INSTITUTO TECNOLGICO DE CELAYA

INGENIERA MECNICA
Sistemas Electrnicos
Sem. A/D 16

Nombre: __________________________

Voltaje Instantneo Voltaje Promedio Voltaje Eficaz

e Vm Sen 1 T
T 0
YAVG 1 T 2
T 0
y (t )dt Yrms y (t )dt
Chevyshev polynomials Integrales
n
1
(1) k (n k 1)!
send cos c ; sen d 2 4 sen2 c
2 2
n
Tn (t )
2 k 0 k!(n 2k )!
(2t ) n 2 k

1.- Escriba la constante de resistividad K para: 0.- La Figura muestra la seal que CFE nos proporciona.
Cobre, Germanio y Silicio. Desarrolla la ecuacin y calcula e indica el voltaje eficaz Vrms
Si el VP=Vm=181 volts
2.- Cuantos electrones de valencia contiene el Si.

3.- Dibuja la estructura atmica del Ge.

4.- Escribe en una cuartilla, fabricacin de un diodo

semiconductor de Si.

5.- Que otro nombre recibe el transformador de voltaje y

como se prueba que se encuentra en condiciones de
trabajo
6.- Dibuja el smbolo, construccin y curva caracterstica
de un diodo semiconductor de silicio
20 % 10 %

7.- Explica la polarizacin directa de un diodo semiconductor de germanio 10%

8.- Dibuja diagrama de un rectificador de media onda, cuando se usa la derivacin central del secundario. 10%
9.- Dibuja diagrama de un rectificador de onda completa tipo puente, explica su funcionamiento, dibuja voltajes del
secundario y de la resistencia de carga. 10%

10.- Determina y calcula los voltajes promedio y eficaz, del rectificador anterior. Considera que el voltaje pico en la
resistencia de carga es de 42 volts. 40%

Suerte!!!

Ing. Anselmo Ramrez Gonzlez