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DOCENTE:
Ing. Francisco Segura Altamirano 2015
INFORME: AMPLIFICADORES CON BJT
I.- OBJETIVOS:
Disear un amplificador en emisor comn con transistores BJT que amplifique una
seal de entrada de 6 mV a una seal de salida de 300 mV.
Observar y analizar la seal en el dominio de la frecuencia y del tiempo, adems de
sus armnicos aplicando la funcin math del osciloscopio.
Verificar la calidad de nuestro amplificador haciendo un barrido de frecuencia, y
variando la seal de entrada.
Anlisis en DC
Observe que, para corrientes continuas, los condensadores se comportan como circuitos
abiertos, y las resistencias RE1 y RE2 estn en serie. Denominaremos RE=RE1+RE2 a la
resistencia equivalente de emisor en serie. Las resistencias R1, R2, RE y RC forman la red
de polarizacin de cuatro resistencias.
Circuito equivalente en pequea seal
Antes de analizar el amplificador, es muy til dibujar su circuito equivalente en alterna (en
pequea seal). Los condensadores de acoplo se han sustituido por cortocircuitos, y el
transistor por su equivalente de pequea seal.
La fuente de alimentacin de continua es reemplazada por un cortocircuito.
Esto resulta apropiado, porque no puede haber ninguna tensin de alterna en una fuente
ideal de tensin continua, que se supone que tiene impedancia interna igual a cero.
Observe que la fuente de seal est conectada directamente al terminal de la base, ya que
C1 se considera un cortocircuito. De igual manera, el extremo inferior de RE1 est
conectado directamente a masa, y la carga est conectada al colector.
Observe que el extremo superior de R1 est conectado a la fuente en el circuito original,
pero R1 est conectado entre la base y masa en el circuito equivalente, ya que la tensin
de la fuente de alimentacin se considera un cortocircuito a masa para seales de alterna.
Observe tambin que R1 est en paralelo con R2. De igual forma, RC y RL estn en
paralelo. Es conveniente definir RB como la combinacin en paralelo de R1 y R2.
III.- DISEO DEL AMPLIFICADOR:
Osciloscopio
Fuente de voltaje DC:
Regulada a 20 V
Generador de seales:
Regulado a 6 mV, 10 KHz.
Resistencias:
RC= 6.8 K
RE1= 8.2
RE2= 1.5 K
RS= 6.8 K
RL=6.8 k
1 Transistor 2n2222a:
1 Multmetro
1 Protoboard
Pinzas y alicate de corte
V.- PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL:
Ic RBB//Rin 1
Av = ( VT) (Rc//RL)(RBB//Rin +Rs)( RE1 ) .. (1)
1+ (+1)
r
VDC= 20 V.
Asumimos:
Ic= 2 mA.
=250.
Entonces:
IB = Ic. = 8 uA.
Rc//RL < Rc; asumimos Rc//RL = 3 k
RBB//Rin
< 0, entonces le asignamos un valor de 0.4
RBB//Rin +Rs
2 1
50 = (25 ) (3 )(0.4)( 1 )
1+ 251
2500
RE1 = 9
Tenemos que:
Rc//RL = 3 k
Entonces: Rc = 6.5 k
r = ( ) = 3125
Tenemos que:
RBB//Rin
= 0.4 y Rs = 6.8 k
RBB//Rin +Rs
Entonces: RBB = 22 k
Vc = 20 (2 mA)(6.5 k)
Vc = 7 V
Dato de diseo: VCE = 2
VCE = 10 V
VE = 3 V
VB = 3.7 V
Con estos valores verificamos que nuestro circuito est bien polarizado; ya que:
Vc> VB>VE
VR2 = 3.7 V
VR1 = 20 3.7V = 16.3 V
R1 = 4.4R2
Reemplazamos valores:
12
22 k =
1+2
R2 = 27 k
R1 = 110 k
Tenemos que:
RE2 = 1.4 k
RC= 6.8 k
RE1 = 8.2
RE2 = 1.5 k
R1= 100 k
R2 = 27 k
Por ltimo, comprobamos que a nuestra unin be le llegue un voltaje menor a 5 mV para
que sea considerado de pequea seal.
RBB = R1//R2
//
Vbemax(t) = vs( )
// +
Vbemax(t) = 2.51 mV
2.- IMPLEMENTACIN DEL CIRCUITO EN ADS
En DC: En AC:
Podemos notar que la seal de salida presenta ms armnicos a 10 KHz, 20 KHz, 30KHz y
40 KHz.
VI.- CONCLUSIONES: