Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Facultad de Ingeniera Electronica, Electrica y

Telecomunicaciones

Curso de Laboratorio de Dispositivos Electr

onicos
Lab. 1: DIODO SEMICONDUCTOR

Abril, 2017

Instructor: Prof. Jaime Luque Quispe

Email: jaime.luque@unmsm.edu.p e

archivos para simulacion por computadora acompanan a este documento, asegu

rese de solicitarlos al profesor.

1 objetivo
estudiar las caractersticas de operacion de los diodos semiconductores: simulaci
on e implementacion de circuitos con diodos.

2 caractersticas del diodo semiconductor

la corriente (id) y el voltaje (vd) de un diodo estan relacionados por la ecuaci
on:
v
i = Is e nVT 1 (1)

i: corriente en el diodo

v: voltaje en el diodo
Is : corriente de saturacion inversa

n: constante del diodo entre 0 y 2

VT : voltaje termico del diodo, dado por VT = q kT , donde:

k es la constante de Boltzman 1.38 1023 0 JK , q es la carga del electron

1
1.6 1019C y T es la temperatura absoluta en grados Kelvin.

2
En la region de polarizacion directa, arriba del punto de inflexion de
la curva v > 0: v
i Ie
s
nVT
(2)
En la region de polarizacion inversa v < 0, excepto region de
avalan- cha:
i Is (3)

2.1 calculo de la resistencia din

amica
la resistencia dinamica (rd ) del diodo es dada
por:

dv
rd = di v=vd
(4)

si se considera que el diodo esta en la region de polarizacion directa y se

hace i = id (corriente en el diodo) y v = vd (voltaje en el diodo), la Eq. (2) se
puede expresar como
vd
nVT
di = Ie s (5)
resolviendo la Eq. 4 se tiene:

rd = nV
i
T (6)
d
nota:
- para diodos de silicio: n 2 para la region de crecimiento vertical de la
curva v versus i y n 1 para puntos mas bajos de la curva pero arriba del
punto de inflexion.
- para diodos de germanio: n 1.
- eq. 6 no valida para valores a la izquierda del punto de inflexion de la
curva.

2.2 relacion ln(i) -

v
de la Eq. 2, se tiene:
(7)
v
ln(i) = ln(Is ) + nVT

los valores de n y de Is se pueden conocer graficando la recta v versus ln(i).

Solo se necesita calcular la pendiente y punto de interseccion con el eje ln(i).
 Table 1: voltajes y corrientes en el diodo
medicion voltaje v corriente i
1 0.1 0.133 1012
2 0.2 1.79 1012
3 0.3 24.02 1012
4 0.4 0.321 109
5 0.5 4.31 109
6 0.6 57.69 109
7 0.7 7.726 107

3 ejemplos de simulacion en Matlab

3.1 calculo de la corriente de saturacion inversa Is y de
la constante n
suponiendo que un diodo esta en la region de polarizacion directa y sobre
el se midieron los valores de voltaje y corriente de la tabla 1. Obtener los
valores de Is y n.
Archivo de codigo Matlab: calculo is n.m. Ver Figs. 1 y 2.

3.2 analisis mediante recta de carga

para el circuito de la Fig. 7, R1 = 10K ohms, V D = 10 V, corriente de satu-
racion inversa Is = 1012 A. Asumir temperatura de 250 C .
a) obtener la curva caracterstica del diodo y de la carga (resistencia).
b) obtener los valores de voltaje y corriente en el punto de operacion del
diodo. archivo de codigo Matlab: calculo punto operacion diodo.m. Ver Figs.
3y 4.

4 simulacion pspice
4.1 simulacion de un modelo basico de Diodo
diodo con corriente de saturacion Is = 100 pA y constante n =
1.679. obtener la curva caracterstica del diodo voltaje versus
corriente. archivo de simulacion pspice: diodo basico 1.cir. Ver fig. 5
y6

4.2 simulacion de un circuito con diodo

en el circuito de la Fig. 7, el diodo tiene parametros por defecto, R1 = 100
ohms y la fuente va de 0 a 1 voltio.
analizar la corriente en el diodo.
archivo de simulacion pspice: diodo basico 2.cir. Ver Fig. 8 y 9

5 implementacion
5.1 materiales y equipos
1 fuente de alimentacion regulable DC
1 diodo rectificador 1N4001 (o 1N4002, 1N4007)

1 diodo switching (diodo de senal) 1N4148

set de resistores

1 multmetro
1 miliampermetro DC

1 microampermetro DC
1 voltmetro DC

cables y conectores

5.2 procedimiento
5.2.1 paso 1: revisar el datasheet del diodo
analizar la hoja de datos (datasheet) del diodo escogido y anotar los valores
de los siguientes parametros:
Forward voltaje (voltaje directo, VF) =

Peak reverse voltage (voltaje de pico reverso, VR) =

Continuous forward current (corriente contnua sostenida, IF) =

Peak forward current (corriente directa pico, IFRM, IFSM) =

Maximum reverse current (corriente reversa maxima o pico, IR) =

Max. avg. power dissipation (max. potencia media de disipacion, Ptot ) =

5.2.2 paso 2: implementar el circuito de referencia

el circuito es mostrado en la Fig. 10, donde:
Vg: fuente DC, R: resistor, Am: ampermetro, D: diodo, Vm: voltmetro.
im- plementar el circuito con R = 200 ohms
Medir el valor real de la resistencia. R =
5.2.3 paso 3: energizar el circuito y hacer mediciones
empezar con niveles bajos de voltaje de fuente Vg e ir subiendo gradualmente
de 0.1 a 10 v para obtener los valores de voltaje en el resistor vr conforme a
la tabla 2.

Table 2: medicion de voltajes y corrientes. vr : voltaje en el resistor, vd :

voltaje en el diodo, id : corriente en el diodo.
medicion vr vd medido id medida id = vd/R
1 0.1
2 0.2
3 0.3
4 0.4
5 0.5
6 0.6
7 0.7
8 0.8
9 0.9
10 1
11 2
12 3
13 4
14 5
15 6
16 7
17 8
18 9
19 10

6 analisis e interpretacion de resultados

usando los valores de la tabla 2, desarrollar:
(a) graficar la curva voltaje versus corriente del diodo de forma manual o por
computadora usando Matlab.
(b) obtener el valor de la corriente de saturacion inversa Is y el factor n del
diodo idea: usar una curva de ajuste lineal como en el ejemplo de la secci
on 3.1 hecho arriba.
(c) obtener la resistencia dinamica (rd ) en un punto de la curva de operaci
on obtenida en (a). Nota 1. la eleccion de este punto es libre pero debe
estar arriba del punto de inflexion de la curva. Nota 2: para el calculo
considere un rango pequeno de excursion de la corriente id arriba y
abajo del punto escogido (ej. excursion de 1 mA).
(d) obtener la resistencia dinamica (rd ) en el mismo punto escodigo en (c)
pero usando la Eq. (6). A que se debera la posible diferencia entre
este valor de la resistencia dinamica con el obtenido en (c)?.
recomendacion: revisar la seccion 1.7 del libro Electronica: Teoria de
Cir- cuitos (Robert Boylestad).

7 bibliografa recomendada
1. Electronica Teoria de Circuitos (Robert Boylestad) - captulo 1:
diodos semiconductores y captulo 2: aplicaciones de diodos.

Buen estudio!
7
Figure 1: calculo de Is y n: codigo matlab
 grfica v versus ln(i)
10
voltaje y corriente medidos
recta de ajuste

15

20
ln(i)

25

30

350 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

voltage (V)

Figure 2: calculo de Is y n: resultados de la simulaci

on

8
9
Figure 3: analisis mediante recta de carga: codigo Matlab
 4
x 10 recta de carga y curva caracterstica del diodo
20
diodo
18 carga

16

14
corriente (A)

12

10

0
0 0.5 1 1.5 2
voltaje (V)

Figure 4: analisis mediante recta de carga: resultados de la simulacion

1
0
Figure 5: descripcion basica del modelo pspice del diodo
Figure 6: resultado de la simulacion pspice: curva voltaje versus corriente en
el diodo

Figure 7: circuito con diodo

Figure 8: descripcion pspice del circuito con diodo
Figure 9: resultado de la simulacion pspice: voltaje de la fuente versus
corriente en el diodo

Figure 10: circuito para implementacion, diodo con polarizacion directa