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ELEL150
AmplificadorEmisorComn
ELEL150
ElmodelohibridoPI.
b c
+
m be
be o
*V T
r VA
I c
I ro
g C
m
V T
I c
ELEL150
ModelodepequeasealparaelFET
D
+
vgs gm *vgs
rds
S
ELEL150
TransistorMOSFET.
Smbolos:
Transconductancia.
Relacionaelcambioenlacorrientededrenajeconuncambioenelvoltajede
compuertafuente:
2 *I
g D
m
V V GS TN VTN :voltajeumbral
ELEL150
Regionesdefuncionamiento(NMOS):
Regindecorte.
iD =0paravGS VTN
Regindetriodo.
v
DS
i D K n vGS V TN 2 * vDS para v V TN v DS 0
GS
Regindesaturacin.
i K vGS V TN 1 v v V 0
2
D
n
DS
para v DS
GS TN
2
ELEL150
Ejercicio.
Culeslaregindefuncionamientoylacorrientededrenajedeun
transistorNMOSquetieneVTN =1V;Kn =1mA/Vy=0,01Vpara:
a)VGS =0V,VDS =1V
b)VGS =2V;VDS =0,5V
c)VGS =2V;VDS =2V
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Resp.
a)Corte 0A
b)triodo 375A
c)saturacin 520A
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ModelodepequeasealdelMOSFET.
g m
K V
n GS
V TN o g m
2K I
n D
1
V DS
1
ro
I D *I D
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