SantiagoPullaElectrnicadePotenciaI

LosTiristores.

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de potencia que se usan en
circuitoselectrnicosdepotencia.Secomportancomointerruptoresbiestablesfuncionandoas
deunestadoconductoraunestadonoconductor.Selospuedeanalizarenlaparteidealyla
real,sinolvidarqueenestapartesedebetomarencuentaciertascaractersticas.

Comoesundispositivoderetencin,mantienelaconduccintotalensuestadodirectocuando
su nado es positivo con respecto al ctado, y slo cuando se aplica un pulso de voltaje o
corrienteasuterminaldecompuerta.

Eltiristorpuededispararseparaentrarenelestadoactivopormediodelaaplicacindeunpulso
decorrientedepuertapositivaduranteunperiodobreve,entantoqueeldispositivoesten
estado de bloqueo directo. La cada de tensin directa en el estado activo slo es de unos
cuantosvoltios(porlogeneral13V,segnlamagnituddebloqueodevoltajedeldispositivo).
Unavezqueeldispositivoempiezaaconducir,seenclava(conduce)ylacorrientedepuerta
puede eliminarse. El tiristor no puede apagarse por la puerta, y el tiristor conduce como un
diodo.Slocuandolacorrientedelnodointentavolversenegativa(porinfluenciadelcircuito
enelqueeltiristorestconectado)seapagaeltiristorylacorrientevaacero.Estopermiteque
lapuertarecupereelcontrol,afindeencendereldispositivoenalgnmomentocontrolable
despusdequenuevamentehayaentradoenelestadodebloqueodirecto.[1]

Enpolarizacininversaycontensionesdebajodelvoltajederupturainversa,slounacorriente
de fuga muy insignificante fluye en el tiristor. Normalmente las corrientes nominales de
tiristoresparavoltajesdebloqueodirectoeinversosonlasmismas.[1]

TIPOSDETIRISTORESYCARACTERSTICAS.

Lostiristoressefabricanexclusivamentepordifusin.Losfabricantesusandiversasestructuras
de compuerta para controlar la di/dt, el tiempo de encendido y el tiempo de apagado. Los
tiristorestienenunaaplicacinampliadeacuerdoasuestructurafsicayasucomportamiento
enelencendidoyapagadoen13categoras:

Tiristorescontroladosporfase.

Funcionanalafrecuenciadelneayseapaganporconmutacinnatural.
Sebasaenelcomportamientonaturaldesucircuitoparaquesucorrientellegueacero.
Recuperasucapacidadenmicrosegundosdevoltajedebloqueoensentidoinversoy
bloquea la corriente en sentido directo hasta que se aplique el siguiente pulso de
encendido.
Tiempodeapagado50a100us.

Tiristoresbidireccionalescontroladosporfase

Puedenfuncionarcomointerruptoresestticos.
Voltajemximo6.5KVaa1.8KA
Corrientemxima3KAa1.8KV
Secomportacomodostiristoresenantiparalelo.
Constadedoscompuertas:Unaparainiciarelflujodecorrienteensentidodirectoy
otraparacorrienteensentidoinverso.

Tiristoresdeconmutacinrpida.
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Tiempocortodeapagado5a50usdependiendodelintervalodevoltaje.
Caida de voltaje vara en estado de encendido en funcin inversa del tiempo de
encendido.
dv/dtnormalmentede1000V/usydi/dtde1000A/us
Voltajeenestadodeencendido1800V2,200Asueleserde1.7V

Rectificadorescontroladosdesiliciofotoactivo

Enciendeporirradiacindirecta,conluz,delaobleadesilicio.
Especificacindevoltaje4KVa1500A.
di/dtnormal250A/msyladv/dt2000V/us

Tiristoresdetriodobidireccional

Conducenenambasdireccines.
Esundispositivobidireccional.

Tiristoresdeconduccinensentidoinverso.

Sepuedeconsiderarcomountiristorconundiodoenantiparaleloincorporado.
Voltajedebloqueoensentidodirecto400a2000Vycorrientehasta500A
Voltajetpicodebloqueoeninverso30a40V

Tiristoresapagadosporcompuerta

Encendidoyapagadoconpulsoscortospositivosynegativosrespectivamente.
Altarelacindecorrientepicocontrolableacorrientepromedionormalmentede10:1.
Altagananciaenestadodeencendido,600enformatpica
Lacorrientedeestadodeencendidoenlacompuertadebesercomomnimoel1%del
pulsodeactivacinparaasegurarquelacompuertamantengalaretencin.
Tienepocaganancia,normalmente6,durantesuapagado.

TiristorescontroladosporFET

Altavelocidaddeconmutacin,altastasasdedi/dtdv/dt
Nopuedeapagarsemediantecontroldecompuerta.

TiristoresdeapagadoporMOS

Requierenuncircuitodeencendidocongrandespulsosdecorrienteparalacompuerta
debajaimpedancia.
Amplitudpicotpicadelaamplituddelacorrienteesdel35%delacorrientequeseva
acontrolar.
Aplicacionesdegranpotencia1a20MVA.

Tiristoresdeapagadoporemisor

Dispositivohbrido.
Corrientehasta4KAyvoltajehasta6KV

tiristoresconmmutadosporcompuertaintegrada.

Pulso de corriente de compuerta muy rpido y grande como la corriente total

especificadaquetomalacorrientedenadoylallevaalacompuertaen1us.
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Potenciadeencendidodecompuertadisminuyeenunfactorde5encomparacincon
elGTO.

TiristorescontroladosporMOS(MCT)

DevidoaquelaestructuraesNPNP,elnadosirvecomoterminaldereferencia.
Puedeseroperadocomodispositivocontroladoporcompuertasisucorrienteesmenor
alacorrientecontrolablepico.
Bajacaidadevoltajeensentidodirectodurantelaconduccin.
Uncortotiempodeencendido,normalmentede0,4usyuncortotiempodeapagado
1.25ussielvoltajesielMTCesde500Va300A.
Bajasprdidasporconmutacin.
Bajacapacidaddevoltajedebloqueoinverso
Altaimpedanciadeentradaenlacompuerta.

Tiristoresdeinduccinesttica.

Esundispositivodeportadoresminoritarios.
Bajaresistenciaocaidadevoltajeenestadoactivo.
Grandesvelocidadesdeconmutacinymayorescapacidadesdetasasdv/dtydi/dt.
Tiempodeconmutacinde1a6us.
Voltajehasta2500Vycorrientehasta500A.

OPERACINDELOSTIRISTORESENSERIE

Sepuedenconectardosomastiristoresenserieparaaplicacionesenaltovoltaje,estopara
alcanzar las especificaciones de voltaje. Para la misma corriente de estado de apagado, son
distintos sus voltajes de estado de apagado. Se requieren redes de voltaje de bloqueo
compartido,paralascondicionesdebloqueoinversoydeestadodeapagado.

Elvoltajecompratidosesuelelograrconectandoresistoresenparaleloconcadatiristor(verfig
1)ID2=ID3=iDneID1<ID2.

I2=I1ID

Fig1.Tiristoresconectadosenserie.[2]

VD1=(Vs+(ns1)RID)/ns

VDS(mx)=(Vs+(ns1)RID2)/ns

V=(Q2Q1)/C1=Q/C1

VD1=1/ns[Vs+(ns1)Q/C1]

VDT(mx)=1/ns[Vs+(ns1)Q2/C1]
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DRF=1Vs/(nsVDS(mx))

OPERACINDETIRISTORESENPARALELO

Enestaconexin,lacorrientedelacarganosecomportaporigualporcaractersticasdiferentes.
Si un tiristor conduce ms corriente que la que pasa por otros, aumenta su discipasin de
potencia y con ello aumenta la temperatura de la unin y disminuye la resistencia interna,
aumentandoaslacorrientecompartidapudiendodaaraltiristor.

Sepuedeconectarunapequearesistencia(verfig.2a)enserieconcadatiristor,estoconla
finalidaddeforzarladivisinigualdelacorriente.Seusainductoresacopladosmagneticamente
paracompratircorrientedetiristores(verfig.2b).

a) Corrienteestticacompartidab)Corrientedinmicacompartida.

Fig.2Corrientecompartidaentretiristores.[2]

PROTECCIONCONTRADI/DT

Untiristorrequiereuntiempomnimopararepartirporiguallaconduccindelacorrienteen
las uniones. Se deben proteger los dispositivos prcticos contra una alta tasa de di/dt. En la
prctica,latasadi/dtselimitaagregandouninductorLs,enserie.

Latasadi/dtensentidodirectoesdi/dt=Vs/LsdondeLseslainductanciaenserie,queincluye
cualquierinductanciaparsita.

Fig.3Circuitodeconmutacinparatiristor,coninductoreslimitadoresdelatasadi/dt.[2]

PROTECCIONCONTRADV/DT

Sepuede limitar latasadv/dt conectandoel capacitorCs (ver fig.4).Cuando eltiristor T1 se

activa, la corriente dedescargadelcapacitor se limita conel resistorRs. Con un circuitoRC,
llamadocircuitoamortiguador,elvoltajeeneltiristoraumentaenformaexponencialylatasa
de dv/dt del circuito se puede determinar de forma aproximada con:
dv/dt=0.632Vs/=0.632Vs/RsCs.ElvalordeRssedeterminaapartirdelacorrientededescarga
ITD:Rs=Vs/ITDITD=Vs/(R1+R2)

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Fig.4.Circuitosdeproteccincontralatasadv/dt.[2]

Conclusines

Existenvariostiposdetiristoresloscualesestncostruidosparaeltipodeaplicacinquesele
quieradar,algunosdeestostiposque analizamossondisporitivosapagados porcompuerta.
Cadaunotieneventajasydesventajasteniendoencuentaquelosdispositivosprcticosdifieren
deformaapreciabledelosdispositivosideales.

Laformamspracticaparaencenderlostiristoresesporcompuertayaquesedebenproteger
contrafallasporaltastasasdedi/dtydv/dt.Lasoperacionesdelostiristoresenserieyparalelo
requieren redes de voltaje y corriente compartidos para protejerlos. Es necesario aislar el
circuitodepotenciayelcircuitodecompuerta.

Tomadode:

[1]NedMohan.ElectrnicadePotencia.Convertidores,aplicacionesydiseo3raedicin.Pgs
1619.

[2]Muhammand H. Rashid. Electrnica de potencia. Circuitos, dispositivos y aplicaciones. 3ra

edicinpgs313339.

[3]ElectrnicadePotencia,D.W.Hart,ValparasoUniversity,ValparasoIndiana.PrenticeHall.

[4]ElectrnicadePotencia,RevistaABBwww.abb.com/abbreview

https://www.serina.es/empresas/cede_muestra/212/TEMA%20MUESTRA.pdf seccin 2.2;

2.8.1;2.8.2