PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES

Parmetro simb Ge Si AsGa Unidad

N atmico Z 32 14
Peso molecular A 72.60 28.09 144.63
Densidad 5.327 2.328 5.32 gr/cm3
Densidad atmica o 4.41022 5.01022 2.211022 ato/cm3
molecular
Densidad de estados NC 1.041019 2.81019 4.71017 est/cm3
permitidos, electrones
Densidad de estados NV 6.01018 1.041019 7.01018 est/cm3
permitidos, huecos
Masa efectiva electrn me* 0.55 1.08 0.070 me
Masa efectiva huecos mh* 0.39 0.55 0.43 me
Anchura banda prohibida Eg 0.785 1.21 1.44 eV
a 0 oK
Anchura banda prohibida Eg 0.66 1.12 1.42 eV
a 300 oK
Tipo de estructura de Indirecta Indirecta Directa
bandas
Concentracin intrnseca a ni 2.41013 1.541010 1.79106 por/cm3
300 oK
Movilidad de electrones a e 3900 1350 8500 cm2/Vs
300 oK
Movilidad de huecos a h 1900 475 400 cm2/Vs
300 oK
Constante de difusin de De 101 35 220 cm2/s
electrones a 300 oK
Constante de difusin de Dh 49 12 10 cm2/s
huecos a 300 oK
Constante dielctrica g' 16.0 11.9 13.1
relativa
Resistividad intrseca a 300 Di 47 2.3105 4108 Scm
o
K
Campo elctrico de ruptura Erup -105 -3105 -4105 V/cm
Conductividad trmica 0.6 1.5 0.46 W/cmoc
 PROPIEDADES DE LAS IMPUREZAS
Semiconductor: Ge Si AsGa
Energa de ionizacin EC-ED EA-EV EC-ED EA-EV EC-ED EA-EV
Electrovoltios:

Donadoras: Li 0.0095 0.033 0.023

Sb 0.0096 0.039
P 0.012 0.044
As 0.013 0.049
Bi 0.069
Te 0.003

Aceptadoras: B 0.010 0.045

Al 0.010 0.057
Tl 0.010 0.26
Ga 0.011 0.065
In 0.011 0.16
Mg 0.012
C 0.019

Profundas y Be 0.02
mltiples: 0.07
Zn 0.03 0.031 0.024
0.09 0.55
Cu 0.26-A 0.04 0.24 0.023
0.32 0.37 0.15
0.52 0.27
0.51
Ca 0.31-A 0.25 0.39
Cd 0.05 0.021
0.16
Au 0.04-A 0.05-D 0.54-A 0.35-D
0.20-A 0.15
Ni 0.30-A 0.22 0.35-A 0.22 0.21
Si 0.003 0.026
Fe 0.27-A 0.35 0.55-D 0.40-D 0.37
0.52
 CONSTANTES FISICAS
Constante Simbolo Valor Unidades

Velocidad de la luz en el vaco c 2.998108 m/s

Aceleracin de la gravedad g 9.807 m/s2
Constante de gravitacin universal G 6.67310-11 Nm2/Kg2
Masa de la Tierra MG 5.976 1024 Kg
Nmero de Avogadro NO 6.0231023 molec./mol
Volumen molar a 0 oC y 1 Atm. VM 22.41 litros
Masa del electrn en reposo me 9.10910-31 Kg
0.511 MeV/c2
Carga del electrn q,e 1.60210-19 Culombios
Relacin carga-masa del electrn q/me 1.7591011 Cul/Kg
Masa del protn en reposo mp 1.67310-27 Kg
938.3 MeV/c2
Masa del neutrn en reposo mn 1.67510-27 Kg
939.6 MeV/c2
Masa de peso atmico unidad u 1.66010-27 Kg
Constante de Planck h 6.62610-34 Js
4.136110-15 eVs
Constante de Planck /2B constante de S 1.05510-34 Js
Planck reducida
6.58210-16 eVs
Constante de Boltzmann K 1.38110-23 J/oK
8.62010-5 eV/oK
Constante de Stefan-Boltzmann Fs 5.67010-8 W/(m2oK4)
Constante de Fadaray F 9.649104 Cul/mol
Constante de Rydberg RH 1.097107 m-1
Permeabilidad magnetica del vaco o 1.25710-6 H/m
Permitividad elctrica del vaco go 8.84910-12 F/m
Energa de 1 electronvoltio 1 eV 1.60210-19 Julios
Potencial equivalente de la temperatura VT 0.0258 Voltios
a 300 oK
Producto KT a 300 oK KT 0.0258 eV