante serie, debe necesariamente
ser alimentado por una fuente de tensin. Anlogamente, el circuito resonante paralelo se
considera como una fuente de tensin y el inversor resonante paralelo correspondiente debe
tener conectado a su entrada una fuente de corriente.
74
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
El hecho de que estos inversores tengan como fuente de alimentacin una fuente de
tensin hace necesario que la fuente carga sea de corriente. El circuito de carga
correspondiente debe ser un circuito resonante serie puesto que se comporta de modo
transitorio como una fuente de corriente ya que su impedancia instantnea es infinita.
Capacitivo Inductivo
f
f0
75
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
v v
i i
CONMUTACION CONMUTACION
CAPACITIVA INDUCTIVA
Figura 2.44. Formas de onda asociadas para los distintos modos de conmutacin.
a a
a a
CONMUTACION CAPACITIVA
b b
b b
CONMUTACION INDUCTIVA
76
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Este tipo de inversores tienen como fuente de alimentacin una fuente de corriente por
lo que se hace necesario que la fuente carga sea de tensin. El circuito de carga
correspondiente debe ser un circuito resonante paralelo puesto que se comporta de modo
transitorio como una fuente de tensin ya que su impedancia instantnea es cero.
Inductivo Capacitivo
f
f0
77
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
i i
v v
CONMUTACION CONMUTACION
INDUCTIVA CAPACITIVA
Figura 2.47. Formas de onda asociadas para los distintos modos de conmutacin.
b b a a
b b a a
78
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
79
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Los generadores con circuito resonante paralelo necesitan una fuente de corriente
continua para la alimentacin del inversor. Puesto que la red de alimentacin comercial
elctrica disponible es fuente de tensin alterna, la fuente de corriente continua se puede
construir mediante un rectificador con su entrada en la red y a cuya salida se conecta una gran
inductancia. El resultado es una fuente de continua cuya impedancia instantnea de salida es
infinita (impedancia alta para alterna) que es la caracterstica bsica de una fuente de
corriente.
Adems, debido a que la impedancia del circuito resonante paralelo es nula lejos de la
resonancia, debemos de dotar al circuito fuente de corriente continua de un sistema de
regulacin que permita controlar su corriente de salida de modo estacionario incluso cuando
se conmuta al inversor lejos de resonancia. Por lo tanto, la fuente de corriente tiene que ser
regulable con lo que el rectificador tiene que tener una amplitud de salida variable.
La fuente de alimentacin de red para las potencia usuales en caldeo por induccin
debe ser trifsica y, por lo tanto, en ambas soluciones el rectificador debe ser trifsico. En las
dos siguientes figuras se muestran los diagramas correspondientes a los dos posibles circuitos
80
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
para el convertidor de entrada AC/DC de un generador de caldeo por induccin con carga
circuito resonante paralelo.
Vo = D V di (2.45)
3 2
Vd1 = V 20 (2.46)
donde V20 es el valor eficaz de la tensin entre fases de la red trifsica de alimentacin del
rectificador.
Vdi Vo
V20 D
CIRCUITO DE
CONTROL
81
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Vd
V20 CIRCUITO DE
CONTROL
82
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
3 2
Vd = V20 cos (2.47)
Puesto que la carga del circuito rectificador es una gran inductancia, con lo que se
puede asumir que su corriente de salida en rgimen transitorio es constante, se puede ver que
para ngulos de disparo superiores a 90 la tensin aplicada es negativa y en este caso el
rectificador acta como inversor "devolviendo" de modo transitorio energa a la red con lo
que se consigue un proceso de parada del generador mucho ms rpido y seguro.
83
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
Por lo tanto, los lazos de regulacin y control en este tipo de generadores deben de ser
configurables para dotarles de la mayor flexibilidad de control posible. Debern de existir
sensores para poder hacer las correspondientes mediciones de tensin o de potencia de salida
que sern los valor a regular en un primer lazo de realimentacin. Adems habr que disear
sistemas realimentados de limitacin que acten sobre el lazo anterior en el caso de que se
alcancen los valor mximos admisibles de corriente de entrada al inversor o tensin de salida
que estn determinados por el dimensionamiento de los circuitos rectificador e inversor.
VMF Id
P
ref G1 G2
VMF LV
Vmax
Id LI
Imax
Figura 2.51. Sistema de regulacin para generadores paralelo para caldeo por induccin.
84
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
2.6. BIBLIOGRAFA
[CHERON] Y. Cheron.
"Soft Commutation".
Chapman & Hall 1992.
85
Captulo 2 CONCEPTOS BASICOS EN INVERSORES RESONANTES PARALELO
[KLAASSENS] J.B. Klaassens, Y. Cheron, H. Foch, F.C. Lee, T.A. Stuart, D. Divan, R.W.
De Doncker, K. Heumann, E. J. Dede.
"Resonant Converters".
Tutorial. EPE Association. September 1993.
[LADOUX] P. Ladoux.
"Nouvelles Structures de Convertisseurs".
Tesis doctoral. Institut National Polytechnique de Toulouse 1992.
86
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
3.1. INTRODUCCIN
Este anlisis se completar con un estudio de perdidas del transistor con el que se
pretende demostrar que mediante la estrategia de disparo expuesta finalmente se consigue
trabajar a altas frecuencias, mayores que las que se conseguiran con otras soluciones, sin
perder fiabilidad.
87
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Para el modo de conmutacin inductivo los conmutadores del inversor deben de tener
su conmutacin de corte controlada y su conmutacin de conduccin inherente. Para el modo
de conmutacin capacitivo la conmutacin a conduccin debe de ser controlada y la de corte
inherente.
Asumiendo que como circuito bsico para la fuente de corriente se elige el constituido
por un rectificador totalmente controlado con una gran inductancia a su salida y que el
conmutador idneo para el inversor trabajando a alta frecuencia es el transistor MOS,
88
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Id
D1 D4
C
Q1 Q4
IMF L
Vd
D2 R0 D3
VMF
Q2 Q3
Las formas de onda ms relevantes del generador resonante paralelo que corresponden a
cada uno de los modos de conmutacin son, para el caso ideal, las que se muestran en la
siguiente figura.
VMF
IMF
Vd
89
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Vd
V MF = (3.1)
2 2 cos
4 Id Vd
I MF = = (3.2)
2 2 2 R0 cos 2
2 Vd
Id = (3.3)
8 R0 cos 2
8 I d2 R0 cos 2
P = V MF I MF cos = (3.4)
2
IC
=Q cos (3.5)
I MF 0
Mientras que la relacin entre la corriente por el inductor del circuito resonante y la
corriente de salida es:
90
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
IL
= Q 0 cos (3.6)
I MF
Inicialmente, la misin fundamental del circuito de control del inversor es generar las
seales de disparo de los transistores de potencia de modo que se mantenga al inversor
trabajando siempre cerca de la frecuencia de resonancia del circuito de salida para lo cual es
necesario disear un circuito oscilador realimentado mediante la tensin de salida VMF con el
objeto de conseguir trabajar a la frecuencia requerida.
En los prximos apartados vamos a ver la gran importancia que tiene el correcto
diseo de este circuito para conseguir el proceso de conmutacin adecuado del inversor y
poder as trabajar a altas frecuencias en cualquier condicin. En el siguiente captulo
estudiaremos detalladamente el diseo de este circuito en cuya realimentacin intervendrn
otras seales adems de la tensin VMF. Inicialmente daremos el diagrama del circuito
simplificado en el que la realimentacin acta sobre un circuito oscilador controlado por
tensin (VCO) mediante un circuito que mide la fase entra la seal VMF y la propia salida del
VCO. El objetivo del circuito realimentado es mantener la fase prxima al valor deseado.
VMF Q13
DF VCO
Q24
Figura 3.3. Sistema de control del disparo del inversor en generadores paralelo.
91
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
En este apartado vamos a estudiar el comportamiento del inversor con carga resonante
paralelo en el caso de que todos sus componentes sean ideales. Adems se consideran
despreciables las inductancias y capacidades parsitas de las conexiones del circuito y se
supone que no existen prdidas.
Vamos a estudiar separadamente los casos con modo de conmutacin capacitivo y con
modo de conmutacin inductivo.
En la parte izquierda del siguiente grfico se muestran las formas de onda de tensin y
corriente en la carga resonante y las formas de onda de la tensin resultante en la entrada del
inversor correspondientes al modo de conmutacin capacitivo donde la frecuencia de
conmutacin es superior a la de resonancia. Las dos ltimas formas de onda corresponden a
las seales de disparo de los transistores de cada diagonal, correspondiendo VG13 con la seal
de disparo de Q1 y Q3, y VG24 con el disparo de los transistores Q2 y Q4. Se han identificado
las diferentes fases de estas formas de onda que se corresponde con los distintos estados de
conduccin de los componentes del circuito los cuales aparecen representados en los
diagramas del lado derecho de la siguiente figura y que a continuacin describimos
detalladamente. Si se conviene que las corrientes son positivas cuando entran por la izquierda
de la carga y que las tensiones son positivas cuando el potencial del extremo izquierdo de la
carga es mayor que el del derecho, se pueden hacer las siguientes consideraciones.
92
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
-
D1 D4
VMF
a) +
VMF
Q1 Q4
- +
-
D2 IMF D3
+
Q2 Q3
IMF
D1 D4
b) +
VMF
Q1 Q4
Vd + - -
D2 IMF D3
+
Q2 Q3
-
-
c) D1 D4
VG13 +
VMF
Q1 Q4
+ -
-
D2 IMF D3
+
VG24 Q2 Q3
D1 D44
D
d)
+
VMF
Q1 Q44
Q
- - +
D2 D33
D
a b c d IMF
+
t1 t2 t3 t4 t5 Q2 Q
Q33
-
Entre los instantes t2 y t3 tanto la corriente como la tensin son positivas. La corriente
atraviesa los transistores Q1 y Q3 y la tensin la bloquean Q2 y Q4. El diagrama
correspondiente es el b.
93
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Asumiendo que los componentes del circuito son ideales se puede hacer la siguiente
descripcin de las conmutaciones.
94
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
idneos para este modo de conmutacin eran los de tres segmentos con conmutacin
controlada de conduccin. Por esta razn, la posicin de los flancos de las seales de puerta
que controlan el corte no es importante siempre que se sea posterior a la orden de conduccin
de los transistores de la otra rama y anteriores al cruce por cero de la tensin. Contrariamente
los flancos que controlan la conduccin si que son importantes y fijan el valor de la fase .
El hecho de que haya un cierto tiempo en el que todos disparos estn solapados es
importante para asegurar que exista en todo momento, al haber siempre transistores en
conduccin, un camino para la corriente de la fuente. De no ser as apareceran muy
importantes sobretensiones en el circuito.
Entre los instantes t1 y t2 tanto la corriente como la tensin son positivas. La corriente
atraviesa los transistores Q1 y Q3 y la tensin la bloquean Q2 y Q4. El diagrama
correspondiente es el a.
95
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
D1
VMF D4
a) +
VMF
Q1 Q4
+ - -
D2 IMF D3
+
Q2 Q3
IMF -
-
D1 D4
b) +
VMF
Q1 Q4
Vd - +
-
D2 IMF D3
+
Q2 Q3
D1 D4
c)
+
VMF
VG13 Q1 Q4
- - +
D2 IMF D3
+
Q2 Q3
VG24 -
-
d) D1 D4
+
VMF
Q1 Q4
+ -
-
D2 IMF D3
a b c d +
t1 t2 t3 t4 t5 Q2 Q3
Para el intervalo definido por los instantes t4 y t5, que corresponde al diagrama d, la
tensin ha cambiado de sentido pero la corriente sigue siendo negativa por lo que conducen
los transistores Q2 y Q4 y la tensin la bloquean los diodos D1 y D3.
96
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Asumiendo que los componentes del circuito son ideales se puede hacer la siguiente
descripcin de las conmutaciones.
Justo antes del instante t1 la tensin era positiva y la corriente negativa circulando por
los transistores Q2 y Q4. La tensin la bloqueaban los diodos D1 y D3 y los transistores Q1 y
Q3 ya han sido disparados a conduccin. En el instante t1 los transistores Q2 y Q4 se disparan a
corte y consiguientemente la corriente cambia de sentido pasando los diodos y los transistores
de la rama 1 y 3 a conduccin. Los transistores Q2 y Q4 son los que ahora bloquean la tensin
de la carga.
97
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
=0
VMF
-
D1 D4
a) +
VMF
Q1 Q4
+ - -
IMF
D2 IMF D3
+
Q2 Q3
-
Vd
D1 D4
b)
+
VMF
VG13 Q1 Q4
- - +
D2 IMF D3
+
VG24 Q3
Q2
-
a b
t1 t2 t3
98
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Entre los instantes t1 y t2 tanto la corriente como la tensin son positivas. La corriente
atraviesa los transistores Q1 y Q3 y la tensin la bloquean Q2 y Q4. El diagrama
correspondiente es el a.
Todas las conmutaciones debe realizarse en los cruces por cero de la tensin y la
corriente, cuidando adems, que en ningn caso haya solape entre los disparos de las ramas
diagonales, para evitar la polarizacin inversa de los diodos, ni tampoco la situacin contraria
que, como ya dijimos, provocara serias sobretensiones en el circuito al no haber camino de
modo instantneo para la corriente de la fuente. En este modo de trabajo los procesos de
conmutacin vienen fijados tanto por la conduccin como por el corte de los transistores y no
hay conmutaciones inherentes.
3.3.4. SIMULACIONES
99
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
El circuito resonante est diseado para una frecuencia de resonancia de 500 kHz y un
factor Q de 20, con lo que el valor correspondiente del inductor es de 230 nH, el del
condensador resonante 440 nF y el de la resistencia equivalente en serie con el inductor 35
m
100
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
101
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
102
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
equivalentes aunque sobre diferentes componentes de la celda. Lo mismo ocurre para los
instantes t2 y t4.
Momentos antes del instante t3, Q4 se dispara a acorte cuando, desde el instante t2, ya
no conduca. La conmutacin a corte es, por lo tanto, suave sin prdidas en condiciones de
ZCS. En t3 D4 pasa a conduccin de un modo natural en el cruce por cero de tensin. La
conmutacin a conduccin es suave sin prdidas en condiciones ZVS.
Como conclusin se pude resumir que para los transistores hay prdidas a conduccin
y para los diodos hay proceso de corte con corriente recuperacin inversa. Las conmutaciones
de corte de los transistores y la de conduccin de los diodos se realizan sin prdidas.
El siguiente cuadro ilustra grficamente esta situacin donde se indican mediante las
flechas diagonales cada una de las conmutaciones.
CONDUCCION CORTE
Q DURA ZCS
t1 t3 t2 t4
D ZVS DURA
3.4.1.2. SIMULACIONES
103
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
en la realizacin prctica del circuito real. Se puede apreciar que existen importantes prdidas
de conmutacin a conduccin y elevadas corrientes de recuperacin inversa de los diodos.
104
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Figura 3.12. Tensin y corriente de un conmutador real trabajando en modo capacitivo con
diodos serie de inferior tiempo de recuperacin inversa.
Por otro lado, hay que consideran tambin la posible recuperacin inversa de otro
diodo presente en el circuito y cuya conmutacin hasta ahora hemos obviado. Estamos
hablando del diodo antiparalelo o inverso del transistor MOSFET que por ser intrnseco a la
estructura monoltica del propio del transistor no siempre se puede optimizar y suele tener
caractersticas poco atractivas.
105
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Figura 3.13. Tensin y corriente de un conmutador real trabajando en modo capacitivo con
recuperacin inversa del diodo serie y del diodo inverso del transistor.
Por lo tanto, deberemos mantener nuestras prdidas siempre por debajo de la potencia
mxima que seamos capaces de extraer de nuestros mdulos de potencia y especialmente del
transistor, donde se concentra la mayor parte de las prdidas. Veamos a realizar un estudio,
basado en simulaciones de la potencia de prdidas del transistor teniendo en cuanta que la de
106
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
los diodos es muy inferior y aunque no sean del todo despreciables, si se pueden obviar si las
comparamos con la de los transistores.
En la siguiente simulacin se muestran las prdidas totales del transistor MOS para el
caso de conmutacin capacitiva con diodos finalmente seleccionados a una frecuencia de 500
kHz y una fase de 26.
107
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Pconm
E on = = 1.35 mJ (3.9)
f
P (W) 1000
Ptotal
Pconm
500
300W
Pcond
0
0 100 200 300 400 500
f (kHz)
108
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
potencia mxima de prdidas que se puede extraer del mdulo con el disipador utilizado, en
las peores condiciones y garantizando la fiabilidad del circuito es de 300 W. La interseccin
de esta recta con la de la potencia total de prdidas nos indica que la frecuencia mxima
alcanzable en estas condiciones es de 90 kHz.
Eon (mJ) 4
0
0 15 30 45 60 75 90
()
La siguiente curva representa las frecuencias y fases en las que la potencia total de
prdidas alcanza el valor lmite de 300 W. Los puntos situados entre los ejes y la curva
representan condiciones seguras de funcionamiento en los cuales, las prdidas estn por
debajo del lmite. En los puntos ms all de la curva, el funcionamiento del inversor no es
posible al superarse la potencia de prdidas admisible. A 500 kHz slo sera posible conmutar
con una fase inferior a 5 grados.
109
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
fi
90
75
60
45
30
15
0
0 100 200 300 400 500 f (kHz)
110
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Como conclusin se pude resumir que para los transistores hay prdidas a corte y para
los diodos hay prdidas a conduccin. Las conmutaciones de conduccin de los transistores y
la de corte de los diodos se realizan sin prdidas ni corrientes de recuperacin inversa con lo
que no se hace necesario instalar diodos especialmente rpidos. En el cuadro siguiente, que
ilustra grficamente esta situacin, se indica mediante las flechas diagonales cada una de las
conmutaciones.
CONDUCCION CORTE
Q ZVS DURA
t2 t4 t1 t3
D DURA ZCS
3.4.2.2. SIMULACIONES
111
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
En la siguiente simulacin se muestran las prdidas totales del transistor MOS elegido
para el caso de conmutacin inductiva con los diodos finalmente seleccionados a una
frecuencia de 500 kHz y una fase de 36. El trazo inferior corresponde a la forma de onda del
producto de la tensin y la corriente del transistor y el superior en su valor medio que indica
la potencia total de prdidas a la frecuencia indicada.
Se observa que las nicas prdidas considerables de conmutacin son la de corte que
se pueden evaluar fcilmente restanto al valor medido en la simulacin el correspondiente de
prdidas de conducin constantes de 175 W. En consecuencia, las prdidas de conmutacion en
estas condiciones resulta ser de 125 W. La energa de prdidas de conmutacin
correpondiente se calcular dividiendo este valor por la frecuencia.
Pconm
E on = = 0.25 mJ (3.10)
f
112
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
discontinuo indica la potencia lmite de 300 W que se puede disipar en el mdulo del
transistor seleccionado y nos indica que la frecuencia mxima alcanzable en estas condiciones
es de 500 kHz.
200
Pcond
Pconm
100
0
0 100 200 300 400 500
f (kHz)
0.6
0.4
0.2
0.0
0 15 30 45 60 75 90
()
113
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
La siguiente curva representa las frecuencias y fases en las que la potencia total de
prdidas alcanza el valor lmite de 300 W. Los puntos situados entre los ejes y la curva
representan condiciones seguras de funcionamiento en los que las prdidas estn por debajo
del lmite. En los puntos ms all de la curva, el funcionamiento del inversor no es posible al
superarse la potencia de prdidas admisible. A 500 kHz sera posible conmutar con una fase
de hasta 36 grados.
fi
90
75
60
45
30
15
0
0 100 200 300 400 500 f (kHz)
114
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
En la figura 3.24 se muestran las prdidas totales del transistor trabajando en modo
capacitivo e inductivo con los valores nominales de tensin VMF y corriente Id (425 V y
37.5 A) para ngulos de conmutacin reducidos (5).
Como conclusin se puede decir que el mtodo idneo para disparar un inversor con
carga resonante paralelo donde no se tienen en cuenta las inductancias del circuito es el
correspondiente al modo de conmutacin inductivo con la fase ms pequea posible
aproximndose por lo tanto al modo de funcionamiento en fase pero cuidando siempre evitar
la conmutacin forzada a corte de los diodos y el consiguiente proceso de recuperacin
inversa, presente en el modo capacitivo,
P (W) 400
100
0
0 100 200 300 400 500
f (kHz)
115
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Inductancia mnima
L
D
R
D
Q
C
Q
116
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
En el modo de conmutacin capacitivo lo que hay que minimizar son las prdidas de
conmutacin a conduccin, sobretodo las debidas al fenmeno de recuperacin inversa de los
diodos. Para ello la red de ayuda de conmutacin a conduccin adecuada es una inductancia
en serie con el conmutador que limite la pendiente de cambio de la corriente durante la
conmutacin y, consecuentemente, reduzca la corriente inversa y las prdidas. En la prctica
esta inductancia no se incluye en el circuito como un componente localizado sino que se
aprovecha la inductancia parsita del conexionado de los semiconductores del inversor.
3.4.6. CONCLUSIONES
Como conclusin de esta seccin se puede decir que el modo de conmutacin ptimo
para inversores resonantes paralelo, en los que no se consideran componentes parsitos, es el
inductivo donde la conmutacin del transistor a conduccin se hace en condiciones ZVS y la
de corte del diodo en condiciones ZCS. Por lo tanto, a pesar de que existen prdidas a corte en
los transistores, en este modo de conmutacin no aparecern problemas de recuperacin
inversa con lo que el balance total de prdidas es ventajoso frente al modo de conmutacin
capacitivo y no ser necesario elegir diodos especialmente rpidos.
117
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
118
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Por ltimo hay que evaluar la inductancia de las conexiones entre el inversor y el
circuito resonante de carga. Esta inductancia es la ms difcil de optimizar puesto que en
muchas ocasiones la aplicacin requiere que el puesto de calentamiento deba estar lejos del
inversor. Tambin debemos consideran la inductancia equivalente serie del condensador
resonante.
Para una aplicacin tpica de alta frecuencia, como puede ser la soldadura de tubo por
induccin, con el circuito de carga muy prximo al inversor y con condensadores de baja
inductancia serie equivalente la inductancia total correspondiente esta en el rango
comprendido entre 100 nH y 500 nH.
L p = L1 + L4 + L x (3.14)
119
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
L1 L4
a)
D1 D4
Q1 Q4
Lx
b) D1 D4
Q1 Q4
Lp
En la seccin anterior vimos que el mejor modo de disparar los transistores del
inversor corresponde al modo de conmutacin inductivo con la menor fase posible, es decir
con una frecuencia de conmutacin inferior pero muy prxima a la de resonancia. En estas
condiciones se tiene que los disparos a conduccin y corte de los transistores de la celda de
conmutacin son casi simultneos de lo que se deduce que un instante antes de la
conmutacin a corte del conmutador se tiene la inductancia Lp cargada a la corriente Id de la
120
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
-
D1 D4 D1 D4
+ +
VMF VMF
Q1 Q4 Q1 Q4
+ - + - -
-
D2 IMF D3 D2 IMF D3
+ +
t1
Q2 Q3 Q2 Q3
-
t4 -
t2
D1 D4 D1 D4
+ +
VMF VMF
Q1 Q4 Q1 Q4
- - + - +
D3
-
D2 IMF D2 IMF D3
+ t3 +
Q2 Q3 Q2 Q3
-
121
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
3.5.2.1.2. SIMULACIONES
122
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
A partir del mximo de la tensin el diodo serie se corta de modo que su capacidad
parsita queda en serie con la del transistor. Para el diodo elegido esta capacidad, cuyo valor
123
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
tambin depende de la tensin negativa bloqueada, tiene un valor final aproximado de 250 pF.
La nueva frecuencia de resonancia pasa a ser de unos 22 MHz que de nuevo coincide con la
medida en la simulacin.
1 (3.15)
RS C oss R 1 R
= = S = S Coss osc (3.17)
2 LP 2 LP osc 2
124
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
125
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
En la siguiente figura se muestran los grficos que representan los estados entre los
diferentes procesos de conmutacin en modo capacitivo del circuito inversor. Seguidamente
analizaremos estos procesos en la celda de conmutacin superior teniendo en cuenta que la
inferior se comporta de modo anlogo.
-
D1 D44
D D1 D4
+ +
VMF VMF
Q1 Q44
Q Q1 Q4
- - + - +
D33 -
D2 IMF D D2 IMF D3
+ +
t1
Q2 Q
Q33 Q2 Q3
-
t4
t2
D1 D4 D1 D4
+ +
VMF VMF
Q1 Q4 Q1 Q4
+ - + - -
-
D2 IMF D3 D2 IMF D3
+ t3 +
Q2 Q3 Q2 Q3
--
126
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
3.5.2.2.2. SIMULACIONES
127
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
128
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
129
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
En el siguiente grfico se muestran las prdidas del transistor y las redes RC para el
caso de conmutacin en modo capacitivo.
130
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Las dos primeras opciones son difcilmente alcanzables puesto que tanto el transistor
seleccionado como el disipador refrigerado con agua utilizado ya poseen prestaciones muy
altas en cuanto a su conductividad trmica. La tercera opcin s es posible y nos obligara a
instalar ms dispositivos para la misma potencia de salida con lo que el coste del equipo
crecera sustancialmente al tiempo que bajara su rendimiento. Todo ello nos lleva a decir que
la bsqueda de un proceso optimizado de conmutacin de las inductancias parsitas esta
plenamente justificado.
131
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
Por lo tanto, en estas condiciones las prdidas de conmutacin deben ser mnimas
aunque por diversas razones, como pueden ser resonancias de inductancias y condensadores
parsitos secundarios, variaciones de los retrasos de los disparos, asimetras topolgicas del
circuito, dispersin de las caractersticas de los componentes y otros, se deba mantener redes
de ayuda a la conmutacin tipo RC para prevenir posibles sobretensiones y oscilaciones.
En este apartado se van a estudiar las conmutaciones con este mtodo haciendo un
estudio de viabilidad en funcin de las prdidas existentes en el transistor y dando un sencillo
algoritmo que nos permita conocer las condiciones ptimas para el disparo de los transistores
considerando las posibles variaciones de la frecuencia, tensin de salida y corriente del
circuito.
Id
D1 i1 i4 D4
Q1 Q4
Lp
i Vo sin t.
132
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
V0
i = Id (cos t cos ) (3.18)
L p
V0
i1 = I d (cos t cos ) (3.19)
2 L p
V0
i4 = (cos t cos ) (3.20)
2L p
Por otro lado, el instante ptimo en el que Q1 debe pasar a corte coincide con el cruce
por cero de la tensin de salida. A la fase con que se realiza este proceso de corte del
conmutador respecto al cruce por cero de la tensin le llamamos ngulo de corte y lo
identificamos con el smbolo que como hemos dicho debe ser nulo. A partir de este
momento Q4 conduce la corriente Id en sentido negativo en la carga y Q1 bloquea su tensin.
Con la fase de adelanto se repite el proceso con la conduccin previa de Q1 y el posterior
corte de Q4 con cero. El proceso en la otra celda de conmutacin es anlogo.
i( 0 ) = I d
i1 ( 0 ) = 0 (3.21)
i4 ( 0 ) = I d
133
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
2L p I d kI d f
cos 0 = 1 =1 (3.22)
V0 Vo
134
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
<0 =0 >0
i i i
<0
v v v
i i i
=0
v v v
i i i
>0
v v v
135
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
3.5.3.2.2. SIMULACIONES
136
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
3.5.3.3.2. SIMULACIONES
137
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
138
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
En este caso esta corriente cae bruscamente a cero debido al proceso de corte snap off
de la corriente inversa del diodo. En el modelo de diodo elegido en las simulaciones se ha
exagerado este proceso para comprobar su importancia y observar que se produce una
peligrosa sobretensin negativa. Tras el corte del diodo serie sigue, como en la simulacin
anterior, el proceso de recuperacin inversa del diodo antiparalelo.
139
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
variacin brusca de su valor slo limitada por las capacidades parsitas del circuito y por la
red RC. Aun as se producir una fuerte sobretensin con el consiguiente aumento de las
prdidas y del contenido armnico.
3.5.3.4.2. SIMULACIONES
140
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
3.5.3.5.2. SIMULACIONES
141
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
La corriente i1 alcanza un valor correcto en el instante del cruce por cero pero a partir
de ese momento se aplica a la inductancia parsita la tensin de signo opuesto de la carga con
lo que la corriente continua evolucionando con cambio en el signo de su pendiente hasta que
se produce el corte del transistor Q1. En este momento se produce un cambio brusco de la
corriente generndose una sobretensin con el consiguiente aumento de prdidas y contenido
armnico.
3.5.3.6.2. SIMULACIONES
142
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
holgura en estas mismas condiciones haciendo totalmente viable el uso de este mtodo de
disparo.
P (W) 400
350
350
300 LIMITE DE
300 PERDIDAS
250
207
PERDIDAS EN
200
FASE SIN Lp
150
100
50
0
MODO IND. EN MODO CONMUTACION
FASE CAPACITIVO OPTIMA
143
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
R (%)
(%) 100
RENDIMIENTO
90 EN FASE SIN Lp
87 90
80 86
70
60
50
40
30
20
10
0
MODO IND. EN MODO CONMUTACION
FASE CAPACITIVO OPTIMA
P + PD + PR
(%) = 100 1 T (3.23)
PE
144
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
En las siguientes figuras se muestran la evolucin de las prdidas del transistor para
diferentes valores de los ngulos de conduccin y corte.
P (W) 360
340
320
300
280
260
240
220
200
0 10 20 30 40 50 60 70 ()
P (W) 700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
-30 -20 -10 0 10 20 30 ()
145
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
=0 =0 v
Figura 3.56. Definicin de las fases de las formas de onda del circuito respecto
del cruce por cero de la tensin.
i=0 = 0 t = (3.24)
146
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
podemos calcular el factor de potencia para las condiciones de disparo ptimo que vendr
dado por cualquiera de las siguientes expresiones:
L p I d 1 + cos 0
cos = 1 = (3.25)
V0 2
en la que P0 representa la potencia nominal de salida del inversor, nos aseguramos que
siempre podremos entregar la potencia especificada sin superar los lmites de corriente y de
tensin impuestos sobre el circuito. De esta ltima condicin se puede obtener el valor de la
inductancia parsita mxima con la cual todava es posible poder entregar la potencia
nominal.
4
Lp (VMF I MF P0 ) (3.28)
I MF
2
donde se ha tenido en cuenta la validez aproximada de la relacin entre las corriente Id e IMF
de la ecuacin 3.2 y la expresin V0 = 2 V MF
3.6. CONCLUSIONES
147
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
3.7. BIBLIOGRAFA
148
Captulo 3 ESTUDIO DE LOS PROCESOS DE CONMUTACION
DEL INVERSOR RESONANTE PARALELO
[HEUMANN] K. Heumann.
"Fundamentos de la Electrnica de Potencia".
Paraninfo 1981.
[SEVERNS] R.Severns.
"Snubber Circuit for Power Electronics".
Teknik Information. Stockholm, Sweden, May 1997.
149
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
4.1. INTRODUCCIN
En el circuito de control que genera los disparos del puente inversor existen dos
circuitos realimentados que describiremos por separado. El primero de ellos es el circuito de
control del ngulo de corte que se encarga de obtener una seal cuadrada denominada S en
fase con la tensin de VMF. Los flancos de esta seal determinan la fase que, por lo tanto,
debe ser nula. El segundo es el circuito de control del ngulo de conduccin y tiene como
misin generar otra seal cuadrada llamada S de la misma frecuencia que la anterior pero con
una fase de adelanto = 0. Sus flancos fijan el ngulo de conduccin. Componiendo
adecuadamente estas seales se obtendrn los disparos para los transistores del inversor para
el funcionamiento en modo correspondiente al disparo ptimo.
150
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
VMF VQ
DETECTOR VVCO S
VCO
DE FASE
SD LINEA DE
RETARDO
Figura 4.1. Diagrama de bloques del circuito de control del ngulo de corte.
Como circuito detector de fase se ha elegido el de la figura 4.2 que tiene una
caracterstica de transferencia no peridica y es sensible a variaciones de fase teniendo en
cuenta su signo con lo que se asegura, tras cerrar el lazo de realimentacin, que las seales de
entrada estn en fase a la misma frecuencia.
Los tiempos de duracin de los estados alto o bajo alcanzan su valor mximo (ciclo de
conduccin del 100%) cuando la diferencia de fase es de 180 y su valor mnimo (ciclo de
conduccin del 0%) cuando las seales de entrada estn justamente en fase. Por lo tanto, y
debido a que la salida del circuito es constante mientras que no hay diferencia entre las
seales de entrada, el diseo del filtro RC se puede minimizar.
151
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
V1 S
S
R
R
&
&
Q
&
R
R
S
V2 S
Para conseguir el correcto funcionamiento del circuito debe ajustarse una frecuencia
inicial, correspondiente a la fase de reposo de inversor, mayor que la de resonancia del
circuito de carga. De este modo, cuando comience a conmutar el inversor lo har de modo que
la frecuencia de la seal SD sea mayor de la de VMF con lo que la salida del detector de fase
pasar a nivel bajo y la entrada del VCO disminuir hasta conseguir igualar ambas
frecuencias. A partir de este momento el lazo de realimentacin alcanzar la estabilidad y la
tensin de entrada del VCO permanecer constante recibiendo pequeas aportaciones de
152
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
carga cuando la tensin VQ este adelantada o de descarga cuando lo est SD. Esta es la
situacin que se muestra en el diagrama de tiempos de la figura 4.3.
D
GENERADOR VDS S
S DIENTE DE Tb
SIERRA CL
k SD
Id kI f
1 d G(s)
f Vo
V0
cos
153
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
4Lp 1
Id _
+ 4 L P Id f
f 1
V0 V0
Las medidas de las magnitudes del circuito de realizan mediante transductores con
aislamiento galvnico (transformador convencional para la tensin alterna de salida del
inversor y de efecto Hall para la corriente continua de entrada) y detectores de pico y valor
medio para conseguir seales de continua proporcionales a la amplitud V0 de la tensin VMF y
la corriente de la fuente Id. Mediante un circuito frecuencmetro se obtiene, adems, otra
tensin continua proporcional a la frecuencia de trabajo. Las constantes y el valor de la
inductancia parsita se introducen mediante el ajuste de la ganancia del circuito intermedio.
154
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
cuya entrada dato es la seal S. Su salida negada es la seal S tal y como se puede ver en el
siguiente diagrama de tiempos que muestra las seales ms relevantes del circuito de control
del ngulo de conduccin.
S 1
Q1 Q3
S
&
Q2 Q4
155
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
transistores estn definidos por la seal S, mientras que los flancos de subida
correspondientes a la conmutacin de conduccin vienen determinados por la seal S.
Estas seales se transmiten hasta el inversor mediante fibra ptica con el objeto de
minimizar los tiempos de retraso y conseguir un buen aislamiento galvnico entre los
conmutadores del inversor y el circuito de control, al tiempo que se asegura una alta
inmunidad al ruido con un muy alto factor de rechazo en modo comn. En el inversor y muy
cerca de los transistores se instalan los circuitos de disparo con capacidad de corriente y
niveles de salida adecuados para cada tipo de transistor. Para transistores MOS se eligieron
seales de 0 V a +12 V mientras que para transistores IGBT de -15 V a +15 V.
4.3. MODELIZACIN
156
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
C iL L
I0 cos(t) vC
R
L iLs
C
L iLc
C
L
vCs C vCc iLs
Figura 4.9. Obtencin del circuito de gran seal del inversor resonante paralelo.
157
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
Este mtodo consta de dos pasos. En el primero se ha de dibujar el circuito dos veces;
una para obtener las ecuaciones de gran seal en coseno y la otra para obtener las ecuaciones
en seno. El circuito coseno se alimenta con una fuente de corriente de valor igual a la
amplitud del primer armnico de la seal de entrada del circuito resonante y en el circuito
seno se deja la entrada en circuito abierto.
En el segundo paso se inserta una fuente de tensin controlada por corriente en serie
con cada inductancia y una fuente de corriente controlada por tensin en paralelo con cada
condensador. Las ganancias de estas fuentes deben coincidir con el producto de la frecuencia
y de la inductancia L o capacidad C del elemento reactivo correspondiente. La seal de
control de las fuentes ser la corriente o tensin del elemento reactivo homlogo en el circuito
opuesto. Los signos se han de colocar de modo que se carguen los componentes reactivos del
circuito coseno y se descarguen en el circuito seno.
La seal del circuito cuya amplitud y fase nos interesa conocer es la tensin en el
condensador. Todas las dems estarn en funcin de ella y de los valores de los componentes
del circuito. Con el mtodo de las fuentes controladas la amplitud y fase de la tensin del
condensador se obtienen a partir de las siguientes expresiones:
v C = v Cc
2
+ vCs
2
(4.1)
v
= arctan Cs (4.2)
v Cc
158
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
Figura 4.10. Circuito PSPICE del modelo de gran seal del inversor con circuito
resonante paralelo.
159
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
Figura 4.11. Circuito PSPICE del modelo de gran seal del inversor con circuito
resonante paralelo.
160
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
161
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
fase que es nula a frecuencias bajas y tiende a -90 tras la frecuencia de corte. Existe un pico
alrededor de 1 MHz que corresponde a un polo doble cuyo efecto se considera despreciable
frente al del polo dominante.
Una vez modelizado el comportamiento del inversor resonante paralelo debemos ahora
hacer lo mismo con el resto de los circuitos que componen el circuito de control del ngulo de
corte. Las formas de onda de salida del detector de fase, cuyo principio de funcionamiento se
162
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
dio en el apartado 4.2.1, y de salida de la red RC que coincide con la entrada del VCO son las
de la siguiente figura para el caso en que la fase entre las seales de entrada sea positiva
(tensin VMF adelantada).
V
te
T
te
VVCO (t e ) = VVCOF (VVCOF VVCO ) e
(4.3)
donde VVCOF es la tensin final de carga del condensador de la red RC. Dado que para valores
de te mucho menores que la constante de tiempo de la red RC es vlida la aproximacin
te
e
= 1 t e / se obtiene la siguiente expresin para V:
te
V = (VVCOF VVCO ) (4.4)
163
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
de la tensin VVCO promediada (lnea de trazo discontinuo en la figura 4.15) viene dada por la
siguiente ecuacin:
1 1
VVCO = (VVCOF VVCO ) e (4.5)
s 2
En el caso supuesto el valor VVCOF coincide con la tensin del estado alto de salida del
detector de fase que suponemos igual a la tensin de alimentacin VCC. Si tenemos el caso
contrario en el que la fase de las seales de entrada al detector es negativa, el valor de la
salida del detector es cero (estado bajo). La ecuacin anterior ser valida para ambos casos
haciendo:
sign( e ) + 1
VVCOF = VCC (4.6)
2
1 1 VCC V
VVCO = e + CC VVCO e (4.7)
s 2 2 2
Por otro lado, puesto que el circuito VCO es lineal y la frecuencia de su salida es
directamente proporcional a su entrada, lo podemos modelizar simplemente mediante una
ganancia que represente esta constante de proporcionalidad.
164
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
Figura 4.16. Circuito simblico realimentado PSPICE del control del ngulo de
corte.
Una vez completado el modelo del circuito de control del ngulo de corte, se puede
realizar su estudio dinmico estudiando su comportamiento al incluir en el circuito
determinadas condiciones iniciales o fuentes de perturbacin. En el circuito de la figura
anterior se han incluido las fuentes perturbadoras Vref y Vac las cuales nos permitirn conocer
la respuestas al escaln y las respuestas en frecuencia en lazo abierto y en lazo cerrado del
sistema.
Se puede fijar una condicin inicial en la salida del integrador en el subcircuito HS2
para estudiar el comportamiento del sistema durante el arranque en el que, como ya dijimos
en la seccin 4.2.1, se parte de una frecuencia mayor que la de resonancia en la que las
amplitudes de oscilacin son bajas y se deja libre al sistema para que encuentre el punto de
operacin que determine el ngulo de corte = 0. En la siguiente figura se muestra esta
situacin donde las fuentes perturbadoras tienen amplitud nula y se impone el valor
Vco = 6 V como condicin inicial en la simulacin que supone una frecuencia de
conmutacin de 600 kHz. Se observa que durante el proceso de arranque que dura
aproximadamente 400 s la amplitud de tensin en el condensador resonante sube hasta su
165
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
valor nominal de 600 V al tiempo que la frecuencia desciende hasta los 500 kHz de un modo
asinttico sin que aparezcan sobretensiones.
166
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
Se observa que el mdulo cae con una pendiente de 20 dB por dcada debido a la
existencia del polo simple en el origen que asegura la inexistencia de error esttico en el lazo,
y que proviene del detector de fase. Adems, el mdulo cruza con 0 dB a una frecuencia
aproximada de 3300 Hz que constituye el ancho de banda en lazo cerrado del sistema, que
para aplicaciones de caldeo por induccin es un valor mucho ms que aceptable.
En la frecuencia de resonancia del circuito de carga aparece un polo doble que hace
que el mdulo suba de nuevo y que podra originar inestabilidad si alcanzara 0 dB. Posteriores
simulaciones dieron como resultado que esta situacin critica se da con un valor de ganancia
del integrador 1/2 de 3000 que significara un ancho de banda de aproximadamente 20 kHz.
El diagrama del argumento tal y como se ha obtenido representa el margen de fase del
sistema que es de aproximadamente 90 con lo que se vuelve a demostrar la total estabilidad
del circuito.
167
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
168
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
4.5. BIBLIOGRAFA
[REDL] R. Redl.
"Dynamic Analysis and Control-Loop Design of Power Converters".
Seminar 4. PCIM'91 International Conference, Nrnberg, Germany 1991.
169
Captulo 4 ANALISIS Y DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL
[VORPERIAN] V. Vorprian.
"Approximate Small-Signal Analysis of the Series and the Parallel Resonant
Converters".
IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 4, N 1, Enero 1989.
170
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
5.1. INTRODUCCIN
171
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
Un punto importante que hay que determinar para hacer este estudio con suficiente
aproximacin al caso real es la determinacin del momento relativo en que se produce el
cortocircuito. En las experiencias realizadas se ha comprobado que este proceso se inicia
siempre en las proximidades del mximo de la amplitud de la tensin de salida puesto que se
supone que el elemento que provoca el cortocircuito se aproxima al inductor con una
velocidad moderada y la corriente de cortocircuito se inicia cuando la distancia al inductor es
suficientemente pequea para que con la mxima tensin de salida se produzca el arco
elctrico.
Pero esto no es as ya que en el captulo anterior vimos que el circuito de control del
ngulo de corte, que es el responsable del seguimiento de la frecuencia de resonancia, tiene un
ancho de banda limitado a algunos kilohertzios. En este caso sera vlido suponer que tras el
cortocircuito y durante algunos ciclos se mantiene la frecuencia y fase de los disparos
mientras la frecuencia de resonancia aumenta con lo que aparecern conmutaciones distintas
de las previstas.
En la siguiente figura se muestran las formas de onda para casos con distintas
frecuencias de resonancia tras el cortocircuito. La curva en trazo discontinuo representa la
172
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
Cortocircuito
5
f0 < fC < f0
3
5 7
f0 < fC < f0
3 3
7
f0 < fC < 3 f0
5
11
3 f0 < fC < f0
3
Figura 5.1. Tensin de salida del inversor con diferentes frecuencias de cortocircuito.
173
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
2 m + 1 2 m + 3
f0 < fC < f0 (5.2)
3 3
m = 1,3,5 modo inductivo.
m = 2,4,6 modo capacitivo.
Sin embargo, y en previsin de los problemas que nos van a surgir cuando
consideremos tanto las caractersticas reales de los componentes como las inductancias
parsitas del circuito, es conveniente introducir en este momento un sistema, cuyo
funcionamiento ser discutido en prximos apartados, capaz de detectar rpidamente el
cortocircuito y disparar posteriormente de modo simultneo y continuo a todos los transistores
del inversor con el objeto de reducir al mnimo el nmero de conmutaciones incontroladas. Se
174
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
podr comprobar que con este sistema se realizan un mximo de dos conmutaciones de los
transistores tras el cortocircuito con lo que la caracterizacin realizada mediante las relaciones
5.1 y 5.2 es suficiente para predecir el funcionamiento del inversor.
Vd
Id D1 D4
VMF
+ -
D2 IMF D3
VMF
IMF
Vd
Figura 5.2. Tensiones y corrientes del inversor con disparo simultneo y continuo de los
transistores.
175
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
5.2.2. SIMULACIONES
En las siguientes figuras se muestran los resultados de la simulacin del inversor con
componentes ideales y sin inductancias parsitas trabajando muy cerca de la resonancia y
provocando un cortocircuito, considerado como tpico tras las experiencias, en el que se
reduce la inductancia de la bobina de calentamiento en un 80%. La primera de ellas, que se
muestra a continuacin, considera el caso ideal en el cual en control electrnico fija los
disparos de los transistores manteniendo la fase cercana a cero incluso despus del
cortocircuito. En estas condiciones todas las conmutaciones corresponden al modo en fase con
prdidas mnimas.
Figura 5.3. Formas de onda del cortocircuito para el comportamiento ideal tanto
de los componentes del inversor como del control de los disparos.
176
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
Figura 5.4. Formas de onda del cortocircuito para el comportamiento ideal de los
componentes del inversor con control real de los disparos.
177
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
178
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
En ambos casos, para conseguir minimizar los peligrosos efectos del cortocircuito,
hemos de emplear diodos rpidos con comportamiento soft recovery y reducir al mnimo la
inductancia parsita del circuito. En el caso de inversores con transistor MOS existe un
problema aadido ya que su diodo antiparalelo es intrnseco y, salvo los de tipo FREDFET,
son de deficientes caractersticas dinmicas
179
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
5.3.2. SIMULACIONES
180
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
Figura 5.7. Formas de onda del cortocircuito con comportamiento real y redes
supresoras de sobretensin.
181
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
De este modo se consigue evitar la fuerte sobretensin inicial positiva puesto que la
proteccin acta a tiempo para evitar el corte indebido de los transistores. Posteriormente,
cuando se disparan continua y simultneamente a todos los transistores se inicia una secuencia
de conmutaciones duras que producen sobretensiones negativas debidas al corte abrupto de la
corriente de recuperacin inversas de los diodos adems de sobrecorrientes ocasionadas
durante este proceso por la descarga transitoria de la tensin del condensador resonante.
La primera de estas protecciones entra a formar parte del circuito de control del
inversor y no necesita de ningn elemento aadido en la seccin de potencia. Consiste en un
circuito capaz de detectar de forma rpida un cambio brusco de la frecuencia de resonancia
del circuito de carga y actuar posteriormente disparando de forma continua a todos los
transistores del inversor y parando el rectificador de entrada hasta que la condicin de
cortocircuito desaparezca. En la siguiente figura se muestra el diagrama de bloques
correspondiente.
Como vimos en el captulo anterior, la seal S es la salida del VCO que comanda el
circuito de seguimiento de frecuencia del circuito resonante. En funcionamiento estacionario
182
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
es una seal cuadrada a la frecuencia de trabajo con fase =0 respecto de la seal VQ que es
una seal lgica sincronizada con los cruces por cero de la tensin de salida VMF. Por lo tanto,
cuando se produce un cambio brusco de la frecuencia de resonancia, y puesto que el circuito
de realimentacin del VCO acta con una dinmica limitada, la salida del detector de fase
XOR aumenta la anchura de su estado alto. Los flancos ascendentes de esta ltima seal
sirven para sincronizar la salida de una base de tiempos calibrada (circuito monoestable) de
modo que en funcionamiento normal, la anchura del pulso de salida del detector de fase es
siempre inferior a la del monoestable.
183
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
del inversor. Como se puede ver en la siguiente figura, el detector de sobretensiones positivas
tiene el diodo conectado de modo que el condensador absorba corrientes directas, mientras
que el otro detector de pico debe de conectarse de modo contrario para suprimir las
sobretensiones negativas. El diseo del valor del condensador debe de realizarse de modo que
sea capaz de almacenar la energa proveniente de las sobretensiones sin que el aumento de su
tensin sea excesiva. En la fase experimental de este trabajo se demostr que la eleccin de un
valor de 500 nF para estos condensadores es suficiente.
La resistencia de descarga permite que la tensin del condensador baje en poco tiempo
hasta el valor de pico de la tensin de entrada del inversor en funcionamiento normal y quede,
de esta manera listo para suprimir nuevas sobretensiones.
DETECTORES DE PICO
a) b)
Se pudo comprobar que la accin combinada de estos dos circuito de proteccin dan al
inversor con carga resonante paralelo una gran fiabilidad en condiciones de cortocircuito.
184
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
5.5. CONCLUSIONES
Aun as, se debe incorporar circuitos de proteccin eficaces en la seccin control del
inversor para reducir al mnimo el nmero de conmutaciones incontroladas y en la de potencia
mediante detectores de pico actuando como supresores de sobretensiones tanto positivas como
negativas.
5.6. BIBLIOGRAFA
185
Captulo 5 COMPORTAMIENTO DEL INVERSOR ANTE CORTOCIRCUITOS
[HEBENSTREIT] E. Hebenstreit.
"Overcoming the dv/dt Problem in Power MOSFET Switching Stages During
Commutation".
PCI Proceedings, September 1982.
[TIHANYI] J. Tihanyi.
"Protection of Power MOSFETs from Transient Overvoltages".
Siemens Forsch.-u. Entwickl.- Ber. Bd. 14 Nr. 2. Springer- Verlag 1985.
186
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
6. RESULTADOS EXPERIMENTALES
6.1. INTRODUCCIN
187
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
Las seales de disparo se trasmiten desde el circuito de control a travs de fibra ptica
y llegan a la puerta del transistor, amplificados por el circuito de disparo, con niveles de 0
para el corte y 12 V para la conduccin. La conexin de cada inversor a la fuente de corriente
se realiza con cable convencional flexible de seccin adecuada mientras que la conexin
desde la salida al circuito resonante se hace mediante cables especiales con 18 conductores
aislados de 1.5 mm2 de seccin para aumentar su capacidad de corriente a altas frecuencias y
debidamente trenzados para minimizar su inductancia.
D1 RD1 RD4 D4
CD1 CD4
Q1 Q4
RQ1 RQ4
CQ1 CQ4
D2 RD2 RD2 D3
CD2 CD3
Q2 RQ2 RQ3 Q3
CQ2 CQ3
188
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
En el interior de este inductor se introduce un tubo de acero que hace las veces de
carga y que al estar convenientemente refrigerado permite el funcionamiento continuo del
inversor. La regulacin en altura del este tubo respecto al inductor permite el ajuste de la
resistencia equivalente de prdidas del circuito resonante para conseguir extraer la potencia
nominal.
Al igual que en los inversores con transistor MOS, todos los componentes
semiconductores de potencia estn montados sobre un nico radiador refrigerado por agua.
Las caractersticas trmicas del diseo vienen dadas en el anexo A1.3. Las seales de disparo
se trasmiten desde el circuito de control a travs de fibra ptica y llegan a la puerta del
transistor, amplificados por el circuito de disparo, con niveles de -15 V para el corte y +15 V
para la conduccin. Las conexiones del inversor a la fuente de corriente y al inversor se
realiza del mismo modo que en el inversor MOS.
189
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
RD1 RD4 D4
D1
CD1 CD4
Q1 RQ1 RQ4 Q4
CQ1 CQ4
RD2 RD2 D3
D2
CD2 CD2
Q2 RQ2 RQ3 Q3
CQ2 CQ3
Figura 6.2. Esquema elctrico del inversor de 100 kW con transistores IGBT.
Para formar cada uno de los conmutadores se dispuso la conexin en paralelo de dos
transistores con sus respectivos diodos antiparalelo y tres diodos en paralelo como los
utilizados en el inversor de transistores MOS para conseguir el diodo en serie.
En el interior del inductor se introduce un tubo de acero que hace las veces de carga y
que al estar convenientemente refrigerado permite el funcionamiento continuo del inversor.
La regulacin en altura del este tubo respecto al inductor permite el ajuste de la resistencia
equivalente de prdidas del circuito resonante para conseguir extraer la potencia nominal.
190
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
191
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
En las prximas figuras se muestran dos casos distintos a la conmutacin ptima con
el objeto de verificar las formas de onda previstas en el captulo tercero. La primera de ellas
corresponde al caso de ngulo de corte = 0 con ngulo de conduccin < 0. La segunda
figura nuestra el caso de ngulo de conduccin = 0 con el ngulo de corte < 0.
192
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
El montaje del puente inversor con IGBT no requiere ser tan compacto como el MOS
debido fundamentalmente a que su frecuencia de trabajo es tan slo de alrededor de 100 kHz.
Por esta razn s que fue posible tomar medidas de la corriente y tensin de uno de los
conmutadores. A continuacin se muestran estas medidas para diferentes ajustes del circuito
de control de disparo acompaadas de sus correspondientes simulaciones en las cuales se
introdujeron los modelos PSPICE de los componentes del circuito.
193
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
En las prximas figuras se muestran dos casos distintos a la conmutacin ptima con
el objeto de verificar las formas de onda previstas. La primera de ellas corresponde al caso de
ngulo de corte = 0 con ngulo de conduccin < 0. La segunda figura nuestra el caso de
ngulo de conduccin = 0 con el ngulo de corte > 0.
194
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
PP = 69 Q T (6.1)
195
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
Para que este mtodo sea suficientemente vlido hay mantener el inversor trabajando
en las condiciones del ensayo el tiempo suficiente para que se permita alcanzar la estabilidad
trmica de los componentes. Debido al tamao y masa de los mdulos de potencia y
sobretodo del disipador este rgimen estable se alcanza aproximadamente 30 minutos despus
de iniciar la prueba.
P (W)
300
250
200
150 1
100
2
50
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Id (A)
Estos resultados, aunque son mayores que los previstos en el apartado 3.5.4., (207 W
con f=500 kHz, Id=37.5 A y 0=27) concuerdan suficientemente si tenemos en cuenta que el
196
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
ajuste automtico realizado por el circuito de control de los ngulos de conduccin y corte no
es perfecto y que existen errores introducidos por el propio mtodo de medida utilizado. Lo
importante es destacar que, en el peor de los casos, no se alcanzara la potencia de prdidas
mximas de 300 W impuesta como lmite del diseo.
P (W)
600
500
400
1
300
200 2
100
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Id (A)
197
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
Para la segunda figura el cortocircuito se realiz entre las espiras del inductor con lo
que la inductancia que queda es mayor que en el caso anterior y en consecuencia el aumento
de frecuencia no es tan considerable. Las formas de onda experimentales se adquirieron
mediante un osciloscopio digital trabajando en modo de disparo nico utilizando como seal
externa de disparo la seal de salida del circuito de proteccin de disparo simultneo y
continuo de los transistores expuesto en el apartado 5.4.
198
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
En este apartado se muestran los resultados experimentales con los que se pretende
demostrar la validez del estudio dinmico del circuito de control del ngulo de corte hecho en
el captulo cuarto.
1
establecimiento. Para t = resulta v( ) = V F 1 0.63 V F expresin con la que es posible
e
medir la constante de tiempo del sistema y consecuentemente su ancho de banda BW = 1/2.
199
Captulo 6 RESULTADOS EXPERIMENTALES
6.8. CONCLUSIN
Todas los ensayos realizados han permitido demostrar que los estudios tericos,
clculos, modelos y simulaciones de los captulos tercero, cuarto y quinto son vlidos, lo que
garantiza la viabilidad de los trabajos presentados en esta memoria.
200
Captulo 7 PRINCIPALES CONCLUSIONES Y APORTACIONES
7.1. CONCLUSIONES
En este trabajo se han utilizado dos inversores para caldeo por induccin con carga
resonante paralelo a los que se han aadido todas las mejoras expuestas en esta memoria para
conseguir as trabajar con fiabilidad demostrada a altas frecuencias de conmutacin. El
primero de los inversores utiliza como conmutador transistores tipo MOS trabajando a una
frecuencia de 500 kHz con 100 kW de potencia de salida. El segundo utiliza transistores
IGBT con frecuencia de conmutacin de 100 kHz y potencia de 100 kW. Todos los resultados
tericos han quedado confirmados con los resultados experimentales extrados de los ensayos
de los dos prototipos.
Por otro lado, las estrategias de control propuestas permiten que las condiciones de
conmutacin ptima se mantengan para cualquier condicin de carga y potencia de salida
permitindose variaciones tanto de corriente y tensin de salida como de frecuencia sin que el
inversor pierda fiabilidad. El estudio dinmico terico realizado permiti disear y construir
los circuitos de control de modo que el sistema fuera estable en cualquier condicin.
201
Captulo 7 PRINCIPALES CONCLUSIONES Y APORTACIONES
Tambin se realiz un estudio comparativo de prdidas para todos los casos que
permiti demostrar la necesidad y viabilidad del modo de conmutacin ptima de
inversores resonantes paralelo con inductancias parsitas. Este estudio de prdidas
se complet examinando los casos de ajuste de los ngulos de conmutacin a
conduccin y corte distintos del ptimo para dar as un criterio que permite
garantizar la fiabilidad del inversor es caso de existir desviaciones significativas de
la condicin de conmutacin ptima.
Se dio un modelo de gran seal de circuito inversor con carga resonante paralelo
utilizando el mtodo de las fuentes controladas que fue implementado mediante un
circuito simblico utilizando PSPICE.
202
Captulo 7 PRINCIPALES CONCLUSIONES Y APORTACIONES
.
En el quinto captulo tambin se abord el estudio del funcionamiento en
condiciones de cortocircuito encontrndose un modelo para simulaciones acorde
con los resultados
Posteriormente se dieron soluciones a los problemas que planteaba el cortocircuito
mediante la inclusin de circuitos de proteccin contra sobretensiones y circuitos
de control especficos que minimizan los efectos perjudiciales de las
conmutaciones incontroladas que se presentan en el funcionamiento en
cortocircuito
.
La validez de todos estos estudios tericos, circuitos y modelos qued constatada
mediante los resultados de los ensayos experimentales del
203
Captulo 7 PRINCIPALES CONCLUSIONES Y APORTACIONES
7.3.
APLICACIONE
S
Todos los conceptos, estrategias y circuitos aportados en esta memoria son de aplicacin
inmediata en generadores de caldeo por induccin con circuito de carga resonante paralelo
para cualquier aplicacin y en especial para las de alta frecuencia como son los procesos de
temples especiales y la soldadu de tubo en continuo.
De este modo se consigue trabajar en inversores con transistor MOS con frecuencias
de conmutacin de hasta 600 kHz y con niveles de potencia superior a los 500 kW con lo que
se puede sustituir totalmente a los caros y poco rentables generadores con tubo electrnico.
En el caso de que los transistores empleados en el inversor sean del tipo IGBT es
posible obtener potencias de salida cercanas al megavatio con frecuencias de conmutacin de
hasta 100 kHz con lo que se puede sustituir en este segmento de aplicaciones a los
generadores con transistor MOS o tubo electrnico y as reducir notablemente el coste de
estos equipos y aumentar su rendimiento energtico.
Se plantean como estudios complementarios a este trabajo varias tareas que por su
envergadura y complejidad no se han incluido en esta memoria y que a continuacin se
relacionan.
Otro estudio de futuro que aqu se sugiere consiste en la modelizacin conjunta del
inversor resonante paralelo y el convertidor fuente de corriente de entrada y as obtener el
204
Captulo 7 PRINCIPALES CONCLUSIONES Y APORTACIONES
estudio dinmico global del control de potencia de salida y del circuito de control del ngulo
de conmutacin a conduccin en cuyo estudio debe intervenir el comportamiento dinmico
del circuito rectificador de entrada puesto que variaciones del ngulo suponen cambios de la
fase entre tensin y corriente de salida y, por lo tanto, variaciones de carga del circuito
fuente de corriente.
Por ultimo citar que un trabajo interesante podra ser el estudio de una realizacin
mediante DSP del circuito de control propuesto con el objeto de reducir su tamao y coste, y
aumentar la flexibilidad de su ajuste e instalacin en los equipos de caldeo por induccin.
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Anexo 1 ESPECIFICACIONES TERMICAS
Tj Tc Th Ta
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Anexo 1 ESPECIFICACIONES TERMICAS
Rthha Resistencia trmica del disipador. Corresponde al valor del salto trmico por
unidad de potencia existente entre la superficie del radiador en contacto con el
mdulo y los fluidos de refrigeracin. Para nuestro caso se utilizaron
disipadores refrigerador por agua y se tubo en cuenta tan slo el salto de
temperaturas respecto a la del agua haciendo despreciable, por lo tanto, el
posible flujo de potencia disipada al aire por conveccin.
T j ( max ) Ta ( max )
Pmax = (A1.2)
Rthjc + Rthch + Rthha
donde se define:
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Anexo 1 ESPECIFICACIONES TERMICAS
Con lo la potencia mxima de prdidas permitida por mdulo resulta ser P = 300 W.
Con lo la potencia mxima de prdidas permitida por mdulo resulta ser P = 588 W.
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Anexo 1 ESPECIFICACIONES TERMICAS
A1.3. DIODO
Con lo la potencia mxima de prdidas permitida en cada diodo resulta ser P = 138 W.
d
El nmero de Nusselt, Nu = (A1.4)
k
v d
El nmero de Reynolds, Re = (A1.5)
c
El nmero de Prandtl, Pr = (A1.6)
k
donde k, , c, y son propiedades del fluido, v es su velocidad, d el dimetro interno del tubo,
es el calor transferido por unidad de rea y es la diferencia de temperatura entre la pared
del tubo y el fluido.
Para rgimen turbulento (Re 2100) y una relacin entre la longitud del tubo y su
dimetro l/d mayor que 10 existe una relacin experimental que relaciona estas cantidades:
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Anexo 1 ESPECIFICACIONES TERMICAS
Cuando el fluido considerado es agua con temperaturas entre 10C y 60C se pueden
tomar como adecuados los valores de = 995 kg m-3 y c = 4180 J kg--1 K-1. Se puede
demostrar [Fishenden] que la potencia de prdidas extradas por el agua en un circuito de
refrigeracin se puede calcular mediante la siguiente ecuacin:
PP = c Q (A1.8)
A1.5. BIBLIOGRAFA
209
Anexo 2 SIMULACIONES PSPICE
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Anexo 2 SIMULACIONES PSPICE
R_R17 $N_0005 V+ 1k
C_C11 $N_0005 V- .00001p
C_C12 $N_0003 V- .00002p
V_V13 $N_0004 S1 DC 12
C_C13 0 $N_0010 100n
D_D10 $N_0002 $N_0011 Dbreak
R_R18 $N_0010 $N_0011 1000K
M_M10 $N_0002 Q1 S1 S1 BSM181
M_M11 $N_0012 Q2 0 0 BSM181
M_M12 $N_0002 Q4 S4 S4 BSM181
M_Q1 $N_0013 Q3 0 0 BSM181
D_D11 S1 $N_0009 BYT261
D_D12 $N_0009 $N_0012 BYT261
D_D13 S4 V- BYT261
D_D1 V- $N_0013 BYT261
D_D28 S1 $N_0002 Dbreak
D_D29 0 $N_0012 Dbreak
D_D30 0 $N_0013 Dbreak
D_D31 S4 $N_0002 Dbreak
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Anexo 2 SIMULACIONES PSPICE
R_R14 Q4 S4 1
R_R16 $N_0003 V+ 1k
R_R17 $N_0005 V+ 1k
C_C11 $N_0005 V- .00001p
C_C12 $N_0003 V- .00002p
V_V13 $N_0004 S1 DC 12
C_C13 0 $N_0009 100n
D_D10 $N_0002 $N_0010 Dbreak
R_R18 $N_0009 $N_0010 1000K
M_M10 $N_0002 Q1 S1 S1 BSM181
M_M11 $N_0011 Q2 0 0 BSM181
M_M12 $N_0002 Q4 S4 S4 BSM181
M_Q1 $N_0012 Q3 0 0 BSM181
D_D11 S1 $N_0013 BYT261
D_D12 $N_0013 $N_0011 BYT261
D_D13 S4 V- BYT261
D_D1 V- $N_0012 BYT261
D_D28 S1 $N_0002 Dbreak
D_D29 0 $N_0011 Dbreak
D_D30 0 $N_0012 Dbreak
D_D31 S4 $N_0002 Dbreak
L_L11 $N_0013 V+ 250nH
R_R19 $N_0013 $N_0014 30
C_C14 $N_0014 V- 3.4n
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Anexo 2 SIMULACIONES PSPICE
213
Anexo 2 SIMULACIONES PSPICE
214
Anexo 2 SIMULACIONES PSPICE
215
Anexo 2 SIMULACIONES PSPICE
A2.2.1. DIODO
BYT261 Dbreak
IS 546.800000E-12 10.000000E-15
ISR 902.800000E-09
IKF .02953
RS 4.299000E-03
TT 123.300000E-09
CJO 243.600000E-12
VJ .75
M .1593
BSM181
NMOS
LEVEL 3
L 2.000000E-06
W 1.9
VTO 3.248
KP 20.650000E-06
GAMMA 0
PHI .6
RD .2303
RS 2.041000E-03
RG 1.556
RDS 2.222000E+06
IS 96.300000E-12
PBSW .8
CBD 5.156000E-09
TT 670.000000E-09
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Anexo 2 SIMULACIONES PSPICE
CGSO 1.947000E-09
CGDO 135.800000E-12
TOX 100.000000E-09
Sbreak-X
RON .01
ROFF 1.000000E+06
VON 5
VOFF 4
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