Valeria Flores
Humberto Snchez Rodrguez.
Descripcingeneral:
Los LEDs son diodos que transforman la corriente
elctrica en luz. La corriente que atraviesa el
dispositivo genera estados excitados en los
electrones del material de estos semiconductores.
Posteriormente estos electrones regresan a los
estados energticos de partida, ms estables,
emitiendo fotones cuya longitud de onda depender
de cmo se ha diseado el mdulo. Un diodo
orgnico de emisin de luz, traduccin del acrnimo
ingls OLED (Organic Light-Emitting Diode), es un
diodo que se basa en una capa electroluminiscente
formada por una pelcula de componentes orgnicos
que reaccionan a una determinada estimulacin
elctrica, generando y emitiendo luz por s mismos.
Aplicacionestecnolgicas:
Se encuentran entonces principalmente, reemplazos
de otros tipos de display como LCD, en aplicaciones
que exigen mayor brillo, mayor rapidez de respuesta,
menor espesor y menor peso, y que al mismo tiempo
ofrecen menor potencia y consumo, mayor contraste
y menor costo de fabricacin. Las agendas
personales y los telfonos celulares son casos tpicos
de estas primeras aplicaciones. Adems, ya hay
ejemplos de aplicaciones reales en la iluminacin
domstica que utilizan OLED. Entre estas
aplicaciones tenemos: prototipos de lmparas
convencionales para iluminar el hogar con menos
gasto de energa. Las casas Philips y Osram han
presentado varias lmparas a base de paneles
luminosos con tecnologa OLED, pero hay nuevos
sistemas de iluminacin, ms revolucionarios, que
cambian el concepto de la iluminacin a partir de
lmparas, como elementos puntuales de luz. Existen
ventanas que tienen cristales transparentes, que al
llegar la noche se transforman en elementos
luminosos a base de OLED, de manera que se crea
una ventana luminosa, capaz de producir el efecto de
la luz natural
DescripcinFenomenolgica: y debe impedir el que los electrones procedentes del
un diodo orgnico emisor de luz consiste en una
secuencia de capas orgnicas entre dos electrodos,
un nodo para la inyeccin de huecos y un ctodo
para la inyeccin de electrones, respectivamente.
Esquemticamente, las capas bsicas tienen
asignadas las funciones en la imagen:
Qumica del estado slido
Jose Francisco Garcia
Imagen 2. Conformacin de un OLED.
Bajo una corriente de polarizacin positiva, los
huecos son inyectados desde el nodo y los
electrones desde el ctodo. Los portadores de carga
se mueven a travs de las capas de transporte
(mediante un mecanismo de hopping ) y se
encuentran en la capa de emisin, donde se forman
excitones (estados neutros excitados o pares
electrn-hueco enlazados) que presentan una cierta
probabilidad de decaer radiativamente. Para alcanzar
una eficiencia elevada (fotones emitidos con respecto
a electrones inyectados), las capas deben cumplir
ciertos requisitos. La capa de inyeccin de huecos
(HIL) tiene que facilitar la inyeccin de huecos desde
el nodo a la capa de transporte de huecos (HTL).
Esto puede lograrse eligiendo el nivel energtico del
orbital molecular ms alto ocupado (HOMO) de forma
que est entre el HOMO de la HTL y el potencial de
ionizacin del nodo. En el dibujo simplificado que se
recoge en la figura siguiente, los niveles HOMO y
LUMO se tratan de forma anloga a las bandas de
valencia y conduccin en semiconductores
inorgnicos y el nivel de vaco se supone alineado.
Debe tenerse en cuenta que esta es una
aproximacin poco rigurosa. La capa de transporte de
huecos debe tener una alta movilidad de los mismos
ctodo lleguen al nodo (dando lugar a una corriente
de derivacin). Adems, la transmisin de todas las
capas orgnicas debe ser alta en la regin de la
longitud de onda de emisin. Las posiciones de los
orbitales HOMO y LUMO (orbital molecular ms bajo
no ocupado) de la capa de emisin (EML) deben
posibilitar la inyeccin de huecos y electrones desde
las capas vecinas. Adicionalmente, la eficiencia de
fotoluminiscencia (proporcin de excitones
recombinados radiativamente frente a excitones
generados) del material emisor debe ser alta y la
emisin debe estar desplazada hacia el rojo respecto
a la absorcin (desplazamiento de stokes), Las
propiedades de las capas de transporte de electrones
(ETL) y de inyeccin de electrones (EIL) seran
complementarias a las ya vistas para las capas HIL y
HTL (es decir, niveles LUMO adecuados, alta
movilidad de electrones). El nodo debe tener un
potencial de ionizacin alto para inyectar huecos en
el HOMO de la HIL. Por consiguiente, el ctodo debe
ser un metal con una funcin de trabajo baja como el
magnesio o el calcio. Finalmente, al menos un
electrodo debe ser transparente para lograr una alta
eficiencia de extraccin de la luz. Por esta razn, en
la mayor parte de los casos se utiliza ITO (xido de
estao-indio) como nodo transparente.
Imagen 2. Transicin de electrones por todo el
circuito OLED.
Relacinestructural-Propiedades:
la estructura electrnica del OLED puede
aproximarse por el modelo de bandas rgidas que se
recoge en la figura siguiente El campo intrnseco da
lugar a una pendiente uniforme en las energas de los
estados del polmero semiconductor; siendo la
curvatura de las bandas despreciable.
Imagen 3. Transiciones electronicas entre orbitales
LUMO y HOMO.
La altura de la barrera para la inyeccin de huecos
viene determinada por la diferencia entre la funcin
de trabajo del nodo y el nivel de energa de la
banda (banda de valencia); y la altura de la barrera
para la inyeccin de electrones est determinada por
la diferencia de energa entre la funcin de trabajo del
ctodo y el nivel de energa de la banda * (banda
de conduccin). El hecho de que las barreras se
puedan determinar de esta forma tan sencilla se debe
a que los polmeros conjugados no tienen estados
superficiales que fijen el nivel de Fermi.
Consideremos las tres situaciones contempladas en
la figura anterior (izquierda a derecha):
-Corriente de polarizacin (bias) nula con un nivel de
Fermi comn a lo largo de todo el dispositivo (es
preciso fijarse que, dentro de la capa de polmero
semiconductor, el nivel de Fermi se mueve a travs
del salto energtico ( gap) al ir del nodo al ctodo):
-Condicin de planicidad de bandas: Tiene lugar cuando
el voltaje aplicado iguala la diferencia entre las funciones
de trabajo del nodo y el ctodo. Este es el voltaje
mnimo requerido para la inyeccin de electrones y
huecos. En condiciones ideales, la emisin
electroluminiscente debera comenzar a este voltaje.
-Voltaje en directa: Los portadores son inyectados a
travs de las barreras triangulares en el nodo (huecos)
y el ctodo (electrones), y se encuentran en la pelcula
de polmero donde se recombinan radiativamente
(electro-luminiscencia).
Los portadores atraviesan (tunnel) esa barrera
principalmente por el mecanismo conocido como
tunelado de emisin de campo Fowler-Nordheim
(Fowler-Nordheim field emission tunnelling) desde el
nodo y el ctodo hasta la banda (en el caso de los
huecos procedentes del nodo) o hasta la banda *
(para los electrones procedentes del ctodo) del
polmero semiconductor.
Bibliografa:
Chamorro, etal. (2008).Fundamentos de la
tecnologa OLED. Universidad de Valladolid.
Gonzlez y Aguilar. (2010) Tecnologa OLED y
MOLED. Publicado en Visin Electrnica
Rankel, Mihailovi. (2004). Seminar OLED.
UNIVERSITY OF LJUBLJANA FACULTY OF
MATHEMATIC AND PHYSICS DEPARTMENT OF
PHYSICS.
Jefferson, Torres. ( 2010). Tecnologa OLED
Universidad Politcnica Salesiana. Facultad de
Ingeniera Electrnica Cuenca- Ecuador.